JPS58155727A - 半導体装置の樹脂封止金型 - Google Patents
半導体装置の樹脂封止金型Info
- Publication number
- JPS58155727A JPS58155727A JP3852182A JP3852182A JPS58155727A JP S58155727 A JPS58155727 A JP S58155727A JP 3852182 A JP3852182 A JP 3852182A JP 3852182 A JP3852182 A JP 3852182A JP S58155727 A JPS58155727 A JP S58155727A
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- JP
- Japan
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- resin
- mold
- sealing
- air
- pressure
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/17—Component parts, details or accessories; Auxiliary operations
- B29C45/26—Moulds
- B29C45/34—Moulds having venting means
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は半導体装置の樹脂封止金型に関するものであ
る。
る。
半導体装置にあっては、リードフレーム上に半導体素子
をダイボンドすると共に、このリードフレームと半導体
素子とをワイヤボンドした上で、この半導体素子を外部
からの物理的２機械的圧力から保鏝するために、これら
を樹脂封止する手段が一般に用いられている。
をダイボンドすると共に、このリードフレームと半導体
素子とをワイヤボンドした上で、この半導体素子を外部
からの物理的２機械的圧力から保鏝するために、これら
を樹脂封止する手段が一般に用いられている。
こ＼でこの種の樹脂封止を行なう従来の樹脂封止金型を
第１図および第２図について説明する。
第１図および第２図について説明する。
これらの各図において、符号ｆｉｌ 、 ＋２１は一対
の下定盤、上定盤、（３）はこれらの各定盤相互を上下
方向に案内するポスト、（４１、（５１は各定、盤の対
告面に取付けられて金型を構成する下型、上型である。
の下定盤、上定盤、（３）はこれらの各定盤相互を上下
方向に案内するポスト、（４１、（５１は各定、盤の対
告面に取付けられて金型を構成する下型、上型である。
しかして前記下型（４）にはポット（６）を中心にして
ランナー（７）が延長さね、各ランナーにそわそわゲー
ト（８）を介して下型キャビティ（９）が設けらｈてお
り、また前記上型（５）Ｋは下型キャビティに対応して
上型キャビティ叫が設けられている。
ランナー（７）が延長さね、各ランナーにそわそわゲー
ト（８）を介して下型キャビティ（９）が設けらｈてお
り、また前記上型（５）Ｋは下型キャビティに対応して
上型キャビティ叫が設けられている。
そしてこの構成にあっては、前記各キャビティ（９１、
Ｑ（１を含む下型（４）、上型（５１間に被成型対象で
あるところの半導体装置（υを挾持して型合わせしたの
ち、図示省略したプランジャから加圧供給される溶融樹
脂を、ポット（６）、ランナー（７）からゲート（８）
で絞って各キャビティ（９１、０１間に充填させ、これ
Ｋよって所期の樹脂封止を行なうのである。
Ｑ（１を含む下型（４）、上型（５１間に被成型対象で
あるところの半導体装置（υを挾持して型合わせしたの
ち、図示省略したプランジャから加圧供給される溶融樹
脂を、ポット（６）、ランナー（７）からゲート（８）
で絞って各キャビティ（９１、０１間に充填させ、これ
Ｋよって所期の樹脂封止を行なうのである。
しかし乍らこの従来構成の場合には、よく知られている
ように、樹脂封止部分に空気を巻き込んでしまうという
大きな欠点が伏在している。すなわち、前記したランナ
ー（７１，ゲート（８）および各キャビティ（９）、Ｑ
ｌ内への溶融樹脂充填は、これら各部内に存在している
空気と樹脂との置換にほかならず、このとき樹脂内部へ
の空気の巻き込みが多発するもので、その理由は種々推
定し得るが、いずれＫしても前記各部内に空気が存在し
ている限り解決し難い問題である。そしてこの空気の巻
き込みは、封止される半導体装置の種類の如何を問わず
、耐湿性、耐候性、耐衝撃性などの点から装置の性能Ｋ
Ｍ影響を及ぼすもので、他の成型上の問題点１例えば未
注入、パリ発生などに併せて大亀な欠点となっている。
ように、樹脂封止部分に空気を巻き込んでしまうという
大きな欠点が伏在している。すなわち、前記したランナ
ー（７１，ゲート（８）および各キャビティ（９）、Ｑ
ｌ内への溶融樹脂充填は、これら各部内に存在している
空気と樹脂との置換にほかならず、このとき樹脂内部へ
の空気の巻き込みが多発するもので、その理由は種々推
定し得るが、いずれＫしても前記各部内に空気が存在し
ている限り解決し難い問題である。そしてこの空気の巻
き込みは、封止される半導体装置の種類の如何を問わず
、耐湿性、耐候性、耐衝撃性などの点から装置の性能Ｋ
Ｍ影響を及ぼすもので、他の成型上の問題点１例えば未
注入、パリ発生などに併せて大亀な欠点となっている。
この発明は従来の樹脂封止金型のこのような欠点に鑑み
、溶融樹脂の充填と共に内部に存在する空気を除去し得
るようにして、封止時の空気の巻き込みを阻止したもの
である。
、溶融樹脂の充填と共に内部に存在する空気を除去し得
るようにして、封止時の空気の巻き込みを阻止したもの
である。
以下、この発明に係わる樹脂封止金型の一実施例につき
、第３図ないし第８図を参照して詳細に説明する。
、第３図ないし第８図を参照して詳細に説明する。
これらの第３図ないし第８図において前記第１図および
第２図と同一符号は同一または相当部分を示し、またＱ
３は前記下型キャビティ（９）のそれぞれに連接された
エアベンド、Ｑ３はこれらの各エアベンドを減圧穴（１
４）に導く減圧溝、Ｑ９は前記ランナー（７）のそれぞ
れ端部に設けられたダミーキャビティ、（Ｉｓは各ダミ
ーキャビティに連接された減圧穴、任η、ａＩは各減圧
穴＜１４＋ 、 ａｅを外部の減圧ポンプなどに接続す
る導管、Ｑ９は前記減圧穴ＱＩＫ組み込んで減圧開閉弁
を構成する作動ピンで、通路となる切欠き（１９ｍ）を
有し、支持枠（２υで支持されたシリンダ（至）により
作動制御されて矢印人、Ｂのように上下動されて弁開閉
を行なうようＫなっておシ、さらにこれら各部を囲繞す
る下型（４）面にはシール溝（２）を形成してシール（
ハ）を配し、上型（５）面とのシールを行なえるように
したものである。
第２図と同一符号は同一または相当部分を示し、またＱ
３は前記下型キャビティ（９）のそれぞれに連接された
エアベンド、Ｑ３はこれらの各エアベンドを減圧穴（１
４）に導く減圧溝、Ｑ９は前記ランナー（７）のそれぞ
れ端部に設けられたダミーキャビティ、（Ｉｓは各ダミ
ーキャビティに連接された減圧穴、任η、ａＩは各減圧
穴＜１４＋ 、 ａｅを外部の減圧ポンプなどに接続す
る導管、Ｑ９は前記減圧穴ＱＩＫ組み込んで減圧開閉弁
を構成する作動ピンで、通路となる切欠き（１９ｍ）を
有し、支持枠（２υで支持されたシリンダ（至）により
作動制御されて矢印人、Ｂのように上下動されて弁開閉
を行なうようＫなっておシ、さらにこれら各部を囲繞す
る下型（４）面にはシール溝（２）を形成してシール（
ハ）を配し、上型（５）面とのシールを行なえるように
したものである。
従ってこの実施例構成では、従来と同様に下型（４）、
上型（５）関に半導体装置ａ１Ｊを挾持して型合わせし
たのちは、まず作動ビン０を入方向に上昇させて減圧弁
を開き、各減圧穴Ｑ４．αｅを通して金型内を減圧する
。このとき減圧穴Ｉはエアベンドα２よ）主にキャビテ
ィ（９１、（１（ｌ内を、また減圧穴顛は主にランナー
（７）とこれに連なるポット（６）およびゲート（８）
内をそれぞれに減圧することになる。
上型（５）関に半導体装置ａ１Ｊを挾持して型合わせし
たのちは、まず作動ビン０を入方向に上昇させて減圧弁
を開き、各減圧穴Ｑ４．αｅを通して金型内を減圧する
。このとき減圧穴Ｉはエアベンドα２よ）主にキャビテ
ィ（９１、（１（ｌ内を、また減圧穴顛は主にランナー
（７）とこれに連なるポット（６）およびゲート（８）
内をそれぞれに減圧することになる。
ついでこの減圧状態でポット（６）から溶融樹脂を加圧
導入するが、このときタイミングをはかつてシリンダ（
２）Ｋより作動ピン四をＢ方向に下降させて減圧弁を閉
じる。この操作によりランナー（力からダミーキャビテ
イａｓ内に流れ込んだ溶融樹脂は、その流動が一時停止
状態となると共に、このダミーキャビティα９内でその
部分の空気を閉じ込める働きをなし、減圧穴（Ｉｅから
の外部への流出はない。
導入するが、このときタイミングをはかつてシリンダ（
２）Ｋより作動ピン四をＢ方向に下降させて減圧弁を閉
じる。この操作によりランナー（力からダミーキャビテ
イａｓ内に流れ込んだ溶融樹脂は、その流動が一時停止
状態となると共に、このダミーキャビティα９内でその
部分の空気を閉じ込める働きをなし、減圧穴（Ｉｅから
の外部への流出はない。
そしてこのときにも減圧穴Ｉを通したキャビティ（９１
、Ｏｎ内の減圧は継続されており、続いてゲート（８）
より各キャビティ（９） 、 （１１内に溶融樹脂が導
入されて封止を行なうのであるが、この場合、エアベン
ド（１２１の深さを選択することにより、このエアベン
ドＱ３側への樹脂の流出を抑え得る。こ＼でエアベンド
０の深さとしては、封止樹脂がシリコンの場合は、０．
０３〜０．０５ｍｍ 、エポキシの場合は０．０２〜０
．０２５ｍｍであれば良好な封止成形が可能である。
、Ｏｎ内の減圧は継続されており、続いてゲート（８）
より各キャビティ（９） 、 （１１内に溶融樹脂が導
入されて封止を行なうのであるが、この場合、エアベン
ド（１２１の深さを選択することにより、このエアベン
ドＱ３側への樹脂の流出を抑え得る。こ＼でエアベンド
０の深さとしては、封止樹脂がシリコンの場合は、０．
０３〜０．０５ｍｍ 、エポキシの場合は０．０２〜０
．０２５ｍｍであれば良好な封止成形が可能である。
また下型（４）、上型（５）間のシールのは、この減圧
成形時に金型内部への空気の浸入を極力阻止して前記効
果を一層助長し得るのである、 以上詳述したようＫこの発明の構成によるときは、金型
による半導体装置の樹脂封止を減圧成形によって行なう
ようにしたから、樹脂封止に際しての空気の巻き込みが
解消され、良好な封止成形が可能になって樹脂封止され
た半導体装置の性能ならびに信頼性を向上でき、併せて
生産性を改善できる。また金型を構成するポットあるい
はランナーの一部に減圧開閉弁を設けて、溶融樹脂の加
圧導入とタイミングを合わせてその開閉制御を行ない、
樹脂の流動を一時停止させる状態でキャビティへの充填
をなすようＫし、かつその間、キャビティ内の減圧を保
持するようにしたので、樹脂側正部分への空気の巻き込
みが確実に阻止でき、下型、上型間のシール作用と相俟
って前記効果を充分に裏付は得るものである。
成形時に金型内部への空気の浸入を極力阻止して前記効
果を一層助長し得るのである、 以上詳述したようＫこの発明の構成によるときは、金型
による半導体装置の樹脂封止を減圧成形によって行なう
ようにしたから、樹脂封止に際しての空気の巻き込みが
解消され、良好な封止成形が可能になって樹脂封止され
た半導体装置の性能ならびに信頼性を向上でき、併せて
生産性を改善できる。また金型を構成するポットあるい
はランナーの一部に減圧開閉弁を設けて、溶融樹脂の加
圧導入とタイミングを合わせてその開閉制御を行ない、
樹脂の流動を一時停止させる状態でキャビティへの充填
をなすようＫし、かつその間、キャビティ内の減圧を保
持するようにしたので、樹脂側正部分への空気の巻き込
みが確実に阻止でき、下型、上型間のシール作用と相俟
って前記効果を充分に裏付は得るものである。
第１図および第２図は従来例による樹脂封止金型の断面
図および下型の平面図、第３図および第４図はこの発明
に係わる樹脂封止金型の一実施例を示す断面図および下
型の平面図、第５図および第６図は同上減圧部のそれぞ
ｔ断面図、第７図は同作動ビンの断面図、第８図は第６
′図構成の作動状態を示す断面図である。 （４１・・・・下型、（５）拳・・・上型、（６）−〇
・・ポット、（７）・・拳・ランナー、（８）−・・−
ゲート、（９１、Ｑｌ・・・・下型、上型キャビティ、
ａυ・・・・半導体装置、（１り・・・・エアベンド、
（１３・・・・減圧溝、０４） 、 Ｈ・・・・減圧穴
、α９・−・・ダミーキャビティ、 ａＳ・・・Ｏ作動
ピン（減圧開閉弁）、＠・・・・シール。
図および下型の平面図、第３図および第４図はこの発明
に係わる樹脂封止金型の一実施例を示す断面図および下
型の平面図、第５図および第６図は同上減圧部のそれぞ
ｔ断面図、第７図は同作動ビンの断面図、第８図は第６
′図構成の作動状態を示す断面図である。 （４１・・・・下型、（５）拳・・・上型、（６）−〇
・・ポット、（７）・・拳・ランナー、（８）−・・−
ゲート、（９１、Ｑｌ・・・・下型、上型キャビティ、
ａυ・・・・半導体装置、（１り・・・・エアベンド、
（１３・・・・減圧溝、０４） 、 Ｈ・・・・減圧穴
、α９・−・・ダミーキャビティ、 ａＳ・・・Ｏ作動
ピン（減圧開閉弁）、＠・・・・シール。
Claims (1)
- 型合わせ可能な下型および上型からなシ、これらの両型
間に溶融樹脂を加圧導入するポット、ポットに連なるラ
ンナー、およびランナーにゲートを介してそれぞれに連
なるキャビティを形成した金型において、前記キャビテ
ィにエアベンドを経て連なる減圧溝と、前記ランナー、
ポットにダミーキャビティを経て連なる減圧開閉弁と、
これらの各部の外周囲を囲繞するシールとを備え、樹脂
封止に際して、減圧溝側では常時減圧作用を継続させ、
またダミーキャビティ側では溶融樹脂の導入にタイミン
グを合わせて、減圧開閉弁を閉作動制御し得るようにし
たことを特徴とする半導体装置の樹脂封止金型。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3852182A JPS58155727A (ja) | 1982-03-10 | 1982-03-10 | 半導体装置の樹脂封止金型 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3852182A JPS58155727A (ja) | 1982-03-10 | 1982-03-10 | 半導体装置の樹脂封止金型 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58155727A true JPS58155727A (ja) | 1983-09-16 |
| JPS6240851B2 JPS6240851B2 (ja) | 1987-08-31 |
Family
ID=12527572
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3852182A Granted JPS58155727A (ja) | 1982-03-10 | 1982-03-10 | 半導体装置の樹脂封止金型 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58155727A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6064818U (ja) * | 1983-10-13 | 1985-05-08 | トーワ株式会社 | トランスフア−モ−ルド金型装置 |
| JPS6185829A (ja) * | 1984-10-03 | 1986-05-01 | Michio Osada | 半導体素子のトランスフア樹脂モ−ルド成形方法 |
| JPS62113572A (ja) * | 1985-11-13 | 1987-05-25 | Hitachi Ltd | プラテンローラの製造装置 |
| JPS6388411U (ja) * | 1986-11-28 | 1988-06-08 | ||
| JP2006159690A (ja) * | 2004-12-08 | 2006-06-22 | Apic Yamada Corp | 樹脂モールド金型および樹脂モールド装置 |
| NL2000488C2 (nl) * | 2007-02-15 | 2008-08-18 | Fico Bv | Werkwijze en inrichting voor het met behulp van onderdruk omhullen van elektronische componenten. |
| KR100930737B1 (ko) | 2009-07-08 | 2009-12-09 | 동현정공(주) | 진공흡입을 위한 오버 플로우부를 구비하는 플라스틱 성형 진공 금형 |
| JP2009292076A (ja) * | 2008-06-06 | 2009-12-17 | Apic Yamada Corp | トランスファモールド装置とこれを用いたトランスファモールド方法 |
| KR100933025B1 (ko) | 2009-07-08 | 2009-12-21 | 동현정공(주) | 진공흡입을 위한 오버 플로우부를 구비하는 플라스틱 성형 진공 금형 |
| JP2014075443A (ja) * | 2012-10-03 | 2014-04-24 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
| CN106738704A (zh) * | 2017-01-10 | 2017-05-31 | 佛山市顺德区百年科技有限公司 | 真空注塑模具和注塑机 |
-
1982
- 1982-03-10 JP JP3852182A patent/JPS58155727A/ja active Granted
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6064818U (ja) * | 1983-10-13 | 1985-05-08 | トーワ株式会社 | トランスフア−モ−ルド金型装置 |
| JPS646266Y2 (ja) * | 1983-10-13 | 1989-02-17 | ||
| JPS6185829A (ja) * | 1984-10-03 | 1986-05-01 | Michio Osada | 半導体素子のトランスフア樹脂モ−ルド成形方法 |
| JPH0418464B2 (ja) * | 1984-10-03 | 1992-03-27 | Michio Osada | |
| JPS62113572A (ja) * | 1985-11-13 | 1987-05-25 | Hitachi Ltd | プラテンローラの製造装置 |
| JPS6388411U (ja) * | 1986-11-28 | 1988-06-08 | ||
| JPH0345781Y2 (ja) * | 1986-11-28 | 1991-09-27 | ||
| JP2006159690A (ja) * | 2004-12-08 | 2006-06-22 | Apic Yamada Corp | 樹脂モールド金型および樹脂モールド装置 |
| NL2000488C2 (nl) * | 2007-02-15 | 2008-08-18 | Fico Bv | Werkwijze en inrichting voor het met behulp van onderdruk omhullen van elektronische componenten. |
| WO2008100146A2 (en) * | 2007-02-15 | 2008-08-21 | Fico B.V. | Method and device for encapsulating electronic components using underpressure |
| WO2008100146A3 (en) * | 2007-02-15 | 2008-11-27 | Fico Bv | Method and device for encapsulating electronic components using underpressure |
| JP2009292076A (ja) * | 2008-06-06 | 2009-12-17 | Apic Yamada Corp | トランスファモールド装置とこれを用いたトランスファモールド方法 |
| KR100930737B1 (ko) | 2009-07-08 | 2009-12-09 | 동현정공(주) | 진공흡입을 위한 오버 플로우부를 구비하는 플라스틱 성형 진공 금형 |
| KR100933025B1 (ko) | 2009-07-08 | 2009-12-21 | 동현정공(주) | 진공흡입을 위한 오버 플로우부를 구비하는 플라스틱 성형 진공 금형 |
| JP2014075443A (ja) * | 2012-10-03 | 2014-04-24 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
| CN106738704A (zh) * | 2017-01-10 | 2017-05-31 | 佛山市顺德区百年科技有限公司 | 真空注塑模具和注塑机 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6240851B2 (ja) | 1987-08-31 |
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