JPH01157539A - リードフレームの樹脂封止用のトランスファ成形用金型 - Google Patents
リードフレームの樹脂封止用のトランスファ成形用金型Info
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- JPH01157539A JPH01157539A JP28215588A JP28215588A JPH01157539A JP H01157539 A JPH01157539 A JP H01157539A JP 28215588 A JP28215588 A JP 28215588A JP 28215588 A JP28215588 A JP 28215588A JP H01157539 A JPH01157539 A JP H01157539A
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- 229920005989 resin Polymers 0.000 title claims abstract description 29
- 238000007789 sealing Methods 0.000 title claims abstract description 9
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 title claims description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 title abstract 14
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 3
- 239000000499 gel Substances 0.000 abstract 1
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/17—Component parts, details or accessories; Auxiliary operations
- B29C45/26—Moulds
- B29C45/27—Sprue channels ; Runner channels or runner nozzles
- B29C45/2701—Details not specific to hot or cold runner channels
- B29C45/2708—Gates
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B29C45/02—Transfer moulding, i.e. transferring the required volume of moulding material by a plunger from a "shot" cavity into a mould cavity
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は半導体装置等を形成するための、リードフレー
ムの樹脂封止用のトランスファ成形用金型に関する。
ムの樹脂封止用のトランスファ成形用金型に関する。
（従来の技術）
リードフレームの樹脂封止用のトランスファ成形用金型
としては特開昭５５−３９６６５号公報に開示される技
術が有る。この金型においては上金型に設けられたプラ
ンジャによってカル内へタブレット状樹脂が押入され、
加熱された上金型及び下金型の熱によりそのタブレット
状樹脂をゲル化してキャビティ内へ圧送するものであり
、タブレット状樹脂の完全ゲル化を図るため、カルの出
口とキャビティの入ｌコであるゲートを連通ずる流路を
］−金型と下金型とに跨って屈曲させており、キャビテ
ィへは下金型に設けたゲートから溶融樹脂が進入するよ
うになっている。
としては特開昭５５−３９６６５号公報に開示される技
術が有る。この金型においては上金型に設けられたプラ
ンジャによってカル内へタブレット状樹脂が押入され、
加熱された上金型及び下金型の熱によりそのタブレット
状樹脂をゲル化してキャビティ内へ圧送するものであり
、タブレット状樹脂の完全ゲル化を図るため、カルの出
口とキャビティの入ｌコであるゲートを連通ずる流路を
］−金型と下金型とに跨って屈曲させており、キャビテ
ィへは下金型に設けたゲートから溶融樹脂が進入するよ
うになっている。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら、」１記の従来の金型には次のような課題
がある。
がある。
１ヘランスフア成形用金型において摩耗の著しい部分は
プランジャが摺動するポット部と呼ばれるシリンダ状の
部分と、キャビティの入口であって断面積が小さくなる
ため樹脂の流速が加速されるゲートである。ところが、
ポット部は上金型に設けられ、ゲートが下金型に設けら
れているため、ボッＩ・部が摩耗したら上金型を交換す
る必要が有り、一方、ゲートが摩耗したら下金型を交換
せねばならず、さらには摩耗具合によっては両金型を交
換せねばならないこともあり不経済であるという課題が
有る。
プランジャが摺動するポット部と呼ばれるシリンダ状の
部分と、キャビティの入口であって断面積が小さくなる
ため樹脂の流速が加速されるゲートである。ところが、
ポット部は上金型に設けられ、ゲートが下金型に設けら
れているため、ボッＩ・部が摩耗したら上金型を交換す
る必要が有り、一方、ゲートが摩耗したら下金型を交換
せねばならず、さらには摩耗具合によっては両金型を交
換せねばならないこともあり不経済であるという課題が
有る。
従って、本発明は上金型と下金型のいずれか一方は交換
不要なリードフレームの樹脂封止用のトランスファ成形
用金型を提供することを目的とする。
不要なリードフレームの樹脂封止用のトランスファ成形
用金型を提供することを目的とする。
（課題を解決するための手段）
上記課題を解決するため本発明は次の構成を備える。
すなわち、プランジャによって樹脂が押入されるカルの
近傍に設けられたキャビティと、上金型と下金型のパー
ティング面に形成され前記カルとキャビティを連通ずる
流路とを具備するリードフレームの樹脂封止用のトラン
スファ成形用金型において、前記プランジャが内部を摺
動するポット部とゲートは前記上金型もしくは下金型の
いずれか一方に設けられていることを特徴とする。
近傍に設けられたキャビティと、上金型と下金型のパー
ティング面に形成され前記カルとキャビティを連通ずる
流路とを具備するリードフレームの樹脂封止用のトラン
スファ成形用金型において、前記プランジャが内部を摺
動するポット部とゲートは前記上金型もしくは下金型の
いずれか一方に設けられていることを特徴とする。
（作用）
作用について説明する。
ポット部とゲートが上金型もしくは下金型のいずれか一
方に設けることにより交換する金型は一方のみとなり、
他方の金型の交換は不要となる。
方に設けることにより交換する金型は一方のみとなり、
他方の金型の交換は不要となる。
（実施例）
以下、本発明の好適な実施例について添付図面と共に詳
述する。
述する。
まず、構成について説明する。
第１図は上金型１０のパーティング面１２を示し、第２
図は下金型１４のパーティング面１６を示す。
図は下金型１４のパーティング面１６を示す。
第１図において、１８はキャビティであり、半導体装置
のパッケージ部を成形するための凹部である。また２０
は、カルであり、円形の四部である。カル２０からは流
路であるランナー２２．２４が略コ字状に延出するよう
凹設されている。なお、キャビティはカル２０に対し対
称に２（ｌｌｉｌ設けられているが、一方のキャビティ
１８のみを図示し他方は省略する。
のパッケージ部を成形するための凹部である。また２０
は、カルであり、円形の四部である。カル２０からは流
路であるランナー２２．２４が略コ字状に延出するよう
凹設されている。なお、キャビティはカル２０に対し対
称に２（ｌｌｉｌ設けられているが、一方のキャビティ
１８のみを図示し他方は省略する。
第２図において、２６はやはりキャビティであり、上金
型１０のキャビティ１８に対応する位置に凹設されてい
る。２８はポット部であり、貫通孔が形成されており内
部をプランジャ３０が上下に摺動可能になっている。ポ
ット部２８は上金型１０のカル２０に対応する位置に穿
設されている。
型１０のキャビティ１８に対応する位置に凹設されてい
る。２８はポット部であり、貫通孔が形成されており内
部をプランジャ３０が上下に摺動可能になっている。ポ
ット部２８は上金型１０のカル２０に対応する位置に穿
設されている。
３２は流路であるランナであり、上金型１０のランナ２
２の端部３４に対応する位置に右端部が対応して凹設さ
れている。ランナ３２とキャビティ２６との間には断面
積がキャビティ２６へ接近するほど小さくなる絞り構造
のゲート３６が凹設されている。下金型１４においても
ポット部２８に対してキャビティが対称に２偏設けられ
ランチとゲートもキャビティ２６と同じように形成され
ている。但し、キャビティは一方のキャビティ２６のみ
を図示し、やはり他方は省略する。
２の端部３４に対応する位置に右端部が対応して凹設さ
れている。ランナ３２とキャビティ２６との間には断面
積がキャビティ２６へ接近するほど小さくなる絞り構造
のゲート３６が凹設されている。下金型１４においても
ポット部２８に対してキャビティが対称に２偏設けられ
ランチとゲートもキャビティ２６と同じように形成され
ている。但し、キャビティは一方のキャビティ２６のみ
を図示し、やはり他方は省略する。
なお、上金型１０と下金型１４のキャビティの配置は上
述の２個に限られるのではなく、キャビティの数及び配
置パターンは金型のサイズ等により任意であることは言
うまでもない。
述の２個に限られるのではなく、キャビティの数及び配
置パターンは金型のサイズ等により任意であることは言
うまでもない。
第３図には上金型１０と下金型１４を型閉じした状態の
部分断面側面図を示す。
部分断面側面図を示す。
キャビティ１８とキャビティ２６が対応して型閉しする
ことによって半導体装置のパッケージ部（後述）に相当
する空間が形成される。また、ランナ２２の端部３４と
ランナ３２が対応することによりカル２０〜ランナ２２
〜ランナ３２〜ゲート３６〜キヤビテイ１８．２６と樹
脂の流路が連通される。この連通された流路はランナ２
２において平面的に屈曲され、ランナ２２とランナ３２
の間で上金型１０と下金型１４とに跨って垂直方向に屈
曲されている。この屈曲によりカル２０とキャビティ１
８．２６の間が平面的に接近して配置されても流路とし
て距離をかせぐことができるので、タブレット状樹脂の
ゲル化を確実に図ることができる。なお、流路の屈曲回
数は金型のサイズ等に応して平面方向、垂直方向共に任
意の回数屈曲させ得るのはもちろんである。
ことによって半導体装置のパッケージ部（後述）に相当
する空間が形成される。また、ランナ２２の端部３４と
ランナ３２が対応することによりカル２０〜ランナ２２
〜ランナ３２〜ゲート３６〜キヤビテイ１８．２６と樹
脂の流路が連通される。この連通された流路はランナ２
２において平面的に屈曲され、ランナ２２とランナ３２
の間で上金型１０と下金型１４とに跨って垂直方向に屈
曲されている。この屈曲によりカル２０とキャビティ１
８．２６の間が平面的に接近して配置されても流路とし
て距離をかせぐことができるので、タブレット状樹脂の
ゲル化を確実に図ることができる。なお、流路の屈曲回
数は金型のサイズ等に応して平面方向、垂直方向共に任
意の回数屈曲させ得るのはもちろんである。
次に、このように構成されたトランスファ成形用金型の
使用方法について第３図と共に説明する。
使用方法について第３図と共に説明する。
まず型開きの状態において、プランジャ３０が下降した
ポット部２８内ヘタブレット状樹脂を必要量投入する。
ポット部２８内ヘタブレット状樹脂を必要量投入する。
キャビティ２６にはワイヤボンディングを施こしたリー
ドフレーム（後述）を載置する。この状態で型閉しして
上金型１０と下金型１４を加熱しながらプランジャ３０
を上昇させて投入された樹脂をカル２０内へ押入する。
ドフレーム（後述）を載置する。この状態で型閉しして
上金型１０と下金型１４を加熱しながらプランジャ３０
を上昇させて投入された樹脂をカル２０内へ押入する。
カル２０内で上金型１０と下金型１４の熱によってゲル
化し始めた樹脂はプランジャ３０の圧力によってランナ
２２内へ圧送される。ランナ２２からランナ３２へ移動
するうちに樹脂は熱で完全にゲル化してゲーｌ−３６を
経てキャビティ１８．２６内へ注入される。この後、樹
脂はキャビティ１８．２６内で凝固してパッケージ部が
形成される。その後、型開きを行い成形品を取り出す。
化し始めた樹脂はプランジャ３０の圧力によってランナ
２２内へ圧送される。ランナ２２からランナ３２へ移動
するうちに樹脂は熱で完全にゲル化してゲーｌ−３６を
経てキャビティ１８．２６内へ注入される。この後、樹
脂はキャビティ１８．２６内で凝固してパッケージ部が
形成される。その後、型開きを行い成形品を取り出す。
その成形品を第４図に示す。
カル部３８〜ランナ枝４０〜ランナ枝４２〜ゲ−１・枝
４４ （これをスクラップという）がパッケージ部４６
と繋った状態で成形品（半導体装置４８）が取出される
。この後、パッケージ部４６及び／もしくはリードフレ
ーム４８を不図示の支持手段で支持し、矢印へに示す力
を加えるとゲ〜１・枝４４はパッケージ部４６との接続
部分５０か細いピンチ構造になっているため当該接続部
分５０から折れると共にリードフレーム４８からも離反
してカル部３８〜ランナ枝４０〜ランナ枝４２〜ゲート
枝４４は繋ったまま半導体装置４８から分離、落下させ
ることが可能となる。これをデイゲートという。
４４ （これをスクラップという）がパッケージ部４６
と繋った状態で成形品（半導体装置４８）が取出される
。この後、パッケージ部４６及び／もしくはリードフレ
ーム４８を不図示の支持手段で支持し、矢印へに示す力
を加えるとゲ〜１・枝４４はパッケージ部４６との接続
部分５０か細いピンチ構造になっているため当該接続部
分５０から折れると共にリードフレーム４８からも離反
してカル部３８〜ランナ枝４０〜ランナ枝４２〜ゲート
枝４４は繋ったまま半導体装置４８から分離、落下させ
ることが可能となる。これをデイゲートという。
上述のトランスファ成形用金型も長年使用しているうち
にプランジャ３０が摺動するポット部２８や熔融樹脂が
速いスビーｌ゛で通過するゲート３６に摩耗が生じてし
まう。その際は下金型１４だけを交換する。上金型】０
には摩耗が生しる部分はほとんど無いので上金型１０は
ほとんど永久的に使用することができて経済的となる。
にプランジャ３０が摺動するポット部２８や熔融樹脂が
速いスビーｌ゛で通過するゲート３６に摩耗が生じてし
まう。その際は下金型１４だけを交換する。上金型】０
には摩耗が生しる部分はほとんど無いので上金型１０は
ほとんど永久的に使用することができて経済的となる。
上述の実施例ではポット部２８とゲート３６を下金型１
４に設けた例を示したが、ボンド部２８とゲート３６を
上金型１０に設けても同じ効果が有る。しかし、ポット
部２８と、特にゲート３６を下金型１４に設けると次の
ような利点が有る。
４に設けた例を示したが、ボンド部２８とゲート３６を
上金型１０に設けても同じ効果が有る。しかし、ポット
部２８と、特にゲート３６を下金型１４に設けると次の
ような利点が有る。
通常、半導体装置のワイヤーボンディングはリードフレ
ーム４８の上面に配されたチップに施こされるので、ゲ
ート３６をリードフレーム４８の正側に設けると、ワイ
ヤーボンディング−・樹脂封止−・デイゲートという一
連の作業でリードフレート４８の天地方向を一定のまま
にして作業が可能となる。特にゲートがリードフレーム
４８の上側に有るとデイゲートの際にリードフレーム４
８を逆さまにしなくてはならないか、もしくは下方から
押し上げる力でディゲーＩ・しなくてはならない。
ーム４８の上面に配されたチップに施こされるので、ゲ
ート３６をリードフレーム４８の正側に設けると、ワイ
ヤーボンディング−・樹脂封止−・デイゲートという一
連の作業でリードフレート４８の天地方向を一定のまま
にして作業が可能となる。特にゲートがリードフレーム
４８の上側に有るとデイゲートの際にリードフレーム４
８を逆さまにしなくてはならないか、もしくは下方から
押し上げる力でディゲーＩ・しなくてはならない。
下方からディゲーＩ・するとスクラップをうま（落下さ
せることができないのでスクラップの除去に課題が残っ
てしまう。従ってゲートかリードフレーム４８の下側に
有るということは特に自動化の場合有利である。また、
ワイヤボンディングはり一トフレーム４８の上面で行な
われるので、流れのエネルギーを持った溶融樹脂がリー
ドフレーム４８の」二側からキャビティ１８．２６内に
入って来るとそのエネルギでボンディングされたワイヤ
を変形させたり、ワイヤの断線の原因となることが有る
。その点、ゲート３６がリードフレーム４８の下側に有
れば直接熔融樹脂が最大のエネルギをもってワイヤと干
渉することを防止可能となるのである。さらに、ポット
部２８を下金型１４に設けることによりプランジャ３０
の交換の際に作業性が良いという利点が有る。
せることができないのでスクラップの除去に課題が残っ
てしまう。従ってゲートかリードフレーム４８の下側に
有るということは特に自動化の場合有利である。また、
ワイヤボンディングはり一トフレーム４８の上面で行な
われるので、流れのエネルギーを持った溶融樹脂がリー
ドフレーム４８の」二側からキャビティ１８．２６内に
入って来るとそのエネルギでボンディングされたワイヤ
を変形させたり、ワイヤの断線の原因となることが有る
。その点、ゲート３６がリードフレーム４８の下側に有
れば直接熔融樹脂が最大のエネルギをもってワイヤと干
渉することを防止可能となるのである。さらに、ポット
部２８を下金型１４に設けることによりプランジャ３０
の交換の際に作業性が良いという利点が有る。
以上、本発明の好適な実施例について種々述べて来たが
、本発明は上述の実施例に限定されるのではなく、例え
ば流路の屈曲は平面方向もしくは垂直方向のみでもよい
等、発明の精神を逸脱しない範囲でさらに多くの改変を
施し得るのはもちろんである。
、本発明は上述の実施例に限定されるのではなく、例え
ば流路の屈曲は平面方向もしくは垂直方向のみでもよい
等、発明の精神を逸脱しない範囲でさらに多くの改変を
施し得るのはもちろんである。
（発明の効果）
本発明に係るリードフレームの樹脂成形用のトランスフ
ァ成形用金型を用いると、摩耗の著しいポット部とゲー
トを上金型もしくは下金型のいずれか一方に設けるので
、他方の金型には摩耗が生じない。従って他方の金型ば
永久的に使用可能となるので、経済的である。また、他
方の金型を正確に位置決め固定しておけば、金型交換後
の調整も一方の金型のみで済み作業性が良くなる等の著
効を奏する。
ァ成形用金型を用いると、摩耗の著しいポット部とゲー
トを上金型もしくは下金型のいずれか一方に設けるので
、他方の金型には摩耗が生じない。従って他方の金型ば
永久的に使用可能となるので、経済的である。また、他
方の金型を正確に位置決め固定しておけば、金型交換後
の調整も一方の金型のみで済み作業性が良くなる等の著
効を奏する。
第１図は本発明に係る成形用金型の上金型のパーティン
グ面を示した部分底面図、第２図はその下金型のパーテ
ィング面を示した部分平面図、第３図はその上金型と下
金型が型閉じした状態を示した部分断面側面図、第４図
は樹脂封止した成形品を示した部分正面図。 １０・・・上金型、 １２・・・パーティング面、
１４・・・下金型、 １６・・・パーティング面、
１８・・・キャビティ、 ２０・・・カル、 ２２
．２．！・・・ランナ、 ２６・・・キャビティ、
２８・・・ポット部、 ３０・・・プランジャ、
３２・・・ランナ、 ３６・・・ゲート、 ４８・・
・リードフレーム。
グ面を示した部分底面図、第２図はその下金型のパーテ
ィング面を示した部分平面図、第３図はその上金型と下
金型が型閉じした状態を示した部分断面側面図、第４図
は樹脂封止した成形品を示した部分正面図。 １０・・・上金型、 １２・・・パーティング面、
１４・・・下金型、 １６・・・パーティング面、
１８・・・キャビティ、 ２０・・・カル、 ２２
．２．！・・・ランナ、 ２６・・・キャビティ、
２８・・・ポット部、 ３０・・・プランジャ、
３２・・・ランナ、 ３６・・・ゲート、 ４８・・
・リードフレーム。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、プランジャによって樹脂が押入されるカルの近傍に
設けられたキャビティと、 上金型と下金型のパーティング面に形成さ れ前記カルとキャビティを連通する流路とを具備するリ
ードフレームの樹脂封止用のトランスファ成形用金型に
おいて、 前記プランジャが内部を摺動するポット部 とゲートは前記上金型もしくは下金型のいずれか一方に
設けられていることを特徴とするリードフレームの樹脂
封止用のトランスファ成形用金型。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28215588A JPH01157539A (ja) | 1988-11-08 | 1988-11-08 | リードフレームの樹脂封止用のトランスファ成形用金型 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28215588A JPH01157539A (ja) | 1988-11-08 | 1988-11-08 | リードフレームの樹脂封止用のトランスファ成形用金型 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23954183A Division JPS60131212A (ja) | 1983-12-20 | 1983-12-20 | トランスフア成形用金型 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01157539A true JPH01157539A (ja) | 1989-06-20 |
Family
ID=17648817
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28215588A Pending JPH01157539A (ja) | 1988-11-08 | 1988-11-08 | リードフレームの樹脂封止用のトランスファ成形用金型 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01157539A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51137376A (en) * | 1975-05-22 | 1976-11-27 | Mitsubishi Electric Corp | Manufacturing method for plastic seal type semi conductor |
| JPS575339A (en) * | 1980-06-13 | 1982-01-12 | Hitachi Ltd | Molding method and molding die |
-
1988
- 1988-11-08 JP JP28215588A patent/JPH01157539A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51137376A (en) * | 1975-05-22 | 1976-11-27 | Mitsubishi Electric Corp | Manufacturing method for plastic seal type semi conductor |
| JPS575339A (en) * | 1980-06-13 | 1982-01-12 | Hitachi Ltd | Molding method and molding die |
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