JPH05337989A - 樹脂封止用金型 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 半導体装置の樹脂封止部の厚さが薄いリード
フレームの樹脂封止用金型において、成形された樹脂封
止部の厚さとゲート枝との厚さの差を大きくすることが
可能な樹脂封止用金型を提供する。 【構成】 上型１０と下型１６とで形成されるキャビテ
ィ２０内に配設されたリードフレーム２２の封止部を樹
脂封止する樹脂封止用金型１０、１６において、前記キ
ャビティ２０へ溶融樹脂を導入するゲート３２、３４が
前記上型１０および前記下型１６へ設けられ、両方の前
記ゲート３２、３４は上型１０と下型１６との間にセッ
トされるリードフレーム２２に設けられている貫通孔３
０を介して連通可能であると共に、該貫通孔３０はゲー
ト３２、３４がキャビティ２０と接続する部位に開口し
ている

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は樹脂封止用金型に関し、
一層詳細には上型と下型とで形成されるキャビティ内に
配設されたリードフレームの封止部を樹脂封止する樹脂
封止用金型に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来の半導体装置用リードフレームの封
止部を樹脂封止する樹脂封止用金型を図６に示し、その
金型で樹脂封止された半導体装置を図７に示す。従来の
樹脂封止用金型には、上型１００と下型１０２とで形成
されるキャビティ１０４内に配設されたリードフレーム
１０６の封止部１０８を樹脂封止すべく、溶融樹脂をキ
ャビティ１０４内へ導入するゲート１１０が設けられて
いる。ゲート１１０は下型１０２のパーティング面に形
成され、リードフレーム１０６に対して下側からキャビ
ティ１０４内へ導入される（矢印Ｘ）。リードフレーム
１０６に対して下側からキャビティ１０４内へ導入され
た溶融樹脂は封止部１０８に設けられている貫通孔（不
図示）を経由してリードフレーム１０６に対して上側の
キャビティ１０４内へも流入し、キャビティ１０４内を
充填する。樹脂封止された半導体装置１１２（図７）の
ゲート枝１１４等は成形後のディゲート工程において、
パッケージ部１１６から除去される。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
従来の樹脂封止用金型には次のような課題がある。リー
ドフレーム１０６の封止部１０８を樹脂封止して得られ
る半導体装置１１２は、成形終了後、ゲート枝１１４を
ディゲート工程においてパッケージ部１１６から折損し
て除去されるのであるが、昨今、半導体装置１１２のパ
ッケージ部１１６の厚さが薄い、薄型半導体装置が要求
されている。パッケージ部１１６の厚さとゲート枝１１
４との厚さの差、すなわち図７にＺで示す距離、または
金型において、図６にＹで示す距離が小さくならざるを
得なくなってきた。距離ＹおよびＺが小さいと、ゲート
枝１１４をディゲート工程においてパッケージ部１１６
から折損除去する際にパッケージ部１１６を形成してい
る樹脂部分をも損傷させてしまうという課題がある。そ
こで、ゲート１１０のキャビティ１０４との接続口１１
８の面積を小さくすれば、薄型の半導体装置用であって
も距離ＹおよびＺを大きく保持できると考えたが、実際
には溶融樹脂に含有されるシリカの粒径等との関係で接
続口１１８を小さくし過ぎるとゲート１１０において詰
まりが発生してしまう。従ってゲート１１０のキャビテ
ィ１０４との接続口１１８の面積はある程度以上の大き
さを確保する必要があるため、当該接続口１１８を小さ
くするのにも限界がある。従って、本発明は半導体装置
の樹脂封止部の厚さが薄いリードフレームの樹脂封止用
金型において、成形された樹脂封止部の厚さとゲート枝
との厚さの差を大きくすることが可能な樹脂封止用金型
を提供することを目的とする。

【０００４】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
本発明は次の構成を備える。すなわち、上型と下型とで
形成されるキャビティ内に配設されたリードフレームの
封止部を樹脂封止する樹脂封止用金型において、前記キ
ャビティへ溶融樹脂を導入するゲートが前記上型および
前記下型へ設けられ、両方の前記ゲートは上型と下型と
の間にセットされるリードフレームに設けられている貫
通孔を介して連通可能であると共に、該貫通孔はゲート
がキャビティと接続する部位に開口していることを特徴
とする。

【０００５】

【作用】作用について説明する。キャビティへ溶融樹脂
を導入するゲートが上型および下型へ設けられ、両方の
ゲートは上型と下型との間にセットされるリードフレー
ムに設けられている貫通孔を介して連通可能であると共
に、貫通孔はゲートがキャビティと接続する部位に開口
しているため、キャビティの中央にゲート接続部位を位
置させることができる。キャビティの中央にゲート接続
部位を位置させることにより、樹脂封止されたパッケー
ジ部とゲート枝との厚さの差を大きくすることが可能と
なる。

【０００６】

【実施例】以下、本発明の好適な実施例について添付図
面と共に詳述する。まず、第１実施例について図１（上
型を省略した金型の部分平面図）および図２（型閉状態
における部分断面図）と共に説明する。１０は金型を構
成する上型であり、下面であるパーティング面１２ａに
は上型キャビティ部１４が凹設されている。１６は金型
を構成する下型であり、上面であるパーティング面１２
ｂであって、上型キャビティ部１４と対向する位置には
下型キャビティ部１８が凹設されている。上型１０およ
び下型１６は不図示の型駆動機構により相対的な開閉が
可能になっている。図２に示す型閉状態において上型キ
ャビティ部１４と下型キャビティ部１８とでパッケージ
部成形用の１個のキャビティ２０が形成される。

【０００７】２２はリードフレームであり、ダイパット
２４に半導体チップ３８が搭載される。ダイパット２４
とダイパット２４を囲繞するリード２６の内側部分は金
型内へセットされた際にはキャビティ２０内へ配置され
る（図２参照）。リードフレーム２２のダイパット２４
とサイドレール２８との間には貫通孔３０が透設されて
いる。３２は上型ゲートであり、上型１０のパーティン
グ面１２ａに凹設されている。上型ゲート３２は溶融樹
脂をキャビティ２０内へ導入するための樹脂路である。
３４は下型ゲートであり、下型１６のパーティング面１
２ｂであって、上型ゲート３２と対向する位置にに凹設
されている。上型ゲート３２も溶融樹脂をキャビティ２
０内へ導入するための樹脂路である。

【０００８】図２に示す型閉状態において上型ゲート３
２と下型ゲート３４とで１本の樹脂導入路を形成する。
上型ゲート３２と下型ゲート３４は上型１０と下型１６
との間にセットされたリードフレーム２２の貫通孔３０
を介して連通可能であると共に、上型ゲート３２と下型
ゲート３４がキャビティ２０と接続する部位も貫通孔３
０と対応する位置になっている。従って、上型ゲート３
２と下型ゲート３４とで構成されるキャビティ２０への
１本の樹脂導入路はキャビティ２０の上下方向の中央で
キャビティ２０空間と接続する。

【０００９】キャビティ２０の上下方向、すなわち成形
されるパッケージ部の厚さ方向の中央に上型ゲート３２
と下型ゲート３４ゲートの接続部位を位置させることに
より、仮に当該接続部位の断面積が、従来のゲート１１
０の接続口１１８と同じ大きさに形成したとしても距離
Ａは従来の距離Ｙ（または距離Ｚ）より大きく設定する
ことが可能となる（図６および図７参照）。従って、距
離Ａを大きくすることにより、樹脂封止された半導体装
置のパッケージ部とゲート枝との厚さの差を大きくする
ことができる。パッケージ部とゲート枝との厚さの差を
大きくすると、ディゲート工程においてゲート枝をパッ
ケージ部から折損除去する際にパッケージ部を形成して
いる樹脂部分の損傷を可及的に防止可能となる。

【００１０】次に図３および図４と共に第２実施例につ
いて説明する。なお、第１実施例と同一の構成部材につ
いては第１実施例と同一の符号を付し、説明は省略す
る。第２実施例において、上型ゲート３２と下型ゲート
３４のキャビティ２０との接続部位は、ダイパット２４
の吊りピン３６と対応する位置である。吊りピン３６は
上型ゲート３２と下型ゲート３４とで構成される樹脂導
入路内を挿通している。吊りピン３６が樹脂導入路内へ
挿通されていると、上型ゲート３２と下型ゲート３４ゲ
ートの接続部位の断面積が吊りピン３６の断面積分減少
することになるが、吊りピン３６の断面積はリード２６
の断面積と比べ、かなり小さいためゲート詰まりを起こ
すおそれはない。

【００１１】次に図５と共に第３実施例について説明す
る。なお、先行実施例と同一の構成部材については先行
実施例と同一の符号を付し、説明は省略する。第３実施
例において、上型１０側に形成されている上型ゲート３
２はリードフレーム２２の貫通孔３０に対応する部分の
みに凹設されている。この実施例において下型１６に形
成されている下型ゲート３４へ導入された溶融樹脂は、
下型ゲート３４から直接キャビティ２０内へ進入すると
共に、貫通孔３０から上型ゲート３２からキャビティ２
０内へ進入するようになっている。以上、本発明の好適
な実施例について種々述べてきたが、本発明は上述の実
施例に限定されるのではなく、発明の精神を逸脱しない
範囲で多くの改変を施し得るのはもちろんである。

【００１２】

【発明の効果】本発明に係る樹脂封止用金型を用いる
と、キャビティの上下方向、すなわち成形されるパッケ
ージ部の厚さ方向の中央に上型に形成されているゲート
と下型に形成されているゲートの接続部位を位置させる
ことにより、仮に当該接続部位の断面積が、従来のゲー
トの接続口と同じ大きさに形成したとしても、樹脂封止
されたパッケージ部とゲート枝との厚さの差を大きくす
ることが可能となるので、当該差を大きくすることによ
り、樹脂封止された半導体装置のパッケージ部とゲート
枝との厚さの差を大きくすることができる。パッケージ
部とゲート枝との厚さの差を大きくすると、樹脂封止部
の厚さが薄い半導体装置であってもディゲート工程にお
いてゲート枝をパッケージ部から折損除去する際にパッ
ケージ部を形成している樹脂部分の損傷を可及的に防止
可能となる等の著効を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る樹脂封止用金型の第１実施例にお
いて、上型を省略した金型を示した部分平面図。

【図２】第１実施例の金型の型閉状態における部分断面
図。

【図３】第２実施例の金型において、上型を省略した金
型を示した部分平面図。

【図４】第２実施例の金型の型閉状態における部分断面
図。

【図５】第３実施例の金型の型閉状態における部分断面
図。

【図６】従来の金型の型閉状態における部分断面図。

【図７】図６の金型で樹脂封止された半導体装置の部分
正面図。

【符号の説明】

１０ 上型 １４ 上型キャビティ部 １６ 下型 １８ 下型キャビティ部 ２０ キャビティ ２２ リードフレーム ３０ 貫通孔 ３２ 上型ゲート ３４ 下型ゲート

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 上型と下型とで形成されるキャビティ内
   に配設されたリードフレームの封止部を樹脂封止する樹
   脂封止用金型において、 前記キャビティへ溶融樹脂を導入するゲートが前記上型
   および前記下型へ設けられ、両方の前記ゲートは上型と
   下型との間にセットされるリードフレームに設けられて
   いる貫通孔を介して連通可能であると共に、該貫通孔は
   ゲートがキャビティと接続する部位に開口していること
   を特徴とする樹脂封止用金型。