JP2782639B2 - 樹脂封止形半導体素子のトランスファ成形用金型 - Google Patents
樹脂封止形半導体素子のトランスファ成形用金型Info
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- JP2782639B2 JP2782639B2 JP541891A JP541891A JP2782639B2 JP 2782639 B2 JP2782639 B2 JP 2782639B2 JP 541891 A JP541891 A JP 541891A JP 541891 A JP541891 A JP 541891A JP 2782639 B2 JP2782639 B2 JP 2782639B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、素子の両端よりリード
を引出したピンヘッド形半導体素子を樹脂封止する多数
個取りのトランスファ成形用金型に関する。
を引出したピンヘッド形半導体素子を樹脂封止する多数
個取りのトランスファ成形用金型に関する。
【０００２】
【従来の技術】まず、頭記したピンヘッド形半導体素子
の製品外形図を図５に、多数個取りのトランスファ成形
用金型の従来構造を図６，図７に示す。図５において、
１は半導体素子、２は半導体素子１の両端から引出した
リード、３は半導体素子１の周囲にトランスファ形成さ
れた封止樹脂である。一方、トランスファ成形用金型
は、３分割の割型４ａ，４ｂ，４ｃをチェス５で保持し
た上型６と、同じく３分割の割型７ａ，７ｂ，７ｃをチ
ェス８で保持した下型９との組合わせからなる。なお、
１０は半導体素子１をインサートするキャビティ、１１
は各キャビティ１０から両側に引出したリードホール、
１２はランナ、１３はゲートであり、キャビティ１０は
ランナ１２に沿って横一列に並び、各キャビティ１０に
はランナ１０から分岐したゲートが開口している。ま
た、１４はプランジャ１５を内蔵したトランスファポッ
ト１４である。なお、図示されてないがキャビティ１０
のランナ１２との反対側にはエアベントが形成されてい
る。
の製品外形図を図５に、多数個取りのトランスファ成形
用金型の従来構造を図６，図７に示す。図５において、
１は半導体素子、２は半導体素子１の両端から引出した
リード、３は半導体素子１の周囲にトランスファ形成さ
れた封止樹脂である。一方、トランスファ成形用金型
は、３分割の割型４ａ，４ｂ，４ｃをチェス５で保持し
た上型６と、同じく３分割の割型７ａ，７ｂ，７ｃをチ
ェス８で保持した下型９との組合わせからなる。なお、
１０は半導体素子１をインサートするキャビティ、１１
は各キャビティ１０から両側に引出したリードホール、
１２はランナ、１３はゲートであり、キャビティ１０は
ランナ１２に沿って横一列に並び、各キャビティ１０に
はランナ１０から分岐したゲートが開口している。ま
た、１４はプランジャ１５を内蔵したトランスファポッ
ト１４である。なお、図示されてないがキャビティ１０
のランナ１２との反対側にはエアベントが形成されてい
る。
【０００３】かかる成形金型による半導体素子のトラン
スファ成形は周知であり、まず各キャビティ１０ごとに
１個ずつ半導体素子１をインサートし、次いでトランス
ファポット１４内で加熱軟化した成形樹脂１６をプラン
ジャ１５の加圧操作により定量ずつランナ１２に向け圧
送し、ランナ１２よりゲート１３を通じて各キャビティ
１０に注入して半導体素子１を樹脂封止する。
スファ成形は周知であり、まず各キャビティ１０ごとに
１個ずつ半導体素子１をインサートし、次いでトランス
ファポット１４内で加熱軟化した成形樹脂１６をプラン
ジャ１５の加圧操作により定量ずつランナ１２に向け圧
送し、ランナ１２よりゲート１３を通じて各キャビティ
１０に注入して半導体素子１を樹脂封止する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、前記した多
数個取りトランスファ成形用金型にて半導体素子の樹脂
封止を行う際に、全てのキャビティ１０に半導体素子１
がインサートされていれば問題ないが、半導体素子のセ
ットミスなどでキャビティ１０の一部に半導体素子の抜
け（図６における左側から２番目のキャビティ）がある
と、成形樹脂が図６の符号１６で示すように空のキャビ
ティのリードホール１１を通じてフリーのまま金型外部
へ多量に漏れ出てしまう。この結果、半導体素子１が正
しくセットされている他のキャビティ１０に対する成形
樹脂の加圧注入が不十分となり、しかも１回の成形操作
でトランスファポット１４から送り出す樹脂供給量が定
量であることから、充填不足，ボイドなどの成形不良が
発生して製品の歩留りが低下する。
数個取りトランスファ成形用金型にて半導体素子の樹脂
封止を行う際に、全てのキャビティ１０に半導体素子１
がインサートされていれば問題ないが、半導体素子のセ
ットミスなどでキャビティ１０の一部に半導体素子の抜
け（図６における左側から２番目のキャビティ）がある
と、成形樹脂が図６の符号１６で示すように空のキャビ
ティのリードホール１１を通じてフリーのまま金型外部
へ多量に漏れ出てしまう。この結果、半導体素子１が正
しくセットされている他のキャビティ１０に対する成形
樹脂の加圧注入が不十分となり、しかも１回の成形操作
でトランスファポット１４から送り出す樹脂供給量が定
量であることから、充填不足，ボイドなどの成形不良が
発生して製品の歩留りが低下する。
【０００５】本発明は上記の点にかんがみなされたもの
であり、多数個取りトランスファ成形用金型を対象に、
金型に改良の手を加えることにより、トランスファ成形
に際して半導体素子のセットミスからキャビティの一部
に半導体素子の抜けがあっても、他のキャビティに対す
る成形樹脂の充填不足，ボイドなどの成形不良の発生を
回避して製品の歩留り向上が図れるようにしたトランス
ファ成形用金型を提供することを目的とする。
であり、多数個取りトランスファ成形用金型を対象に、
金型に改良の手を加えることにより、トランスファ成形
に際して半導体素子のセットミスからキャビティの一部
に半導体素子の抜けがあっても、他のキャビティに対す
る成形樹脂の充填不足，ボイドなどの成形不良の発生を
回避して製品の歩留り向上が図れるようにしたトランス
ファ成形用金型を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明のトランスファ成形用金型においては、各キ
ャビティの両側に引出したリードホールに連通して上型
と下型との間に細隙の漏れ防止溝を形成するものとす
る。
に、本発明のトランスファ成形用金型においては、各キ
ャビティの両側に引出したリードホールに連通して上型
と下型との間に細隙の漏れ防止溝を形成するものとす
る。
【０００７】ここで、前記構成における漏れ防止溝は、
ランナと平行してランナとリードホールの外部開口端と
の間に形成されている。また、樹脂漏れ防止溝は、溝高
さ１mm以下の細隙とするのが好ましい。
ランナと平行してランナとリードホールの外部開口端と
の間に形成されている。また、樹脂漏れ防止溝は、溝高
さ１mm以下の細隙とするのが好ましい。
【０００８】
【作用】上記の構成により、トランスファ成形時に半導
体素子がセットされてないキャビティがあると、空のキ
ャビティに流れ込んだ成形樹脂はリードホールを通じて
金型外へ漏出する手前で漏れ防止溝に流れ込み、この溝
内で固まってリードホールを塞ぐ。しかもこの漏れ防止
溝は溝高さが１mm以下の細隙であって通路抵抗が大き
く、かつ成形樹脂の粘度もかなり高いことから漏れ防止
溝内に入り込む樹脂は僅かな量に止まる。これにより、
半導体素子がセットされている他のキャビティを含めて
金型全体のキャビティに成形樹脂が十分に行き渡って加
圧注入されることになり、この結果として樹脂の充填不
足，ボイドなどの不良発生が回避される。
体素子がセットされてないキャビティがあると、空のキ
ャビティに流れ込んだ成形樹脂はリードホールを通じて
金型外へ漏出する手前で漏れ防止溝に流れ込み、この溝
内で固まってリードホールを塞ぐ。しかもこの漏れ防止
溝は溝高さが１mm以下の細隙であって通路抵抗が大き
く、かつ成形樹脂の粘度もかなり高いことから漏れ防止
溝内に入り込む樹脂は僅かな量に止まる。これにより、
半導体素子がセットされている他のキャビティを含めて
金型全体のキャビティに成形樹脂が十分に行き渡って加
圧注入されることになり、この結果として樹脂の充填不
足，ボイドなどの不良発生が回避される。
【０００９】
【実施例】以下本発明の実施例を図面に基づいて説明す
る。図１は金型の横断面図、図２は縦断面図、図３，図
４はそれぞれ上型，下型の斜視図を示すものであり、図
６，図７に対応する同一部材には同じ符号が付してあ
る。すなわち、本発明実施例の金型と従来構造の金型と
の相違点は、リードホール１１に連通して上型６と下型
９との間に樹脂漏れ防止機能を与える漏れ防止溝１７が
追加形成されていることにある。この漏れ防止溝１７は
ランナ１２と平行して上型６における割型４ａ，４ｃの
外側縁部，および下型９の割型７ａ，７ｃの外側縁部に
沿って各キャビティ１０のリードホール１１と直角方向
に交差するように形成されており、その溝高さｈは１mm
以下，溝幅が１０mm程度の細隙な溝である。なお、上型
６と下型９を閉じた状態では、上型のチェス５と下型の
チェス８の端面同士が重なり合うように作られており、
かつ下型のチェス８の端面にはリードホール１１に連な
るリード２の逃げ溝８ａが形成してある。
る。図１は金型の横断面図、図２は縦断面図、図３，図
４はそれぞれ上型，下型の斜視図を示すものであり、図
６，図７に対応する同一部材には同じ符号が付してあ
る。すなわち、本発明実施例の金型と従来構造の金型と
の相違点は、リードホール１１に連通して上型６と下型
９との間に樹脂漏れ防止機能を与える漏れ防止溝１７が
追加形成されていることにある。この漏れ防止溝１７は
ランナ１２と平行して上型６における割型４ａ，４ｃの
外側縁部，および下型９の割型７ａ，７ｃの外側縁部に
沿って各キャビティ１０のリードホール１１と直角方向
に交差するように形成されており、その溝高さｈは１mm
以下，溝幅が１０mm程度の細隙な溝である。なお、上型
６と下型９を閉じた状態では、上型のチェス５と下型の
チェス８の端面同士が重なり合うように作られており、
かつ下型のチェス８の端面にはリードホール１１に連な
るリード２の逃げ溝８ａが形成してある。
【００１０】かかる構成の多数個取り用金型を用いて半
導体素子１をトランスファ成形を行うと、トランスファ
ポットから圧送されて来た成形樹脂はランナ１２からゲ
ート１３を通じて各キャビティ１０に流れ込み、キャビ
ティ内にインサートされている半導体素子１を樹脂封止
する。この場合に、全てのキャビティ１０に半導体素子
１がセットされていれば、各キャビティ１０のリードホ
ール１１は半導体素子１のリード２により塞がれている
ので、成形樹脂の金型外部への漏出は勿論のこと、漏れ
防止溝１７への流れ込みもない。一方、キャビティ１０
の一部に半導体素子１の抜け（図１における左側から３
番目のキャビティ）があると、成形樹脂は空のキャビテ
ィからリードホール１１を通じて金型外部へ漏出する手
前で前記の漏れ防止溝１７に流れ込み、図１の符号１８
で示すように漏れ防止溝内で固まってリードホール１１
を塞ぐ。これにより、空のリードホールを通じての圧力
の逃げがなくなり、成形樹脂は半導体素子１がセットさ
れているキャビティを含めて、金型全体のキャビティ１
０に十分行き渡って圧入される。しかも、漏れ防止溝１
７は溝高さ１mm以下の細隙であって隙間抵抗が大きく、
かつ樹脂の粘度も高いので漏れ防止溝１７に入り込む樹
脂量は僅かな量に止まるので、充填不足，ボイドなどの
成形不良の発生が確実に回避される。
導体素子１をトランスファ成形を行うと、トランスファ
ポットから圧送されて来た成形樹脂はランナ１２からゲ
ート１３を通じて各キャビティ１０に流れ込み、キャビ
ティ内にインサートされている半導体素子１を樹脂封止
する。この場合に、全てのキャビティ１０に半導体素子
１がセットされていれば、各キャビティ１０のリードホ
ール１１は半導体素子１のリード２により塞がれている
ので、成形樹脂の金型外部への漏出は勿論のこと、漏れ
防止溝１７への流れ込みもない。一方、キャビティ１０
の一部に半導体素子１の抜け（図１における左側から３
番目のキャビティ）があると、成形樹脂は空のキャビテ
ィからリードホール１１を通じて金型外部へ漏出する手
前で前記の漏れ防止溝１７に流れ込み、図１の符号１８
で示すように漏れ防止溝内で固まってリードホール１１
を塞ぐ。これにより、空のリードホールを通じての圧力
の逃げがなくなり、成形樹脂は半導体素子１がセットさ
れているキャビティを含めて、金型全体のキャビティ１
０に十分行き渡って圧入される。しかも、漏れ防止溝１
７は溝高さ１mm以下の細隙であって隙間抵抗が大きく、
かつ樹脂の粘度も高いので漏れ防止溝１７に入り込む樹
脂量は僅かな量に止まるので、充填不足，ボイドなどの
成形不良の発生が確実に回避される。
【００１１】
【発明の効果】本発明のトランスファ成形用金型は以上
説明したように構成されているので、半導体素子を樹脂
封止するトランスファ成形に際して万一キャビティの一
部に半導体素子の抜けがあっても、空のキャビティを通
じて多量の成形樹脂が金型外部へ自由に漏出することな
く、金型全体で各キャビティに成形樹脂を十分に行き渡
らして加圧注入することができ、これにより充填不足，
ボイドなどの成形不良の発生を抑えて製品良品率の大幅
な向上が図れる。
説明したように構成されているので、半導体素子を樹脂
封止するトランスファ成形に際して万一キャビティの一
部に半導体素子の抜けがあっても、空のキャビティを通
じて多量の成形樹脂が金型外部へ自由に漏出することな
く、金型全体で各キャビティに成形樹脂を十分に行き渡
らして加圧注入することができ、これにより充填不足，
ボイドなどの成形不良の発生を抑えて製品良品率の大幅
な向上が図れる。
【図１】本発明実施例によるトランスファ成形用金型の
平面図
平面図
【図２】図１の縦断面図
【図３】図２における上型の構成斜視図
【図４】図２における下型の構成斜視図
【図５】本発明の実施対象となる樹脂封止形半導体素子
の外形図
の外形図
【図６】従来におけるトランスファ成形用金型の平面図
【図７】図６の金型開放状態の縦断面図
１ 半導体素子 ２ リード ３ 封止樹脂 ６ 上型 ９ 下型 １０ キャビティ １１ リードホール １２ ランナ １３ ゲート １７ 漏れ防止溝
Claims (3)
- 【請求項１】素子の両端よりリードを引出したピンヘッ
ド形半導体素子を樹脂封止する多数個取りのトランスフ
ァ成形用金型であり、横一列に並ぶ多数のキャビティを
ランナに分岐接続し、トランスファポットからランナを
介して各キャビティに成形樹脂を同時圧入するようにし
たものにおいて、各キャビティの両側に引出したリード
ホールに連通して上型と下型との間に細隙の漏れ防止溝
を形成したことを特徴とする樹脂封止形半導体素子のト
ランスファ成形用金型 - 【請求項２】請求項１に記載のトランスファ成形用金型
において、漏れ防止溝がランナと平行してランナとリー
ドホールの外部開口端との間に形成されていることを特
徴とする樹脂封止形半導体素子のトランスファ成形用金
型 - 【請求項３】請求項１に記載のトランスファ成形用金型
において、漏れ防止溝が溝高さ１mm以下の細隙であるこ
とを特徴とする樹脂封止形半導体素子のトランスファ成
形用金型
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP541891A JP2782639B2 (ja) | 1991-01-22 | 1991-01-22 | 樹脂封止形半導体素子のトランスファ成形用金型 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP541891A JP2782639B2 (ja) | 1991-01-22 | 1991-01-22 | 樹脂封止形半導体素子のトランスファ成形用金型 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04237138A JPH04237138A (ja) | 1992-08-25 |
| JP2782639B2 true JP2782639B2 (ja) | 1998-08-06 |
Family
ID=11610606
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP541891A Expired - Fee Related JP2782639B2 (ja) | 1991-01-22 | 1991-01-22 | 樹脂封止形半導体素子のトランスファ成形用金型 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2782639B2 (ja) |
-
1991
- 1991-01-22 JP JP541891A patent/JP2782639B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04237138A (ja) | 1992-08-25 |
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Legal Events
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