JPS63228631A - 半導体素子を樹脂封止する金型装置 - Google Patents
半導体素子を樹脂封止する金型装置Info
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- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体素子を樹脂封止する金型装置、特に
金型装置への封止用樹脂の注入の均一化に関する。
金型装置への封止用樹脂の注入の均一化に関する。
第４図乃至第６図は半導体素子を樹脂封止する従来の金
型装置の断面図であって、それぞれの異なる動作段階を
順次示す凶、第７図は半導体素子を装着したリードフレ
ームの平面図、第８図は樹脂封止した後のリードフレー
ムの第７図の線■−■に溢った断面図である。
型装置の断面図であって、それぞれの異なる動作段階を
順次示す凶、第７図は半導体素子を装着したリードフレ
ームの平面図、第８図は樹脂封止した後のリードフレー
ムの第７図の線■−■に溢った断面図である。
図において、（１）は上金型、（２）はこの上金型（１
）のキャビティー、（３）は下金型でランナー（４）、
樹脂供給ゲート（５）およびキャビティー（６）を有し
ている。（７）は下金型（３）の上に載置されるリード
フレーム、（８）はキャビティー（２＋ 、 （６１に
充填する封止用樹脂材料、（９）は封止用樹脂材料（８
）をキャビティー（２］ 、 （６１Ｋ圧入するプラン
ジャーである。
）のキャビティー、（３）は下金型でランナー（４）、
樹脂供給ゲート（５）およびキャビティー（６）を有し
ている。（７）は下金型（３）の上に載置されるリード
フレーム、（８）はキャビティー（２＋ 、 （６１に
充填する封止用樹脂材料、（９）は封止用樹脂材料（８
）をキャビティー（２］ 、 （６１Ｋ圧入するプラン
ジャーである。
第７図および第８図を参照するに、リードフレーム（７
）はインナーリード（１ｏ）、アウターリード（１１）
およびダイスパッド（１２）よりなる。（１３）はトラ
ンジスタ、ＩＣ等の如き半導体素子であって、ダイスパ
ッド（１２）上に装着されている。（１４）は封止用樹
脂（８）によって成形されたパッケージである。
）はインナーリード（１ｏ）、アウターリード（１１）
およびダイスパッド（１２）よりなる。（１３）はトラ
ンジスタ、ＩＣ等の如き半導体素子であって、ダイスパ
ッド（１２）上に装着されている。（１４）は封止用樹
脂（８）によって成形されたパッケージである。
次に対土工程について説明する。まず、上金型（１）と
下金型（３）が開いた状態でリードフレーム（７）を下
金型（３）上に載置する。次いで、上金型（１）と下金
型（３）とを型閉めし、封止用樹脂（８）を金型内に投
入する。この状態が第４図である。次にグランジャー（
９）が動作し、て降下し始めると封止用樹脂材料（８）
は下金型（３）のランナー（４）を通してゲート（５）
から下金型（３）のキャビティー（６）に充填され、こ
れと同時にリードフレーム（７）のインナーリード（１
０）間の間隙およびインナーリード（１０）とダイスパ
ッド（１２）との間隙を通して止金型（１）のキャビテ
ィー（２）にも充填され始める。この状態が第５図に示
されている。更にプランジャー（９）を降下させると充
填が進み、封止用樹脂（８）は上金型（１）のキャビテ
ィー（２）および下金型（３）のキャビティー（６）内
に充填される。
下金型（３）が開いた状態でリードフレーム（７）を下
金型（３）上に載置する。次いで、上金型（１）と下金
型（３）とを型閉めし、封止用樹脂（８）を金型内に投
入する。この状態が第４図である。次にグランジャー（
９）が動作し、て降下し始めると封止用樹脂材料（８）
は下金型（３）のランナー（４）を通してゲート（５）
から下金型（３）のキャビティー（６）に充填され、こ
れと同時にリードフレーム（７）のインナーリード（１
０）間の間隙およびインナーリード（１０）とダイスパ
ッド（１２）との間隙を通して止金型（１）のキャビテ
ィー（２）にも充填され始める。この状態が第５図に示
されている。更にプランジャー（９）を降下させると充
填が進み、封止用樹脂（８）は上金型（１）のキャビテ
ィー（２）および下金型（３）のキャビティー（６）内
に充填される。
この状態が第６図に示されている。
従来の金型装置は以上のように構成され、封止用樹脂（
８）は一方のキャビティー（６）に圧入された後、リー
ドフレーム（７）のインナーリード（１０）間の間隙や
インナーリード（１０）とダイスパッド（１２）との闇
の間隙を通して他方のキャビティー（２）に圧入される
ようになっているため、インナーリード（１０）の緻密
さ、ダイスパッド（１２）の大きさ、パッケージ（１４
）の厚さ等によっては前記他方のキャビティー（２）に
封止用樹脂（８）が完全に充填されず、巣（１５）など
が生じて成形不良が発生する問題点があった。
８）は一方のキャビティー（６）に圧入された後、リー
ドフレーム（７）のインナーリード（１０）間の間隙や
インナーリード（１０）とダイスパッド（１２）との闇
の間隙を通して他方のキャビティー（２）に圧入される
ようになっているため、インナーリード（１０）の緻密
さ、ダイスパッド（１２）の大きさ、パッケージ（１４
）の厚さ等によっては前記他方のキャビティー（２）に
封止用樹脂（８）が完全に充填されず、巣（１５）など
が生じて成形不良が発生する問題点があった。
この発明は従来のもののかかる問題点を解決するために
なされたもので、インナーリードの緻密さやダイスパッ
ドの大きさ、あるいはパッケージの厚さ等の如何に拘ら
ず、両キャビティーに封止用樹脂を均等に圧入しうるよ
うにした戴型装置を提供することを目的とするものであ
る。
なされたもので、インナーリードの緻密さやダイスパッ
ドの大きさ、あるいはパッケージの厚さ等の如何に拘ら
ず、両キャビティーに封止用樹脂を均等に圧入しうるよ
うにした戴型装置を提供することを目的とするものであ
る。
この発明に係る、半導体素子を樹脂封止する金型装置は
、上下金型にそれぞれのキャビティーに連通ずる樹脂供
給ゲートを設けたものである。
、上下金型にそれぞれのキャビティーに連通ずる樹脂供
給ゲートを設けたものである。
この発明においては、上下の各金型に樹脂供給ゲートを
設けることにより、リードフレームのインナーリード閣
の間隙やインナーリードとダイスパッドとの間の間隙等
を通らなくても各キャビティーのそれぞれに封止用樹脂
が圧入される。
設けることにより、リードフレームのインナーリード閣
の間隙やインナーリードとダイスパッドとの間の間隙等
を通らなくても各キャビティーのそれぞれに封止用樹脂
が圧入される。
以下、この発明の一実施例を第１図乃至Ｍ３図について
説明する。第１図乃至第３図はそれぞれ第４図乃至第６
図に対応する金型装置の断面図であり、前記従来のもの
と同一部分には同一符号を付してその説明は省略する。
説明する。第１図乃至第３図はそれぞれ第４図乃至第６
図に対応する金型装置の断面図であり、前記従来のもの
と同一部分には同一符号を付してその説明は省略する。
図に寝いて、（４ａ）は上金型（１）のランナー、（４
ｂ）は下金型（３）のランナー、（５ａ）は上金型（１
）の樹脂供給ゲートでキャビティー（２）に連通してい
る。（５ｂ）は下金型（３）の樹脂供給ゲートでキャビ
ティー（６）に連通している。
ｂ）は下金型（３）のランナー、（５ａ）は上金型（１
）の樹脂供給ゲートでキャビティー（２）に連通してい
る。（５ｂ）は下金型（３）の樹脂供給ゲートでキャビ
ティー（６）に連通している。
次に動作について説明する。第１図は第４図と全く同様
の状態を示している。この状態においてプランジャー（
９）を降下させると封止用樹脂（８）はランナー（４ａ
）、（４ｂ）および樹脂供給グー） （５ａ）、（５ｂ
）を通して′Ｍ２図および第３図に示すように各キャビ
ティー（２） 、 （６１に個別に同時に圧入される。
の状態を示している。この状態においてプランジャー（
９）を降下させると封止用樹脂（８）はランナー（４ａ
）、（４ｂ）および樹脂供給グー） （５ａ）、（５ｂ
）を通して′Ｍ２図および第３図に示すように各キャビ
ティー（２） 、 （６１に個別に同時に圧入される。
その際、樹脂供給グー） （５ａ）、（５ｂ）の開口面
積をほぼ等しくしておくと、各キャビティー＋２１ 、
（６１内への樹脂の注入速度はほぼ等しくなり、イン
ナーリード（１０）間の間隙およびインナーリード（１
０）とダイスパッド（１２）との間の間隙を通して樹脂
が移動することなくあるいははとんど移動することなく
各キャビティー（２） 、 （６１へ樹脂が同時にほぼ
同速度で圧入されることになる。従って、従来のものに
おけるように樹脂が上述の如きリードフレーム（７）の
間隙部を通過しなければならないものと比較して両キャ
ビテイ−（２１、（６１は均等に充填され、上下金型ｆ
ｉｌ 、 ＋３１について巣（１５）の発生などを伴う
ことなく均等な成形を行なうことができる。
積をほぼ等しくしておくと、各キャビティー＋２１ 、
（６１内への樹脂の注入速度はほぼ等しくなり、イン
ナーリード（１０）間の間隙およびインナーリード（１
０）とダイスパッド（１２）との間の間隙を通して樹脂
が移動することなくあるいははとんど移動することなく
各キャビティー（２） 、 （６１へ樹脂が同時にほぼ
同速度で圧入されることになる。従って、従来のものに
おけるように樹脂が上述の如きリードフレーム（７）の
間隙部を通過しなければならないものと比較して両キャ
ビテイ−（２１、（６１は均等に充填され、上下金型ｆ
ｉｌ 、 ＋３１について巣（１５）の発生などを伴う
ことなく均等な成形を行なうことができる。
なお、前記実施例では各金型ｆｉｌ 、 （３１のキャ
ビティー（２１、（６１へ同じ方向にかつそれぞれ一つ
の樹脂供給ゲート（５ａ）、（５’ｂ）を通して封止用
樹脂（８）を圧入するようにしているが、ゲート（５ａ
）、（５ｂ）を設ける位置詔よびその個数は各金型（１
１、＋３１についてそれぞれ適宜選定しうる。また、プ
ランジャー（９）は上金型（１）、下金型（３）のそれ
ぞれに個別に設けても良いが、図示の実施例におけるよ
うに両者に共通に単一のプランジャー（９）を設けるの
が、構造を簡単にする意味において、また両キャビティ
ーｆ２１ 、 （６１への樹脂注入速度を共通に制御し
うる意味に招いて好ましい。更に、図示の実施例のよう
に上下両金型ｆｉｌ 、 ＋３１に対して共通のプラン
ジャー（９）を設ける場合には上述したように両金型（
１１、（３１のキャビティー＋２１ 、 （６１へ対す
る樹脂供給ゲート（２１。
ビティー（２１、（６１へ同じ方向にかつそれぞれ一つ
の樹脂供給ゲート（５ａ）、（５’ｂ）を通して封止用
樹脂（８）を圧入するようにしているが、ゲート（５ａ
）、（５ｂ）を設ける位置詔よびその個数は各金型（１
１、＋３１についてそれぞれ適宜選定しうる。また、プ
ランジャー（９）は上金型（１）、下金型（３）のそれ
ぞれに個別に設けても良いが、図示の実施例におけるよ
うに両者に共通に単一のプランジャー（９）を設けるの
が、構造を簡単にする意味において、また両キャビティ
ーｆ２１ 、 （６１への樹脂注入速度を共通に制御し
うる意味に招いて好ましい。更に、図示の実施例のよう
に上下両金型ｆｉｌ 、 ＋３１に対して共通のプラン
ジャー（９）を設ける場合には上述したように両金型（
１１、（３１のキャビティー＋２１ 、 （６１へ対す
る樹脂供給ゲート（２１。
（６）の総面積はほぼ同じにするのが好ましいが必ずし
も同じである必要はなく、違っていても従来のものより
封止用樹脂の圧入が均一化される効果が得られる。
も同じである必要はなく、違っていても従来のものより
封止用樹脂の圧入が均一化される効果が得られる。
以上のようにこの発明によれば、上下金型にそれぞれの
キャビティーに連通ずる樹脂供給ゲートを設けるという
極めて簡単な構成により、上下金型のキャビティーへの
封止用樹脂の圧入を均等化し、良好な成形体を得ること
ができる効果が得られる。
キャビティーに連通ずる樹脂供給ゲートを設けるという
極めて簡単な構成により、上下金型のキャビティーへの
封止用樹脂の圧入を均等化し、良好な成形体を得ること
ができる効果が得られる。
第１図乃至第３図はこの発明の一実施例による金型装置
の断面図であって、それぞれ異なる工程を順次示す図、
第４図乃至第６図は従来の金型装置の断面図であって、
第１図乃至第３図と同様の工程を順次示す図、第７図は
半導体素子を装着したリードフレームの平面図、第８図
は樹脂封止後のリードフレームの第７図の線■−■に溢
った断面図である。 図に射いて、（１）は上金型、（２）はそのキャビティ
ー、（３）は下金型、（６）はそのキャビティー、（５
ａ）、（５ｂ）は樹脂供給ゲート、（７）はリードフレ
ーム、（９）はプランジャー、（１３）は半導体素子で
ある。 なお各図中同一符号は同一部または相当部を示す。 代理人 弁理士 大 岩 増 雄７ ６ ３′
５ｂ ４ｂ θ第 ５ 図 第７図
の断面図であって、それぞれ異なる工程を順次示す図、
第４図乃至第６図は従来の金型装置の断面図であって、
第１図乃至第３図と同様の工程を順次示す図、第７図は
半導体素子を装着したリードフレームの平面図、第８図
は樹脂封止後のリードフレームの第７図の線■−■に溢
った断面図である。 図に射いて、（１）は上金型、（２）はそのキャビティ
ー、（３）は下金型、（６）はそのキャビティー、（５
ａ）、（５ｂ）は樹脂供給ゲート、（７）はリードフレ
ーム、（９）はプランジャー、（１３）は半導体素子で
ある。 なお各図中同一符号は同一部または相当部を示す。 代理人 弁理士 大 岩 増 雄７ ６ ３′
５ｂ ４ｂ θ第 ５ 図 第７図
Claims (2)
- （１）リードフレーム上に装着された半導体素子を樹脂
封止する金型装置であつて、それぞれ封止用の樹脂が注
入されるキャビティーを有する上下金型を備えたものに
おいて、前記上下金型にそれぞれのキャビティーに連通
する樹脂供給ゲートを設けたことを特徴とする半導体素
子を樹脂封止する金型装置。 - （２）共通のプランジャーにより上下金型のキャビティ
ーに封止用樹脂を注入するようにし、かつ上金型の樹脂
供給ゲートの総面積と下金型の樹脂供給ゲートの総面積
とを互いにほぼ等しくしたことを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載の半導体素子を樹脂封止する金型装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62062893A JPS63228631A (ja) | 1987-03-17 | 1987-03-17 | 半導体素子を樹脂封止する金型装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62062893A JPS63228631A (ja) | 1987-03-17 | 1987-03-17 | 半導体素子を樹脂封止する金型装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63228631A true JPS63228631A (ja) | 1988-09-22 |
Family
ID=13213380
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62062893A Pending JPS63228631A (ja) | 1987-03-17 | 1987-03-17 | 半導体素子を樹脂封止する金型装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63228631A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5635220A (en) * | 1994-09-22 | 1997-06-03 | Nec Corporation | Molding die for sealing semiconductor device with reduced resin burrs |
| WO1998029903A1 (en) * | 1996-12-26 | 1998-07-09 | Hitachi, Ltd. | Resin-encapsulated semiconductor device and method for manufacturing the same |
| US6692989B2 (en) | 1999-10-20 | 2004-02-17 | Renesas Technology Corporation | Plastic molded type semiconductor device and fabrication process thereof |
-
1987
- 1987-03-17 JP JP62062893A patent/JPS63228631A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5635220A (en) * | 1994-09-22 | 1997-06-03 | Nec Corporation | Molding die for sealing semiconductor device with reduced resin burrs |
| WO1998029903A1 (en) * | 1996-12-26 | 1998-07-09 | Hitachi, Ltd. | Resin-encapsulated semiconductor device and method for manufacturing the same |
| US6558980B2 (en) | 1996-12-26 | 2003-05-06 | Yoshinori Miyaki | Plastic molded type semiconductor device and fabrication process thereof |
| US6943456B2 (en) | 1996-12-26 | 2005-09-13 | Hitachi Ulsi Systems Co., Ltd. | Plastic molded type semiconductor device and fabrication process thereof |
| US6692989B2 (en) | 1999-10-20 | 2004-02-17 | Renesas Technology Corporation | Plastic molded type semiconductor device and fabrication process thereof |
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