JPS637639A - 電子素子の樹脂モ−ルド方法及びそのモ−ルド金型 - Google Patents

電子素子の樹脂モ−ルド方法及びそのモ−ルド金型

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JPS637639A
JPS637639A JP15255586A JP15255586A JPS637639A JP S637639 A JPS637639 A JP S637639A JP 15255586 A JP15255586 A JP 15255586A JP 15255586 A JP15255586 A JP 15255586A JP S637639 A JPS637639 A JP S637639A
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JP
Japan
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resin
cavity
electronic element
divided
mold
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JP15255586A
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English (en)
Inventor
Tadashi Nakamura
正 中村
Isamu Nakamura
勇 中村
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TOWA EREKUTORON KK
Original Assignee
TOWA EREKUTORON KK
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  • Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
  • Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、電子素子の樹脂モールド方法及びそのモール
ド金型に関し、更に詳しくは、成形品と内部電子素子と
の肉厚及び成形品総厚が平面寸法に比し極めて薄い場合
に、電子素子を樹脂封止するに最適な樹脂モールド方法
及びそれに使用するモールド金型に関するものである。
〔従来の技術〕
現在、電子素子の樹脂封止は、主にペースト状樹脂によ
るボッティング方法またはペレット使用によりポツティ
ングと低圧トランスファモールド成形方法が通常用いら
れている。
〔発明が解決しようとする問題点〕
最近のICカード等の半導体素子を埋設したプラスチッ
クカードを利用するには、その半導体封止はより薄くす
ることが要求されている。
そこで、ポツティング方法によってこの要求に対処して
いるのが現状であって、低圧トランスファモールドを特
に薄形のパッケージに適用するのは技術的な困難があり
未だその例を見ていない。
ところで、薄肉厚のモールド成形体に電子素子のインサ
ートがある構造となると、そのキャビティ内の樹脂流の
均等(圧力のバランス)性が重要となり、そのバランス
の崩れは電子素子の成形体表面への露出となって不良と
なり、更にキャビティ内の樹脂流をいかに低い圧力で全
体に流すかがインサートされている電子素子の信頼性そ
のものとなる。
ところが、ボッティング封止の場合には、その肉厚が薄
くできないことや封止後の耐湿性等の信頼性がモールド
成形品より本質的に劣っているという問題点があった。
本発明は、このような従来の問題点に鑑みなされたもの
で、その目的−とするところは、成形品と内部電子素子
との肉厚及び成形品総厚が平面寸法に比して極めて薄い
場合に、電子素子を確実に樹脂封止することができて、
信頼性の高いモールド成形品を得ることができるモール
ド方法及びそれに使用のモールド金型を提供することに
ある。
〔問題点を解決するための手段〕
この目的を達成するため、本第1発明は、樹脂モールド
金型内に電子素子16を定置した後、該金型内に溶融樹
脂19を注入すると共に、該樹脂19を、前記電子素子
16の表裏両面側の中心部に対向配置のゲート9.9か
もキャビティ10に流し入れて電子素子16を樹脂モー
ルドする構成を特徴とし、また、本第2発明は、四つの
分割ブロック1.2.3.4から構成され、かつキャビ
ティ10の中央を通るフィルムゲートまたはピンポイン
トゲート9がモールドされる電子素子16の表裏両面側
の中心部位に対向配置されている構成を%徴とするもの
である。
〔実施例〕
以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
第1図は本発明に係るモールド金型の一例での平面図で
、このモールド金型は、溶融樹脂注入口5を中心に均等
に四分割された第一分割ブロック1、第二分割ブロック
2、第三分割ブロック3及び第四分割ブロック4から構
成されている。
各分割ブロックの構成は第2図から第4図に示しである
第2図は第1図のA−A’線に沿って分割した第−及び
第二分割ブロック1及び2の一側面を示す拡大端面図で
、これら分割ブロック1.2には、樹脂注入口5に連ら
なる縦スプル6、スプル6に連らなる横ランナ7、ラン
ナTと連らなるL形うンナ8、ランナ8に連らなるゲー
ト9及び半円形キャビティ10が左右対称形に刻設され
ると共に、第一分割ブロック1の上部隅には一つの位置
決めピンのピン孔11が設けられ、第二分割ブロック2
の上部隅には1本の位置決めピン12が突設されている
なお、ゲート9は第9図に示すように、断面三角形状の
フィルムゲートとしたが、これに限定されず、ピンポイ
ントゲートであってもよいこと勿論である。
第−及び第二分割ブロック1及び2の一側面と対接する
第四及び第三分割ブロック4及び3の一側面にも、特に
図示しないが、第2図に示すスブル、ランナ、ゲート、
キャビティと適合するそれらが刻設されると共に、第三
分割ブロック3には、第二分割ブロック2のピン12が
嵌合するビン孔11が設けられ、第四分割ブロック4に
は、第一分割ブロック1のビン孔11に嵌合する位置決
めピン12が突設されている。
第3図は第1図のB−B’線に溢って分割した第−及び
第四分割ブロック1及び4の他側面を示す拡大端面図で
、これら分割ブロック1.4には、樹脂注入口5と連ら
なる縦スプル6、インサートされる基板の位置決めピン
13をその上下隅部に有する縦長四角形の基板インサー
ト部14が左右対称形に刻設されると共に、基板インサ
ート部14の中心には半円形キャビティ10が左右対称
形に刻設され、また、第一分割ブロック1の上部隅には
1本の位置決めピン12が突設されると共に、第四分割
ブロック4の上部隅には一つのビン孔11が設けられて
いる。
そして、第−及び第四分割ブロック1及び4によって、
端子付基板17が配置されろ縦長四角形の基板インサー
ト部14とその中心には電子素子16が配置される円形
のキャビティ10が形成されると共に、円形キャビティ
10の中心垂直(直径)方向にはゲート(フィルムゲー
ト)9が配置されている。
第−及び第四分割ブロック1及び4の他側面と対接する
第二及び第三分割ブロック2及び3の他側面には、第4
図に示すように、それぞれに適合する樹脂注入口5、縦
スプル6、半円形キャビティ10が左右対称形に刻設さ
れる(キャビティ10は第−及び第四分割ブロックのキ
ャビティよりもやや浅くなっている)と共に、基板位置
決めピン13のビン孔15が左右対称形に設けられ、更
に第二分割ブロック2の上部隅には位置決めピン12の
ビン孔11が、第三分割ブロック3の上部隅にはビン孔
11に嵌り込む位置決めピン12がそれぞれ設けられて
いる。
そして、第二及び第三分割ブロック2及び3によって円
形キャビティ10が形成されると共に、円形キャビティ
10の中心垂直(直径)方向にはゲート(フィルムゲー
ト)9が配置されている。
なお、キャビティ10を円形としたのは、注入された溶
融樹脂がキャビティ内を均等に流れる(樹脂が全体に行
き渡る)ようにするためである。
また、ゲート9を円形キャビティ10の中心(配置され
た電子素子16の中心位置)に対向配置したのは、キャ
ビティ内の樹脂流のバランスをとるためであり、また、
ゲート9をフィルムゲートまたはピンポイントゲートと
したのは、離型容易とし、かつ樹脂が成形品等に残らな
いようにするためである。
以上四つの分割ブロック1.2.3.4はセットされ、
内径テーパリング20に挿入されて型締めされるが、こ
の場合、各分割ブロック1.2.3.4の外周に設けら
れたテーパ面18がリング20の内径テーパ面21と適
合して確実なる型締めがなされるようになっている。
以上の構成に係る金型により電子素子を樹脂モールドす
るには、第一分割ブロック1と第二分割ブロック2のそ
れぞれの他側面を位置決めピン12とビン孔11との嵌
合により接合させた第2図に示す状態において、半円形
のキャビティ10に電子素子16をインサートし、次い
で、第三分割ブロック3と第四分割ブロック4の他側面
を位置決めピン12とビン孔11との嵌合により接合さ
せた分割ブロック3.4を、そのピン12とビン孔11
との嵌合により分割ブロック1.2に接合させてセット
する(第1図参照)。次いで、このセット金型を、その
外周テーパ面18と内径テーパリング20のテーパ面2
1との適合をもって挿入して型締めを行い、縦型トラン
スファ成形機に装着し成形を行う。
なお、端子付基板17に電子素子16を樹脂モールドす
るには、端子付基板17を基板インサート部14にその
位置決めピン13にて位置決め配置すると共に、電子素
子16をキャビティ10に配置する。
電子素子16と端子付基板17のインサート状態は、当
該部分を拡大し、かつ−部分に斜線を付し、電子素子1
6と端子付基板17にも斜線を付した第6図と第7図の
端面図に示しである。この状態において、樹脂注入口5
から溶融樹脂19が注入されると、樹脂19は縦スプル
6から第−及び第四分割ブロック1及び4側のランナ7
.8と第二及び第三分割ブロック2及び3側のランナ7
.8とに分流して、電子素子16の表裏両面側の中心部
位に対向配置のゲート(フィルムゲート)9.9からキ
ャビティ10内に流れ込み、電子素子16を端子付基板
17に樹脂封止する(第8図参照)。この時、樹脂19
はそのキャビティ10内の流れがバランスされてキャビ
テイ10内全体に良好に行き渡るので、信頼性の高いモ
ールド成形品30が得られる。
モールド成形品30とゲート9.9等の関係は第9図の
斜視図的説明図によって理解される。
成形完了後は、治具により金型を内径テーパリング20
より取り外して、先ず、第−及び第四分割ブロック1及
び4と第二及び第三分割ブロック2及び3とに分解する
ことにより成形品30を取り出し、次いで、第−及び第
四分割ブロック1及び4を第一分割ブロック1と第四分
割ブロック4とに分割してランナ7.8及びスプル6を
分割ブロック1.4より取り除く。
同様に、第二及び第三分割ブロック2及び3を第二分割
ブロック2と第三分割ブロック3とに分解して一部残り
のランナ7.8を分割ブロック2.3より取り除く。
このようにして、電子素子16の樹脂モールドが行われ
、キャビティ10とゲート9.9及びランナ1.8、ス
プル6の離型、分離は各分割ブロック1.2.3.4の
分解と同時に行われる。
以上詳述した実施例は、モールド成形品30を1個取り
する場合であるが、複数個取りする場合には、第10図
に示すように、分割ブロック1.2の縦方向に複数のキ
ャビティ101〜10気、ゲート91〜9L等を並列に
設ければよい。
なお、第3図と第4図に対応した部分の図面は省略しで
あるが、これら部分にも第10図に対応したキャビティ
等が複数刻設されていることは勿論である。
〔発明の効果〕
以上詳述したところから明らかなように、本発明によれ
ば、トランスファ樹脂モールド成形において、樹脂は、
円形キャビティにインサートの電子素子の表裏両面側の
中心に対向配置されたフィルムゲートまたはピンポイン
トゲートからキャビティ内に流し込まれるから、成形品
と内部電子素子の肉厚及び成形品総厚が平面寸法に比し
て極めて薄い場合であっても、樹脂の流れは内部電子素
子の接続等に影響を与えない低圧力でその圧力がバラン
スされてキャビティ全体に行き渡り、電子素子を良好、
かつ確実に樹脂封止することができて、信頼性に優れた
モールド成形品を得ることができ、その工業的価値は顕
著である。
【図面の簡単な説明】
図面は本発明の実施例を示し、第1図はモールド金型の
平面図、第2図は同上A−A’線に溢つて分割した第−
及び第二分割ブロックの拡大端面図、第3図はB−B’
線に溢って分割した第−及び第四分割ブロックの拡大端
面図、第4図はB −B 線に沿って分割した第二及び
第三分割ブロックの拡大端面図、第5図は内径テーパリ
ングの断面図、第6図と第7図は電子素子のインサート
状態を示す部分的拡大端面図、第8図は電子素子のモー
ルド状態を示す拡大端面図、第9図はモールド成形品と
ゲート等の関係を示す斜視図的説明図、第10図は本発
明の他側を示す一部省略の分割ブロックの端面図である
。 1−・・第一分割ブロック 2・・・第二分割ブロック 3・・・第三分割ブロック 4・φe第四分割ブロック 5拳・・樹脂注入口 9・・ ・ゲート 10・Φ・キャビティ 16・・φ電子素子 18・・・外周テーパ面 19・・・樹脂 20・・・内径テーパリング 21・・・内径テーパ

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、樹脂モールド金型内に電子素子を定置した後、該金
    型内に溶融樹脂を注入すると共に、該樹脂を、前記電子
    素子の表裏両面側の中心部位に対向配置のゲートからキ
    ャビティに流し入れて電子素子を樹脂モールドすること
    を特徴とする電子素子の樹脂モールド方法。 2、四つの分割ブロックから構成され、かつそのゲート
    がモールドされる電子素子の表裏両面側の中心部位に対
    向配置されていることを特徴とするモールド金型。 3、前記ゲートが、キャビティ中央を通るフィルムゲー
    トまたはピンポイントゲートである特許請求の範囲第2
    項記載のモールド金型。 4、前記四つの分割ブロックの外側面に、型締用内径テ
    ーパリングのテーパ面と適合するテーパ面が設けられて
    いる特許請求の範囲第2項記載のモールド金型。 5、前記キャビティ及びゲートが、分割ブロックの縦方
    向に複数並列に対向配置されている特許請求の範囲第2
    項記載のモールド金型。
JP15255586A 1986-06-28 1986-06-28 電子素子の樹脂モ−ルド方法及びそのモ−ルド金型 Pending JPS637639A (ja)

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JP15255586A JPS637639A (ja) 1986-06-28 1986-06-28 電子素子の樹脂モ−ルド方法及びそのモ−ルド金型

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JPS637639A true JPS637639A (ja) 1988-01-13

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ID=15543027

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JP15255586A Pending JPS637639A (ja) 1986-06-28 1986-06-28 電子素子の樹脂モ−ルド方法及びそのモ−ルド金型

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JP (1) JPS637639A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03104128A (ja) * 1989-09-18 1991-05-01 Seiko Epson Corp 半導体装置の製造方法および半導体封止用成形金型
US5581416A (en) * 1991-01-30 1996-12-03 Minolta Camera Kabushiki Kaisha Polygonal mirror, and manufacturing process and mold thereof

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03104128A (ja) * 1989-09-18 1991-05-01 Seiko Epson Corp 半導体装置の製造方法および半導体封止用成形金型
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