JPH029142A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH029142A JPH029142A JP16019888A JP16019888A JPH029142A JP H029142 A JPH029142 A JP H029142A JP 16019888 A JP16019888 A JP 16019888A JP 16019888 A JP16019888 A JP 16019888A JP H029142 A JPH029142 A JP H029142A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要）
半導体チップをリードフレームと併せて合成樹脂による
封止する方法に関し、 成形の際の不良の発生を抑制することを［コ的とし、 上型及び下型の対応する位置に、上側キャビティに開口
する上側ゲート及び下側キャビティに開口する下側ゲー
トを有し、該上側ゲート及び下側ゲートのうちの一方に
上記開口近傍に樹脂溜めを有する金型を使用し、リード
フレームを、上記金型にセットされた状態で上記の」−
側ゲートと下側ゲートに対向する部位に、該上側ゲート
と該下側ゲートとを連通さぜる切欠部を有する形状とし
、樹脂が上記上下のゲートのうら上記樹脂溜めを有しな
いゲートを通ってこれに対応する１ヤビテイに流入する
と共に、上記切欠部を通って他方のゲートに入り、上記
樹脂溜めを経て該ゲートに対応するキャビティに流入し
て樹脂封止を行うよう構成する。
封止する方法に関し、 成形の際の不良の発生を抑制することを［コ的とし、 上型及び下型の対応する位置に、上側キャビティに開口
する上側ゲート及び下側キャビティに開口する下側ゲー
トを有し、該上側ゲート及び下側ゲートのうちの一方に
上記開口近傍に樹脂溜めを有する金型を使用し、リード
フレームを、上記金型にセットされた状態で上記の」−
側ゲートと下側ゲートに対向する部位に、該上側ゲート
と該下側ゲートとを連通さぜる切欠部を有する形状とし
、樹脂が上記上下のゲートのうら上記樹脂溜めを有しな
いゲートを通ってこれに対応する１ヤビテイに流入する
と共に、上記切欠部を通って他方のゲートに入り、上記
樹脂溜めを経て該ゲートに対応するキャビティに流入し
て樹脂封止を行うよう構成する。
（産業上の利用分野〕
本発明は半導体チップをリードフレームと併せて合成樹
脂により封止する方法に関する。
脂により封止する方法に関する。
第１２図乃至第１４図は従来の半導体装置の製造方法を
説明する図である。
説明する図である。
第１２図中、１は金型であり、上型２と下型３とよりな
る。
る。
４はキャビティであり、上側キャビティ４ａと下側キャ
ビティ４ｂとよりなる。
ビティ４ｂとよりなる。
５はゲートであり、下型３に形成しである。
７はリードフレームであり、８はインナーリード、９は
ステージである。
ステージである。
１０は半導体チップ、１１はワイヤである。
第１２図に示すように、リードフレーム７を間に挾んて
上型２と下型３とが組み合わされた状態で、エポキシ樹
脂がゲート５より矢印△で示すようにキャビアイ４内に
流入して、こ５に充填され、パッケージ１２が成形され
る。
上型２と下型３とが組み合わされた状態で、エポキシ樹
脂がゲート５より矢印△で示すようにキャビアイ４内に
流入して、こ５に充填され、パッケージ１２が成形され
る。
金型１を開くと、第１３図及び第１４図に示すパッケー
ジ１２が一体成形されたリードフレーム７が取り出され
、上記ゲート５に対応した屈伏のグー１〜部１３を、パ
ッケージ１２との付は根部で折るゲートブレークを行な
って除去する。
ジ１２が一体成形されたリードフレーム７が取り出され
、上記ゲート５に対応した屈伏のグー１〜部１３を、パ
ッケージ１２との付は根部で折るゲートブレークを行な
って除去する。
こ１で、樹脂がキャビティ４内に充填する過程について
説明する。
説明する。
ゲート５は下側キャビティ４ｂにだけ開口している。こ
のため、樹脂は矢印Ａで示すように下側キャビティ４ｂ
内に流入してこ）に充填されると共に、矢印Ｂで示すよ
うにインナーリード８の間及びステージ９の周囲を通っ
て上（１１ＩＩＡ−ヤビテイ４ａ内にまわり込んで流入
してこ）にも充填される。
のため、樹脂は矢印Ａで示すように下側キャビティ４ｂ
内に流入してこ）に充填されると共に、矢印Ｂで示すよ
うにインナーリード８の間及びステージ９の周囲を通っ
て上（１１ＩＩＡ−ヤビテイ４ａ内にまわり込んで流入
してこ）にも充填される。
近年、半導体チップの高密度化に伴ってインナーリード
８の数が増え、中には１００を超えるものちある。
８の数が増え、中には１００を超えるものちある。
特にこのようなリードフレームでは、インナーリード間
の隙間が狭くなり、樹脂が矢印Ｂで示すようにリードフ
レームの隙間を通りＩｔノるときの抗力が大となり、成
形の際に、インナーリード８が上方に曲る変形を起こし
たり、ステージ９が上方に迫り上がる変形をしたり、ワ
イヤ１１が一方に寄せられたりし、ワイヤのショート、
断線が起こり、不良となることが多く発生していた。
の隙間が狭くなり、樹脂が矢印Ｂで示すようにリードフ
レームの隙間を通りＩｔノるときの抗力が大となり、成
形の際に、インナーリード８が上方に曲る変形を起こし
たり、ステージ９が上方に迫り上がる変形をしたり、ワ
イヤ１１が一方に寄せられたりし、ワイヤのショート、
断線が起こり、不良となることが多く発生していた。
本発明は成形の際の不良の発生を抑制することができる
半導体装置のＩ！Ｊ造方法を提供することを目的とする
。
半導体装置のＩ！Ｊ造方法を提供することを目的とする
。
本発明は、上型及び下型の対応する位置に、上側キャビ
ティに開口する上側ゲート及び下側キャビティに開口す
る１・側ゲートを右−し、該上側ゲート及び下側ゲート
のうちの一方に上記開口近傍に樹脂溜めを有する金型を
使用し、 リードフレームを、上記金型にセットされた状態で上記
の上側ゲートと下側ゲートに対向する部位に、該上側ゲ
ートと該下側ゲートとを連通させる切欠部を有する形状
とし、 樹脂が上記上下のゲートのうち上記樹脂溜めを有しない
ゲートを通ってこれに対応するキャビティに流入すると
共に、上記切欠部を通って他方のゲートに入り、上記樹
脂溜めを経て該ゲートに対応するキャビティに流入して
樹脂封止を行う構成としたものである。
ティに開口する上側ゲート及び下側キャビティに開口す
る１・側ゲートを右−し、該上側ゲート及び下側ゲート
のうちの一方に上記開口近傍に樹脂溜めを有する金型を
使用し、 リードフレームを、上記金型にセットされた状態で上記
の上側ゲートと下側ゲートに対向する部位に、該上側ゲ
ートと該下側ゲートとを連通させる切欠部を有する形状
とし、 樹脂が上記上下のゲートのうち上記樹脂溜めを有しない
ゲートを通ってこれに対応するキャビティに流入すると
共に、上記切欠部を通って他方のゲートに入り、上記樹
脂溜めを経て該ゲートに対応するキャビティに流入して
樹脂封止を行う構成としたものである。
（作用）
上下のキャビティ内に夫々に開口するゲートより樹脂が
流入してキャビティ内に充填されるため、上側キャビテ
ィ及び下側キャビティのうち一方から他方への樹脂のま
わり込みが少なくなる。
流入してキャビティ内に充填されるため、上側キャビテ
ィ及び下側キャビティのうち一方から他方への樹脂のま
わり込みが少なくなる。
このため、この樹脂のまわり込みに起因するステージの
変形、ワイヤのショートや断線等の不良を抑えることが
出来る。
変形、ワイヤのショートや断線等の不良を抑えることが
出来る。
また上下側のゲートは相対向する位置にあり、且つリー
ドフレームの切欠部に対向しており、ゲート内に形成さ
れたグー１一部は、リードフレームを包み込まない状態
で、即ち容易に切除しつる状態で形成される。
ドフレームの切欠部に対向しており、ゲート内に形成さ
れたグー１一部は、リードフレームを包み込まない状態
で、即ち容易に切除しつる状態で形成される。
一方のゲートの樹脂溜めは、樹脂のキャビティ内への流
入をスムーズにすると共に、ゲート部をその付は根部で
切断され易い形状とする。
入をスムーズにすると共に、ゲート部をその付は根部で
切断され易い形状とする。
第１図は本発明の半導体装置の製造方法の一実施例を説
明する図である。
明する図である。
同図中、２０は金型であり、上型２１と下型２２とより
なり、間に、リードフレーム２３が挾まれている。
なり、間に、リードフレーム２３が挾まれている。
まずリードフレーム２３について説明する。
リードフレーム２３は第２図に示す形状であり、多数の
インブーリード２４及びアウターリード２５を有する。
インブーリード２４及びアウターリード２５を有する。
２６はステージであり、四方からの細いサポートバ２７
により支持されている。
により支持されている。
第１図及び第３図に示すように、ステージ２６上に半導
体チップ２８が固着してあり、チップ２８とインナーリ
ード２４との間がワイヤ２９により接続しである。
体チップ２８が固着してあり、チップ２８とインナーリ
ード２４との間がワイヤ２９により接続しである。
３０は切欠部であり、本来は第３図中破線で示すように
存在していた部分を切り欠いたものである。
存在していた部分を切り欠いたものである。
この切欠部３０は、リードフレームの内周側、即ち後述
する金型へのセット状態で１−？７どティ側に横架部を
有しない形状である。
する金型へのセット状態で１−？７どティ側に横架部を
有しない形状である。
次に金型２０について説明する。
下型２２は従来の下型と実質上同じである。
３１は下側キャビティである。
３２は下側ゲートであり、下側キャビアイ３１に開口し
ている。３３は開口である。
ている。３３は開口である。
上型２１は第１図及び第４図に示すように、従来の上型
に上側ゲート３４及び樹脂溜め３５を形成してなるもの
である。
に上側ゲート３４及び樹脂溜め３５を形成してなるもの
である。
３６は上側キャビティであり、上側ゲート３４はこ）に
開口している。３７は開口である。樹脂溜め３５は開口
３７の近傍に位置している。
開口している。３７は開口である。樹脂溜め３５は開口
３７の近傍に位置している。
３８は４キャビティであり、上下のキャビティ３６．３
１により形成される。
１により形成される。
第３図中、−点鎖線は下型２２のゲート３２及びキャビ
ティ３１を示し、二点鎖線は上型２１のゲート３４及び
キセごティ３６をホす。
ティ３１を示し、二点鎖線は上型２１のゲート３４及び
キセごティ３６をホす。
第１図、第３図、第５図に示すように、上側ゲート３４
と下側ゲート３２とは、上下の型２１゜２２と同じ位置
にあり、下型２２に上型２１を重ね合わせたとぎに対向
し合う。
と下側ゲート３２とは、上下の型２１゜２２と同じ位置
にあり、下型２２に上型２１を重ね合わせたとぎに対向
し合う。
リードフレーム２３は、切欠部３０が下側ゲート３２と
対向するように下型２２の上面にセラ１−される。
対向するように下型２２の上面にセラ１−される。
リードフレーム２３が上型２１と下型２２との間に挾ま
れた状態で、下側ゲート３２と上側ゲート３４とは間に
切欠部３０をおいて相対向する状態、即ち、両ゲート３
２．３４が切欠部３０を介して連通した状態となる。
れた状態で、下側ゲート３２と上側ゲート３４とは間に
切欠部３０をおいて相対向する状態、即ち、両ゲート３
２．３４が切欠部３０を介して連通した状態となる。
次に成形について、第１図及び第５図を参照して説明す
る。
る。
エポキシ樹脂は、まず矢印Ｃで示すように下型２２の下
側ゲート３２に沿って流れ、一部は矢印りで示すように
開口３３より下側キャビティ３１内に流れ込み、一部は
分岐して矢印Ｅで示すように切欠部３０を通って上型２
１の樹脂溜め３５内に入り込み、こ）に充填され更には
矢印Ｆで示ヂように１ゲート３４を通って開口３７より
上側−トヤビテイ３６内に流れ込む。樹脂溜め３５は矢
印Ｆで示す樹脂の流れを円滑にする機能を有する。
側ゲート３２に沿って流れ、一部は矢印りで示すように
開口３３より下側キャビティ３１内に流れ込み、一部は
分岐して矢印Ｅで示すように切欠部３０を通って上型２
１の樹脂溜め３５内に入り込み、こ）に充填され更には
矢印Ｆで示ヂように１ゲート３４を通って開口３７より
上側−トヤビテイ３６内に流れ込む。樹脂溜め３５は矢
印Ｆで示す樹脂の流れを円滑にする機能を有する。
１・側４：ヤビティ３１は主に開口３３より流入した樹
脂により充填され、上側−１ヤヒデイ３６は主に開口３
７より流入した樹脂により充填され、上下のキャビティ
３６．３１の間の樹脂の移動が少ない状態で、キャビテ
イ３８全体が充填され、半導体チップ２８等が樹脂封止
され、パッケージ４０が成形される。
脂により充填され、上側−１ヤヒデイ３６は主に開口３
７より流入した樹脂により充填され、上下のキャビティ
３６．３１の間の樹脂の移動が少ない状態で、キャビテ
イ３８全体が充填され、半導体チップ２８等が樹脂封止
され、パッケージ４０が成形される。
このため、成形時のインナーリード２４の曲がり、ステ
ージ２６の迫り上り、ワイＡ７２９のショート及び断線
等が抑制され、これらが原因での半導体装置の不良率が
低下する。
ージ２６の迫り上り、ワイＡ７２９のショート及び断線
等が抑制され、これらが原因での半導体装置の不良率が
低下する。
また、ギヤごティ３８内の樹脂の流れがスムーズである
ため、パッケージ４０内のボイドの発生が抑制され、半
導体装置の耐湿性も向上する。
ため、パッケージ４０内のボイドの発生が抑制され、半
導体装置の耐湿性も向上する。
次にゲートブレイクについて、第６図及び第７図を参照
して説明する。
して説明する。
成形後、金型２０を聞いてパッケージ４ｏを取り出すと
、パッケージ４０は第６図に示すようにリードフレーム
２３と一体化された状態となり、史には」−記ゲート３
２．３４及び樹脂溜め３５に対応するゲート部４１がパ
ッケージ４ｏより延出している。
、パッケージ４０は第６図に示すようにリードフレーム
２３と一体化された状態となり、史には」−記ゲート３
２．３４及び樹脂溜め３５に対応するゲート部４１がパ
ッケージ４ｏより延出している。
最後に、このアーム部４１を矢印Ｇ方向に曲げて、パッ
ケージ４０との付は根の個所で折って取り除く。
ケージ４０との付は根の個所で折って取り除く。
こ）で、ゲート部４１のうち、符号４１８で示す個所は
リードフレーム２３の下面に密着しているだけであり、
リードフレーム２３より簡単に剥離する。
リードフレーム２３の下面に密着しているだけであり、
リードフレーム２３より簡単に剥離する。
符号４１ｂで示す部分は、１ナポートバ−２７をくるん
でいるが、ザボートバー２７は極く細いものであり、ゲ
ート部４１と共に折られる。
でいるが、ザボートバー２７は極く細いものであり、ゲ
ート部４１と共に折られる。
従って、ゲート部４１は、先端側を矢印Ｇで示すように
押し付けることにより、丈ポートパー２７と共に折られ
てパッケージ４０より切り離され、ゲートブレイクは支
障なく容易に行なわれる。
押し付けることにより、丈ポートパー２７と共に折られ
てパッケージ４０より切り離され、ゲートブレイクは支
障なく容易に行なわれる。
なお、ゲート部４１の上面側には付は根部近傍に、樹脂
溜め３５に対応する凸部４２があり、ゲート部４１のう
ちパッケージ４０との例は根部４３が特に細径とされて
いる。このため、ゲート部４１を上記のように押し付け
たときに、付は根部４３に応力が集中し、ゲート部４１
は必ずこの個所で１所される。
溜め３５に対応する凸部４２があり、ゲート部４１のう
ちパッケージ４０との例は根部４３が特に細径とされて
いる。このため、ゲート部４１を上記のように押し付け
たときに、付は根部４３に応力が集中し、ゲート部４１
は必ずこの個所で１所される。
次に、本発明方法の別の実施例について説明する。
本実施例は、第８図に示すように、リードフレーム５０
の一部に形成した切欠部５１をコ字状としたものである
。
の一部に形成した切欠部５１をコ字状としたものである
。
５２はインナーリード、５３はアウターリードである。
このリードフレーム５０は、第９図に示すように、下型
５４と上型５５との間に挾まれ、この状態で成形される
。
５４と上型５５との間に挾まれ、この状態で成形される
。
５６は下側ゲート、５７は上側ゲート、５８は樹脂溜め
であり、これらは口字状９ノ欠向している。
であり、これらは口字状９ノ欠向している。
第１０図及び第１１図に示すようにパッケージ６０が成
形され、グー］・部６１は凸部６２がコ字状の切欠部５
１を通ってリードフレーム５ｏの上方に突出している。
形され、グー］・部６１は凸部６２がコ字状の切欠部５
１を通ってリードフレーム５ｏの上方に突出している。
なお、この実施例においても、成形時の樹脂の流れは、
上記実施例と同じであり、その説明は省略する。
上記実施例と同じであり、その説明は省略する。
また、上記の各実施例とは逆に、上側ゲートを長くし、
上側ゲートを短くし、小側ゲートに樹脂溜めを設置プだ
構成としてもよい。
上側ゲートを短くし、小側ゲートに樹脂溜めを設置プだ
構成としてもよい。
以上説明した様に、本発明によれば、上下のキャビティ
内には夫々に開口したゲートより樹脂が流入してキャビ
ティ内に充填されるため、上下のキャビティのうちの一
方から他方への樹脂のまわり込みが少なくなり、リード
の数の多いリードフレームを使用した場合にも、ステー
ジ、リードの変形，ワイヤのショートや断線等の不良の
発生を抑制することが出来、リード数の多いリードフレ
ームを使用する場合に適用して特に効果を有する。
内には夫々に開口したゲートより樹脂が流入してキャビ
ティ内に充填されるため、上下のキャビティのうちの一
方から他方への樹脂のまわり込みが少なくなり、リード
の数の多いリードフレームを使用した場合にも、ステー
ジ、リードの変形，ワイヤのショートや断線等の不良の
発生を抑制することが出来、リード数の多いリードフレ
ームを使用する場合に適用して特に効果を有する。
また、上下のゲートは相対向する位置にあり、且つリー
ドフレームの切欠部に対向しているため、ゲート内に形
成されたゲート部は、リードフレームを包み込まない状
態で形成され、この切除は容易である。
ドフレームの切欠部に対向しているため、ゲート内に形
成されたゲート部は、リードフレームを包み込まない状
態で形成され、この切除は容易である。
また一方のゲートには樹脂溜めがあり、上記ゲート部は
その付は根部が急に細くなった形状となり、ゲート部は
必！ｆ付は根部の位置で切除される。
その付は根部が急に細くなった形状となり、ゲート部は
必！ｆ付は根部の位置で切除される。
第１図は本発明の半導体装置の製造方法の一実施例を示
す図、 第２図はリードフレームの平面図、 第３図はリードフレームと金型のゲートとを対応させて
示す図、 第４図は上型の底面図、 第５図は第１図中ゲート付近を示す断面斜視図、第６図
は成形後の状態を示す正面図、 第７図は成形後のゲート部付近を示す斜視図、第８図は
本発明の別の実施例のリードフレームの要部を示す図、 第９図は第８図のリードフレームを金型にセットした状
態を示す図、 第１０図は成形後の正面図、 第１１図は成形後の平面図、 第１２図は従来の半導体装置の製造方法の１例を示す図
、 第１３図は成形後の正面図、 第１４図【よ成形後の平面図である。 図において、 ２０は金型、 ２１は上型、 ２２は下型、 ２３はリードフレーム、 ２４はインナーリード、 ２５はアウターリード、 ２７はサポートパー ２８は半導体デツプ、 ３０は切欠部、 ３１は下側キャビアイ、 ３２は下側ゲート、 ３３．３７は１川口、 ３４は上側ゲート、 ３５は樹脂溜め、 ３６は上側キャビ−アイ、 ３８はキャビティ ４０はパッケージ、 ４１はゲート部、 ４２は凸部、 ４３は付は根部、 ５０はリードフレーム、 ５１は切欠部 を示す。 特許出願人 富 士 通 株式会社 同 富十通オートメーション株式会社 嬉」図 同
す図、 第２図はリードフレームの平面図、 第３図はリードフレームと金型のゲートとを対応させて
示す図、 第４図は上型の底面図、 第５図は第１図中ゲート付近を示す断面斜視図、第６図
は成形後の状態を示す正面図、 第７図は成形後のゲート部付近を示す斜視図、第８図は
本発明の別の実施例のリードフレームの要部を示す図、 第９図は第８図のリードフレームを金型にセットした状
態を示す図、 第１０図は成形後の正面図、 第１１図は成形後の平面図、 第１２図は従来の半導体装置の製造方法の１例を示す図
、 第１３図は成形後の正面図、 第１４図【よ成形後の平面図である。 図において、 ２０は金型、 ２１は上型、 ２２は下型、 ２３はリードフレーム、 ２４はインナーリード、 ２５はアウターリード、 ２７はサポートパー ２８は半導体デツプ、 ３０は切欠部、 ３１は下側キャビアイ、 ３２は下側ゲート、 ３３．３７は１川口、 ３４は上側ゲート、 ３５は樹脂溜め、 ３６は上側キャビ−アイ、 ３８はキャビティ ４０はパッケージ、 ４１はゲート部、 ４２は凸部、 ４３は付は根部、 ５０はリードフレーム、 ５１は切欠部 を示す。 特許出願人 富 士 通 株式会社 同 富十通オートメーション株式会社 嬉」図 同
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 上型（２１）及び下型（２２）の対応する位置に、上側
キャビティ（３６）に開口する上側ゲート（３４）及び
下側キャビティ（３１）に開口する下側ゲート（３２）
を有し、該上側ゲート及び下側ゲートのうちの一方に上
記開口近傍に樹脂溜め（３５）を有する金型（２０）を
使用し、リードフレーム（２３、５０）を、上記金型に
セットされた状態で上記の上側ゲートと下側ゲートに対
向する部位に、該上側ゲートと該下側ゲートとを連通さ
せる切欠部（３０、５１）を有する形状とし、 樹脂が上記上下のゲートのうち上記樹脂溜めを有しない
ゲートを通ってこれに対応するキャビティに流入すると
共に、上記切欠部（３０、５１）を通って他方のゲート
に入り、上記樹脂溜めを経て該ゲートに対応するキャビ
ティに流入して樹脂封止を行うことを特徴とする半導体
装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16019888A JPH029142A (ja) | 1988-06-28 | 1988-06-28 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16019888A JPH029142A (ja) | 1988-06-28 | 1988-06-28 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH029142A true JPH029142A (ja) | 1990-01-12 |
Family
ID=15709927
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16019888A Pending JPH029142A (ja) | 1988-06-28 | 1988-06-28 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH029142A (ja) |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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-
1988
- 1988-06-28 JP JP16019888A patent/JPH029142A/ja active Pending
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