JPH05315512A - 半導体装置用リードフレーム - Google Patents

半導体装置用リードフレーム

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JPH05315512A
JPH05315512A JP14215792A JP14215792A JPH05315512A JP H05315512 A JPH05315512 A JP H05315512A JP 14215792 A JP14215792 A JP 14215792A JP 14215792 A JP14215792 A JP 14215792A JP H05315512 A JPH05315512 A JP H05315512A
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JP
Japan
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resin
outer frame
mold cavity
lead frame
lead
Prior art date
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Application number
JP14215792A
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English (en)
Inventor
Yoshiharu Oba
芳晴 大場
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 樹脂封止型半導体装置におけるボイドの発生
を抑える。 【構成】 リードフレームを下型キャビティーブロック
に搭載した場合にゲートと対向する側の外枠部1には、
オーバーフロー樹脂を平面的に見た場合の大きさに相当
する外枠切欠き孔3を設け、外枠切欠き孔3を通して余
剰樹脂をキャビティブロックのオーバーフロー樹脂溜め
溝内に逃してボイドの発生を抑える。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置用リードフ
レームに関し、特に、樹脂封止型半導体装置に用いられ
るリードフレームに関する。
【0002】
【従来の技術】従来、この種の半導体装置用リードフレ
ームは図6に示すように、半導体チップを搭載するアイ
ランド6bと、アイランド6bの周辺を囲み外方に伸び
るとともに半導体チップの入出力端子と金属細線で接続
する複数のリード4bと、リード4bを連結する外枠部
1bと、アイランド6bを外枠部1bに連結する吊りリ
ード2bと、リード4bに交差して複数のリード4bを
連結するタイバー5bからなっていた。7はパッケージ
外周ラインである。
【0003】ところで、最近のメモリー等の半導体集積
回路の高密度実装化の要求により、半導体チップは大き
くなっているにもかかわらず、パッケージは、超小型,
超薄型化の傾向にある。
【0004】従って、リードフレームの樹脂封止される
領域に占めるアイランド6b領域の比率も高くなってき
ている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のリード
フレームを軽薄短小された半導体装置に適用しようとし
た場合、以下のような欠点がある。
【0006】通常、半導体装置の樹脂封止は、タブレッ
ト化された樹脂を金型に埋設したポット内に投入し、プ
ランジャーによりゲートを通してキャビティー内に圧入
するというように行なわれる。
【0007】この場合、図7に示すように、樹脂封止後
の余剰樹脂を除去し易くするために、ゲート12aには
リードフレーム11の水平面に対し約30°の注入角度
がついているので、上型キャビティーブロック9aに掘
り込まれている上型キャビティー10aに注入される樹
脂17の方が、下型キャビティーブロック13aに掘り
込まれている下型キャビティー14aに注入される樹脂
17よりも進行が速くなる。
【0008】そこで、上型キャビティー10aを満たし
た樹脂17は、ゲート12aと対向する側から下型キャ
ビティー14a内に回り込んでくる。
【0009】ここでは図示しないが、上・下型キャビテ
ィーブロック9a,13aのゲート12aと対向する側
の上面には、上・下型キャビティー10a,14a内の
空気の逃げ道となるエアーベントが設けてあるが、下型
キャビティー14aに回り込んだ樹脂17がエアーベン
トを塞いでしまう。
【0010】従って、下型キャビティー14a内におい
て、上型キャビティー10aから回り込んだ樹脂17と
ゲート12a側から下型キャビティー14aに注入され
た樹脂17との間に挾まれた空気は逃げ道を失い、図8
に示すように、ボイド27と呼ばれる空気孔が製品表面
に発生する。
【0011】このボイド27は、製品外観不良の原因と
なるばかりでなく、耐湿性劣化による品質上の問題をも
招き、歩留りを低下させていた。
【0012】本発明の目的は、製品外観不良及び耐湿性
劣化の原因となるボイドの発生を抑えるようにした半導
体装置用リードフレームを提供することにある。
【0013】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係る半導体装置用リードフレームは、半導
体チップを搭載するアイランドと、アイランドの周辺を
囲み外方に伸びるとともに該半導体チップの入出力端子
と金属細線で接続する複数のリードと、リードを接続す
る外枠部と、アイランドを外枠部に連結する吊りリード
と、リードに交差して複数の該リードを連結するタイバ
ーとを含み、さらに、前記外枠部は、余剰樹脂を所望位
置に逃がす外枠切欠き孔を有するものである。
【0014】また、前記吊りリード部は、エッチングが
施されたハーフエッチング部を有するものである。
【0015】
【作用】リードフレームを下型キャビティーブロックに
載置した場合にゲートと対向する側の外枠部に、オーバ
ーフロー樹脂を平面的に見た場合の大きさに相当する切
欠き孔を設ける。
【0016】一方、キャビティーブロックには、この切
欠き孔に対応させてオーバーフロー樹脂溜め溝を設け
る。
【0017】そして、リードフレームの切欠き孔を通し
て余剰樹脂をキャビティーブロックのオーバーフロー樹
脂溜め溝内に収容し、ボイドの発生を抑える。
【0018】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。
【0019】(実施例1)図1は、本発明の実施例1に
係る半導体装置用リードフレームを示す平面図である。
【0020】図1において、本実施例に係る半導体装置
用リードフレームは、半導体チップを搭載するアイラン
ド6と、アイランド6の周辺を囲み外方に伸びるととも
に半導体チップの入出力端子と金属細線で接続する複数
のリード4と、リード4を連結する外枠部1と、アイラ
ンド6を外枠部1に連結する吊りリード2と、リード4
に交差して複数のリード4を連結するタイバー5とから
なっている。8はオーバーフロー樹脂外周ラインであ
る。
【0021】さらに、本実施例では、リードフレーム1
1を下型キャビティーブロック13に載置した場合にゲ
ート12と対向する側の外枠部1には、オーバーフロー
樹脂を平面的に見た場合の大きさに相当する外枠切欠き
孔3を設けてある。
【0022】次に本発明の半導体装置用リードフレーム
を適用する樹脂封止装置の機能部について図2を用いて
説明する。ここでは図示しない上型には上型キャビティ
ーブロック9が、下型には下型キャビティーブロック1
3が取り付けられている。また、上型キャビティーブロ
ック9には、上型キャビティー10と上型オーバーフロ
ー樹脂溜め溝15とが設けられており、下型キャビティ
ーブロック13には、ゲート12、下型キャビティー1
4及び下型オーバーフロー樹脂溜め溝16が設けられて
いる。
【0023】次に樹脂封止方法について説明する。ま
ず、下型キャビティブロック13の上面に位置決め載置
されたリードフレーム11を、下型を上昇させて上型キ
ャビティーブロック9の下面とで挾持する。
【0024】その後、タブレット化された樹脂をここで
は図示しないポット内に投入し、プランジャーによりゲ
ート12を通して上・下型キャビティー10,14内に
圧入する。
【0025】樹脂封止後、余剰樹脂を除去し易くするた
めに、ゲート12には水平面に対し約30°の注入角度
がついている。そのため、上型キャビティー10に注入
される樹脂17の方が下型キャビティー14に注入され
る樹脂よりも進行が速い。
【0026】進行の速い上型キャビティ10内の樹脂1
7は、上型キャビティ10を満たした後、さらに、上型
オーバーフロー樹脂溜め溝15内に進行するとともに、
リードフレーム11に設けた外枠切欠き孔3を通って下
型オーバーフロー樹脂溜め溝16内にも進行する。
【0027】上・下型オーバーフロー樹脂溜め溝15,
16の容量は、進行の速い上型キャビティー10内を通
ってきた樹脂が上・下型オーバーフロー樹脂溜め溝1
5,16内を満たす少し前に、ゲート12より進行して
きた樹脂17が下型キャビティー14を満たすような程
度である。
【0028】樹脂封止された半導体装置は、ゲート12
部の余剰樹脂を除去された後、図3に示すようなオーバ
ーフロー樹脂23を除去させるためにリードフレーム状
態で次工程に回される。ここではまず、パッケージ20
をパッケージ受け台21上に位置決め載置する。
【0029】次に、ここでは図示しない上型を下降させ
ることにより、パッケージはパッケージ押さえブロック
19とパッケージ受け台21とで、リードフレーム11
はパッド25と切断ダイ24とでそれぞれ挾持される。
【0030】さらに、上型を下降させることにより、図
4に示すように、切断パンチ22と切断ダイ24とで吊
りリード2を切断するとともにオーバーフロー樹脂23
を打ち落とす。
【0031】(実施例2)図5は、本発明の実施例2に
係る半導体装置用リードフレームを示す平面図である。
【0032】本実施例では、吊りリード2aには、パッ
ケージ外周ライン7に隣接した2カ所と、外枠部1a側
でオーバーフロー樹脂外周ライン8に隣接した1カ所に
ハーフエッチングが施されたハーフエッチング部26が
設けてある。
【0033】このことにより、リードフレームのコスト
は高くなるが、吊りリード2aは、ハーフエッチング部
26により切断し易く、また、オーバーフロー樹脂は落
とし易くなる。
【0034】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、上・下型
キャビティーブロックにオーバーフロー樹脂溜め溝を設
けた樹脂封止装置を適用でき、しかもリードフレームの
外枠切欠き孔を通して樹脂溜め溝内に製品外観不良及び
耐湿性劣化の原因となるボイドの発生を抑えることで歩
留り向上を期待できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例1を示す平面図である。
【図2】図1に示した実施例を適用した樹脂封止装置の
一部正面断面図である。
【図3】図1に示した実施例を適用した吊りリード切断
装置の一部正面断面図である。
【図4】図1に示した実施例を適用した吊りリード切断
装置の一部正面断面図である。
【図5】本発明の実施例2を示す平面図である。
【図6】従来のリードフレームを示す平面図である。
【図7】従来のリードフレームを適用した樹脂封止装置
の一部正面断面図である。
【図8】従来のリードフレームを適用した樹脂封止装置
の一部正面断面図である。
【符号の説明】
1,1a,1b 外枠部 2,2a,2b 吊りリード 3,3a 外枠切欠き孔 4,4a,4b リード 5,5a,5b タイバー 6,6a,6b アイランド 7 パッケージ外周ライン 8 オーバーフロー樹脂外周ライン 9,9a 上型キャビティーブロック 10,10a 上型キャビティー 11 リードフレーム 12,12a ゲート 13,13a 下型キャビティーブロック 14,14a 下型キャビティー 15 上型オーバーフロー樹脂溜め溝 16 下型オーバーフロー樹脂溜め溝 17 樹脂 18 スプリング 19 パッケージ押さえブロック 20 パッケージ 21 パッケージ受け台 22 切断パンチ 23 オーバーフロー樹脂 24 切断ダイ 25 パッド 26 ハーフエッチング部

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半導体チップを搭載するアイランドと、 アイランドの周辺を囲み外方に伸びるとともに該半導体
    チップの入出力端子と金属細線で接続する複数のリード
    と、 リードを接続する外枠部と、 アイランドを外枠部に連結する吊りリードと、 リードに交差して複数の該リードを連結するタイバーと
    を含み、 さらに、前記外枠部は、余剰樹脂を所望位置に逃がす外
    枠切欠き孔を有することを特徴とする半導体装置用リー
    ドフレーム。
  2. 【請求項2】 請求項1に記載の半導体装置用リードフ
    レームであって、 前記吊りリード部は、エッチングが施されたハーフエッ
    チング部を有することを特徴とする半導体装置用リード
    フレーム。
JP14215792A 1992-05-07 1992-05-07 半導体装置用リードフレーム Pending JPH05315512A (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08227960A (ja) * 1995-02-21 1996-09-03 Nec Corp 半導体装置用リードフレーム
US6743389B2 (en) 1999-03-26 2004-06-01 Apic Yamada Corporation Resin molding machine and method of resin molding
US8410589B2 (en) 2008-08-22 2013-04-02 Sumitomo Chemical Company, Limited Lead frame, resin package, semiconductor device and resin package manufacturing method
JP2016012673A (ja) * 2014-06-30 2016-01-21 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法

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