KR200489837Y1 - 예비성형된 범용 리드 프레임 장치 - Google Patents

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Abstract

예비성형된 범용 리드 프레임 장치는 복수의 이격된 종방향 및 횡방향 섹션(21, 22)과, 종방향 및 횡방향 섹션(21, 22)의 두 개의 인접한 섹션에 의해 각각 둘러싸이고 다이 패드(31), 복수의 리드(32), 및 몰딩 층(33)을 각각 포함하는 복수의 예비성형된 리드 프레임 유닛(3)을 포함한다. 리드 패드(31)는 바닥 부분(311), 다이 지지 부분(312) 및 바닥 부분(311)으로부터 상방으로 연장하는 복수의 기둥 부분(313)을 포함한다. 리드(32)는 종방향 및 횡방향 섹션(21, 22) 중 두 개의 인접한 섹션으로부터 연장한다. 몰딩 층(33)은 다이 지지 부분(312), 기둥 부분(313) 및 리드(32) 사이에 형성되는 간극을 채운다.

Description

예비성형된 범용 리드 프레임 장치{UNIVERSAL PREFORMED LEAD FRAME DEVICE}
본 개시는 예비성형된 리드 프레임 장치, 더 구체적으로 상이한 크기의 칩에 적합한 예비성형된 범용 리드 프레임 장치에 관한 것이다.
도 1을 참조하면, 종래의 QFN(quad flat no-lead) 리드 프레임은 외부 프레임(11), 외부 프레임(11)에 의해 둘러싸인 금속 다이 패드(12), 금속 다이 패드(12)와 외부 프레임(11) 사이에 연결되는 연결 부분(13), 및 외부 프레임(11)으로부터 금속 다이 패드(12) 쪽으로 이격된 방식으로 연장하는 복수의 이격된 리드(14)를 포함한다. 도 2에 도시된 바와 같이, 종래의 QFN 리드 프레임이 패키징될 때, 칩(100)이 먼저 금속 다이 패드(12) 상에 배치된 다음에, 복수의 와이어(15)가 금속 다이 패드(12)와 이격된 리드(14) 사이에 연결된다. 마지막으로, 칩(100) 및 외부 프레임(11)이 중합체 캡슐화 재료에 의해 덮인 이후에 중합체 캡슐화 재료를 경화시켜 중합체 캡슐화 층(16)을 형성하고 칩 패키지 장치가 얻어진다.
그러나, 패키징 공정의 조작성 및 중합체 캡슐화 층(16)과 금속 다이 패드(12) 사이의 낮은 접착 강도가 칩 패키지 장치의 신뢰성과 성능에 악영향을 미칠 수 있다는 점을 고려할 때, 칩(100)을 배치하기 위한 금속 다이 패드(12)의 표면적에 대한 금속 다이 패드(12)에 부착되는 칩(100)의 표면적의 비율은 0.6 내지 0.8의 범위 내에 놓이도록 제어된다. 전술한 비율을 유지함으로써, 중합체 캡슐화 층(16)과 금속 다이 패드(12) 사이에 이종 계면이 감소될 수 있다. 그럼에도 불구하고, 종래의 QFN 리드 프레임 상에 배치될 칩(100)의 크기가 변경될 때, 전술한 비율을 유지하기 위해서 칩(100)의 크기와 일치하는 크기를 갖는 금속 다이 패드(12)를 갖춘 새로운 종래의 QFN 리드 프레임을 제조할 필요가 있다.
따라서, 본 개시의 목적은 종래 기술의 단점 중 적어도 하나를 완화할 수 있는 예비성형된 범용 리드 프레임 장치를 제공하는 것이다.
본 개시의 일 양태에 따르면, 예비성형된 범용 리드 프레임 장치는 복수의 이격된 종방향 섹션 및 종방향 섹션을 가로지르는 복수의 이격된 횡방향 섹션과, 복수의 예비성형된 리드 프레임 유닛을 포함한다.
각각의 예비성형된 리드 프레임 유닛은 종방향 섹션 중 두 개의 인접한 섹션과 횡방향 섹션 중 두 개의 인접한 섹션에 의해 둘러싸이고, 다이 패드, 복수의 이격된 리드 및 몰딩 층을 포함한다.
각각의 리드 프레임 유닛의 다이 패드는 바닥 부분과, 바닥 부분으로부터 상방으로 연장하고 바닥 부분에 대향하는 상부 표면을 갖는 다이 지지 부분, 바닥 부분으로부터 상방으로 연장하고 이격된 방식으로 다이 지지 부분을 둘러싸는 복수의 이격된 기둥 부분(pillar portion), 및 다이 지지 부분과 기둥 부분 사이에 형성되는 제 1 간극을 포함한다. 각각의 기둥 부분은 바닥 부분에 대향하는 상부 표면을 가진다.
각각의 예비성형된 리드 프레임 유닛의 리드는 종방향 섹션 중 두 개의 인접한 섹션 및 횡방향 섹션 중 두 개의 인접한 섹션으로부터 다이 패드 쪽으로 연장한다. 각각의 예비성형된 리드 프레임 유닛의 각각의 리드는 다이 패드의 바닥 부분에 대향하는 상부 표면을 가진다. 다이 패드와 각각의 예비성형된 리드 프레임 유닛의 리드 사이에는 제 2 간극이 형성된다.
각각의 예비성형된 리드 프레임 유닛의 몰딩 층은 중합체 재료로 제조되며, 제 1 간극을 채우는 제 1 몰딩 부분, 기둥 부분 및 제 1 몰딩 부분을 둘러싸는 제 2 몰딩 부분, 및 제 2 간극을 채우는 제 3 몰딩 부분을 포함한다. 제 1 몰딩 부분은 다이 패드의 바닥 부분에 대향하는 제 1 표면을 포함한다. 제 2 몰딩 부분은 다이 패드의 바닥 부분에 대향하는 제 2 표면을 포함한다. 다이 지지 부분 및 기둥 부분의 상부 표면은 제 1 몰딩 부분의 제 1 표면과 동일 평면에 있다. 제 1 몰딩 부분의 제 1 표면과 제 2 몰딩 부분의 제 2 표면은 높이가 상이하다.
본 개시의 다른 양태에 따르면, 예비성형된 범용 리드 프레임 장치는 복수의 이격된 종방향 섹션 및 종방향 섹션을 가로지르는 복수의 이격된 횡방향 섹션과, 복수의 예비성형된 리드 프레임 유닛을 포함한다.
각각의 예비성형된 리드 프레임 유닛은 종방향 섹션 중 두 개의 인접한 섹션과 횡방향 섹션 중 두 개의 인접한 섹션에 의해 둘러싸이고, 다이 패드, 복수의 이격된 리드, 및 몰딩 층을 포함한다.
각각의 예비성형된 리드 프레임 유닛의 다이 패드는 바닥 부분, 바닥 부분으로부터 상방으로 연장하고 바닥 부분에 대향하는 상부 표면을 갖는 다이 지지 부분, 및 바닥 부분으로부터 상방으로 연장하고 이격된 방식으로 다이 지지 부분을 둘러싸는 복수의 이격된 기둥 부분을 포함한다.
각각의 예비성형된 리드 프레임 유닛의 리드는 종방향 섹션 중 두 개의 인접한 섹션과 횡방향 섹션 중 두 개의 인접한 섹션으로부터 다이 패드 쪽으로 연장한다.
각각의 예비성형된 리드 프레임 유닛의 몰딩 층은 중합체 재료로 제조되며, 다이 지지 부분, 기둥 부분 및 리드 사이에 형성되는 간극을 채운다.
본 개시의 다른 특징 및 장점은 첨부된 도면을 참조하여 실시예에 대한 다음의 상세한 설명에서 자명해질 것이다.
도 1은 종래의 QFN 리드 프레임을 예시하는 부분 평면도이며,
도 2는 도 1의 종래의 QFN 리드 프레임을 포함하는 칩 패키지 장치의 부분 개략도이며,
도 3은 본 개시에 따른 예비성형된 범용 리드 프레임 장치의 실시예를 예시하는 부분 평면도이며,
도 4는 도 3의 4-4 선을 따라 취한 부분 횡단면도이며,
도 5는 실시예의 다른 구성을 예시하는 부분 횡단면도이며,
도 6은 실시예의 또 다른 구성을 예시하는 부분 횡단면도이다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 본 개시에 따른 예비성형된 범용 리드 프레임 장치의 실시예는 집적 회로 패키지 장치를 형성하도록 가변 크기의 적어도 하나의 칩을 배치하는데 사용된다. 예비성형된 범용 리드 프레임 장치의 실시예는 복수의 이격된 종방향 섹션(21), 종방향 섹션(21)을 가로지르는 복수의 이격된 횡방향 섹션(22), 및 복수의 예비성형된 리드 프레임 유닛(3)을 포함한다. 각각의 예비성형된 리드 프레임 유닛(3)은 종방향 섹션(21) 중 두 개의 인접한 섹션과 횡방향 섹션(22) 중 두 개의 인접한 섹션에 의해 둘러싸인다.
도 3에서, 단지 두 개의 인접한 이격된 종방향 섹션(21), 종방향 섹션을 가로지르는 두 개의 인접한 이격된 횡방향 섹션(22), 및 하나의 예비성형된 리드 프레임 유닛(3)이 도시된다.
예비성형된 리드 프레임 유닛(3)은 다이 패드(31), 복수의 이격된 리드(32), 및 몰딩 층(33)을 포함한다.
예비성형된 리드 프레임 유닛(3)의 다이 패드(31)는 바닥 부분(311), 바닥 부분(311)으로부터 상방으로 연장하고 바닥 부분(311)에 대향하는 상부 표면(3121)을 갖는 다이 지지 부분(312), 및 바닥 부분(311)으로부터 상방으로 연장하고 이격된 방식으로 다이 지지 부분(312)을 둘러싸는 복수의 이격된 기둥 부분(313)을 포함한다.
몰딩 층(33)은 중합체 재료로 제조되며, 다이 지지 부분(312), 기둥 부분(313) 및 리드(32) 사이에 형성되는 간극을 채운다.
하나의 형태에서, 각각의 이격된 기둥 부분(313)은 바닥 부분(311)에 대향하는 상부 표면(3131)을 가진다. 다이 패드(31)는 다이 지지 부분(312)과 기둥 부분(313) 사이에 형성되는 제 1 간극(34)을 더 포함한다.
하나의 형태에서, 다이 패드(31)의 종방향 섹션(21)과 횡방향 섹션(22), 바닥 부분(311), 다이 지지 부분(312) 및 기둥 부분(313)은 동일한 금속 재료로 제조될 수 있다. 다이 패드(31)의 다이 지지 부분(312) 및 예비성형된 리드 프레임 유닛의 리드(32)는 동일한 금속 재료로 제조될 수 있다. 리드(32)는 각각 두 개의 인접한 종방향 섹션(21) 및 두 개의 인접한 횡방향 섹션(22)으로부터 다이 패드(31) 쪽으로 연장한다. 각각의 리드(32)는 다이 패드(31)의 바닥 부분(311)에 대향하는 상부 표면(321)을 가지며 외부로 노출된다. 다이 패드(31)와 리드(32) 사이에는 제 2 간극(35)이 형성된다.
하나의 형태에서, 예비성형된 리드 프레임 유닛(3)은 함께 연결된 두 개 이상의 다이 패드(31)를 포함할 수 있다.
실시예에서, 예비성형된 리드 프레임 유닛(3)의 다이 패드(31)는 접지 부분(314) 및 연결 부분(315)을 더 포함한다. 접지 부분(314)은 바닥 부분(311)으로부터 상방으로 연장되고 기둥 부분(313)과 리드(32) 사이에 배치된다. 연결 부분(315)은 다이 지지 부분(312)으로부터 종방향 섹션(21) 및 횡방향 섹션(22)까지 연장하여 다이 지지 부분(312)과 종방향 섹션(21) 및 횡방향 섹션(22)을 상호 연결시킨다. 실시예에서, 접지 부분(314)은 스트립 형상이며 바닥 부분(311)에 대향하고 몰딩 층(33)으로부터 외부로 노출되는 상부 표면(3141)을 가진다.
구체적으로, 몰딩 층(33)은 다이 지지 부분(312)과 기둥 부분(313) 사이에 형성되는 제 1 간극(34)을 채우는 제 1 몰딩 부분(331), 기둥 부분(313) 및 제 1 몰딩 부분(331)을 둘러싸는 제 2 몰딩 부분(332), 그리고 다이 패드(31)와 리드(32) 사이에 형성되는 제 2 간극(35)을 채우는 제 3 몰딩 부분(333)를 포함한다.
몰딩 층(33)의 제 1 몰딩 부분(331)은 다이 패드(31)의 바닥 부분(311)에 대향하는 제 1 표면(3311)을 포함한다. 몰딩 층(33)의 제 2 몰딩 부분(332)은 다이 패드(31)의 바닥 부분(311)에 대향하는 제 2 표면(3321)을 포함한다. 몰딩 층(33)의 제 3 몰딩 부분(333)은 다이 패드(31)의 바닥 부분(311)에 대향하는 제 3 표면(3331)을 포함한다. 더 구체적으로, 다이 지지 부분(312) 및 기둥 부분(313)의 상부 표면(3121, 3131)은 제 1 표면(3311)과 동일 평면에 있다. 제 1 표면(3311) 및 제 2 표면(3321)은 높이가 상이하다. 실시예에서, 제 1 표면(3311)은 제 2 표면(3321)보다 더 낮다. 다이 지지 부분(312) 및 기둥 부분(313)의 상부 표면(3121, 3131), 제 1 몰딩 부분(331)의 제 1 표면(3311), 제 2 몰딩 부분(332)의 제 2 표면(3321) 및 제 3 몰딩 부분(333)의 제 3 표면(3331)은 외부로 노출되고 리드(32)의 상부 표면(321)과 함께 후속 처리 단계에 이용 가능하다. 후속 처리 단계는 예를 들어, 다이 패드(31) 상에 칩을 장착하고 그 칩을 리드(32)에 전기적으로 연결하는 것이다.
본 개시의 실시예에 따르면, 다이 패드(31)의 다이 지지 부분(312) 및 기둥 부분(313)은 협력하여 가변 크기의 칩을 장착하기 위한 예비성형된 리드 프레임 유닛(3)의 칩-지지 영역으로서의 역할을 한다. 다이 지지 부분(312)은 칩 크기의 원하는 범위 내에서 최소 크기를 갖는 칩의 면적과 일치하는 면적을 갖도록 크기가 정해질 수 있다. 배치하고자 하는 칩이 너무 커서 다이 지지 부분(31)에 의해서만 지지되지 않는 크기를 가질 때, 기둥 부분(313)은 칩을 장착하기 위한 다이 지지 부분(31)에 보조적 관계이다. 따라서, 예비성형된 리드 프레임 유닛(3)은 가변 크기의 칩을 장착하는데 적합하다. 또한, 제 1 몰딩 부분(331)은 예비성형된 범용 리드 프레임 장치에 후속적으로 적용되는 캡슐화 층과 양립 가능한 중합체 재료로 제조됨으로써, 캡슐화 층과 다이 패드(31) 사이의 접착력을 향상시킨다. 따라서, 예비성형된 범용 리드 프레임 장치, 칩 및 캡슐화 층을 포함하는 칩-패키지 장치는 원하는 신뢰성을 가진다. 또한, 몰딩 층(33)의 제 2 몰딩 부분(332)의 제 2 표면(3321)이 제 1 몰딩 부분(331)의 제 1 표면(3311)보다 더 높기 때문에, 제 2 몰딩 부분(332)은 후속 칩-장착 작업에서 칩을 칩-지지 영역에 연결하는데 사용되는 전도성 접착제 재료(예컨대, Ag 에폭시 또는 전기 전도성 접착제 등)의 오버플로(overflow)를 방지함으로써, 칩-패키지 장치의 불량을 방지하는 옹벽(retaining wall)으로서의 역할을 할 수 있다.
도 5를 참조하면, 예비성형된 범용 리드 프레임 장치의 실시예의 다른 구성이 예시된다. 도 3 및 도 4와 유사하게, 예비성형된 리드 프레임 유닛(3) 중 단지 하나만이 도시된다. 몰딩 층(33)의 제 1 몰딩 부분(331)의 제 1 표면(3311)은 몰딩 층(33)의 제 2 몰딩 부분(332)의 제 2 표면(3321)보다 더 높다. 따라서, 제 2 몰딩 부분(332)의 제 2 표면(3321)은 후속 칩-장착 작업 동안에 전도성 접착제 재료의 오버플로를 수용하기 위한 오버플로-수용 홈으로서의 역할을 할 수 있다.
예비성형된 범용 리드 프레임 장치가 제작될 때, 구리, 구리계 합금 또는 철-니켈계 합금과 같은 전도성 재료로 제조되는 기판(도시되지 않음)이 먼저 제공된다. 이어서, 기판은 행과 열의 어레이로 배열되는 복수의 이격된 종방향 영역 및 복수의 이격된 횡방향 영역으로 형성된다.
이어서, 기판은 예비성형된 범용 리드 프레임 장치의 반제품을 형성하기 위해서 에칭 기술을 사용하여 불필요한 부분을 제거하도록 패턴화된다. 반제품은 이격된 종방향 및 횡방향 섹션(21, 22)과, 복수의 반제품인 예비성형된 리드 프레임 유닛을 포함한다. 도 3을 참조하면, 각각의 반제품인 예비성형된 리드 프레임 유닛은 종방향 섹션(21) 중 두 개의 인접한 섹션 및 횡방향 섹션(22) 중 두 개의 인접한 섹션에 의해 둘러싸이고, 다이 패드(31) 및 리드(32)를 포함한다. 종방향 섹션(21) 및 횡방향 섹션(22)은 예비성형된 리드 프레임 유닛(3)의 다이 패드(31)의 바닥 부분(311)에 연결된다.
도 4 및 도 5를 추가로 참조하면, 반제품이 몰드(도시 않음) 내에 배치되며, 이어서 캡슐화 재료가 다이 패드(31) 및 리드(32)를 덮지 않고 제 1 간극(34) 및 제 2 간극(35) 내에 채워지고, 몰딩 층(33)을 형성하기 위해서 절연 중합체 재료, 예를 들어 에폭시 수지 등으로부터 선택되는 캡슐화 재료의 경화가 이어진다. 도 3에 부분적으로 도시된 예비성형된 범용 리드 프레임 장치가 이와 같이 형성된다.
도 6을 참조하면, 예비성형된 범용 리드 프레임 장치의 실시예의 또 다른 구성이 예시된다. 종방향 섹션(21) 및 횡방향 섹션(22)은 중합체 재료로 제조되고, 예비성형된 리드 프레임 유닛(3)의 몰딩 층(33)과 일체로 형성된다. 이러한 구성에서, 각각의 예비성형된 리드 프레임 유닛(3)의 다이 패드(31)를 종방향 섹션(21) 및 횡방향 섹션(22)의 두 개의 인접한 섹션에 연결하기 위해서 도 3에 도시된 연결 부분(315)이 분배될 수 있다.
또한, 도 6의 구성에 따르면, 중합체 재료로 제조된 종방향 및 횡방향 섹션(21, 22)은 절단 경로로서의 역할을 할 수 있다. 본 개시의 예비성형된 리드 프레임 장치, 칩 및 캡슐화 층을 포함하는 칩-패키지 장치는 종방향 및 횡방향 섹션(21, 22)에 형성되는 절단 경로를 따라서 다이싱될 수 있음으로써, 다이싱 공정(dicing process)의 효율을 향상시킨다.
도 6에 도시된 예비성형된 범용 리드 프레임 장치의 구성은 세미-에칭 기술을 사용하여 제작될 수 있다. 대만의 실용신안 공보 제 M523189 호에 개시된 것과 같은 세미-에칭 기술이 본 기술분야에 공지되어 있기 때문에, 이의 추가의 상세한 설명은 간결함을 위해 여기서 생략된다.
다이 패드(31)의 기둥 부분(313) 및 몰딩 층(33)의 제 1 몰딩 부분(331)을 포함하기 때문에, 본 개시의 예비성형된 범용 리드 프레임 장치의 예비성형된 리드 프레임 유닛(3)의 다이 패드(31)는 다양한 크기의 칩으로 배치되도록 적용될 수 있으며, 다이 패드(31)에 대한 캡슐화 층의 접착력이 향상되어, 후속적으로 형성되는 칩-패키지 장치의 캡슐화 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 또한, 칩과 다이-지지 부분을 상호연결하기 위한 전도성 접착제 재료의 오버플로는 몰딩 층(33)의 제 2 몰딩 부분(332)의 설계에 의해 방지될 수 있다.
상기 설명에서, 설명의 목적을 위해서 다수의 특정한 세부 사항이 실시예에 대한 철저한 이해를 제공하도록 기재되었다. 그러나, 하나 이상의 다른 실시예가 이들 특정한 세부 사항의 일부 없이도 실시될 수 있다는 것이 당업자에게는 자명할 것이다. 본 명세서 전반에 걸쳐서 "일 실시예", "실시예", 및 서수 등의 표시를 갖는 실시예에 대한 언급은 특정 특징, 구조 또는 특성이 본 개시의 실시에 포함될 수 있다는 것을 의미한다는 것이 또한 이해되어야 한다. 상기 설명에서, 다양한 특징은 본 개시의 간소화 및 다양한 독창적인 측면의 이해를 돕기 위해서 단일 실시예, 도면 또는 그의 설명에서 때때로 함께 그룹화된다는 것이 추가로 이해되어야 한다.
본 개시가 예시적인 실시예로서 고려된 것과 관련하여 설명되었지만, 본 개시는 개시된 실시예에 한정되지 않고, 가장 넓은 해석의 사상 및 범주 내에 포함되는 다양한 배열을 포함하도록 의도되어 그러한 모든 수정 및 동등한 배열을 포함한다는 것이 이해될 것이다.

Claims (9)

  1. 예비성형된 범용 리드 프레임 장치에 있어서,
    복수의 이격된 종방향 섹션,
    상기 종방향 섹션을 가로지르는 복수의 이격된 횡방향 섹션, 및
    상기 종방향 섹션 중 두 개의 인접한 섹션과 상기 횡방향 섹션 중 두 개의 인접한 섹션에 의해 각각 둘러싸이는 복수의 예비성형된 리드 프레임 유닛을 포함하며,
    상기 복수의 예비성형된 리드 프레임 유닛 각각은,
    바닥 부분, 상기 바닥 부분으로부터 상방으로 연장하고 상기 바닥 부분에 대향하는 상부 표면을 가지는 다이 지지 부분, 상기 바닥 부분으로부터 상방으로 연장하고 이격된 방식으로 상기 다이 지지 부분을 둘러싸며 상기 바닥 부분에 대향하는 상부 표면을 각각 가지는 복수의 이격된 기둥 부분, 및 상기 다이 지지 부분과 상기 기둥 부분 사이에 형성되는 제 1 간극을 포함하는 다이 패드;
    상기 종방향 섹션 중 상기 두 개의 인접한 섹션 및 상기 횡방향 섹션 중 상기 두 개의 인접한 섹션으로부터 다이 패드 쪽으로 연장하며, 상기 다이 패드의 바닥 부분에 대향하는 상부 표면을 각각 가지는 복수의 이격된 리드로서, 제 2 간극이 상기 다이 패드와 상기 리드 사이에 형성되는, 복수의 이격된 리드; 및
    중합체 재료로 제조되며, 상기 제 1 간극을 채우는 제 1 몰딩 부분, 상기 기둥 부분 및 상기 제 1 몰딩 부분을 둘러싸는 제 2 몰딩 부분, 및 상기 제 2 간극을 채우는 제 3 몰딩 부분을 포함하는 몰딩 층을 포함하며,
    상기 제 1 몰딩 부분은 상기 다이 패드의 바닥 부분에 대향하는 제 1 표면을 포함하며, 상기 제 2 몰딩 부분은 상기 다이 패드의 바닥 부분에 대향하는 제 2 표면을 포함하며, 상기 다이 지지 부분 및 상기 기둥 부분의 상부 표면은 상기 제 1 몰딩 부분의 제 1 표면과 동일 평면에 있으며, 상기 제 1 몰딩 부분의 제 1 표면 및 상기 제 2 몰딩 부분의 제 2 표면은 높이가 상이한
    예비성형된 범용 리드 프레임 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 다이 패드 및 상기 리드는 동일한 금속 재료로 제조되는
    예비성형된 범용 리드 프레임 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    각각의 상기 예비성형된 리드 프레임 유닛의 몰딩 층의 제 1 몰딩 부분의 제 1 표면은 상기 몰딩 층의 제 2 몰딩 부분의 제 2 표면보다 더 높은
    예비성형된 범용 리드 프레임 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    각각의 상기 예비성형된 리드 프레임 유닛의 몰딩 층의 제 1 몰딩 부분의 제 1 표면은 상기 몰딩 층의 제 2 몰딩 부분의 제 2 표면보다 더 낮은
    예비성형된 범용 리드 프레임 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    각각의 상기 예비성형된 리드 프레임 유닛의 몰딩 층의 제 3 몰딩 부분은 상기 다이 패드의 바닥 부분에 대향하는 제 3 표면을 가지며, 상기 제 3 표면은 상기 몰딩 층의 제 1 몰딩 부분의 제 1 표면과 동일 평면에 있는
    예비성형된 범용 리드 프레임 장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    각각의 상기 예비성형된 리드 프레임 유닛의 다이 패드는 상기 바닥 부분으로부터 상방으로 연장하고 상기 기둥 부분과 상기 리드 사이에 배치되는 접지 부분을 더 포함하며, 상기 접지 부분은 상기 바닥 부분에 대향하는 상부 표면을 가지며 상기 몰딩 층으로부터 노출되는
    예비성형된 범용 리드 프레임 장치.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 예비성형된 리드 프레임 유닛의 종방향 섹션, 횡방향 섹션 및 다이 패드는 동일한 금속 재료로 제조되며, 상기 종방향 섹션 및 상기 횡방향 섹션은 상기 예비성형된 리드 프레임 유닛의 다이 패드의 바닥 부분에 연결되는
    예비성형된 범용 리드 프레임 장치.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 종방향 섹션 및 상기 횡방향 섹션은 중합체 재료로 제조되고 상기 몰딩 층과 일체로 형성되는
    예비성형된 범용 리드 프레임 장치.
  9. 삭제
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR3073080B1 (fr) * 2017-10-26 2021-01-08 St Microelectronics Srl Circuit integre en boitier qfn
TWM588888U (zh) * 2019-04-17 2020-01-01 長華科技股份有限公司 高密著性預成型基板
CN113192850B (zh) * 2021-04-29 2023-09-01 长沙新雷半导体科技有限公司 一种扇出型芯片的封装方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008016716A (ja) * 2006-07-07 2008-01-24 New Japan Radio Co Ltd リードフレームおよびそれを用いた半導体装置の製造方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100405272B1 (ko) * 2001-10-18 2003-11-12 주식회사 코스타트반도체 큐. 에프. 엔(ｑｆｎ) 반도체 패키지
JP3704304B2 (ja) * 2001-10-26 2005-10-12 新光電気工業株式会社 リードフレーム及びその製造方法並びに該リードフレームを用いた半導体装置の製造方法
KR100973287B1 (ko) * 2003-07-18 2010-07-30 삼성테크윈 주식회사 범프들이 형성되는 반도체 패키지용 기판, 이 반도체패키지용 기판에 의하여 형성된 반도체 패키지, 및 이반도체 패키지의 제조 방법
JP4589170B2 (ja) * 2005-04-28 2010-12-01 新光電気工業株式会社 半導体装置及びその製造方法
CN101807533B (zh) * 2005-06-30 2016-03-09 费查尔德半导体有限公司 半导体管芯封装及其制作方法
US8637887B2 (en) * 2012-05-08 2014-01-28 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Thermally enhanced semiconductor packages and related methods
US9847279B2 (en) * 2014-08-08 2017-12-19 Chang Wah Technology Co., Ltd. Composite lead frame structure

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008016716A (ja) * 2006-07-07 2008-01-24 New Japan Radio Co Ltd リードフレームおよびそれを用いた半導体装置の製造方法

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