JPH0232787B2 - - Google Patents
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- JPH0232787B2 JPH0232787B2 JP59049644A JP4964484A JPH0232787B2 JP H0232787 B2 JPH0232787 B2 JP H0232787B2 JP 59049644 A JP59049644 A JP 59049644A JP 4964484 A JP4964484 A JP 4964484A JP H0232787 B2 JPH0232787 B2 JP H0232787B2
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Classifications
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0203—Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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-
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- H01L2924/181—Encapsulation
- H01L2924/1815—Shape
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体装置、とくに光消去可能なメモ
リー素子やCCD、CPD等の固体撮像素子を封有
し、透明な窓を設けた樹脂封止型の半導体装置と
その製造方法に関する。
リー素子やCCD、CPD等の固体撮像素子を封有
し、透明な窓を設けた樹脂封止型の半導体装置と
その製造方法に関する。
従来の構成とその問題点
光消去可能な半導体メモリー装置や固体撮像装
置では、コストダウンをねらつて、透明な窓材を
封止樹脂とともに一体成型したパツケージを用い
たものが現れている。従来、このような装置は第
１図〜第３図に示すように、まず半導体メモリー
素子や固体撮像素子１を素子載置板２上に固定
し、素子上の電極とリード３とを金属細線４で接
続し、透明樹脂５を介して透明体６を接着し、透
明体の表面を封止金型７の内壁に押しあてた状態
で封止樹脂を注入し成型を行なつていた。この製
造方法では透明体表面を金型内壁に押しあてる際
に、強すぎると石英やアルミナガラスからなる透
明体表面にキズがついたり破損したりする。一
方、押しあてる圧力が不十分だと封止樹脂注入の
とき透明体表面と金型内壁との隙間に封止樹脂が
入りこみ、透明体表面上に薄い樹脂膜を形成す
る。この樹脂膜は後に機械的に除去しなければな
らず煩雑であるうえ、透明体表面がキズつけられ
るおそれがある。したがつて製品の製造歩留りを
維持するには封止における透明体表面と金型内壁
との圧着状態を非常に厳密にコントロールしなけ
ればいけない。このことは、リードフレームや透
明体の寸法および透明体を半導体素子表面に接着
する工程に対し、非常な高精度を要求することに
なり、コストアツプやスループツトの低下をまね
く。
置では、コストダウンをねらつて、透明な窓材を
封止樹脂とともに一体成型したパツケージを用い
たものが現れている。従来、このような装置は第
１図〜第３図に示すように、まず半導体メモリー
素子や固体撮像素子１を素子載置板２上に固定
し、素子上の電極とリード３とを金属細線４で接
続し、透明樹脂５を介して透明体６を接着し、透
明体の表面を封止金型７の内壁に押しあてた状態
で封止樹脂を注入し成型を行なつていた。この製
造方法では透明体表面を金型内壁に押しあてる際
に、強すぎると石英やアルミナガラスからなる透
明体表面にキズがついたり破損したりする。一
方、押しあてる圧力が不十分だと封止樹脂注入の
とき透明体表面と金型内壁との隙間に封止樹脂が
入りこみ、透明体表面上に薄い樹脂膜を形成す
る。この樹脂膜は後に機械的に除去しなければな
らず煩雑であるうえ、透明体表面がキズつけられ
るおそれがある。したがつて製品の製造歩留りを
維持するには封止における透明体表面と金型内壁
との圧着状態を非常に厳密にコントロールしなけ
ればいけない。このことは、リードフレームや透
明体の寸法および透明体を半導体素子表面に接着
する工程に対し、非常な高精度を要求することに
なり、コストアツプやスループツトの低下をまね
く。
発明の目的
本発明は上に述べたような従来の装置および製
造方法に見られた問題点を解消し、安定、高品質
で、かつ、製造性のよい半導体装置とその製造方
法を提供することを目的とする。
造方法に見られた問題点を解消し、安定、高品質
で、かつ、製造性のよい半導体装置とその製造方
法を提供することを目的とする。
発明の構成
本発明は第１に、半導体素子表面上に透明体を
設け、この透明体表面周縁部に環状に凸部が形成
され、この環状凸部が熱可塑性樹脂である半導体
装置であり第２に、その製造方法としては樹脂外
囲部形成の際に透明体表面の環状凸部を金形内壁
に押しあてて軟化密着させた状態で封止樹脂を注
入硬化させる工程を特徴としており、これらの構
造と製造方法により、透明体表面にキズが入つた
り封止樹脂の薄い膜ができることがなくなる。
設け、この透明体表面周縁部に環状に凸部が形成
され、この環状凸部が熱可塑性樹脂である半導体
装置であり第２に、その製造方法としては樹脂外
囲部形成の際に透明体表面の環状凸部を金形内壁
に押しあてて軟化密着させた状態で封止樹脂を注
入硬化させる工程を特徴としており、これらの構
造と製造方法により、透明体表面にキズが入つた
り封止樹脂の薄い膜ができることがなくなる。
実施例の説明
第４図〜第７図を用いて本発明の実施例を説明
する。まず第４図の外観図に示すような表面周縁
部に熱可塑性樹脂でできた環状凸部を有する透明
体６を用意する。本実施例ではポリメチルメタク
リレートもしくはポリカーボネートを成型したも
のを用いた。また透明体自体は石英、アルミナガ
ラス等の無機材料で平板をつくり、その表面に熱
可塑性樹脂でつくつた環状枠体を接着して第４図
のような構造としてもよい。このような透明体を
半導体素子表面に透明樹脂で接着すれば第５図の
ようになる。次に第６図に示すように透明体６を
金型７内壁に押しあて、環状凸部を金型の温度
（150℃〜190℃）で軟化させ金型内壁に密着させ
た状態で封止樹脂を注入硬化させる。金型の温
度、硬化時間は透明体の本体部分が軟化変形しな
いように定める。封止樹脂の硬化が終了して金型
から取り出すと第７図に示すように透明体表面を
露出させた状態で樹脂外囲部８が形成される。
する。まず第４図の外観図に示すような表面周縁
部に熱可塑性樹脂でできた環状凸部を有する透明
体６を用意する。本実施例ではポリメチルメタク
リレートもしくはポリカーボネートを成型したも
のを用いた。また透明体自体は石英、アルミナガ
ラス等の無機材料で平板をつくり、その表面に熱
可塑性樹脂でつくつた環状枠体を接着して第４図
のような構造としてもよい。このような透明体を
半導体素子表面に透明樹脂で接着すれば第５図の
ようになる。次に第６図に示すように透明体６を
金型７内壁に押しあて、環状凸部を金型の温度
（150℃〜190℃）で軟化させ金型内壁に密着させ
た状態で封止樹脂を注入硬化させる。金型の温
度、硬化時間は透明体の本体部分が軟化変形しな
いように定める。封止樹脂の硬化が終了して金型
から取り出すと第７図に示すように透明体表面を
露出させた状態で樹脂外囲部８が形成される。
発明の効果
以上述べたような構造および製造方法によれば
樹脂封止の際に透明体の表面が金型内壁に直接押
しあてられることがないため透明体表面にキズが
ついたり破損したりすることがない。また透明体
表面周縁部の熱可塑性樹脂で形成された環状凸部
が軟化して金型内壁に密着している状態で封止樹
脂を注入するので透明体表面に封止樹脂が付着す
ることがなく、後の煩雑な樹脂除去工程が不要と
なる。さらに、透明体表面周縁部の環状凸部の熱
可塑性樹脂は金型内壁への圧着状態に応じて軟化
変形するので、透明体を半導体素子表面上へ接着
するまでに生じた多少の寸法誤差や水平からのズ
レは吸収され、安定、高品質が実現されることに
なり、また、材料や工程に対する精度の要求が緩
和されコストダウンやスループツトの向上が期待
できる。
樹脂封止の際に透明体の表面が金型内壁に直接押
しあてられることがないため透明体表面にキズが
ついたり破損したりすることがない。また透明体
表面周縁部の熱可塑性樹脂で形成された環状凸部
が軟化して金型内壁に密着している状態で封止樹
脂を注入するので透明体表面に封止樹脂が付着す
ることがなく、後の煩雑な樹脂除去工程が不要と
なる。さらに、透明体表面周縁部の環状凸部の熱
可塑性樹脂は金型内壁への圧着状態に応じて軟化
変形するので、透明体を半導体素子表面上へ接着
するまでに生じた多少の寸法誤差や水平からのズ
レは吸収され、安定、高品質が実現されることに
なり、また、材料や工程に対する精度の要求が緩
和されコストダウンやスループツトの向上が期待
できる。
第１図〜第３図は従来装置の構造と製造方法を
示す工程順の断面図、第４図は本発明実施例に用
いた透明体の斜視図、第５図〜第７図は本発明の
製造方法を示す工程順の断面図である。 １……半導体素子、２……素子載置板、３……
リード、４……金属細線、５……透明樹脂、６…
…透明体（窓材）、７……封止金型、８……封止
樹脂（外囲部）。
示す工程順の断面図、第４図は本発明実施例に用
いた透明体の斜視図、第５図〜第７図は本発明の
製造方法を示す工程順の断面図である。 １……半導体素子、２……素子載置板、３……
リード、４……金属細線、５……透明樹脂、６…
…透明体（窓材）、７……封止金型、８……封止
樹脂（外囲部）。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ リードフレームと、そのリードフレームの素
子載置板に固着された半導体素子と、前記半導体
素子上に接着され、その接着面とは反対側の面の
周縁部に環状凸形の熱可塑性樹脂部を有する透明
体とから成る組立構体と、前記環状凸形の熱可塑
性樹脂部によつて包囲された凹部を除いて前記組
立構体を封止する不透明樹脂外囲器を有する半導
体装置。 ２ リードフレームの素子載置板に半導体素子を
固着する工程と、表面周縁部に環状凸形の熱可塑
性樹脂部を有する透明体の裏面側を前記半導体素
子表面に接着する工程と、前記リードフレームを
上下金型で挟持し前記環状凸型の熱可塑性樹脂部
を一方の金型の内壁に当接させて、前記熱可塑性
樹脂部を軟化密着させた状態で封止用不透明樹脂
を前記上下金型で形成されたキヤビテイー内に注
入し硬化させる工程を備えた半導体装置の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4964484A JPS60193364A (ja) | 1984-03-15 | 1984-03-15 | 半導体装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4964484A JPS60193364A (ja) | 1984-03-15 | 1984-03-15 | 半導体装置およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60193364A JPS60193364A (ja) | 1985-10-01 |
| JPH0232787B2 true JPH0232787B2 (ja) | 1990-07-23 |
Family
ID=12836914
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4964484A Granted JPS60193364A (ja) | 1984-03-15 | 1984-03-15 | 半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60193364A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0193740U (ja) * | 1987-12-11 | 1989-06-20 | ||
| NL9400766A (nl) * | 1994-05-09 | 1995-12-01 | Euratec Bv | Werkwijze voor het inkapselen van een geintegreerde halfgeleiderschakeling. |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5143579B2 (ja) * | 1972-07-28 | 1976-11-22 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5143579U (ja) * | 1974-09-26 | 1976-03-31 |
-
1984
- 1984-03-15 JP JP4964484A patent/JPS60193364A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5143579B2 (ja) * | 1972-07-28 | 1976-11-22 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60193364A (ja) | 1985-10-01 |
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