JP3186318B2 - 半導体装置 - Google Patents
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
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- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＣＣＤエリアセンサ集
積回路、ＣＣＤリニアセンサ集積回路などの中空パッケ
ージ構造を有する半導体装置に関する。
積回路、ＣＣＤリニアセンサ集積回路などの中空パッケ
ージ構造を有する半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＣＣＤリニアセンサ・ＣＣＤエリ
アセンサ等の半導体チップを有する中空パッケージ構造
の半導体装置は、セラミック製の基台にウインドフレー
ムを介してリッドとしてのシールガラスを載せる構造に
なっていた。
アセンサ等の半導体チップを有する中空パッケージ構造
の半導体装置は、セラミック製の基台にウインドフレー
ムを介してリッドとしてのシールガラスを載せる構造に
なっていた。
【０００３】近時、半導体チップの素子形成面（以下、
表面という）とリッドとの平行出し等の精度向上が容易
で、装置を低コストに構成できる、プラスチック製の基
台とプラスチック製のリッドを使用した、いわゆる中空
プラ−プラパッケージ構造の半導体装置に移行しつつあ
る。
表面という）とリッドとの平行出し等の精度向上が容易
で、装置を低コストに構成できる、プラスチック製の基
台とプラスチック製のリッドを使用した、いわゆる中空
プラ−プラパッケージ構造の半導体装置に移行しつつあ
る。
【０００４】しかし、基台が熱硬化性樹脂であって、リ
ッドが熱可塑性樹脂である場合には、これらを接着する
適当な低温硬化型接着剤が無いという問題があった。
ッドが熱可塑性樹脂である場合には、これらを接着する
適当な低温硬化型接着剤が無いという問題があった。
【０００５】そこで、本出願人は、この問題を解消する
ために、基台とリッドとを同一材料の熱可塑性樹脂で作
製することにより、超音波溶着法やレーザ溶着法でこれ
らを接合する技術を提案している（特願昭4-189965号、
特願昭4-260816号明細書）。この技術は、比較的大きな
サイズのパッケージを前提としている。
ために、基台とリッドとを同一材料の熱可塑性樹脂で作
製することにより、超音波溶着法やレーザ溶着法でこれ
らを接合する技術を提案している（特願昭4-189965号、
特願昭4-260816号明細書）。この技術は、比較的大きな
サイズのパッケージを前提としている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、最近の内視
鏡等の用途においては、半導体チップのサイズが３×３
ｍｍ程度で、パッケージ全体の大きさをφ５ｍｍ程度の
超小形パッケージにすることが要請されている。
鏡等の用途においては、半導体チップのサイズが３×３
ｍｍ程度で、パッケージ全体の大きさをφ５ｍｍ程度の
超小形パッケージにすることが要請されている。
【０００７】しかしながら、上記技術を、このような超
小形パッケージに適用した場合、インナーリード部のば
たつきが発生し、射出成形時にインナーリード部のワイ
ヤボンディング面まで樹脂が回り込みインナーリード部
がきれいに露出しないリードフレームが発生するという
問題があった。
小形パッケージに適用した場合、インナーリード部のば
たつきが発生し、射出成形時にインナーリード部のワイ
ヤボンディング面まで樹脂が回り込みインナーリード部
がきれいに露出しないリードフレームが発生するという
問題があった。
【０００８】インナーリード部のばたつきや寄り及び反
りさらに成形時の樹脂漏れ（バリ）を抑制するために、
隣合うリードフレーム間を予め結んでおく（実際には、
プレス成形で形成するので、リードフレームと同一部材
でつないでおく。）、いわゆるタイバー方式による技術
も考えられるが、成形後にそのタイバーを切断除去しな
ければならないのでそのための装置等が必要になり工数
がかかるという問題があった。この問題は熱可塑性樹脂
製の基台に限らず、熱硬化性樹脂製の基台でも同様に発
生する。
りさらに成形時の樹脂漏れ（バリ）を抑制するために、
隣合うリードフレーム間を予め結んでおく（実際には、
プレス成形で形成するので、リードフレームと同一部材
でつないでおく。）、いわゆるタイバー方式による技術
も考えられるが、成形後にそのタイバーを切断除去しな
ければならないのでそのための装置等が必要になり工数
がかかるという問題があった。この問題は熱可塑性樹脂
製の基台に限らず、熱硬化性樹脂製の基台でも同様に発
生する。
【０００９】また、従来の熱可塑性樹脂製の基台では、
従来多用されているエポキシ系接着剤でのチップボンデ
ィングでは十分な接着強度を得ることができず、ＵＶ
（紫外線）照射硬化型または可視光照射硬化型接着剤を
使用しなければならなかったので、照射装置等が必要に
なるなど、コストが上昇するという問題があった。
従来多用されているエポキシ系接着剤でのチップボンデ
ィングでは十分な接着強度を得ることができず、ＵＶ
（紫外線）照射硬化型または可視光照射硬化型接着剤を
使用しなければならなかったので、照射装置等が必要に
なるなど、コストが上昇するという問題があった。
【００１０】本発明は、このような課題を考慮してなさ
れたものであって、基台成形時にインナーリード部のば
たつきや寄り、反りが発生せず、かつ半導体チップを基
台に低コストで十分な接着強度で固着できる半導体装置
を提供することを目的とする。
れたものであって、基台成形時にインナーリード部のば
たつきや寄り、反りが発生せず、かつ半導体チップを基
台に低コストで十分な接着強度で固着できる半導体装置
を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、例えば、図１
に示すように、中空パッケージ構造の半導体装置におい
て、リードフレーム３のうち、インナーリード部４の下
部をテープ５で固定するとともにインナーリード部４と
テープ５とを基台１１で固定し、かつ、テープ５上のダ
イパッド部６に半導体チップ１３をダイボンドしたもの
である。
に示すように、中空パッケージ構造の半導体装置におい
て、リードフレーム３のうち、インナーリード部４の下
部をテープ５で固定するとともにインナーリード部４と
テープ５とを基台１１で固定し、かつ、テープ５上のダ
イパッド部６に半導体チップ１３をダイボンドしたもの
である。
【００１２】また、本発明は、インナーリード部４とテ
ープ５とを基台１１で固定する際に、成形されたテープ
付リードフレーム３を上金型７と下金型８とで挟み、上
金型７の上記ダイパッド部に対応する部に少くともダイ
パッド部６と同じ大きさの孔９をあけ、ダイパッド部６
をこの孔を利用した真空吸引で上金型７の内面に密着さ
せるようにしたものである。
ープ５とを基台１１で固定する際に、成形されたテープ
付リードフレーム３を上金型７と下金型８とで挟み、上
金型７の上記ダイパッド部に対応する部に少くともダイ
パッド部６と同じ大きさの孔９をあけ、ダイパッド部６
をこの孔を利用した真空吸引で上金型７の内面に密着さ
せるようにしたものである。
【００１３】さらに、本発明は、テープ５をポリイミド
テープとしたものである。
テープとしたものである。
【００１４】さらにまた、本発明は、テープ５が中空部
内の基台１１の上面の一部以外に露出しないようにした
ものである。
内の基台１１の上面の一部以外に露出しないようにした
ものである。
【００１５】
【作用】本発明によれば、リードフレーム３のうち、イ
ンナーリード部４の下部をテープ５で固定するととも
に、テープ５上に半導体チップ１３をダイボンドするよ
うにしたので、基台成形時にインナーリード部４にばた
つき、寄り、反りが発生せず、半導体チップ１３を基台
１１に低コストで十分な接着強度で固着することができ
る。インナーリード部４にばたつき、寄り、反りが発生
しないので、金線切れなどの２ｎｄボンディング（ワイ
ヤボンディング）不良の発生が皆無になる。また、ダイ
ボンディング用の接着剤としては、汎用のエポキシ系熱
硬化ペーストを使用することが可能となり、十分な接着
強度が得られ低コスト化が可能である。テープ５が基台
１１の上面の一部以外に露出していなく、従って基台１
１に埋め込まれた構成であるので、基台成形時に樹脂の
金型上下への回り込みが十分行われ、基台１１の上側部
と下側部の接着、つまり一体化が向上する。また、テー
プ５と基台１１間からの水分の浸入が阻止される。
ンナーリード部４の下部をテープ５で固定するととも
に、テープ５上に半導体チップ１３をダイボンドするよ
うにしたので、基台成形時にインナーリード部４にばた
つき、寄り、反りが発生せず、半導体チップ１３を基台
１１に低コストで十分な接着強度で固着することができ
る。インナーリード部４にばたつき、寄り、反りが発生
しないので、金線切れなどの２ｎｄボンディング（ワイ
ヤボンディング）不良の発生が皆無になる。また、ダイ
ボンディング用の接着剤としては、汎用のエポキシ系熱
硬化ペーストを使用することが可能となり、十分な接着
強度が得られ低コスト化が可能である。テープ５が基台
１１の上面の一部以外に露出していなく、従って基台１
１に埋め込まれた構成であるので、基台成形時に樹脂の
金型上下への回り込みが十分行われ、基台１１の上側部
と下側部の接着、つまり一体化が向上する。また、テー
プ５と基台１１間からの水分の浸入が阻止される。
【００１６】テープ５はポリイミドテープ５が好適であ
る。ポリイミドテープ５は吸湿性が高いので、ゲッター
作用により中空部内の気密性（耐湿性）を高めることが
できる。
る。ポリイミドテープ５は吸湿性が高いので、ゲッター
作用により中空部内の気密性（耐湿性）を高めることが
できる。
【００１７】
【実施例】以下、本発明半導体装置の一実施例を固体撮
像装置に適用した場合について図面を参照して説明す
る。
像装置に適用した場合について図面を参照して説明す
る。
【００１８】図１は、一実施例の固体撮像装置の形成過
程及びその構成を示している。
程及びその構成を示している。
【００１９】まず、図１Ａに示すように、リードフレー
ム材１として、４２アロイ材（厚み＝約０．１５ｍｍ）
または銅材（厚み＝約０．２ｍｍ）を用意する。
ム材１として、４２アロイ材（厚み＝約０．１５ｍｍ）
または銅材（厚み＝約０．２ｍｍ）を用意する。
【００２０】次に、図１Ｂに示すように、このリードフ
レーム材１にエッチング処理またはプレス処理でパター
ンニングを行い、ステイ部２の付いたリードフレーム３
の形状を作成する。次にリードフレーム３の全面にめっ
き処理を行う。リードフレーム３の材質が４２アロイ材
の場合には銀めっき処理、銅材の場合には、銀めっき処
理またはニッケル−パラジウムめっき処理を行う。
レーム材１にエッチング処理またはプレス処理でパター
ンニングを行い、ステイ部２の付いたリードフレーム３
の形状を作成する。次にリードフレーム３の全面にめっ
き処理を行う。リードフレーム３の材質が４２アロイ材
の場合には銀めっき処理、銅材の場合には、銀めっき処
理またはニッケル−パラジウムめっき処理を行う。
【００２１】次に、図１Ｃに示すように、表面に耐熱性
のアクリル系またはエポキシ系のＢステージ接着剤約２
０μｍが塗られ４角がカットされた４角形状で厚みが５
０〜１００μｍのポリイミドテープ５を準備し、このポ
リイミドテープ５の表面上にリードフレーム２を重ねて
熱圧着する。ポリイミドテープ５は、インナーリード部
４のワイヤボンディングされる面の反対の面に圧着され
る。ポリイミドテープ５の中央部がダイパッド部６にな
る。熱圧着の条件は、約１８０゜Ｃ、約３ｋｇ／ｃ
ｍ2 、約１秒間である。
のアクリル系またはエポキシ系のＢステージ接着剤約２
０μｍが塗られ４角がカットされた４角形状で厚みが５
０〜１００μｍのポリイミドテープ５を準備し、このポ
リイミドテープ５の表面上にリードフレーム２を重ねて
熱圧着する。ポリイミドテープ５は、インナーリード部
４のワイヤボンディングされる面の反対の面に圧着され
る。ポリイミドテープ５の中央部がダイパッド部６にな
る。熱圧着の条件は、約１８０゜Ｃ、約３ｋｇ／ｃ
ｍ2 、約１秒間である。
【００２２】この場合、インナーリード部４の先端まで
ポリイミドテープ５が重ねられているので、インナーリ
ード部４にばたつき、寄り、反りが発生することがな
い。
ポリイミドテープ５が重ねられているので、インナーリ
ード部４にばたつき、寄り、反りが発生することがな
い。
【００２３】次に、図１Ｄに示すように、ポリイミドテ
ープ５の付いたリードフレーム３を所定形状に成形、い
わゆるデプレスする。成形の深さｄは０．５〜１．０ｍ
ｍである。
ープ５の付いたリードフレーム３を所定形状に成形、い
わゆるデプレスする。成形の深さｄは０．５〜１．０ｍ
ｍである。
【００２４】次に、図１Ｅに示すように、成形されたポ
リイミドテープ５の付いたリードフレーム３を上金型７
と下金型８とで挟む。この場合、上金型７の孔部９（角
孔でも丸孔でもよい）を通じて矢印Ｙ方向にダイパッド
部６を真空吸引して上金型７の内面に密着させておく。
孔部９の径は、少くともダイパッド部６と同じ大きさに
しておくのがよい。
リイミドテープ５の付いたリードフレーム３を上金型７
と下金型８とで挟む。この場合、上金型７の孔部９（角
孔でも丸孔でもよい）を通じて矢印Ｙ方向にダイパッド
部６を真空吸引して上金型７の内面に密着させておく。
孔部９の径は、少くともダイパッド部６と同じ大きさに
しておくのがよい。
【００２５】この状態において、矢印Ｘ方向から溶融し
た樹脂をキャビティ１０内に図示しないプランジャで射
出する（押し込む）。キャビティ１０内に押し込まれた
樹脂は上金型７と下金型８とで冷やされて固まる。この
場合、リードフレーム３のインナーリード部４は上金型
７の内面と密着し、かつ、ポリイミドテープ５でカバー
されているので、それらの接触面には樹脂が回りこむこ
とがない。樹脂としては、射出成形性の良い熱可塑性樹
脂を使用する。
た樹脂をキャビティ１０内に図示しないプランジャで射
出する（押し込む）。キャビティ１０内に押し込まれた
樹脂は上金型７と下金型８とで冷やされて固まる。この
場合、リードフレーム３のインナーリード部４は上金型
７の内面と密着し、かつ、ポリイミドテープ５でカバー
されているので、それらの接触面には樹脂が回りこむこ
とがない。樹脂としては、射出成形性の良い熱可塑性樹
脂を使用する。
【００２６】図１Ｆは、樹脂が硬化して基台１１となっ
た後に、上金型７と下金型８とが離された、基台１１と
リードフレーム３とポリイミドテープ５との一体成形基
台の構成を示している。図１Ｆから分かるように、この
一体成形基台は、モールド成形された基台１１の上部に
リードフレーム３のインナーリード部４の上面が配さ
れ、リードフレーム３の中間部が基台１１中に埋め込ま
れ、アウターリード部１２が基台１１から外側に突き出
るような形状になっている。また、基台１１の上面に
は、半導体チップ１３が載せられる凹み部でポリイミド
テープ５の表面が露出したダイパッド６が形成されてい
る。さらに、ポリイミドテープ５は、基台１１の上面の
一部以外には露出していない（基台１１に埋め込まれて
いる。）。
た後に、上金型７と下金型８とが離された、基台１１と
リードフレーム３とポリイミドテープ５との一体成形基
台の構成を示している。図１Ｆから分かるように、この
一体成形基台は、モールド成形された基台１１の上部に
リードフレーム３のインナーリード部４の上面が配さ
れ、リードフレーム３の中間部が基台１１中に埋め込ま
れ、アウターリード部１２が基台１１から外側に突き出
るような形状になっている。また、基台１１の上面に
は、半導体チップ１３が載せられる凹み部でポリイミド
テープ５の表面が露出したダイパッド６が形成されてい
る。さらに、ポリイミドテープ５は、基台１１の上面の
一部以外には露出していない（基台１１に埋め込まれて
いる。）。
【００２７】次に、図１Ｇに示すように、半導体チップ
１３を基台１１のダイパッド部６に接着剤１４で強固に
ダイボンドする。接着剤１４としては、汎用の熱硬化性
（エポキシ系）絶縁ペーストを使用することができる。
キュアは、約１００゜Ｃ，約１ｈである。なお、簡易な
固着でよい場合には、接着剤１４を使用することなく、
上記エポキシ系のＢステージ接着剤が塗られたダイパッ
ド部６に半導体チップ２をコレットで押えながら全体を
約１８０゜Ｃにすることで半導体チップ２をポリイミド
テープ５に固着することができる。
１３を基台１１のダイパッド部６に接着剤１４で強固に
ダイボンドする。接着剤１４としては、汎用の熱硬化性
（エポキシ系）絶縁ペーストを使用することができる。
キュアは、約１００゜Ｃ，約１ｈである。なお、簡易な
固着でよい場合には、接着剤１４を使用することなく、
上記エポキシ系のＢステージ接着剤が塗られたダイパッ
ド部６に半導体チップ２をコレットで押えながら全体を
約１８０゜Ｃにすることで半導体チップ２をポリイミド
テープ５に固着することができる。
【００２８】次に、図１Ｇに示すように、半導体チップ
１３の表面とリードフレーム３のインナーリード部４と
を約φ２３〜２５ｍｍの金線１５でワイヤボンディング
する。ワイヤボンディングの際のコラムの温度は、８０
゜Ｃ〜１００゜Ｃである。
１３の表面とリードフレーム３のインナーリード部４と
を約φ２３〜２５ｍｍの金線１５でワイヤボンディング
する。ワイヤボンディングの際のコラムの温度は、８０
゜Ｃ〜１００゜Ｃである。
【００２９】次に、図１Ｈに示すように、熱可塑性樹脂
で形成された凹み部１７を有する透明のプラスチックリ
ッド１８の周囲突起部１９の底面と基台１１の対応する
面とを重ねて固着する。半導体チップ１３は、中空部内
に収容されることになる。この固着処理は、プラスチッ
クリッド１８の材質を基台１１の材質と同じの熱可塑性
樹脂にしているので、８０゜Ｃ〜１００゜Ｃの加熱雰囲
気下で超音波溶着法を採用して行うことができる。加熱
雰囲気下で行うことで、ポリイミドテープ５の除湿と超
音波溶着時のプラスチックリッド１８と基台１１の溶着
部の熱収縮による歪除去を同時に行うことができる。そ
して、プラスチックリッド１８を固着後に、リードフレ
ーム３のうち、アウターリード部１２を基台１１の側面
に沿うように成形してステイ２（図１Ｂ参照）を切断す
ることで、中空プラスチックモールドパッケージ構造の
半導体装置が完成する。
で形成された凹み部１７を有する透明のプラスチックリ
ッド１８の周囲突起部１９の底面と基台１１の対応する
面とを重ねて固着する。半導体チップ１３は、中空部内
に収容されることになる。この固着処理は、プラスチッ
クリッド１８の材質を基台１１の材質と同じの熱可塑性
樹脂にしているので、８０゜Ｃ〜１００゜Ｃの加熱雰囲
気下で超音波溶着法を採用して行うことができる。加熱
雰囲気下で行うことで、ポリイミドテープ５の除湿と超
音波溶着時のプラスチックリッド１８と基台１１の溶着
部の熱収縮による歪除去を同時に行うことができる。そ
して、プラスチックリッド１８を固着後に、リードフレ
ーム３のうち、アウターリード部１２を基台１１の側面
に沿うように成形してステイ２（図１Ｂ参照）を切断す
ることで、中空プラスチックモールドパッケージ構造の
半導体装置が完成する。
【００３０】図２は、他の実施例の構成を示している。
この図２例では、インナーリード部４の上面のうち、ワ
イヤボンド部を除いた部分にも４角形リング形状のポリ
イミドテープ２０を圧着で付けている。その他の点は、
全て、図１例と同様である。このようにすれば、図１例
に比較して、一層、リード３のインナーリード部４のば
たつき、寄り、反りを押さえることができる。
この図２例では、インナーリード部４の上面のうち、ワ
イヤボンド部を除いた部分にも４角形リング形状のポリ
イミドテープ２０を圧着で付けている。その他の点は、
全て、図１例と同様である。このようにすれば、図１例
に比較して、一層、リード３のインナーリード部４のば
たつき、寄り、反りを押さえることができる。
【００３１】図３は、図１例を実際に超小形の丸形のＣ
ＣＤパッケージ構造の半導体装置に適用した例を示して
いる。図３Ａはその平面構成、図３Ｂは側面一部省略断
面構成を示している。なお、図３例において、図１例と
対応するものには同一の符号を付けその詳細な説明を省
略する。
ＣＤパッケージ構造の半導体装置に適用した例を示して
いる。図３Ａはその平面構成、図３Ｂは側面一部省略断
面構成を示している。なお、図３例において、図１例と
対応するものには同一の符号を付けその詳細な説明を省
略する。
【００３２】この半導体装置の直径Ｄは、Ｄ＝約５ｍｍ
であり、半導体チップ１３の大きさは、３．０×３．０
ｍｍ2 である。図３Ａ中、１点鎖線で囲んだ領域は有効
画素領域で、半導体チップ１３は１４ピンのＣＣＤエリ
アセンサ素子である。
であり、半導体チップ１３の大きさは、３．０×３．０
ｍｍ2 である。図３Ａ中、１点鎖線で囲んだ領域は有効
画素領域で、半導体チップ１３は１４ピンのＣＣＤエリ
アセンサ素子である。
【００３３】このように上記した実施例によれば、表面
に耐熱性のアクリル系またはエポキシ系のＢステージ接
着剤が塗られたポリイミドテープ５でリードフレーム３
のうち、インナーリード部４を固定するとともに、この
ポリイミドテープ５上に半導体チップ１３をダイボンド
するようにしたので、基台成形時にインナーリード部４
にばたつき、寄り、反りが発生せず、かつ、半導体チッ
プ１３を基台１１に低コストで十分な接着強度で固着す
ることができる。インナーリード部４にばたつき、寄
り、反りが発生しないので、金線１５が切れるなどの２
ｎｄボンディング（ワイヤボンディング）不良の発生が
皆無になる。ダイボンディング用の接着剤としては、汎
用のエポキシ系熱硬化ペーストを使用することが可能と
なり、上記Ｂステージ接着剤と相まって十分な接着強度
（言い換えれば、ダイシェア強度が高い）が得られると
ともに、従来の技術の項で説明した照射装置が不要であ
るので、低コスト化が可能である。そして、特に、φ５
ｍｍ等超小形のＣＣＤパッケージに適用して好適であ
る。
に耐熱性のアクリル系またはエポキシ系のＢステージ接
着剤が塗られたポリイミドテープ５でリードフレーム３
のうち、インナーリード部４を固定するとともに、この
ポリイミドテープ５上に半導体チップ１３をダイボンド
するようにしたので、基台成形時にインナーリード部４
にばたつき、寄り、反りが発生せず、かつ、半導体チッ
プ１３を基台１１に低コストで十分な接着強度で固着す
ることができる。インナーリード部４にばたつき、寄
り、反りが発生しないので、金線１５が切れるなどの２
ｎｄボンディング（ワイヤボンディング）不良の発生が
皆無になる。ダイボンディング用の接着剤としては、汎
用のエポキシ系熱硬化ペーストを使用することが可能と
なり、上記Ｂステージ接着剤と相まって十分な接着強度
（言い換えれば、ダイシェア強度が高い）が得られると
ともに、従来の技術の項で説明した照射装置が不要であ
るので、低コスト化が可能である。そして、特に、φ５
ｍｍ等超小形のＣＣＤパッケージに適用して好適であ
る。
【００３４】また、ポリイミドテープ５は吸湿性が高い
ので、完成品の半導体装置となった後でもゲッター作用
によりリッド内壁の結露を防ぎ中空部内の気密性（耐湿
性）を高めることができるという利点もある。
ので、完成品の半導体装置となった後でもゲッター作用
によりリッド内壁の結露を防ぎ中空部内の気密性（耐湿
性）を高めることができるという利点もある。
【００３５】さらに、ポリイミドテープ５がインナーリ
ード部４のばたつきをなくし、寄り、反りをなくすので
リードフレームのタイバーが不要で、その切断除去工程
がなくなる。
ード部４のばたつきをなくし、寄り、反りをなくすので
リードフレームのタイバーが不要で、その切断除去工程
がなくなる。
【００３６】なお、本発明は上記の実施例に限らず、例
えば、半導体チップ１３をＣＣＤエリアセンサ等の固体
撮像素子に代替してＵＶ消去型のＥＰＲＯＭに適用する
等、本発明の要旨を逸脱することなく種々の構成を採り
得ることはもちろんである。
えば、半導体チップ１３をＣＣＤエリアセンサ等の固体
撮像素子に代替してＵＶ消去型のＥＰＲＯＭに適用する
等、本発明の要旨を逸脱することなく種々の構成を採り
得ることはもちろんである。
【００３７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
リードフレームのうち、インナーリード部の下部をテー
プで固定するとともに、上記テープ上に半導体チップを
ダイボンドするようにしたので、基台成形時にインナー
リード部にばたつき、寄り、反りが発生せず、半導体チ
ップを基台に低コストで十分な接着強度で固着すること
ができる。インナーリード部にばたつき、寄り、反りが
発生しないので、金線切れなどの２ｎｄボンディング
（ワイヤボンディング）不良の発生が皆無になる。ダイ
ボンディング用の接着剤としては、汎用のエポキシ系熱
硬化ペーストを使用することが可能となり、十分な接着
強度が得られるとともに、低コスト化ができる。テープ
が基台の上面の一部以外に露出していなく、従って基台
に埋め込まれた構成であるので、基台成形時に樹脂の金
型上下への回り込みが十分行われ、基台の上側部と下側
部の接着、つまり一体化を向上することができる。ま
た、テープと基台間からの水分の浸入を阻止することが
できる。
リードフレームのうち、インナーリード部の下部をテー
プで固定するとともに、上記テープ上に半導体チップを
ダイボンドするようにしたので、基台成形時にインナー
リード部にばたつき、寄り、反りが発生せず、半導体チ
ップを基台に低コストで十分な接着強度で固着すること
ができる。インナーリード部にばたつき、寄り、反りが
発生しないので、金線切れなどの２ｎｄボンディング
（ワイヤボンディング）不良の発生が皆無になる。ダイ
ボンディング用の接着剤としては、汎用のエポキシ系熱
硬化ペーストを使用することが可能となり、十分な接着
強度が得られるとともに、低コスト化ができる。テープ
が基台の上面の一部以外に露出していなく、従って基台
に埋め込まれた構成であるので、基台成形時に樹脂の金
型上下への回り込みが十分行われ、基台の上側部と下側
部の接着、つまり一体化を向上することができる。ま
た、テープと基台間からの水分の浸入を阻止することが
できる。
【００３８】テープはポリイミドテープが好適である。
ポリイミドテープは吸湿性が高いので、ゲッター作用に
よりリッド内壁の結露を防ぎ中空部内の気密性（耐湿
性）を高めることができるという利点も得られる。
ポリイミドテープは吸湿性が高いので、ゲッター作用に
よりリッド内壁の結露を防ぎ中空部内の気密性（耐湿
性）を高めることができるという利点も得られる。
【図１】本発明半導体装置を固体撮像装置に適用した場
合の構成とその形成過程を示す工程図である。
合の構成とその形成過程を示す工程図である。
【図２】図１例の半導体装置の他の実施例の構成を示す
線図である。
線図である。
【図３】図１例の半導体装置を超小形ＣＣＤパッケージ
に適用した例の構成を示す線図である。
に適用した例の構成を示す線図である。
３ リードフレーム ４ インナーリード部 ５ ポリイミドテープ １１ 基台 １３ 半導体チップ １８ プラスチックリッド
Claims (3)
- 【請求項１】 中空パッケージ構造の半導体装置におい
て、 リードフレームのうち、インナーリード部の下部がテー
プで固定されるとともに上記インナーリード部と上記テ
ープとが基台で固定され、上記テープが、上記基台の上面の一部以外に露出してい
なく、 上記基台の上面で一部露出した 上記テープ上のダイパッ
ド部に半導体チップがダイボンドされたことを特徴とす
る半導体装置。 - 【請求項２】 上記インナーリード部とテープとを基台
で固定する際に、成形されたテープ付リードフレームを
上金型と下金型とで挟み、上記上金型の上記ダイパッド
部に対応する部に少くとも上記ダイパッド部と同じ大き
さの孔をあけ、上記ダイパッド部をこの孔を利用した真
空吸引で上記上金型の内面に密着させるようにしたこと
を特徴とする請求項１記載の半導体装置。 - 【請求項３】 上記テープがポリイミドテープであるこ
とを特徴とする請求項１又は２記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7463393A JP3186318B2 (ja) | 1993-03-31 | 1993-03-31 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7463393A JP3186318B2 (ja) | 1993-03-31 | 1993-03-31 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06291245A JPH06291245A (ja) | 1994-10-18 |
| JP3186318B2 true JP3186318B2 (ja) | 2001-07-11 |
Family
ID=13552812
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7463393A Expired - Fee Related JP3186318B2 (ja) | 1993-03-31 | 1993-03-31 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3186318B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4917305B2 (ja) * | 2005-11-29 | 2012-04-18 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP5559556B2 (ja) * | 2010-01-27 | 2014-07-23 | エムテックスマツムラ株式会社 | リニアセンサ収納用中空パッケージ及びそれを用いたリニアセンサ装置 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0724287B2 (ja) * | 1987-02-12 | 1995-03-15 | 三菱電機株式会社 | 光透過用窓を有する半導体装置とその製造方法 |
| JPH04162556A (ja) * | 1990-10-25 | 1992-06-08 | Mitsubishi Electric Corp | リードフレーム及びその製造方法 |
-
1993
- 1993-03-31 JP JP7463393A patent/JP3186318B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06291245A (ja) | 1994-10-18 |
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