JPH0845973A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 モールド樹脂封止の際にバンプ上に薄バリが
形成されることがなく、電極部の信頼性を向上させた半
導体装置の製造方法を得る。 【構成】 半導体素子１上の少なくとも電極部２に保護
膜８を形成する第１の工程と、保護膜を含む電極部の高
さよりも低い高さＨ３を有し且つ複数の金型４Ａおよび
５Ａから構成された空間ＳＡ内に半導体素子を配置する
第２の工程と、空間内に樹脂を注入して硬化することに
より半導体素子を樹脂封止する第３の工程と、電極部上
の保護膜を除去する第４の工程とを有し、樹脂が電極部
上の保護膜の上面に入り込むのを防止するとともに電極
部の損傷を防止し、電極部上の保護膜を除去する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、電極部を有する半導
体素子を金型内に配置して樹脂封止する半導体装置の製
造方法に関し、特に電極部の信頼性を向上させた半導体
装置の製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】一般に、フリップチップとして使用され
るバンプ付きＩＣチップからなる半導体装置は、ＩＣチ
ップの外周が封止されていないため、耐湿性および機械
的強度が低い。したがって、耐湿性および耐外力を向上
させるために、半導体素子の電極部以外の箇所をモール
ド樹脂により封止する必要がある。

【０００３】図１２〜図１４は、金型を用いて樹脂封止
するようにした従来の半導体装置の製造方法を説明する
ための断面図であり、図１２は金型にセットされたモー
ルド樹脂封止直前の半導体素子、図１３は半導体素子の
みの構造、図１４はモールド樹脂封止後の半導体装置を
それぞれ示す。

【０００４】各図において、１は半導体素子、２は半導
体素子１の表面の複数箇所に形成された電極部、３は電
極部２上に形成されたバンプ、４は上部金型、５は上部
金型４に対向配置された下部金型、Ｓは上下一対の金型
４および５により形成された空間、６は半導体素子１を
モールド封止するための樹脂、７はバンプ３上に形成さ
れた樹脂６からなる薄バリである。

【０００５】Ｈ１は空間Ｓの高さ、Ｈ２は半導体素子１
の底面からバンプ３の上面までの高さであり、空間Ｓの
高さＨ１は半導体素子１のバンプ３の高さＨ２と理論的
に等しくなるように設定されている。ｇはバンプ３の上
面と上部金型４の下面との間に形成された隙間である。

【０００６】電極部２上にさらにバンプ３が形成された
半導体素子１（図１３参照）を、図１４のようにモール
ド樹脂６によって封止する場合、まず、モールド用の上
部金型４および下部金型５から構成される空間Ｓ内に半
導体素子１を配置し（図１２参照）、上下から金型締め
する。続いて、図１２の状態で、空間Ｓ内に樹脂６（図
１４参照）を注入して硬化することにより、半導体素子
１をモールド封止する。

【０００７】ここで、空間Ｓの高さＨ１（図１２参照）
は、半導体素子１のバンプ３の高さＨ２（図１３参照）
と等しく設定されているため、理論的にはバンプ３の上
面と上部金型４も下面との間には隙間ｇは生じないはず
である。しかし、実際には、下部金型５の寸法やバンプ
３の高さ等に誤差が発生し、バンプ３の上面と上部金型
４の下面との間に隙間ｇ（図１２参照）が生じ得る。

【０００８】このような隙間ｇが生じた状態で樹脂６を
注入すると、隙間ｇに樹脂６が入り込み、最終的に、バ
ンプ３上に樹脂６からなる薄バリ７（図１４参照）が形
成された半導体装置が得られてしまうことになる。

【０００９】また、このような薄バリ７の形成を防止す
るために、空間Ｓの高さＨ１をバンプ３の高さＨ２より
も低く設定することも考えられるが、上部金型４の下面
がバンプ３の上面に圧接するため、バンプ３を含む電極
部２の表面を損傷するおそれがあり、やはり電極部２の
信頼性を向上させることはできない。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】以上のように、従来の
半導体装置の製造方法においては、空間Ｓの高さＨ１と
バンプ３の高さＨ２とを理論的に一致させているため、
両者のうちの少なくとも一方に誤差が生じた場合には、
バンプ３の上面に樹脂６からなる薄バリ７が形成されて
しまい、バンプ３を含む電極部２の信頼性を損なうとい
う問題点があった。

【００１１】また、各金型４および５で構成される空間
Ｓの高さＨ１を、半導体素子１のバンプ３の高さＨ２よ
りも低く設定すると、上部金型４の圧接によりバンプ３
を含む電極部２の表面が損傷されてしまい、やはりバン
プ３を含む電極部２の信頼性を損なうという問題点があ
った。

【００１２】この発明は、上記のような問題点を解決す
るためになされたもので、モールド樹脂封止の際にバン
プ上に薄バリが形成されることがなく、電極部の信頼性
を向上させた半導体装置の製造方法を得ることを目的と
する。

【００１３】

【課題を解決するための手段】この発明の請求項１に係
る半導体装置の製造方法は、半導体素子上の少なくとも
電極部に保護膜を形成する第１の工程と、保護膜を含む
電極部の高さよりも低い高さを有し且つ複数の金型から
構成された空間内に半導体素子を配置する第２の工程
と、空間内に樹脂を注入して硬化することにより半導体
素子を樹脂封止する第３の工程と、電極部上の保護膜を
除去する第４の工程とを有するものである。

【００１４】また、この発明の請求項２に係る半導体装
置の製造方法は、請求項１において、第４の工程に続い
て、保護膜が除去された電極部上にバンプとなる金属を
積層させる第５の工程を含むものである。

【００１５】また、この発明の請求項３に係る半導体装
置の製造方法は、請求項２において、第５の工程は、電
極部に半田ボールを溶融する工程からなるものである。

【００１６】また、この発明の請求項４に係る半導体装
置の製造方法は、請求項２において、第５の工程は、電
極部に金属をスパッタリングする工程からなるものであ
る。

【００１７】また、この発明の請求項５に係る半導体装
置の製造方法は、請求項２において、第５の工程は、半
導体素子を半田槽に浸漬する工程を含むものである。

【００１８】また、この発明の請求項６に係る半導体装
置の製造方法は、請求項５において、第５の工程は、半
導体素子を半田槽に浸漬する工程に続いて、半導体素子
の表面を研磨して電極部上に積層された半田の高さをそ
ろえる工程を含むものである。

【００１９】また、この発明の請求項７に係る半導体装
置の製造方法は、請求項２において、第５の工程は、半
田印刷工程からなるものである。

【００２０】また、この発明の請求項８に係る半導体装
置の製造方法は、請求項２において、第５の工程は、ワ
イヤボンディング装置により電極部に金属ボールを形成
する工程と、金属ボールのネック部を切断する工程と、
半導体素子を研磨して電極部上の金属ボールの高さをそ
ろえる工程とからなるものである。

【００２１】また、この発明の請求項９に係る半導体装
置の製造方法は、請求項１から請求項８までのいずれか
において、第１の工程は、半導体素子上の少なくとも電
極部を含む表面に第１の保護膜を形成する工程と、電極
部の位置に対応する第１の保護膜上に第２の保護膜を形
成する工程とからなり、第４の工程は、第２の保護膜を
除去する工程と、除去された第２の保護膜の位置を開口
とする樹脂封止膜をマスクとして第１の保護膜を除去す
る工程とからなるものである。

【００２２】

【作用】この発明の請求項１においては、第１の工程に
おいて電極部上に保護膜を形成し、第２の工程において
複数の金型で構成される空間の高さを電極部上の保護膜
の高さよりも低くして保護膜の上面が金型の内面に圧接
するように半導体素子を空間内に配置し、第３の工程に
おいて空間内に注入される樹脂が電極部上の保護膜の上
面に入り込むのを防止するとともに電極部の損傷を防止
する。そして、樹脂モールド後、第４の工程において電
極部上の保護膜を除去し、電極部の信頼性を向上させ
る。

【００２３】また、この発明の請求項２においては、電
極部上の保護膜を除去する第４の工程に続いて、第５の
工程においてバンプを積層し、半導体装置としての実装
を容易にする。

【００２４】また、この発明の請求項３においては、第
５の工程において、保護膜除去後の電極部上に半田ボー
ルをバンプとして溶融積層し、バンプ高さの管理を容易
にする。

【００２５】また、この発明の請求項４においては、第
５の工程において、金属のスパッタリングによりバンプ
を積層し、バンプ高さの管理を容易にする。

【００２６】また、この発明の請求項５においては、第
５の工程において、半田槽への浸漬により容易に半田バ
ンプを積層する。

【００２７】また、この発明の請求項６においては、第
５の工程において、半田槽への浸漬により容易に半田バ
ンプを積層した後、機械的な研磨によりバンプ高さをそ
ろえる。

【００２８】また、この発明の請求項７においては、第
５の工程において、半田印刷法を用いて容易にバンプを
形成する。

【００２９】また、この発明の請求項８においては、第
５の工程において、ワイヤボンディングの金属ボールを
積層してネック部で切断した後、機械的な研磨によりバ
ンプ高さをそろえる。

【００３０】また、この発明の請求項９においては、第
１の工程において電極部上の第１の保護膜上に第２の保
護膜を形成し、第４の工程において、金型内で樹脂封止
後に第２の保護膜を除去して開口とし、開口された樹脂
封止膜をマスクとして第１の保護膜を除去する。

【００３１】

【実施例】

実施例１．以下、図１〜図４を参照しながら、少なくと
も電極部２上に保護膜を形成して上部金型を圧接し、モ
ールド樹脂封止後に電極部２上の保護膜を除去し、さら
に金属バンプを積層するようにしたこの発明の実施例１
について説明する。

【００３２】図１〜図４はこの発明の実施例１を示す断
面図であり、図１は各金型の空間内にセットされた半導
体素子の配置状態、図２は半導体素子のみの構造、図３
はモールド樹脂封止後の半導体装置、図４は保護膜除去
後の半導体装置をそれぞれ示す。

【００３３】各図において、１および２は前述と同様の
ものであり、４Ａ、５Ａ、ＳＡ、Ｈ３およびＨ４は、そ
れぞれ、上部金型４、下部金型５、空間Ｓ、高さＨ１お
よびＨ２に対応している。８は半導体素子１の電極部２
を含む表面を被覆するように形成された保護膜であり、
材質としては、たとえば、レジスト、エポキシ、ポリイ
ミド、リンガラス等の絶縁材または外装樹脂系が用いら
れる。

【００３４】この場合、上部金型４Ａおよび下部金型５
Ａによって構成される空間ＳＡの高さＨ３は、半導体素
子１の下面から保護膜８の上面までの高さＨ４よりも低
く設定されている。したがって、図１のように、保護膜
８を有する半導体素子１を空間ＳＡ内に配置すると、上
部金型４Ａの下面は、電極部２に位置した保護膜８の表
面に圧接するようになっている。

【００３５】この発明の実施例１は、半導体素子１上の
少なくとも電極部２に保護膜８を形成する第１の工程
と、保護膜８を含む電極部２の高さＨ４よりも低い高さ
Ｈ３を有し且つ複数の金型４Ａおよび５Ａから構成され
た空間ＳＡ内に半導体素子１を配置する第２の工程と、
空間ＳＡ内に樹脂６を注入して硬化することにより半導
体素子１を樹脂封止する第３の工程と、電極部２上の保
護膜８を除去する第４の工程と、保護膜８が除去された
電極部２上にバンプとなる金属を積層させる第５の工程
とからなる。

【００３６】ここでは、図１２〜図１４に示した従来の
半導体装置の製造方法と同一または相当の工程について
は、その説明を省略する。まず、第１の工程において、
半導体素子１の少なくとも電極部２を含む表面に保護膜
８を形成する（図２参照）。

【００３７】次に、第２の工程において、電極部２およ
び保護膜８が形成された半導体素子１を、モールド封止
用の上部金型４Ａおよび下部金型５Ａにより金型締めす
る（図１参照）。このとき、半導体素子１は、上部金型
４Ａおよび下部金型５Ａにより構成される空間ＳＡの高
さＨ３（図１参照）は、保護膜８の高さＨ４（図２参
照）よりも、たとえば１μｍ〜１０μｍ程度小さく設定
されている。

【００３８】したがって、半導体素子１を各金型４Ａお
よび５Ａにより上下から挟んで金型締めすると、上部金
型４Ａが保護膜８を押さえ込むことになり、保護膜８が
変形して、電極部２に位置した保護膜８と上部金型４Ａ
との間が完全に密着することになる。

【００３９】この状態で、第３の工程において、空間Ｓ
Ａに樹脂６を注入すれば、電極部２上の保護膜８の上面
と上部金型４Ａの下面との間に隙間がないため、保護膜
８の上面に樹脂６による薄バリ７（図１４参照）が発生
することなく、半導体素子１は注入された樹脂６によっ
て封止される（図３参照）。これにより、電極部２上の
保護膜８のみが樹脂６から露出した状態でモールド封止
された半導体装置が得られる。

【００４０】このとき、上部金型４Ａおよび下部金型５
Ａによって押さえ込まれる寸法は、保護膜８の元の厚さ
ｈｏと押さえ込んだ後の厚さｈ１との差△ｈ（＝ｈｏ−
ｈ１）に等しくなる。また、保護膜８に生じる圧縮応力
σは、上記差Δｈを用いて、以下の式により表わすこと
ができる。

【００４１】σ＝（Δｈ／ｈｏ）Ｅ

【００４２】ただし、Ｅは縦弾性係数であり、保護膜８
の材料によって決まる値である。また、Δｈおよびｈｏ
は設計の際に半導体素子１の寸法許容差等を考慮して決
定することができる。

【００４３】したがって、圧縮応力σの大きさをコント
ロールすることができ、各金型４Ａおよび５Ａによって
保護膜８を押さえすぎて半導体素子１等を確壊するおそ
れはない。なお、押さえ込む寸法Δｈは、たとえば１μ
ｍ〜１０μｍとしたが、圧縮応力σが許容される値にな
る範囲であれば他の値でもよい。

【００４４】次に、図３のように樹脂６によりモールド
封止された半導体素子に対して、電極部２上の保護膜８
を、図４のように、フォトエッチング等の公知の技術に
より除去する。これにより、電極部２のみが開口されて
露出し、且つ電極部２が高さＡだけ低くなった半導体装
置が得られる。

【００４５】最後に、電極部２上に金属バンプ（図示せ
ず）を公知の方法により積層し、カサ上げした後で表面
を清浄にし、電極部２上に、樹脂６の表面から突出した
バンプを形成する。これにより、最終的に半導体装置を
基板に容易に実装することができる。

【００４６】また、樹脂６のモールド封止時に電極部２
上に薄バリや損傷部が形成されることがないため、たと
えば樹脂封止後に薄バリを取り除く作業等が不要となる
うえ、電極部２の信頼性の高い半導体装置を製造するこ
とができる。

【００４７】さらに、保護膜８を有する半導体素子（Ｉ
Ｃチップ）１のみを樹脂６によりモールドした後、保護
膜８を除去して金属バンプを積層するので、線膨張率の
異なる材料（金属バンプ等）を同時にモールドする必要
がない。したがって、望ましくない応力によるＩＣチッ
プの曲がりを防止することができるうえ、設計的な拘束
等が軽減されて、理想的な外装寸法を決定することがで
きる。

【００４８】ここでは、図２のように、保護膜８により
半導体素子１の表面のほぼ全体を被覆したが、図５のよ
うに電極部２の近傍のみ、または図６のように電極部２
のみを被覆してもよい。

【００４９】図５または図６のような保護膜８を有する
半導体素子１を用いた場合も、樹脂６により封止する工
程（図３）および保護膜８を除去する工程（図４）、な
らびに最終的にバンプを積層する工程は、それぞれ前述
と同様であり、同等の効果を奏することは言うまでもな
い。

【００５０】実施例２．なお、上記実施例１では、保護
膜８を除去した後の電極部２上にバンプを形成する場合
について説明したが、半導体素子１が回路的に実装され
る配線基板（図示せず）側に、電極部２と対向するよう
にバンプが形成されている場合は、電極部２上にバンプ
を形成する第５の工程は不要となる。

【００５１】実施例３．また、上記実施例１では、電極
部２上の金属バンプの具体的な積層方法について特に説
明しなかったが、次に、最終的な金属バンプ積層工程
（第５の工程）の具体例について説明する。

【００５２】図７は第５の工程が電極部２に半田ボール
を溶融する工程からなるこの発明の実施例３によるバン
プ積層後の半導体装置の要部を示す断面図であり、Ｂ１
は金属バンプとなる半田ボール、Ｃは半田ボールＢ１か
らなるバンプ高さである。

【００５３】図７のように、電極部２上に半田ボールＢ
１を溶融して、バンプとして積層することにより、電極
部２上に、樹脂６の表面から高さＣだけ突出したバンプ
が形成される。このように、樹脂６の表面上に高さＣの
管理が容易な半田ボールＢ１を溶融して突出させること
により、基板に容易に実装することのできる半導体装置
を得ることができる。

【００５４】実施例４．上記実施例３では、電極部２上
にバンプを積層する第５の工程において、半田ボールＢ
１を溶融させたが、バンプとなる金属をスパッタリング
により積層しても、前述と同等の効果を奏することがで
きる。

【００５５】図８は第５の工程が電極部に金属をスパッ
タリングする工程からなるこの発明の実施例４によるバ
ンプ積層後の半導体装置を示す断面図であり、Ｂ２は電
極部２上にスパッタリングされた金属バンプである。こ
れにより、電極部２上に、樹脂６の表面から高さＤだけ
突出した金属バンプＢ２が形成される。

【００５６】なお、スパッタリングに用いられる金属
は、半田やアルミニウム等の任意の金属が適用可能であ
り、また、バンプ高さＤの管理も実施例３の場合と同様
に容易に行うことができる。他の工程は前述と同様なの
で説明を省略する。

【００５７】実施例５．また、バンプを積層する第５の
工程において、電極部２の表面が露出された半導体装置
を半田槽に浸漬して半田バンプを積層し、その後、研磨
により半田バンプの高さをそろえてもよい。

【００５８】図９はこの発明の実施例５によるバンプ積
層後の半導体装置を示す断面図であり、Ｂ３は半田槽
（図示せず）への浸漬により電極部２上に積層された半
田バンプ、Ｅは半田バンプＢ３の高さである。この発明
の実施例５においては、第５の工程が、半導体素子１を
半田槽に浸漬する工程と、半導体素子１の表面を研磨し
て電極部２上に積層された半田バンプＢ３の高さＥをそ
ろえる工程とからなる。

【００５９】この場合、半田バンプＢ３の積層工程は、
半導体素子１を半田槽に浸漬させるのみであるため容易
となる。ただし、半田バンプＢ３の浸漬程度を管理する
ことができないので、樹脂６の表面からの半田バンプＢ
３の高さＥに凹凸のバラツキが生じる。したがって、第
５の工程において、バンプＢ３の積層後に半導体素子１
の表面を機械的に研磨して高さＥをそろえる必要があ
る。

【００６０】実施例６．上記実施例５では、半田槽に浸
漬する工程の後に、半導体素子１の表面を機械的に研磨
して高さＥをそろえる工程を設けたが、半田バンプＢ３
の浸漬程度の精度が許容範囲内に管理可能であれば、バ
ンプ高さＥをそろえる工程を省略することができる。

【００６１】実施例７．また、バンプを積層する第５の
工程を半田印刷工程として、半田印刷法を用いて、半田
バンプを形成してもよい。この場合も、バンプ形成が容
易になるとともに、バンプ高さをそろえる工程を省略す
ることができる。

【００６２】実施例８．また、バンプを積層する第５の
工程においてワイヤボンディング装置を用い、電極部２
上にワイヤボンディングの金属ボールをバンプとして積
層した後、研磨により金属バンプの高さをそろえてもよ
い。

【００６３】図１０はこの発明の実施例８によるバンプ
積層後の半導体装置を示す断面図であり、Ｂ４は電極部
２上にバンプとして積層されたワイヤボンディングの金
属ボール、Ｂ５は金属線（たとえば、金線）を切断した
後の金属ボールＢ４のネック部、Ｆは金属ボールＢ４の
高さである。

【００６４】この発明の実施例８においては、第５の工
程が、ワイヤボンディング装置（図示せず）により電極
部２に金属ボールＢ４を形成する工程と、金属ボールＢ
４のネック部Ｂ５を切断する工程と、半導体素子１の表
面を研磨して電極部２上の金属ボールＢ４の高さＦをそ
ろえる工程とからなる。

【００６５】この場合、電極部２に金属ボールＢ４を積
層した後、金属ボールＢ４のネック部Ｂ５を切断するの
で、樹脂６の表面からのバンプすなわち金属ボールＢ４
の高さＦに凹凸のバラツキが生じる。したがって、金属
ボールＢ４の積層後に機械的に研磨してバンプ高さＦを
そろえる必要がある。しかし、通常のワイヤボンディン
グ装置を用いることができるので、特にコストアップを
招くこともない。なお、ワイヤボンディング装置により
バンプとして用いられる金属としては、金やアルミニウ
ム等の任意の金属が適用可能である。

【００６６】実施例９．また、上記各実施例では、保護
膜８を単層構造としたが、電極部２のみの上にさらに第
２の保護膜を形成して複層構造とし、樹脂６によりモー
ルド封止後に第２の保護膜を除去した開口を介して、樹
脂封止膜をマスクとして第１の保護膜８を除去してもよ
い。

【００６７】図１１は電極部２上の保護膜を複層構造と
したこの発明の実施例９による樹脂封止後の半導体装置
を示す断面図であり、８ａは電極部２に位置する第１の
保護膜８の除去部、８ｂは電極部２のみに位置するよう
に第１の保護膜８上に形成された第２の保護膜である。

【００６８】この発明の実施例９においては、第１の工
程が、半導体素子１上の少なくとも電極部２を含む表面
に第１の保護膜８を形成する工程と、電極部２の位置に
対応する第１の保護膜８ａ上に第２の保護膜８ｂを形成
する工程とからなり、第４の工程が、第２の保護膜８ｂ
を除去する工程と、除去された第２の保護膜８ｂの位置
を開口とする樹脂封止膜６をマスクとして第１の保護膜
８ａを除去する工程とからなる。

【００６９】この場合、上部金型４Ａ（図１参照）の下
面は第２の保護膜８ｂの上面に圧接するため、樹脂６
は、図１１のように、第２の保護膜８ｂを除く部分にモ
ールドされる。

【００７０】したがって、第４の工程において、第２の
保護膜８ｂを除去した後、除去された第２の保護膜８ｂ
による開口を有する樹脂封止膜６をマスクとして、第１
の保護膜８の除去部８ａ（第２の保護膜８ｂの真下に位
置する）を除去する。これにより、露出された電極部２
の製造寸法の信頼性はさらに向上し、金属バンプの積層
寸法の信頼性も向上する。以下、バンプを積層する第５
の工程については前述と同様である。

【００７１】

【発明の効果】以上のようにこの発明の請求項１によれ
ば、半導体素子上の少なくとも電極部に保護膜を形成す
る第１の工程と、保護膜を含む電極部の高さよりも低い
高さを有し且つ複数の金型から構成された空間内に半導
体素子を配置する第２の工程と、空間内に樹脂を注入し
て硬化することにより半導体素子を樹脂封止する第３の
工程と、電極部上の保護膜を除去する第４の工程とを有
し、樹脂が電極部上の保護膜の上面に入り込むのを防止
するとともに電極部の損傷を防止し、電極部上の保護膜
を除去するようにしたので、モールド樹脂封止の際にバ
ンプ上に薄バリが形成されることがなく、電極部の信頼
性を向上させた半導体装置の製造方法が得られる効果が
ある。

【００７２】以上のようにこの発明の請求項２によれ
ば、請求項１において、第４の工程に続いて、保護膜が
除去された電極部上にバンプとなる金属を積層させる第
５の工程を含み、電極部上の保護膜を除去した後に金属
バンプを積層するようにしたので、基板への実装が容易
で且つモールド樹脂封止の際にバンプ上に薄バリが形成
されることがなく、電極部の信頼性を向上させた半導体
装置の製造方法が得られる効果がある。

【００７３】また、この発明の請求項３によれば、請求
項２において、第５の工程は、電極部に半田ボールを溶
融する工程からなり、バンプ高さの管理を容易にするよ
うにしたので、コストアップを招くことなく電極部の信
頼性を向上させた半導体装置の製造方法が得られる効果
がある。

【００７４】また、この発明の請求項４によれば、請求
項２において、第５の工程は、電極部に金属をスパッタ
リングする工程からなり、バンプ高さの管理を容易にす
るようにしたので、コストアップを招くことなく電極部
の信頼性を向上させた半導体装置の製造方法が得られる
効果がある。

【００７５】また、この発明の請求項５によれば、請求
項２において、第５の工程は、半導体素子を半田槽に浸
漬する工程を含み、半田槽への浸漬により容易に半田バ
ンプを積層するようにしたので、コストアップを招くこ
となく電極部の信頼性を向上させた半導体装置の製造方
法が得られる効果がある。

【００７６】また、この発明の請求項６によれば、請求
項５において、第５の工程は、半導体素子を半田槽に浸
漬する工程に続いて、半導体素子の表面を研磨して電極
部上に積層された半田の高さをそろえる工程とを含み、
半田槽への浸漬により容易に半田バンプを積層するとと
もに、機械的な研磨によりバンプ高さをそろえるように
したので、コストアップを招くことなく電極部の信頼性
を向上させた半導体装置の製造方法が得られる効果があ
る。

【００７７】また、この発明の請求項７によれば、請求
項２において、第５の工程は、半田印刷工程からなり、
半田印刷法により容易に半田バンプを形成するようにし
たので、コストアップを招くことなく電極部の信頼性を
向上させた半導体装置の製造方法が得られる効果があ
る。

【００７８】また、この発明の請求項８によれば、請求
項２において、第５の工程は、ワイヤボンディング装置
により電極部に金属ボールを形成する工程と、金属ボー
ルのネック部を切断する工程と、半導体素子を研磨して
電極部上の金属ボールの高さをそろえる工程とからな
り、ワイヤボンディングの金属ボールをネック部で切断
した後で機械的な研磨によりバンプ高さをそろえるよう
にしたので、常用のワイヤボンディング装置を用いるこ
とにより、コストアップを招くことなく電極部の信頼性
を向上させた半導体装置の製造方法が得られる効果があ
る。

【００７９】また、この発明の請求項９によれば、請求
項１から請求項８までのいずれかにおいて、第１の工程
は、半導体素子上の少なくとも電極部を含む表面に第１
の保護膜を形成する工程と、電極部の位置に対応する第
１の保護膜上に第２の保護膜を形成する工程とからな
り、第４の工程は、第２の保護膜を除去する工程と、除
去された第２の保護膜の位置を開口とする樹脂封止膜を
マスクとして第１の保護膜を除去する工程とからなり、
樹脂封止後に第２の保護膜を除去して開口された樹脂封
止膜をマスクとして第１の保護膜を除去するようにした
ので、さらに電極部の信頼性を向上させた半導体装置の
製造方法が得られる効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】 この発明の実施例１の第２の工程により金型
空間内に配置された半導体素子を示す断面図である。

【図２】 この発明の実施例１の第１の工程により電極
および保護膜が形成された半導体素子を示す断面図であ
る。

【図３】 この発明の実施例１の第３の工程により樹脂
封止された半導体装置を示す断面図である。

【図４】 この発明の実施例１の第４の工程により保護
膜が除去された半導体装置を示す断面図である。

【図５】 この発明の実施例１の第１の工程により電極
部の近傍に保護膜が形成された半導体素子を示す断面図
である。

【図６】 この発明の実施例１の第１の工程により電極
部のみに保護膜が形成された半導体素子を示す断面図で
ある。

【図７】 この発明の実施例３の第５の工程により積層
されたバンプ部分を示す断面図である。

【図８】 この発明の実施例４の第５の工程により積層
されたバンプ部分を示す断面図である。

【図９】 この発明の実施例５および実施例６の第５の
工程により積層されたバンプ部分を示す断面図である。

【図１０】 この発明の実施例８の第５の工程により積
層されたバンプ部分を示す断面図である。

【図１１】 この発明の実施例９の第３の工程により樹
脂封止された半導体装置を示す断面図である。

【図１２】 従来の半導体装置の製造方法により金型空
間内に配置（第２の工程に対応）された半導体素子を示
す断面図である。

【図１３】 従来の半導体装置の製造方法により電極お
よび保護膜が形成（第１の工程に対応）された半導体素
子を示す断面図である。

【図１４】 従来の半導体装置の製造方法により樹脂封
止（第３の工程に対応）された半導体装置を示す断面図
である。

【符号の説明】

１ 半導体素子、２ 電極部、４Ａ 上部金型、５Ａ
下部金型、６ 樹脂、８ 保護膜（第１の保護膜）、８
ａ 第１の保護膜の除去部、８ｂ 第２の保護膜、Ｂ１
半田ボール、Ｂ２ 金属バンプ、Ｂ３ 半田バンプ、
Ｂ４ 金属ボール、Ｂ５ 金属ボールのネック部、Ｃ〜
Ｆ バンプ高さ、Ｈ３ 金型により構成される空間の高
さ、Ｈ４ 保護膜を含む電極部の高さ、ＳＡ 空間。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 23/31

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体素子上の少なくとも電極部に保護
   膜を形成する第１の工程と、 前記保護膜を含む電極部の高さよりも低い高さを有し且
   つ複数の金型から構成された空間内に前記半導体素子を
   配置する第２の工程と、 前記空間内に樹脂を注入して硬化することにより前記半
   導体素子を樹脂封止する第３の工程と、 前記電極部上の保護膜を除去する第４の工程とを有する
   半導体装置の製造方法。
2. 【請求項２】 前記第４の工程に続いて、前記保護膜が
   除去された電極部上にバンプとなる金属を積層させる第
   ５の工程を含むことを特徴とする請求項１の半導体装置
   の製造方法。
3. 【請求項３】 前記第５の工程は、前記電極部に半田ボ
   ールを溶融する工程からなることを特徴とする請求項２
   の半導体装置の製造方法。
4. 【請求項４】 前記第５の工程は、前記電極部に金属を
   スパッタリングする工程からなることを特徴とする請求
   項２の半導体装置の製造方法。
5. 【請求項５】 前記第５の工程は、前記半導体素子を半
   田槽に浸漬する工程を含むことを特徴とする請求項２の
   半導体装置の製造方法。
6. 【請求項６】 前記第５の工程は、前記半導体素子を半
   田槽に浸漬する工程に続いて、前記半導体素子の表面を
   研磨して前記電極部上に積層された半田の高さをそろえ
   る工程を含むことを特徴とする請求項５の半導体装置の
   製造方法。
7. 【請求項７】 前記第５の工程は、半田印刷工程からな
   ることを特徴とする請求項２の半導体装置の製造方法。
8. 【請求項８】 前記第５の工程は、 ワイヤボンディング装置により前記電極部に金属ボール
   を形成する工程と、 前記金属ボールのネック部を切断する工程と、 前記半導体素子を研磨して前記電極部上の金属ボールの
   高さをそろえる工程とからなることを特徴とする請求項
   ２の半導体装置の製造方法。
9. 【請求項９】 前記第１の工程は、前記半導体素子上の
   少なくとも電極部を含む表面に第１の保護膜を形成する
   工程と、前記電極部の位置に対応する前記第１の保護膜
   上に第２の保護膜を形成する工程とからなり、 前記第４の工程は、前記第２の保護膜を除去する工程
   と、除去された前記第２の保護膜の位置を開口とする前
   記樹脂封止膜をマスクとして前記第１の保護膜を除去す
   る工程とからなることを特徴とする請求項１から請求項
   ８までのいずれかの半導体装置の製造方法。