JPH10256287A - 半導体装置およびその樹脂封止方法並びに樹脂封止装置 - Google Patents
半導体装置およびその樹脂封止方法並びに樹脂封止装置Info
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- JPH10256287A JPH10256287A JP6260597A JP6260597A JPH10256287A JP H10256287 A JPH10256287 A JP H10256287A JP 6260597 A JP6260597 A JP 6260597A JP 6260597 A JP6260597 A JP 6260597A JP H10256287 A JPH10256287 A JP H10256287A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 樹脂封止型の半導体装置製造において、封止
樹脂の未充填やボイドの発生等の成形不良を防止すると
共に、金型や被樹脂封止体に悪影響を与えずに封止樹脂
の注入時間を短縮できる樹脂封止装置および樹脂封止方
法を提供する。 【解決手段】 キャビティ３への封止樹脂の注入口５ａ
であるゲート５の開口面積を大きくすると共に、ゲート
５を開閉自在に構成し、流速センサー７および圧力セン
サー９の少なくともいずれか一方からの信号に基づき、
ゲート５の開口面積を変化させて封止樹脂４の流入速度
を各キャビティ３毎に制御する。
樹脂の未充填やボイドの発生等の成形不良を防止すると
共に、金型や被樹脂封止体に悪影響を与えずに封止樹脂
の注入時間を短縮できる樹脂封止装置および樹脂封止方
法を提供する。 【解決手段】 キャビティ３への封止樹脂の注入口５ａ
であるゲート５の開口面積を大きくすると共に、ゲート
５を開閉自在に構成し、流速センサー７および圧力セン
サー９の少なくともいずれか一方からの信号に基づき、
ゲート５の開口面積を変化させて封止樹脂４の流入速度
を各キャビティ３毎に制御する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、例えば樹脂封止
型の半導体装置を製造する際に用いられる樹脂封止装置
および樹脂封止方法ならびにこれを用いて製造した半導
体装置に関するものである。
型の半導体装置を製造する際に用いられる樹脂封止装置
および樹脂封止方法ならびにこれを用いて製造した半導
体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図５は従来の樹脂封止型の半導体装置を
形成するための樹脂封止装置を示す図である。図におい
て、１は半導体樹脂封止用の上金型、２は下金型、３は
樹脂封止により形成される成型体の外形を型どるキャビ
ティで、３ａは上金型１に設けられた上キャビティ、３
ｂは下金型２に設けられた下キャビティ、４はキャビテ
ィ３に注入される封止樹脂、５ａは上キャビティ３ａに
設けられた封止樹脂の注入口で、上キャビティ３ａの深
さｄ1 より小さい開口部（高さｄ2 ）を有する。８は注
入口５ａを介してキャビティ３に封止樹脂４を注入する
ランナー、１１は上金型１と下金型２により型締めされ
ている半導体素子１０を搭載したリードフレーム、１２
は半導体素子１０に形成された電極とリードフレーム１
１を電気的に接続する金線、１３は半導体素子１０を保
持するリードフレーム１１の一部であるダイパッドであ
る。
形成するための樹脂封止装置を示す図である。図におい
て、１は半導体樹脂封止用の上金型、２は下金型、３は
樹脂封止により形成される成型体の外形を型どるキャビ
ティで、３ａは上金型１に設けられた上キャビティ、３
ｂは下金型２に設けられた下キャビティ、４はキャビテ
ィ３に注入される封止樹脂、５ａは上キャビティ３ａに
設けられた封止樹脂の注入口で、上キャビティ３ａの深
さｄ1 より小さい開口部（高さｄ2 ）を有する。８は注
入口５ａを介してキャビティ３に封止樹脂４を注入する
ランナー、１１は上金型１と下金型２により型締めされ
ている半導体素子１０を搭載したリードフレーム、１２
は半導体素子１０に形成された電極とリードフレーム１
１を電気的に接続する金線、１３は半導体素子１０を保
持するリードフレーム１１の一部であるダイパッドであ
る。
【０００３】次に動作について説明する。図５に示すよ
うに、半導体素子１０が搭載されたリードフレーム１１
が下金型２の上に配置された後、上金型１が下降、また
は下金型２が上昇して上金型１と下金型２の間にリード
フレーム１１が形締めされ、上キャビティ３ａと下キャ
ビティ３ｂの中に半導体素子１０が固定される。その
後、ゲル状態の封止樹脂４が、ランナー８から上キャビ
ティ３ａに設けられた上キャビティ３ａの深さｄ1 より
小さい開口部（高さｄ2 ）を有する注入口５ａを介し
て、上キャビティ３ａおよび下キャビティ３ｂに注入さ
れ、上キャビティ３ａおよび下キャビティ３ｂ内が充填
された時点で注入を終え、封止樹脂４が硬化後注入口５
ａ付近の不要な封止樹脂４を機械的に分離することによ
り、樹脂封止型半導体パッケージが形成される。
うに、半導体素子１０が搭載されたリードフレーム１１
が下金型２の上に配置された後、上金型１が下降、また
は下金型２が上昇して上金型１と下金型２の間にリード
フレーム１１が形締めされ、上キャビティ３ａと下キャ
ビティ３ｂの中に半導体素子１０が固定される。その
後、ゲル状態の封止樹脂４が、ランナー８から上キャビ
ティ３ａに設けられた上キャビティ３ａの深さｄ1 より
小さい開口部（高さｄ2 ）を有する注入口５ａを介し
て、上キャビティ３ａおよび下キャビティ３ｂに注入さ
れ、上キャビティ３ａおよび下キャビティ３ｂ内が充填
された時点で注入を終え、封止樹脂４が硬化後注入口５
ａ付近の不要な封止樹脂４を機械的に分離することによ
り、樹脂封止型半導体パッケージが形成される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体樹脂封止
装置は以上のように構成されており、注入口５ａの開口
部が上キャビティ３ａの深さより小さいため、注入口５
ａ周辺で樹脂詰まりが生じて上キャビティ３ａおよび下
キャビティ３ｂに封止樹脂４が充填されなかったり、エ
アを巻き込んでボイドを発生させるなどの成形不良が生
じる。また、封止樹脂４の注入時間短縮のために、封止
樹脂４の注入速度を高めた場合、開口部が小さい注入口
５ａから注入される封止樹脂４の圧力のため、注入口５
ａ部分が摩耗したり、半導体素子１０とリードフレーム
１１を接続している金線１２が変形したり、半導体素子
１０を搭載しているダイパッド１３がシフトするなどの
問題があった。
装置は以上のように構成されており、注入口５ａの開口
部が上キャビティ３ａの深さより小さいため、注入口５
ａ周辺で樹脂詰まりが生じて上キャビティ３ａおよび下
キャビティ３ｂに封止樹脂４が充填されなかったり、エ
アを巻き込んでボイドを発生させるなどの成形不良が生
じる。また、封止樹脂４の注入時間短縮のために、封止
樹脂４の注入速度を高めた場合、開口部が小さい注入口
５ａから注入される封止樹脂４の圧力のため、注入口５
ａ部分が摩耗したり、半導体素子１０とリードフレーム
１１を接続している金線１２が変形したり、半導体素子
１０を搭載しているダイパッド１３がシフトするなどの
問題があった。
【０００５】さらに、注入口５ａの開口部が固定である
ので、上キャビティ３ａおよび下キャビティ３ｂ内に封
止樹脂４が充填され硬化した後に注入口５ａ付近の不要
な封止樹脂４を機械的に分割するため、分割面に機械的
損傷を与えるなどの問題があった。また、封止樹脂４は
一箇所の貯留槽から複数のキャビティ３に供給されるた
め、個々のキャビティ３において封止樹脂４の流入速度
や封止樹脂４による圧力制御ができず、樹脂封止４の充
填状態にばらつきが生じるなどの問題があった。
ので、上キャビティ３ａおよび下キャビティ３ｂ内に封
止樹脂４が充填され硬化した後に注入口５ａ付近の不要
な封止樹脂４を機械的に分割するため、分割面に機械的
損傷を与えるなどの問題があった。また、封止樹脂４は
一箇所の貯留槽から複数のキャビティ３に供給されるた
め、個々のキャビティ３において封止樹脂４の流入速度
や封止樹脂４による圧力制御ができず、樹脂封止４の充
填状態にばらつきが生じるなどの問題があった。
【０００６】この発明は、上記のような問題を解決する
ためになされたもので、封止樹脂の未充填やボイドの発
生、および封止樹脂硬化後の分割による機械的損傷等の
成形不良を防止すると共に、金型や被樹脂封止体に悪影
響を与えずに封止樹脂の注入時間を短縮できる樹脂封止
装置および樹脂封止方法を提供することを目的とする。
また、封止樹脂の注入時間を短縮しかつ封止品質を向上
させることにより、生産性および信頼性が高い半導体装
置を得ることを目的とする。
ためになされたもので、封止樹脂の未充填やボイドの発
生、および封止樹脂硬化後の分割による機械的損傷等の
成形不良を防止すると共に、金型や被樹脂封止体に悪影
響を与えずに封止樹脂の注入時間を短縮できる樹脂封止
装置および樹脂封止方法を提供することを目的とする。
また、封止樹脂の注入時間を短縮しかつ封止品質を向上
させることにより、生産性および信頼性が高い半導体装
置を得ることを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明に係わる樹脂封
止装置は、非成型体が装着され、封止樹脂により充填さ
れるキャビティを有する金型と、キャビティの少なくと
も一つ以上の面全体に設けられた封止樹脂の注入口と、
注入口付近に設けられた流速センサー、および上記キャ
ビティ内に設けられた圧力センサーの内の少なくともい
ずれか一方と、流速センサーおよび圧力センサーの内の
少なくともいずれか一方の検知値に基づいて開閉が制御
されるゲートを備えたものである。また、ゲートの先端
部は、平面形状に形成されているものである。また、流
速センサーおよび圧力センサーの内の少なくともいずれ
か一方と、流速センサーおよび圧力センサーの内の少な
くともいずれか一方の検知値に基づいて開閉が制御され
るゲートは、一つの金型内のすべてのキャビティに各別
に設けられているものである。
止装置は、非成型体が装着され、封止樹脂により充填さ
れるキャビティを有する金型と、キャビティの少なくと
も一つ以上の面全体に設けられた封止樹脂の注入口と、
注入口付近に設けられた流速センサー、および上記キャ
ビティ内に設けられた圧力センサーの内の少なくともい
ずれか一方と、流速センサーおよび圧力センサーの内の
少なくともいずれか一方の検知値に基づいて開閉が制御
されるゲートを備えたものである。また、ゲートの先端
部は、平面形状に形成されているものである。また、流
速センサーおよび圧力センサーの内の少なくともいずれ
か一方と、流速センサーおよび圧力センサーの内の少な
くともいずれか一方の検知値に基づいて開閉が制御され
るゲートは、一つの金型内のすべてのキャビティに各別
に設けられているものである。
【０００８】また、この発明に係わる樹脂封止方法は、
非成型体を封止樹脂の注入口に開閉自在なゲートを有す
る金型のキャビティに装着する工程と、注入口付近に設
けられた流速センサー、およびキャビティ内に設けられ
た圧力センサーの内の少なくともいずれか一方の検知値
に基づいてゲートを開閉しながらキャビティ内に封止樹
脂を注入する工程と、キャビティ内に封止樹脂を充填し
た後、封止樹脂が硬化する前に上記ゲートを閉じる工程
を含むものである。また、この発明に係わる半導体装置
は、半導体素子と、半導体素子を搭載するリードフレー
ムと、リードフレームと装着するキャビティに設けられ
た流速センサーおよび圧力センサーの内の少なくともい
ずれか一方の検知値に基づいて、キャビティの注入口に
設けられたゲートを開閉することにより樹脂注入速度が
所定の値になるよう調整する機構を有する樹脂封止装置
を用いてリードフレームに搭載された半導体素子を包含
し半導体パッケージを構成する封止樹脂を備えたもので
ある。
非成型体を封止樹脂の注入口に開閉自在なゲートを有す
る金型のキャビティに装着する工程と、注入口付近に設
けられた流速センサー、およびキャビティ内に設けられ
た圧力センサーの内の少なくともいずれか一方の検知値
に基づいてゲートを開閉しながらキャビティ内に封止樹
脂を注入する工程と、キャビティ内に封止樹脂を充填し
た後、封止樹脂が硬化する前に上記ゲートを閉じる工程
を含むものである。また、この発明に係わる半導体装置
は、半導体素子と、半導体素子を搭載するリードフレー
ムと、リードフレームと装着するキャビティに設けられ
た流速センサーおよび圧力センサーの内の少なくともい
ずれか一方の検知値に基づいて、キャビティの注入口に
設けられたゲートを開閉することにより樹脂注入速度が
所定の値になるよう調整する機構を有する樹脂封止装置
を用いてリードフレームに搭載された半導体素子を包含
し半導体パッケージを構成する封止樹脂を備えたもので
ある。
【０００９】
実施の形態１．以下、この発明の一実施の形態である樹
脂封止装置およびこれを用いて形成した半導体装置を図
について説明する。図１および図２は本発明の実施の形
態１による樹脂封止型の半導体装置を形成するための樹
脂封止装置を示す断面図である。図において、１は半導
体樹脂封止用の上金型、２は下金型、３は樹脂封止によ
り形成される成型体の外形を型どるキャビティで、３ａ
は上金型１に設けられた上キャビティ、３ｂは下金型２
に設けられた下キャビティである。４は封止樹脂、５は
上キャビティ３ａのいずれか一つの側面に設けられたキ
ャビティ３への封止樹脂４の注入口５ａに設けられた開
閉自在なゲートで、設置される面と同じ面積の開口面積
を有すると共に、開閉することにより封止樹脂４の注入
口５ａの面積を変化させることができる。
脂封止装置およびこれを用いて形成した半導体装置を図
について説明する。図１および図２は本発明の実施の形
態１による樹脂封止型の半導体装置を形成するための樹
脂封止装置を示す断面図である。図において、１は半導
体樹脂封止用の上金型、２は下金型、３は樹脂封止によ
り形成される成型体の外形を型どるキャビティで、３ａ
は上金型１に設けられた上キャビティ、３ｂは下金型２
に設けられた下キャビティである。４は封止樹脂、５は
上キャビティ３ａのいずれか一つの側面に設けられたキ
ャビティ３への封止樹脂４の注入口５ａに設けられた開
閉自在なゲートで、設置される面と同じ面積の開口面積
を有すると共に、開閉することにより封止樹脂４の注入
口５ａの面積を変化させることができる。
【００１０】６はゲート５の先端に設けられた平坦部、
７はゲート５の先端等注入口付近に設けられ、ゲート５
を通過する封止樹脂４の流速をセンシングする流速セン
サー、８はゲート５を介してキャビティ３に封止樹脂４
を注入するランナー、９はキャビティ３内の圧力をセン
シングする圧力センサー、１０は半導体素子、１１は上
金型１と下金型２により型締めされている半導体素子１
０を搭載したリードフレーム、１２は半導体素子１０に
形成された電極とリードフレーム１１を電気的に接続す
る金線、１３は半導体素子１０を保持するリードフレー
ム１１の一部であるダイパッドである。
７はゲート５の先端等注入口付近に設けられ、ゲート５
を通過する封止樹脂４の流速をセンシングする流速セン
サー、８はゲート５を介してキャビティ３に封止樹脂４
を注入するランナー、９はキャビティ３内の圧力をセン
シングする圧力センサー、１０は半導体素子、１１は上
金型１と下金型２により型締めされている半導体素子１
０を搭載したリードフレーム、１２は半導体素子１０に
形成された電極とリードフレーム１１を電気的に接続す
る金線、１３は半導体素子１０を保持するリードフレー
ム１１の一部であるダイパッドである。
【００１１】次に、本実施の形態による樹脂封止装置を
用いた半導体装置の樹脂封止工程について説明する。ま
ず、樹脂封止される半導体素子１０が搭載されたリード
フレーム１１を上金型１と下金型２により型締めした
後、ゲート５を上キャビティ３ａの一つの側面と同じ面
積の開口面積を有するように開口させ、ランナー８から
ゲート５を介してキャビティ３内に封止樹脂４の注入を
開始する。次に、ゲート５に設けられた流速センサー７
により封止樹脂４の流入速度をセンシング、あるいはキ
ャビティ３内に設けられた圧力センサー９によりキャビ
ティ３内圧をセンシングし、その値が予め決められた流
入速度あるいは圧力になるように、ゲート５を開閉させ
ることにより封止樹脂３の注入口５ａの面積を変化させ
て制御する。
用いた半導体装置の樹脂封止工程について説明する。ま
ず、樹脂封止される半導体素子１０が搭載されたリード
フレーム１１を上金型１と下金型２により型締めした
後、ゲート５を上キャビティ３ａの一つの側面と同じ面
積の開口面積を有するように開口させ、ランナー８から
ゲート５を介してキャビティ３内に封止樹脂４の注入を
開始する。次に、ゲート５に設けられた流速センサー７
により封止樹脂４の流入速度をセンシング、あるいはキ
ャビティ３内に設けられた圧力センサー９によりキャビ
ティ３内圧をセンシングし、その値が予め決められた流
入速度あるいは圧力になるように、ゲート５を開閉させ
ることにより封止樹脂３の注入口５ａの面積を変化させ
て制御する。
【００１２】例えば、流速センサー７の検知値に基づ
き、封止樹脂４の流入速度が遅い場合にはゲート５の開
口面積を小さくし、封止樹脂４の流入速度が速い場合に
はゲート５の開口面積を大きくする。または、圧力セン
サー９の検知値に基づき、キャビティ３内の封止樹脂４
による圧力が不足している場合にはゲート５の開口面積
を大きくし、キャビティ３内の封止樹脂４による圧力が
過大な場合にはゲート５の開口面積を小さくする。
き、封止樹脂４の流入速度が遅い場合にはゲート５の開
口面積を小さくし、封止樹脂４の流入速度が速い場合に
はゲート５の開口面積を大きくする。または、圧力セン
サー９の検知値に基づき、キャビティ３内の封止樹脂４
による圧力が不足している場合にはゲート５の開口面積
を大きくし、キャビティ３内の封止樹脂４による圧力が
過大な場合にはゲート５の開口面積を小さくする。
【００１３】次に封止樹脂４の注入が完了した時点で、
図２に示すように、ゲート５を閉じて、封止樹脂４が硬
化する前に、ランナー８部とキャビティ３内の封止樹脂
４を分離させる。このとき、キャビティ３内に設けた圧
力センサー９を、ゲート５が閉じるタイミングを検出す
るためのセンサーとして用いてもよい。すなわち、キャ
ビティ３内での圧力センサーの検知値が、予め測定した
封止樹脂４の注入の完了時の圧力に達した時点から所定
時間後にゲート５を閉じるように設定する。その後、キ
ャビティ３内の封止樹脂４の硬化により樹脂封止工程が
完了する。
図２に示すように、ゲート５を閉じて、封止樹脂４が硬
化する前に、ランナー８部とキャビティ３内の封止樹脂
４を分離させる。このとき、キャビティ３内に設けた圧
力センサー９を、ゲート５が閉じるタイミングを検出す
るためのセンサーとして用いてもよい。すなわち、キャ
ビティ３内での圧力センサーの検知値が、予め測定した
封止樹脂４の注入の完了時の圧力に達した時点から所定
時間後にゲート５を閉じるように設定する。その後、キ
ャビティ３内の封止樹脂４の硬化により樹脂封止工程が
完了する。
【００１４】なお、流速センサー７と圧力センサー９は
少なくともいずれか一方が設置されていればよい。ま
た、ゲート５は下キャビティ３ｂのいずれかの側面に設
けてもよい。また、一つの金型内にある複数のキャビテ
ィ３においては、それぞれに開閉自在なゲート５、およ
び流速センサー７および圧力センサー９の内の少なくと
もいずれか一方を設け、個々の流速センサー７あるいは
圧力センサー９の検知値に基づき、ゲート５の開閉を各
別に制御できるよう構成する。
少なくともいずれか一方が設置されていればよい。ま
た、ゲート５は下キャビティ３ｂのいずれかの側面に設
けてもよい。また、一つの金型内にある複数のキャビテ
ィ３においては、それぞれに開閉自在なゲート５、およ
び流速センサー７および圧力センサー９の内の少なくと
もいずれか一方を設け、個々の流速センサー７あるいは
圧力センサー９の検知値に基づき、ゲート５の開閉を各
別に制御できるよう構成する。
【００１５】この発明によれば、キャビティ３への封止
樹脂の注入口５ａであるゲート５の開口面積を大きくす
ると共に、ゲート５を開閉自在に構成し、注入口５ａ付
近に設けられた流速センサー７およびキャビティ３内に
設けられた圧力センサー９の少なくともいずれか一方の
検知値に基づき、ゲート５の開口面積を変化させて封止
樹脂４の流入速度を各キャビティ３毎に制御することに
より、一つの金型内にある複数のキャビティ３における
封止樹脂４の充填状態のばらつきや、封止樹脂４の未充
填やボイドの発生等の成形不良を防止できると共に、封
止樹脂４の流入圧力によるゲート５の摩耗、半導体素子
１０とリードフレーム１１を接続している金線１２の変
形、および半導体素子１０を搭載しているダイパッド１
３のシフトを生じさせずに封止樹脂４の注入時間を短縮
できる。
樹脂の注入口５ａであるゲート５の開口面積を大きくす
ると共に、ゲート５を開閉自在に構成し、注入口５ａ付
近に設けられた流速センサー７およびキャビティ３内に
設けられた圧力センサー９の少なくともいずれか一方の
検知値に基づき、ゲート５の開口面積を変化させて封止
樹脂４の流入速度を各キャビティ３毎に制御することに
より、一つの金型内にある複数のキャビティ３における
封止樹脂４の充填状態のばらつきや、封止樹脂４の未充
填やボイドの発生等の成形不良を防止できると共に、封
止樹脂４の流入圧力によるゲート５の摩耗、半導体素子
１０とリードフレーム１１を接続している金線１２の変
形、および半導体素子１０を搭載しているダイパッド１
３のシフトを生じさせずに封止樹脂４の注入時間を短縮
できる。
【００１６】また、ゲート５の先端に平坦部６を形成す
ることにより、ゲート５先端部の摩耗を抑制することが
できる。また、ゲート５は開閉自在に構成されているた
め、封止樹脂４の注入が完了した時点でゲート５を閉じ
て、封止樹脂４が硬化する前にランナー８部とキャビテ
ィ３内の封止樹脂４を分離することができ、分離面に機
械的損傷を与えない。さらに、圧力センサー９の検知値
に基づきゲートを閉じることにより、キャビティ３内へ
の封止樹脂４の注入完了後かつ封止樹脂４の硬化前に確
実にランナー８部とキャビティ３内の封止樹脂４を分離
することができる。
ることにより、ゲート５先端部の摩耗を抑制することが
できる。また、ゲート５は開閉自在に構成されているた
め、封止樹脂４の注入が完了した時点でゲート５を閉じ
て、封止樹脂４が硬化する前にランナー８部とキャビテ
ィ３内の封止樹脂４を分離することができ、分離面に機
械的損傷を与えない。さらに、圧力センサー９の検知値
に基づきゲートを閉じることにより、キャビティ３内へ
の封止樹脂４の注入完了後かつ封止樹脂４の硬化前に確
実にランナー８部とキャビティ３内の封止樹脂４を分離
することができる。
【００１７】実施の形態２．実施の形態１では、キャビ
ティ３内への封止樹脂４の注入口５ａとなるゲート５
を、上キャビティ３ａあるいは下キャビティ３ｂのいず
れか一つの側面に設けたが、図３に示すように、ゲート
を上キャビティ３ａおよび下キャビティ３ｂの両方に設
けることにより、封止樹脂４の未充填やボイドの発生防
止および封止樹脂４の注入時間短縮において一層の効果
が得られる。図において、１４は下キャビティ３ｂに設
けられた開閉自在なゲートで、先端に平坦部１５を有す
る。その他の構成は実施の形態１と同様であるので説明
を省略する。
ティ３内への封止樹脂４の注入口５ａとなるゲート５
を、上キャビティ３ａあるいは下キャビティ３ｂのいず
れか一つの側面に設けたが、図３に示すように、ゲート
を上キャビティ３ａおよび下キャビティ３ｂの両方に設
けることにより、封止樹脂４の未充填やボイドの発生防
止および封止樹脂４の注入時間短縮において一層の効果
が得られる。図において、１４は下キャビティ３ｂに設
けられた開閉自在なゲートで、先端に平坦部１５を有す
る。その他の構成は実施の形態１と同様であるので説明
を省略する。
【００１８】実施の形態３．実施の形態１では、キャビ
ティ３内への封止樹脂４の注入口５ａとなるゲート５
を、上キャビティ３ａあるいは下キャビティ３ｂのいず
れか一つの側面に設けたが、図４に示すように、ゲート
を上キャビティ３ａの上面（天井部）に設けても、実施
の形態１と同様の効果が得られる。図において、１６お
よび１８は上キャビティ３ａに設けられた開閉自在なゲ
ートで、先端に各々平坦部１７および１９を有する。流
速センサー７はゲート１６と１８のいずれか一方に設け
られる。その他の構成は実施の形態１と同様であるので
説明を省略する。また、ゲート１６および１８は下キャ
ビティ３ｂの下面（底部）、または上キャビティａの上
面および下キャビティ３ｂの下面の両方に側面に設けて
もよい。
ティ３内への封止樹脂４の注入口５ａとなるゲート５
を、上キャビティ３ａあるいは下キャビティ３ｂのいず
れか一つの側面に設けたが、図４に示すように、ゲート
を上キャビティ３ａの上面（天井部）に設けても、実施
の形態１と同様の効果が得られる。図において、１６お
よび１８は上キャビティ３ａに設けられた開閉自在なゲ
ートで、先端に各々平坦部１７および１９を有する。流
速センサー７はゲート１６と１８のいずれか一方に設け
られる。その他の構成は実施の形態１と同様であるので
説明を省略する。また、ゲート１６および１８は下キャ
ビティ３ｂの下面（底部）、または上キャビティａの上
面および下キャビティ３ｂの下面の両方に側面に設けて
もよい。
【００１９】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、被成
型体を形成するキャビティへの封止樹脂の注入口である
ゲートの開口面積を大きくすると共に、ゲートを開閉自
在に構成し、注入口付近に設けられた流速センサーおよ
びキャビティ内に設けられた圧力センサーの少なくとも
いずれか一方の検知値に基づき、ゲートの開口面積を変
化させて封止樹脂の流入速度を各キャビティ毎に制御す
ることにより、一つの金型内にある複数のキャビティに
おける封止樹脂の充填状態のばらつきや、封止樹脂の未
充填やボイドの発生、封止樹脂硬化後の分割による機械
的損傷等の成形不良を防止できると共に、封止樹脂の流
入圧力により金型や被樹脂封止体に悪影響を与えずに封
止樹脂の注入時間を短縮できる。
型体を形成するキャビティへの封止樹脂の注入口である
ゲートの開口面積を大きくすると共に、ゲートを開閉自
在に構成し、注入口付近に設けられた流速センサーおよ
びキャビティ内に設けられた圧力センサーの少なくとも
いずれか一方の検知値に基づき、ゲートの開口面積を変
化させて封止樹脂の流入速度を各キャビティ毎に制御す
ることにより、一つの金型内にある複数のキャビティに
おける封止樹脂の充填状態のばらつきや、封止樹脂の未
充填やボイドの発生、封止樹脂硬化後の分割による機械
的損傷等の成形不良を防止できると共に、封止樹脂の流
入圧力により金型や被樹脂封止体に悪影響を与えずに封
止樹脂の注入時間を短縮できる。
【００２０】また、ゲートの先端に平坦部を形成するこ
とにより、ゲート先端部の摩耗を抑制しゲートを長寿命
化できる。また、封止樹脂の注入時間を短縮しかつ封止
品質を向上させることにより、高品質の樹脂封止型の半
導体装置を得ることができる。
とにより、ゲート先端部の摩耗を抑制しゲートを長寿命
化できる。また、封止樹脂の注入時間を短縮しかつ封止
品質を向上させることにより、高品質の樹脂封止型の半
導体装置を得ることができる。
【図１】 この発明の実施の形態１を示す樹脂封止装置
の断面図である。
の断面図である。
【図２】 この発明の実施の形態１を示す樹脂封止装置
の断面図である。
の断面図である。
【図３】 この発明の実施の形態２を示す樹脂封止装置
の断面図である。
の断面図である。
【図４】 この発明の実施の形態３を示す樹脂封止装置
の断面図である。
の断面図である。
【図５】 従来のこの種樹脂封止装置を示す断面図であ
る。
る。
１ 上金型、２ 下金型、３ キャビティ、３ａ 上キ
ャビティ、３ｂ 下キャビティ、４ 封止樹脂、５ ゲ
ート、６ 平坦部、７ 流速センサー、８ ランナー、
９ 圧力センサー、１０ 半導体素子、１１ リードフ
レーム、１２ 金線、１３ ダイパッド。
ャビティ、３ｂ 下キャビティ、４ 封止樹脂、５ ゲ
ート、６ 平坦部、７ 流速センサー、８ ランナー、
９ 圧力センサー、１０ 半導体素子、１１ リードフ
レーム、１２ 金線、１３ ダイパッド。
Claims (5)
- 【請求項１】 被成型体が装着され、封止樹脂により充
填されるキャビティを有する金型と、 上記キャビティの少なくとも一つ以上の面全体に設けら
れた上記封止樹脂の注入口と、 上記注入口付近に設けられた流速センサー、および上記
キャビティ内に設けられた圧力センサーの内の少なくと
もいずれか一方と、 上記流速センサーおよび上記圧力センサーの内の少なく
ともいずれか一方の検知値に基づいて開閉が制御される
ゲートを備えたことを特徴とする樹脂封止装置。 - 【請求項２】 ゲートの先端部は、平面形状に形成され
ていることを特徴とする請求項１記載の樹脂封止装置。 - 【請求項３】 流速センサーおよび圧力センサーの内の
少なくともいずれか一方と、上記流速センサーおよび上
記圧力センサーの内の少なくともいずれか一方の検知値
に基づいて開閉が制御されるゲートは、一つの金型内の
すべてのキャビティに各別に設けられていることを特徴
とする請求項１または請求項２記載の樹脂封止装置。 - 【請求項４】 被成型体を封止樹脂の注入口に開閉自在
なゲートを有する金型のキャビティに装着する工程と、 上記注入口付近に設けられた流速センサー、および上記
キャビティ内に設けられた圧力センサーの内の少なくと
もいずれか一方の検知値に基づいてゲートを開閉しなが
ら上記キャビティ内に上記封止樹脂を注入する工程と、 上記キャビティ内に上記封止樹脂を充填した後、上記封
止樹脂が硬化する前に上記ゲートを閉じる工程を含むこ
とを特徴とする樹脂封止方法。 - 【請求項５】 半導体素子と、 上記半導体素子を搭載するリードフレームと、 上記リードフレームと装着するキャビティに設けられた
流速センサーおよび圧力センサーの内の少なくともいず
れか一方の検知値に基づいて、上記キャビティの注入口
に設けられたゲートを開閉することにより樹脂注入速度
が所定の値になるよう調整する機構を有する樹脂封止装
置を用いて上記リードフレームに搭載された半導体素子
を包含し半導体パッケージを構成する封止樹脂を備えた
ことを特徴と半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6260597A JPH10256287A (ja) | 1997-03-17 | 1997-03-17 | 半導体装置およびその樹脂封止方法並びに樹脂封止装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6260597A JPH10256287A (ja) | 1997-03-17 | 1997-03-17 | 半導体装置およびその樹脂封止方法並びに樹脂封止装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10256287A true JPH10256287A (ja) | 1998-09-25 |
Family
ID=13205131
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6260597A Pending JPH10256287A (ja) | 1997-03-17 | 1997-03-17 | 半導体装置およびその樹脂封止方法並びに樹脂封止装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10256287A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7144239B2 (en) * | 2003-10-24 | 2006-12-05 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Molding apparatus with a molding flowability sensor for packaging semiconductor device |
| US10896825B2 (en) | 2017-03-03 | 2021-01-19 | Toshiba Memory Corporation | Mold |
-
1997
- 1997-03-17 JP JP6260597A patent/JPH10256287A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7144239B2 (en) * | 2003-10-24 | 2006-12-05 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Molding apparatus with a molding flowability sensor for packaging semiconductor device |
| US10896825B2 (en) | 2017-03-03 | 2021-01-19 | Toshiba Memory Corporation | Mold |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040817 |