JP2000311909A - 樹脂封止半導体装置のモールド装置 - Google Patents
樹脂封止半導体装置のモールド装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体素子にモールドされた樹脂にボイドが
発生しない樹脂封止半導体装置のモールド装置を提案す
る。 【解決手段】 モールドすべき半導体素子２を収容する
キャビティ１１、キャビティ１１に樹脂３を注入する樹
脂注入ゲート１１ａ、キャビティ１１に連なる排気路１
１ｂを具備した下金型１０ａと、キャビティ１１と対向
する位置に、下金型を分離するためのエジェクターピン
１２を貫通するエジェクターピン貫通孔１３を具備した
上金型１０ｂとを備え、エジェクターピン貫通孔１３と
エジェクターピン１２との間に一定間隔の隙間を設け、
隙間を樹脂モールド時の排気路１４とする。
発生しない樹脂封止半導体装置のモールド装置を提案す
る。 【解決手段】 モールドすべき半導体素子２を収容する
キャビティ１１、キャビティ１１に樹脂３を注入する樹
脂注入ゲート１１ａ、キャビティ１１に連なる排気路１
１ｂを具備した下金型１０ａと、キャビティ１１と対向
する位置に、下金型を分離するためのエジェクターピン
１２を貫通するエジェクターピン貫通孔１３を具備した
上金型１０ｂとを備え、エジェクターピン貫通孔１３と
エジェクターピン１２との間に一定間隔の隙間を設け、
隙間を樹脂モールド時の排気路１４とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、樹脂封止半導体装
置のモールド装置に関する。
置のモールド装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】樹脂封止半導体装置の樹脂モールド方法
として、トランスファモールド法が広く知られている。
このモールド法は予めリードフレームに半導体素子をワ
イヤボンディングにより組み込んでおき、これを金型に
入れて、粉末状またはタブレット状のエポキシ樹脂など
の樹脂を温度と圧力をかけて溶融させ、粘度の低い状態
にして前記金型内に注入し、硬化させてモールドするも
のである。従来、複数の半導体素子を同時にモールドす
るために、半導体素子を個別に収容できるキャビティ及
びキャビティ間を樹脂の通路として繋ぐランナーで構成
された金型を備えたトラスファーモールド装置にてモー
ルドされる。
として、トランスファモールド法が広く知られている。
このモールド法は予めリードフレームに半導体素子をワ
イヤボンディングにより組み込んでおき、これを金型に
入れて、粉末状またはタブレット状のエポキシ樹脂など
の樹脂を温度と圧力をかけて溶融させ、粘度の低い状態
にして前記金型内に注入し、硬化させてモールドするも
のである。従来、複数の半導体素子を同時にモールドす
るために、半導体素子を個別に収容できるキャビティ及
びキャビティ間を樹脂の通路として繋ぐランナーで構成
された金型を備えたトラスファーモールド装置にてモー
ルドされる。
【０００３】図５の断面図にはリードフレーム１にダイ
ボンディングされ、半導体素子２がフラット型に樹脂３
でモールドされた半導体装置４を示している。リードフ
レーム１は、半導体素子２がダイボンディングされるダ
イステージ１ａ、インナーリード１ｂ、アウターリード
１ｃを備え、インナーリード１ｂとアウターリード１ｃ
の連結部１ｄは予め曲げ加工が施された形状となってい
る。
ボンディングされ、半導体素子２がフラット型に樹脂３
でモールドされた半導体装置４を示している。リードフ
レーム１は、半導体素子２がダイボンディングされるダ
イステージ１ａ、インナーリード１ｂ、アウターリード
１ｃを備え、インナーリード１ｂとアウターリード１ｃ
の連結部１ｄは予め曲げ加工が施された形状となってい
る。
【０００４】前記フラット型に樹脂モールドされた半導
体装置４を見ると、ダイステージ１ａにダイボンディン
グされ、インナーリード１ｂにワイヤ５にてワイヤボン
デングされた半導体素子２は、樹脂３内で浮いた位置に
あり、アウターリード１ｃが樹脂３の下面に沿って直線
的に出ている。
体装置４を見ると、ダイステージ１ａにダイボンディン
グされ、インナーリード１ｂにワイヤ５にてワイヤボン
デングされた半導体素子２は、樹脂３内で浮いた位置に
あり、アウターリード１ｃが樹脂３の下面に沿って直線
的に出ている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】前記リードフレーム１
の断面形状及びモールドされた半導体装置４を見ると、
半導体素子２の上下の樹脂量が等量になっていない。以
下、前記半導体装置４の従来のモールド装置を図３及び
図４に示す要部断面図を参照しながら問題点を説明す
る。
の断面形状及びモールドされた半導体装置４を見ると、
半導体素子２の上下の樹脂量が等量になっていない。以
下、前記半導体装置４の従来のモールド装置を図３及び
図４に示す要部断面図を参照しながら問題点を説明す
る。
【０００６】図３はモールド装置６のキャビティ７内に
リードフレーム１のインナーリード１ｂにワイヤ５にて
ワイヤボンディングされた半導体素子２が収容された要
部断面を示し、図４はモールド装置６のキャビティ７内
に樹脂３が注入されて半導体素子２がモールドされてい
る状態の要部断面を示している。図３に示すように、モ
ールド装置６は、下金型６ａと上金型６ｂを備え、下金
型６ａには半導体素子２を収容するキャビティ７が複数
格子状に配列されて形成されている。
リードフレーム１のインナーリード１ｂにワイヤ５にて
ワイヤボンディングされた半導体素子２が収容された要
部断面を示し、図４はモールド装置６のキャビティ７内
に樹脂３が注入されて半導体素子２がモールドされてい
る状態の要部断面を示している。図３に示すように、モ
ールド装置６は、下金型６ａと上金型６ｂを備え、下金
型６ａには半導体素子２を収容するキャビティ７が複数
格子状に配列されて形成されている。
【０００７】前記各キャビティ７は、注入される樹脂の
通路となるランナー（図示せず）に連結されている。キ
ャビティ７には樹脂を注入する樹脂注入ゲート７ａ、キ
ャビティ７内を排気する排気路７ｂを備えている。そし
て、リードフレーム１のアウターリード１ｃが上金型６
ｂと下金型６ａに挟まれてダイステージ１ａにダイボン
ディングされた半導体素子２がキャビティ７内で浮くよ
うに固定収容されている。
通路となるランナー（図示せず）に連結されている。キ
ャビティ７には樹脂を注入する樹脂注入ゲート７ａ、キ
ャビティ７内を排気する排気路７ｂを備えている。そし
て、リードフレーム１のアウターリード１ｃが上金型６
ｂと下金型６ａに挟まれてダイステージ１ａにダイボン
ディングされた半導体素子２がキャビティ７内で浮くよ
うに固定収容されている。
【０００８】このようにキャビティ７内に収容された半
導体素子２は、図４に示すように樹脂３が樹脂注入ゲー
ト７ａから矢印で示すようにキャビティ７内に注入され
てフラットにモールドされる。この時、半導体素子２及
びダイステージ１ａがキャビティ７内で上下非対称に浮
いているため、半導体素子２側のキャビティ容積がダイ
ステージ１ａ側のキャビティ容積よりも大きくなってい
る。そのため、キャビティ７内に注入される樹脂量もキ
ャビティ７内の半導体素子２の上下で異なってくる。
導体素子２は、図４に示すように樹脂３が樹脂注入ゲー
ト７ａから矢印で示すようにキャビティ７内に注入され
てフラットにモールドされる。この時、半導体素子２及
びダイステージ１ａがキャビティ７内で上下非対称に浮
いているため、半導体素子２側のキャビティ容積がダイ
ステージ１ａ側のキャビティ容積よりも大きくなってい
る。そのため、キャビティ７内に注入される樹脂量もキ
ャビティ７内の半導体素子２の上下で異なってくる。
【０００９】このため、注入される樹脂の充填早さが半
導体素子２の上下で異なり、早く充填された半導体素子
２側（図４の下側）のキャビティ部内に充填された樹脂
３ａが排気路７ｂを塞ぎ、充填早さが遅いダイステージ
１ａ側（図４の上側）のキャビティ部内の空気が排気路
７ｂから抜け切らない状態で残留し、該残留空気によっ
て、ダイステージ１ａ側に注入された樹脂３ｂにボイド
８が発生し、モールドの信頼性を損ねることになる。こ
のボイド８は、モールドが終了した半導体装置から外観
的に観察が可能である。
導体素子２の上下で異なり、早く充填された半導体素子
２側（図４の下側）のキャビティ部内に充填された樹脂
３ａが排気路７ｂを塞ぎ、充填早さが遅いダイステージ
１ａ側（図４の上側）のキャビティ部内の空気が排気路
７ｂから抜け切らない状態で残留し、該残留空気によっ
て、ダイステージ１ａ側に注入された樹脂３ｂにボイド
８が発生し、モールドの信頼性を損ねることになる。こ
のボイド８は、モールドが終了した半導体装置から外観
的に観察が可能である。
【００１０】本発明は、前記問題点に鑑み、前記ボイド
８が発生しない樹脂封止半導体装置のモールド装置を提
案するものである。
８が発生しない樹脂封止半導体装置のモールド装置を提
案するものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明樹脂封止半導体装
置のモールド装置は、モールドすべき半導体素子を収容
するキャビティ、前記キャビティに樹脂を注入する樹脂
注入ゲート、前記キャビティに連なる排気路を具備した
第１の金型（下金型）と、前記キャビティと対向する位
置に、前記第１の金型を分離するためのエジェクターピ
ンを貫通するエジェクターピン貫通孔を具備した第２の
金型（上金型）とを備え、前記エジェクターピン貫通孔
を樹脂モールド時の排気路とする。キャビティの上下で
の樹脂充填早さが異なって、前記キャビティに連なる排
気路が塞がっても、前記貫通孔から残留空気が排気され
る。
置のモールド装置は、モールドすべき半導体素子を収容
するキャビティ、前記キャビティに樹脂を注入する樹脂
注入ゲート、前記キャビティに連なる排気路を具備した
第１の金型（下金型）と、前記キャビティと対向する位
置に、前記第１の金型を分離するためのエジェクターピ
ンを貫通するエジェクターピン貫通孔を具備した第２の
金型（上金型）とを備え、前記エジェクターピン貫通孔
を樹脂モールド時の排気路とする。キャビティの上下で
の樹脂充填早さが異なって、前記キャビティに連なる排
気路が塞がっても、前記貫通孔から残留空気が排気され
る。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を、図１乃至
図２を参照しながら説明する。図１に示すように、モー
ルド装置１０は下金型１０ａ及び上金型１０ｂを備え、
下金型１０ｂにはモールドされる半導体素子２を収容す
るキャビティ１１が形成されている。そして、前記キャ
ビティ１１は、注入される樹脂の通路となるランナー
（図示せず）に連結されており、各キャビティには樹脂
を注入する樹脂注入ゲート１１ａ、キャビティ１１内を
排気する排気路１１ｂを備えている。上金型１０ｂが下
降するとアウターリード１ｃが上下金型に挟まれてダイ
ステージ１ａ及び半導体素子２がキャビティ１１内で浮
くように収容される。
図２を参照しながら説明する。図１に示すように、モー
ルド装置１０は下金型１０ａ及び上金型１０ｂを備え、
下金型１０ｂにはモールドされる半導体素子２を収容す
るキャビティ１１が形成されている。そして、前記キャ
ビティ１１は、注入される樹脂の通路となるランナー
（図示せず）に連結されており、各キャビティには樹脂
を注入する樹脂注入ゲート１１ａ、キャビティ１１内を
排気する排気路１１ｂを備えている。上金型１０ｂが下
降するとアウターリード１ｃが上下金型に挟まれてダイ
ステージ１ａ及び半導体素子２がキャビティ１１内で浮
くように収容される。
【００１３】前記上金型１０ｂには、モールド終了後、
上下金型を分離するために下金型１１を押し付けるエジ
ェクターピン１２が上金型１０ｂを貫通するようにエジ
ェクターピン貫通孔１３が設けられている。ここでエジ
ェクターピン１２と上金型１０ｂについて詳述すると、
エジェクターピン１２は、その直径がほぼ１ｍｍで、ピ
ンプレート（図示せず）により高さ制御されており、樹
脂モールド時に上金型１０ｂの下面から僅かに、例えば
０．０３ｍｍ突出させる。これによって半導体素子にモ
ールドされた樹脂に凸部が発生せず、実質的にフラット
に樹脂モールドされるので、半導体装置の基板実装時に
リード浮きをなくすることができる。
上下金型を分離するために下金型１１を押し付けるエジ
ェクターピン１２が上金型１０ｂを貫通するようにエジ
ェクターピン貫通孔１３が設けられている。ここでエジ
ェクターピン１２と上金型１０ｂについて詳述すると、
エジェクターピン１２は、その直径がほぼ１ｍｍで、ピ
ンプレート（図示せず）により高さ制御されており、樹
脂モールド時に上金型１０ｂの下面から僅かに、例えば
０．０３ｍｍ突出させる。これによって半導体素子にモ
ールドされた樹脂に凸部が発生せず、実質的にフラット
に樹脂モールドされるので、半導体装置の基板実装時に
リード浮きをなくすることができる。
【００１４】また、本発明の一実施の形態として、前記
エジェクターピン１２とエジェクターピン貫通孔１３の
内壁との間に、前記ボイド８（図４）の原因となる残留
空気をキャビティ１１の上部から排気できる排気路１４
を形成するように、前記エジェクターピン貫通孔１３の
内壁とエジェクターピン１２との間に１０〜３０μｍ程
度の隙間を設ける。
エジェクターピン１２とエジェクターピン貫通孔１３の
内壁との間に、前記ボイド８（図４）の原因となる残留
空気をキャビティ１１の上部から排気できる排気路１４
を形成するように、前記エジェクターピン貫通孔１３の
内壁とエジェクターピン１２との間に１０〜３０μｍ程
度の隙間を設ける。
【００１５】以下、前記モールド装置１０により前記ボ
イド８（図４）の発生しない半導体装置４（図５）のよ
うに樹脂モールドする方法を図１及び図２を参照しなが
ら説明する。図１に示すように、下金型１０ａと上金型
１０ｂが分離している状態でモールドすべき半導体素子
２を各キャビティ１１内に収容し、上金型１０ｂを下降
させてアウターリード１ｃを挟み、キャビティ１１内で
半導体素子２が浮くように固定する。
イド８（図４）の発生しない半導体装置４（図５）のよ
うに樹脂モールドする方法を図１及び図２を参照しなが
ら説明する。図１に示すように、下金型１０ａと上金型
１０ｂが分離している状態でモールドすべき半導体素子
２を各キャビティ１１内に収容し、上金型１０ｂを下降
させてアウターリード１ｃを挟み、キャビティ１１内で
半導体素子２が浮くように固定する。
【００１６】次に、図２に示すように樹脂注入ゲート１
１ａからキャビティ１３内に樹脂３を注入する。この
時、注入される樹脂３の充填早さが半導体素子２の上下
で異なり、早く充填された半導体素子２側（図２の下
側）のキャビティ部内に充填された樹脂３ａが排気路１
１ｂを塞ぎ、充填早さが遅いダイボンディング部側（図
２の上側）のキャビティ部内の空気が排気路１１ｂから
抜け切らない状態で残留しようとするが、エジェクター
ピン貫通孔１３とエジェクターピン１２との間に形成さ
れた隙間が排気路１４となって残留空気が排気され、注
入された樹脂にボイドが発生することがなくなる。
１ａからキャビティ１３内に樹脂３を注入する。この
時、注入される樹脂３の充填早さが半導体素子２の上下
で異なり、早く充填された半導体素子２側（図２の下
側）のキャビティ部内に充填された樹脂３ａが排気路１
１ｂを塞ぎ、充填早さが遅いダイボンディング部側（図
２の上側）のキャビティ部内の空気が排気路１１ｂから
抜け切らない状態で残留しようとするが、エジェクター
ピン貫通孔１３とエジェクターピン１２との間に形成さ
れた隙間が排気路１４となって残留空気が排気され、注
入された樹脂にボイドが発生することがなくなる。
【００１７】前記実施の形態では、モールドすべき半導
体素子を収容するキャビティ、キャビティに樹脂を注入
するゲート、キャビティに連なる排気路を具備した金型
を下金型とし、キャビティと対向する位置に、下金型を
分離するためのエジェクターピンを貫通するエジェクタ
ーピン貫通孔を具備した金型を上金型としたが、上下を
逆転して、モールドすべき半導体素子を収容するキャビ
ティ、キャビティに樹脂を注入するゲート、キャビティ
に連なる排気路を具備した金型を上金型とし、キャビテ
ィと対向する位置に、上金型を分離するためのエジェク
ターピンを貫通するエジェクターピン貫通孔を具備した
金型を下金型として実施することも可能である。
体素子を収容するキャビティ、キャビティに樹脂を注入
するゲート、キャビティに連なる排気路を具備した金型
を下金型とし、キャビティと対向する位置に、下金型を
分離するためのエジェクターピンを貫通するエジェクタ
ーピン貫通孔を具備した金型を上金型としたが、上下を
逆転して、モールドすべき半導体素子を収容するキャビ
ティ、キャビティに樹脂を注入するゲート、キャビティ
に連なる排気路を具備した金型を上金型とし、キャビテ
ィと対向する位置に、上金型を分離するためのエジェク
ターピンを貫通するエジェクターピン貫通孔を具備した
金型を下金型として実施することも可能である。
【００１８】ところで、前記本発明の樹脂モールド装置
において、上金型１０ｂの表面は、成型される樹脂の製
品寸法精度を高めるために鏡面加工が施されている。ま
た、通常リードフレームの表面も平坦である。この鏡面
加工を施した上金型１０ｂを備えたモールド装置で半導
体素子を樹脂モールドすると、前記ボイドの発生を防止
できるが、前記排気路１１ｂの位置が固定されて局所的
であるため、残留空気の排気が十分でないことがあり、
図６に示すように、モールド樹脂の表面、特にアウター
リード１ｃ間に位置する樹脂３ｂの表面にしわ１５が発
生することが分かった。このしわ１５は、リードが高密
度化すると封止効果を低減させ、視覚的に見ても良い印
象を与えないことになる。
において、上金型１０ｂの表面は、成型される樹脂の製
品寸法精度を高めるために鏡面加工が施されている。ま
た、通常リードフレームの表面も平坦である。この鏡面
加工を施した上金型１０ｂを備えたモールド装置で半導
体素子を樹脂モールドすると、前記ボイドの発生を防止
できるが、前記排気路１１ｂの位置が固定されて局所的
であるため、残留空気の排気が十分でないことがあり、
図６に示すように、モールド樹脂の表面、特にアウター
リード１ｃ間に位置する樹脂３ｂの表面にしわ１５が発
生することが分かった。このしわ１５は、リードが高密
度化すると封止効果を低減させ、視覚的に見ても良い印
象を与えないことになる。
【００１９】そこで、前記本発明の樹脂モールド装置の
第２の金型の内面、つまり上金型１０ｂの内壁面に梨地
加工を施す。これによって、上金型１０ｂの梨地表面と
該梨図表面と接するリードフレーム及び注入された樹脂
との間に微小な隙間ができて残留空気を拡散・排気する
ことが可能となり、実際に実施した結果、前記しわ１５
の発生が見られなかった。
第２の金型の内面、つまり上金型１０ｂの内壁面に梨地
加工を施す。これによって、上金型１０ｂの梨地表面と
該梨図表面と接するリードフレーム及び注入された樹脂
との間に微小な隙間ができて残留空気を拡散・排気する
ことが可能となり、実際に実施した結果、前記しわ１５
の発生が見られなかった。
【００２０】
【発明の効果】本発明は、前記のように残留空気を排気
できるから、キャビティ全体に樹脂を均一且つ高密度に
充填でき、ボイドによるモールドの不良が低減し、樹脂
封止半導体装置の信頼性が向上する。
できるから、キャビティ全体に樹脂を均一且つ高密度に
充填でき、ボイドによるモールドの不良が低減し、樹脂
封止半導体装置の信頼性が向上する。
【図１】本発明モールド装置の実施の形態の要部断面図
である。
である。
【図２】本発明モールド装置の実施の形態の樹脂注入時
の要部断面図である。
の要部断面図である。
【図３】従来のモールド装置の要部断面図である。
【図４】従来のモールド装置の樹脂注入時の要部断面図
である。
である。
【図５】樹脂封止半導体装置の断面図である。
【図６】樹脂封止半導体装置の樹脂の表面に発生するし
わの説明図である。
わの説明図である。
２・・半導体素子 １０・・モールド装置 １０ａ・・
下金型 １０ｂ・・上金型 １１・・キャビティ １２
・・エジェクターピン １３・・エジェクターピン貫通
孔 １４排気路 １５・・モールド樹脂表面に発生した
しわ
下金型 １０ｂ・・上金型 １１・・キャビティ １２
・・エジェクターピン １３・・エジェクターピン貫通
孔 １４排気路 １５・・モールド樹脂表面に発生した
しわ
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１１年９月９日（１９９９．９．９）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１９】そこで、前記本発明の樹脂モールド装置の
第２の金型の内面、つまり上金型１０ｂの内壁面に梨地
加工を施す。これによって、上金型１０ｂの梨地表面と
該梨地表面と接するリードフレーム及び注入された樹脂
との間に微小な隙間ができて残留空気を拡散・排気する
ことが可能となり、実際に実施した結果、前記しわ１５
の発生が見られなかった。
第２の金型の内面、つまり上金型１０ｂの内壁面に梨地
加工を施す。これによって、上金型１０ｂの梨地表面と
該梨地表面と接するリードフレーム及び注入された樹脂
との間に微小な隙間ができて残留空気を拡散・排気する
ことが可能となり、実際に実施した結果、前記しわ１５
の発生が見られなかった。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｂ２９Ｃ 45/40 Ｂ２９Ｃ 45/40 // Ｂ２９Ｌ 31:34
Claims (5)
- 【請求項１】 モールドすべき半導体素子を収容するキ
ャビティ、前記キャビティに樹脂を注入する樹脂注入ゲ
ート、前記キャビティに連なる排気路を具備した第１の
金型と、 前記キャビティと対向する位置に、前記第１の金型を分
離するためのエジェクターピンを貫通するエジェクター
ピン貫通孔を具備した第２の金型とを備えた樹脂封止半
導体装置のモールド装置において、 前記エジェクターピン貫通孔を樹脂モールド時の排気路
としたことを特徴とする樹脂封止半導体装置のモールド
装置。 - 【請求項２】 モールドすべき半導体素子を収容するキ
ャビティ、前記キャビティに樹脂を注入する樹脂注入ゲ
ート、前記キャビティに連なる排気路を具備した第１の
金型と、 前記キャビティと対向する位置に、前記第１の金型を分
離するためのエジェクターピンを貫通するエジェクター
ピン貫通孔を具備した第２の金型とを備えた樹脂封止半
導体装置のモールド装置において、 前記エジェクターピン貫通孔と前記エジェクターピンと
の間に一定間隔の隙間を設け、該隙間を樹脂モールド時
の排気路としたことを特徴とする樹脂封止半導体装置の
モールド装置。 - 【請求項３】 樹脂モールド時に、前記キャビティに収
容された半導体素子の第２の金型側キャビティ部に充填
される樹脂量が半導体素子の第１の金型側キャビティ部
に充填される樹脂量よりも少ないことを特徴とする請求
項１又は２の樹脂封止半導体装置のモールド装置。 - 【請求項４】 樹脂モールド時に、前記エジェクターピ
ンが前記エジェクターピン貫通孔から僅かに突出してい
ることを特徴とする請求項１、２又は３の樹脂封止半導
体装置のモールド装置。 - 【請求項５】 前記第２の金型の表面に梨地加工を施し
たことを特徴とする請求項１又は２の樹脂封止半導体装
置のモールド装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11254518A JP2000311909A (ja) | 1999-02-24 | 1999-09-08 | 樹脂封止半導体装置のモールド装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11-45854 | 1999-02-24 | ||
| JP4585499 | 1999-02-24 | ||
| JP11254518A JP2000311909A (ja) | 1999-02-24 | 1999-09-08 | 樹脂封止半導体装置のモールド装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000311909A true JP2000311909A (ja) | 2000-11-07 |
Family
ID=26385946
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11254518A Pending JP2000311909A (ja) | 1999-02-24 | 1999-09-08 | 樹脂封止半導体装置のモールド装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000311909A (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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- 1999-09-08 JP JP11254518A patent/JP2000311909A/ja active Pending
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