JPH04206840A - 樹脂封止型半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は樹脂封止型薄型半導体装置の製造方法に関する
ものである。

〔従来の技術〕

第５図は従来の樹脂封止型半導体装置の樹脂封止状態を
示す断面図で、図において、（１）は半導体素子、（２
）は半導体素子（１）を載置するダイパッド、（３）は
金線、（４）は下金型、（５）はリードフレーム、（６
）は上金型、（７）はゲー１−　、（８）はモールド樹
脂、（９）は上金型（８）と下金型（６）とて構成され
る空間であるキャビティである。

次に動作について説明する。

半導体素子（１）を載置したクイバラ）・（２）と半導
体素子（１）とり−１−゛を金線（３）で電気的にコノ
タクトをとったワイヤボンド完了済のリードフレーム（
５）を下金型（４）上に載置する。次に、」−金型（６
）と下金型（４）を一定圧力でクラップする。これによ
り、モールド樹脂の鋳型となるキャビチーｔ　（９１及
びキャビティ（９）へモールド樹脂が注入されろ通路と
なるゲート（７）が成形される。ここで組立完了後の樹
脂到ｄ−。

型半導体装置の膜厚もキャビティ（９）厚さも同しにな
る様に設計されている。次に、溶融したモールド樹脂（
８）をゲー１−　（７］を通して、キャビティ（９）内
へ注入する。ゲー１−　（７）を通過したモールド樹脂
（８）は半導体素子（１）、ダイパッド（２）を中心と
した上下に分れて注入され、最終的にキャビティ（９）
がモール）・ａ　１１旨（８）により完全に充てんされ
た時点て注入が完了し固化する。

［発明が解決しようとする課題］ 従来の樹脂封止型半導体装置（以下丁）バソチーぐンと
ずろ）は以上の様に構成されていたので、モールド樹脂
のキャビデイ厚のＦＭ、動挙！肋は流路の厚さに依存し
て変化し、厚みが狭い程流れにくくなり、従って仮に半
導体素子厚０．４０ｍｍグイバット厚０．１Ｏｎ＋ｏビ
Ｃ１キャビティ１１７１．０Ｏｎｕｎと２．００ｍｍの
場合を考えると、素子をはさ／しての片側の流路比は、
（］、］００−、−０．４０−０．１０　／　２：　　
（２，００−、、，０，４０−０，１０）　／　２−０
．２５：　　１．５０となり、キャビデイ厚さ比以上に
影響を受は易く、注入圧力も高くなる。したがって、丁
）パソ）１＝−ジが薄いと、モールド４聞１月Ｈのン主
人バラノスがくずれ易く、この注入バランスがくずれろ
と金線、フし・−ムの変形きたす等の問題点があった。

本発明は上記のような問題点を解決するためになされた
もので、モールド樹脂の注入バランスの良好な樹脂封止
型半導体装置の製造方法を得ることを目的とする。

〔課題を解決するための手段〕

本発明に係る樹脂封止型半導体装置の製造方法は、半導
体装置を１−ラノスフγ−成型法により製造する方法に
おいて、キャビティー内にり一トフレームを設置した後
、所望の半導体装置容積よりも大きなキャビティーを形
成する位置で一旦型締めを停止し、溶融した成形樹脂を
注入し、成形樹脂のゲル化が完了しない内に、再度所望
のキャビティ容積まで型締め（ツな後、成形樹脂が固化
し、型開きを行なった後、成形体を取り出すようにした
ものである。

〔作用〕

本は発明における樹脂封止型′−１″導体装置の製造方
法は、リー■パフレームに登載されノー半導体素子が設
置される上金型と下金型で形成されるキャビティーと、
溶融した樹脂を注入ずろゲートとから構成される」二型
又は下型には、キャビティの厚りを変える為の、摺動ブ
ロックが設けられており、キャビ’５−　（−の厚めを
検知する為のセンサーが任意の位置に設けられて、樹脂
の注入バランスを良好にする。

〔実施例〕

以下、本発明の一実施例を図について説明する。

第１図〜第４図は本発明の−・実施例である樹脂封止型
半導体装置の製造工程の断面図である。

図において、（１）は＞ｌ’導体素子、（２）はダイパ
ッド、（３）は金線、（４）は下金型、（５）はリード
フレーム、（６）は上金型、（７）はチー）１、（８）
はモールド樹脂、（９１Ｉｉキャビティ、（１７）ｌ；
１：摺動ブロック、（１８）はセンサーである。

次に製造工程について図に従って説明ずろ。

まず第１図に示すように、下金型（４）に半導体素子（
１）が登載されたリードフ１．・−ム（５）を設置する
。

続いて第２図に示すように上金型（６）が所定の位置ま
で下降し、中間停止させる。中間停止位置を検出するの
は−Ｌ金型（６）のストローつて決めても良いが、望ま
しくは、金型バーチ、ｒング面等に、クッヂセノ→ｔ−
（１８）あるいは光学センツー（図示せず）を設けるの
が良い。

続いて第３図に示すようにチー１−　（７］より溶融し
たモールド樹脂（８）がキャビティ（９）に注入される
。

この時点てはモー）Ｌド樹脂（８）のゲル化は完結して
いない。

溶融樹脂がキャビチーｒ　（９ｉ内に所定量注入し終っ
たら、第４図に示すように下金型（４）に設けられた摺
動ブロック（１７）を押し上げながら、所定のキャビテ
ィ容積まで型締めをする。摺動ブロック（１７）はエヤ
ーダレパー、油圧クツパー等で摺動可能な様にすれば良
く、上型、下型どちらかあるいは上下型共に設けられて
いてもよい。

次に、型締めを完了し、Ｐパッケージの所定容積になる
第４図。上金型（６）が下降し始めたら、モールド樹脂
（８）はゲル化を開始し始めていている方がサイクルタ
イムを考慮すると望ましい。

固化が完了したら型開きを行ないＰパッケージを取り出
して成形が完了ずろ。

〔発明の効果〕

以上の様に本発明によれば、所望の半導体装置容積より
も大きなキャビティに溶融樹脂を注入し、続いて型締め
して成形を完了するので、金線やり−ｌフレー“ムの変
形がないモールド樹脂の注入バランスの良い（憂れた薄
型半導体装置が得られる効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図〜第４図は本発明の一実施例である樹脂封止型半
導体装置の製造工程を示す断面図、第５図１よ従来の樹
脂封止型半導体装置の樹Ｈｎ封止状態を示す断面図であ
る。 １　半導体素子、２　タイパシ）・、３　金線、４　下
金型、５　リートフｌ／−ム、６　上金型、７　ゲート
、８　モールド樹脂、９　キャビティ、１７　　摺動ブ
「１ツク、１８　　センサー。 なお、図中、同一符号は同一、または相当部分を示す。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　半導体装置をトランスファー成型法により製造する方
   法において、キャビティー内にリードフレームを設置し
   た後、所望の半導体装置容積よりも大きなキャビティー
   を形成する位置で一旦型締めを停止し溶融した成形樹脂
   を注入する工程と、溶融した成形樹脂のゲル化が完了し
   ない内に再度所望のギャビティ容積まで型締めした後、
   成形樹脂が固化し、型開きを行なった後、成形体を取り
   出す工程を備えたことを特徴とする樹脂封止型半導体装
   置の製造方法。