JP2787907B2 - 半導体装置用樹脂封止金型 - Google Patents
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Description
ードフレームに搭載されワイヤリングされた構成体を樹
脂封止する半導体装置用樹脂封止金型に関する。
ト配線板への実装の高密度化や軽量短小化に伴ないパッ
ケージの薄型化が要求されるようになった。このような
薄いパッケージに成形するには種々の問題があった。
郭体を成形するキャビティへ溶融樹脂を注入するゲート
は下型に形成されているので、樹脂注入時の注入圧によ
るキャビテイ内の半導体チップが上側に押され半導体チ
ップが傾いて樹脂封止され、半導体チップを含む構成体
の一部がパッケージより露出したり、露出しないまでも
内部のワイヤを曲げ隣接するワイヤが短絡したり上述し
た種々の問題を起していた。
置用樹脂封止金型の一例を示す下型の部分平面図および
型閉めされた状態の主要部の断面図である。かかる問題
を解消するために、種々の金型が提案されている。例え
ば、特開平2一9142号に開示されている。この金型
は、図3に示すように、従来、設けられている下型13
のゲート13a以外に、上型12にもゲート13bを設
け、このゲート13bから溶融樹脂がキャビティ11内
に常時途切れなく円滑に注入されるように、ランナ17
から供給されリードフレーム22の穴23を経て供給さ
れる溶融樹脂を一時的に蓄える樹脂溜まり部15を形成
している金型であった。
ト13a,13bを設けることにより、矢印に示すよう
に、半導体チップ21の上下面に与える溶融樹脂の注入
圧を均等にし、半導体チップ21の傾きやワイヤの短絡
あるいはリードフレーム22の曲りなどを防止する。
装置のパッケージ体の樹脂ばりを除去する過程を説明す
るための図である。上述した金型により、半導体チップ
を搭載したリードフレームを樹脂封止した後は、図4
(a)に示すように、キャビティにより成形されたパッ
ケージ体20と、ランナからゲートに至る湯通部で成形
されるランナ部樹脂ばり24と、上型のゲートと樹脂溜
まり部とで成形される溜まり部樹脂ばり25とが繋がっ
た状態になる。金型より樹脂封止体を取外すとき、図4
(b)に示すように、ランナ部樹脂ばり24はゲートの
ところから折れパッケージ体20より外れ、溜まり部樹
脂ばり25をリードフレーム22に乗せた状態で次工程
へ送っていた。
のタイバ切断工程に送られたパッケージ体23の溜まり
部樹脂ばり25がリードフレームのタイバ側に移動し、
切断金型のポンチと衝突しポンチが折れたり、隣接する
リードに傷をつけたりする問題点があった。
いように成形したらこの問題を解消するではないかの発
想のもとに、図4(c)に示すように、ランナ部樹脂ば
り24の一部を溜まり部樹脂ばり25に被着させ、樹脂
残り26を形成し溜まり部樹脂ばり25が固定されるよ
うに金型の改造を試みた。すなわち、図3(b)の点線
で示すように、樹脂溜まり部15の惻壁に対応するラン
ナ17に突起16を設け第2のゲートとした。そして、
樹脂封止後に、溜まり部樹脂ばり25を樹脂残り26で
固定し一体となった樹脂ばりを取除くように図った。
新たな問題が生じた。それは下型よりパッケージ体を離
型する際、突起16のゲート側の窪み部分に被着する樹
脂残りの型離れが悪く連続した封止作業が困難になると
いう問題である。また、下型の突起部の窪み部分に残っ
た樹脂を除去するのに、この突起が邪魔になるだけでは
なく、表面が研磨されたランナの面に傷をつけないよう
に真鋳等の柔かい材質の除去用治工具等を用いても、残
留した樹脂を下金型より除去する多大な工数を浪費する
という問題もあった。
離する際、所望する位置で分離されず、ランナの樹脂ば
り24の長さが長くなり、封止以降の工程で使用する金
型にて樹脂を噛み込み金型を破損させるという問題があ
った。
不具合をもたらす樹脂ばりを発生させることなく連続的
に安定して封止動作ができる半導体装置用樹脂封止金型
を提供することである。
フレームに搭載された半導体チップを覆う第1の窪みと
前記リードフレームの穴を経て流れ込む前記溶融樹脂が
停留するとともに前記穴より窪みの開口が稍大きめの樹
脂溜まり室と該樹脂溜まり室から前記第1の窪みに前記
溶融樹脂が注入される第1のゲートとが形成される上型
と、この上型の前記第1の窪みと対応し半導体装置の外
郭を成形する第2の窪みと該第2の窪みに前記溶融樹脂
を注入する第2のゲートとが形成されるとともに溶融樹
脂源からランナを経て前記第2のゲートに向って伸びる
溶融樹脂流路途中で前記上型面に向け立ち上り前記ラン
ナ側の前記溶融樹脂溜まり室の内壁近くから前記第2の
ゲートまでが平坦であってかつこの平坦な溶融樹脂流路
の長さが前記穴よりやや長く形成されている下型とを備
える半導体装置用樹脂封止金型である。
ランナの幅より狭くくびれるように連なることが望まし
い。
して説明する。
の形態の半導体装置用樹脂封止金型を説明するための主
要部の断面図および樹脂封止後のパッケージの状態を示
す図である。この半導体装置用樹脂封止金型は、図1
(a)に示すように、下型7の樹脂供給源から上型の樹
脂溜まり部4に向って立ち上る段差8をランナ5に形成
し樹脂溜まり部4に連通する流路9の狭い口1を設けた
ことである。それ以外は前述した従来例と同じである。
流れの速度が穴23を通し樹脂溜まり部4を経てゲート
2bに流れ込む速度と等しくなるように狭くしてある。
勿論、この狭い口1の開口面積は、溶融樹脂の流れが円
滑になるように、ゲート2aの開口面積と略同じか大く
してある。また、この流路9を狭くすることにより、型
開きしてパッケージ体を取り出すときに、流路9にある
体積の小さい溶融樹脂がいち早く硬化され狭い口1付近
で折れ易くする狙いもある。さらに、流路9および樹脂
溜まり部4は、樹脂が離型し易いように、ステンレス鋼
に硬質クロムメッキを施すことが望ましい。
脂ばりがリードフレームに固定されるように、ケート2
aから狭い口1の間の距離Yは穴23より若干大きくす
る必要がある。しかし、あまり大きくすると溶融樹脂の
流れの抵抗になり、パッケージ本体内に気泡や樹脂残り
の発生などの新たな問題を起す恐れがあるので、樹脂溜
まり部4の側壁と略同じ程度で良い。経験的には、金型
の大小にかかわらず、1.8mmから2mm程度が良
い。
の樹脂封止動作を説明する。まず、予じめ半導体チップ
21が搭載されワイヤリングされたリードフレーム22
の構成体を金型のステージに搬送され、型開きされた下
型7のキャビティを形成する窪みに半導体チップ21が
入るように載置する。次に、図1(a)に示すように、
型締めし上型6と下型7とでリードフレーム22を挟持
し、加熱溶融された樹脂がランナ5に流れ供給される。
ち上り、狭い口1から入り流路9を通じてゲート2aか
らキャビティ3に入り込むと同時に、リードフレーム2
2の穴23を通じて樹脂溜まり部4を経てキャビティ2
bを通じキャビティ3に入り込む。このとき、流路9は
狭いので、多くの溶融樹脂は穴23を通し樹脂溜まり部
4に流れ込み遅れがあるものの、ゲート2a,2bから
注入される溶融樹脂の圧力は略同じになり、半導体チッ
プ21は安定した状態を保つ。
溶融樹脂圧でキャビテイ3内に残留するガスは、ベント
部から外部に押し出される。そして、溶融樹脂は硬化さ
れた後、型開きし、半導体チップが封入された樹脂パッ
ケージ体を取出す。このとき、下型7の狭い口1付近で
折れ、図1(b)に示すような状態で取出される。
a,2bに対応する溜まり部樹脂ばり25と樹脂残り2
6aは、リードフレーム22の穴23を通しリベット止
めのように互にリードフレーム22に固定されている。
5は、タイバ切断金型によっても動くことなく、吊りピ
ンとともに樹脂残り26aを伴ない切断分離される。ま
た、段差8は滑らかな表面をもっているので、封止作業
中に流路9に樹脂が残留しても、真鋳等の材質よりでき
ている除去用治工具で簡単に除去できる。
装置用樹脂封止金型の変形例を説明するための下型の部
分平面図である。この半導体装置用樹脂封止金型は、図
2に示すように、上型の窪みと窪み18とで形成される
キャビティに溶融樹脂が注入されるゲート14と連なる
流路10の横方向を絞るために、下型のランナ5に平面
くびれ部19を設けたことである。ゲート14と狭い口
11の流路10の長さは前述の実施の形態と同じであ
る。狭い口11の開口面積が同じになるように幅を狭く
してある。そして、その分だけ流路10の深さは深くし
てある。
欠き効果がより発揮され、前述の実施の形態の場合に比
べ、図1(b)の樹脂残りの長さのばらつきがより少な
くなり、0.04mm以内に留めることができた。
レームの穴を経て供給される溶融樹脂を停留させる上型
の樹脂溜まり室と対向し前記穴より長くゲートと略同じ
かやや大きい開口面積をもつ流路を下型のランナの立上
り段差上に設け、必要に応じて流路の幅をランナよりく
びらせることや型離れし易いように表面処理を施すこと
によって、樹脂封止後に封入材を金型より取外す際に、
金型内に残る樹脂部材が少なくて済みしかも容易に除去
できることから連続的に樹脂封止動作できるという効果
がある。
よる樹脂ばりは、流路で形成された樹脂残りであたかも
リベットで固定されたようにリードフレームに固定され
るので、タイバ切断時の前や搬送によって前記樹脂ばり
が移動しないので、樹脂ばりの移動による後工程の処理
装置の不具合を発生させることが無くなるという効果が
ある。
金型を説明するための主要部の断面図および樹脂封止後
のパッケージの状態を示す図である。
封止金型の変形例を説明するための下型の部分平面図で
ある。
下型の部分平面図および型閉めされた状態の主要部の断
面図である。
ばりを除去する過程を説明するための図である。
Claims (2)
- 【請求項1】 リードフレームに搭載された半導体チッ
プを覆う第1の窪みと前記リードフレームの穴を経て流
れ込む前記溶融樹脂が停留するとともに前記穴より窪み
の開口が稍大きめの樹脂溜まり室と該樹脂溜まり室から
前記第1の窪みに前記溶融樹脂が注入される第1のゲー
トとが形成される上型と、この上型の前記第1の窪みと
対応し半導体装置の外郭を成形する第2の窪みと該第2
の窪みに前記溶融樹脂を注入する第2のゲートとが形成
されるとともに溶融樹脂源からランナを経て前記第2の
ゲートに向って伸びる溶融樹脂流路途中で前記上型面に
向け立ち上り前記ランナ側の前記溶融樹脂溜まり室の内
壁近くから前記第2のゲートまでが平坦であってかつこ
の平坦な溶融樹脂流路の長さが前記穴よりやや長く形成
されている下型とを備えることを特徴とする半導体装置
用樹脂封止金型。 - 【請求項2】 前記平坦な溶融樹脂流路の幅が前記ラン
ナの幅より狭くくびれるように連なることを特徴とする
請求項1記載の半導体装置用樹脂封止金型。
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