JPH04180664A - 半導体装置用リードフレーム及びそれを用いた半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置用リードフレーム及びそれを用いた半導体装置の製造方法Info
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- JPH04180664A JPH04180664A JP30968490A JP30968490A JPH04180664A JP H04180664 A JPH04180664 A JP H04180664A JP 30968490 A JP30968490 A JP 30968490A JP 30968490 A JP30968490 A JP 30968490A JP H04180664 A JPH04180664 A JP H04180664A
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- resin
- semiconductor device
- gate
- gate runner
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 42
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 10
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 55
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 55
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 14
- 238000007789 sealing Methods 0.000 abstract description 17
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 abstract description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000007730 finishing process Methods 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置用リードフレーム及びそれを用いた
半導体装置の製造方法に関し、特に樹脂封止型の半導体
装置用リードフレーム及びそれを用いた半導体装置の製
造方法に関する。
半導体装置の製造方法に関し、特に樹脂封止型の半導体
装置用リードフレーム及びそれを用いた半導体装置の製
造方法に関する。
第7図は従来の樹脂封止後の半導体装置の一例の平面図
、第8図はその断面図である。
、第8図はその断面図である。
第7図及び第8図に示すように、従来の半導体装置用リ
ードフレーム(以下リードフレームと記す)1の樹脂を
封止する金型のゲートランナ部6に対応するフレーム枠
部2は、平坦で、樹脂封止は、封止金型のランナ部7か
らゲートランナ部6を経て、ゲート口8より封止金型の
キャビティ部に入り樹脂封止部5を形成する。ゲートラ
ンナ部樹脂10は、樹脂封止後、ゲートブレーク作業に
よってゲート口8の位置で折曲げられ、半導体装置から
分離される。
ードフレーム(以下リードフレームと記す)1の樹脂を
封止する金型のゲートランナ部6に対応するフレーム枠
部2は、平坦で、樹脂封止は、封止金型のランナ部7か
らゲートランナ部6を経て、ゲート口8より封止金型の
キャビティ部に入り樹脂封止部5を形成する。ゲートラ
ンナ部樹脂10は、樹脂封止後、ゲートブレーク作業に
よってゲート口8の位置で折曲げられ、半導体装置から
分離される。
上述した従来のリードフレーム及びそのリードフレーム
を用いた半導体装置の製造方法では、樹脂封止後の半導
体装置とゲートランナ部樹脂とを分離するゲートブレー
ク作業によってゲートランナ部樹脂が折曲げられフレー
ム部から分離されるがごその際、ゲート部のフレーム枠
部からゲートランナ部樹脂が部分的に剥されるためにゲ
ートランナ部樹脂の一部が半導体装置に残る。そのため
、モールド樹脂封止後の仕上工程において、−部残って
いたゲート部の樹脂が欠けてゲート部がえぐられたり、
アウタリード形状の異常を生じたりする原因となり、半
導体装1組立時の歩留と半導体装置の品質の低下の原因
となるという欠点がある。
を用いた半導体装置の製造方法では、樹脂封止後の半導
体装置とゲートランナ部樹脂とを分離するゲートブレー
ク作業によってゲートランナ部樹脂が折曲げられフレー
ム部から分離されるがごその際、ゲート部のフレーム枠
部からゲートランナ部樹脂が部分的に剥されるためにゲ
ートランナ部樹脂の一部が半導体装置に残る。そのため
、モールド樹脂封止後の仕上工程において、−部残って
いたゲート部の樹脂が欠けてゲート部がえぐられたり、
アウタリード形状の異常を生じたりする原因となり、半
導体装1組立時の歩留と半導体装置の品質の低下の原因
となるという欠点がある。
本発明の目的は、ゲート部の樹脂が欠けて、ゲート部が
えぐれたりアウタリード形状の異常を生ずることがなく
、半導体装置組立時の歩留と半導体装置の品質の高いリ
ードフレーム及びそれを用いた半導体装置の製造方法を
提供することにある。
えぐれたりアウタリード形状の異常を生ずることがなく
、半導体装置組立時の歩留と半導体装置の品質の高いリ
ードフレーム及びそれを用いた半導体装置の製造方法を
提供することにある。
本発明は、
1.11脂封止型の半導体装置用リードフレームにおい
て、樹脂封止する金型のゲートランナ部に対応するフレ
ーム枠部に少くとも1つの貫通孔が設けられている。
て、樹脂封止する金型のゲートランナ部に対応するフレ
ーム枠部に少くとも1つの貫通孔が設けられている。
2、請求項1記載の半導体装1用リードフレームを用い
た半導体装置の製造方法において、ゲートランナ部樹脂
をフレーム枠部先端から折るゲートブレーク作業工程と
、ゲートランナ部樹脂をフレーム枠部と同時に切断する
リード成形工程とを含んで構成されている。
た半導体装置の製造方法において、ゲートランナ部樹脂
をフレーム枠部先端から折るゲートブレーク作業工程と
、ゲートランナ部樹脂をフレーム枠部と同時に切断する
リード成形工程とを含んで構成されている。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第1図は本発明の第1の実施例の樹脂封止後の半導体装
置の平面図、第2図はその断面図、第3図は第2図の部
分拡大断面図である。
置の平面図、第2図はその断面図、第3図は第2図の部
分拡大断面図である。
第1の実施例は、第1図〜第3図に示すように、リード
フレーム1は、樹脂封止する金型のゲートランナ部6に
対応するフレーム枠部2に1つの貫通孔9aが設けられ
ている。
フレーム1は、樹脂封止する金型のゲートランナ部6に
対応するフレーム枠部2に1つの貫通孔9aが設けられ
ている。
このリードフレーム1を用いた半導体装置は、樹脂がラ
ンナ部7からゲートランナ部6を通って樹脂封止部5に
充填されることにより製造される。
ンナ部7からゲートランナ部6を通って樹脂封止部5に
充填されることにより製造される。
この時、ゲートランナ部樹脂10が貫通孔9aにも充填
され、グートラ2ンナ部10とリードフレーム1のフレ
ーム枠部2との密着性が向上する為、樹脂封止後の半導
体装置とゲートランナ部樹脂10とを分離するゲートブ
レーク作業の際に、ゲートランナ部樹脂10がフレーム
枠部2の先端部か−ら折れ易くなる。
され、グートラ2ンナ部10とリードフレーム1のフレ
ーム枠部2との密着性が向上する為、樹脂封止後の半導
体装置とゲートランナ部樹脂10とを分離するゲートブ
レーク作業の際に、ゲートランナ部樹脂10がフレーム
枠部2の先端部か−ら折れ易くなる。
また、この樹脂封止後のゲートランナ部樹脂10を後工
程のリード成形工程にてゲートランナ部樹脂10をフレ
ーム枠部2と同時に切り落すことにより、ゲートランナ
部樹脂10を半導体装置のゲート口8で分離することが
できる。
程のリード成形工程にてゲートランナ部樹脂10をフレ
ーム枠部2と同時に切り落すことにより、ゲートランナ
部樹脂10を半導体装置のゲート口8で分離することが
できる。
第4図は本発明の第2の実施例の樹脂封止後の半導体装
置の平面図、第5図はその断面図、第6図は第5図の部
分拡大断面図である。
置の平面図、第5図はその断面図、第6図は第5図の部
分拡大断面図である。
第2の実施例は、第4図〜第6図に示すように、ゲート
ランナ部樹脂10が2つの貫通孔9bに充填され、フレ
ーム枠部2とゲートランナ部樹脂10との密着性を、よ
り高めることができる。
ランナ部樹脂10が2つの貫通孔9bに充填され、フレ
ーム枠部2とゲートランナ部樹脂10との密着性を、よ
り高めることができる。
さらにゲートランナ部樹脂10にしぼり部11を設けて
いる為、ゲートランナ部樹脂10とリードフレーム1の
フレーム枠部2とを分離するゲートブレーク作業の際に
、ゲートランナ部樹脂10がこのしぼり部11で折れ易
くなり、ゲートランナ部樹脂10がゲート口8付近で折
れ難くできる効果がある。
いる為、ゲートランナ部樹脂10とリードフレーム1の
フレーム枠部2とを分離するゲートブレーク作業の際に
、ゲートランナ部樹脂10がこのしぼり部11で折れ易
くなり、ゲートランナ部樹脂10がゲート口8付近で折
れ難くできる効果がある。
第2の実施例は2つの貫通孔9bと、しぼり部を設けた
以外は、第1図〜第3図に示す第1の実施例と同じであ
る。
以外は、第1図〜第3図に示す第1の実施例と同じであ
る。
以上説明したように本発明は、リードフレームにおいて
、樹脂を封止するゲートランナ部に対応するフレーム枠
部に少くとも1つの貫通孔を設けることにより、該リー
ドフレームのフレーム枠部とゲートランナ部樹脂との密
着性を高め、ゲートブレーク作業の際にゲート口付近か
らゲートランナ部樹脂が折れないようにできる。
、樹脂を封止するゲートランナ部に対応するフレーム枠
部に少くとも1つの貫通孔を設けることにより、該リー
ドフレームのフレーム枠部とゲートランナ部樹脂との密
着性を高め、ゲートブレーク作業の際にゲート口付近か
らゲートランナ部樹脂が折れないようにできる。
さらに、該リードフレームを用いた半導体装置の製造方
法において、樹脂封止後のゲートランナ部樹脂をリード
フレームのフレーム枠部に残したまま後工程のリード成
形工程にて、該ゲートランナ部をフレーム枠部と同時に
切り落とすことにより、ゲートランナ部樹脂が途中で折
れることなくゲート口で切り落とされ、樹脂がゲート部
に残らずにゲートランナ部樹脂を切り落とすことができ
、半導体装置組立時の歩留と半導体装置の品質の向上を
促進できる効果がある。
法において、樹脂封止後のゲートランナ部樹脂をリード
フレームのフレーム枠部に残したまま後工程のリード成
形工程にて、該ゲートランナ部をフレーム枠部と同時に
切り落とすことにより、ゲートランナ部樹脂が途中で折
れることなくゲート口で切り落とされ、樹脂がゲート部
に残らずにゲートランナ部樹脂を切り落とすことができ
、半導体装置組立時の歩留と半導体装置の品質の向上を
促進できる効果がある。
第1図は本発明の第1の実施例の樹脂封止後の半導体装
置の平面図、第2図はその断面図、第3図は第2図の部
分拡大断面図、第4図は本発明の第2の実施例の樹脂封
止後の半導体装置の平面図、第5図はその断面図、第6
図は第5図の部分拡大断面図、第7図は従来の樹脂封止
後の半導体装置の一例の平面図、第8図はその断面図で
ある。 1・・・リードフレーム、2・・・フレーム枠部、3・
・・アイランド、4・・・半導体素子、5・・・樹脂封
止部、6・・・ゲートランナ部、7・・・ランナ部、8
・・・ゲート口、9a、9b・・・貫通孔、10・・・
ゲートランナ部樹脂、11・・・しぼり部。
置の平面図、第2図はその断面図、第3図は第2図の部
分拡大断面図、第4図は本発明の第2の実施例の樹脂封
止後の半導体装置の平面図、第5図はその断面図、第6
図は第5図の部分拡大断面図、第7図は従来の樹脂封止
後の半導体装置の一例の平面図、第8図はその断面図で
ある。 1・・・リードフレーム、2・・・フレーム枠部、3・
・・アイランド、4・・・半導体素子、5・・・樹脂封
止部、6・・・ゲートランナ部、7・・・ランナ部、8
・・・ゲート口、9a、9b・・・貫通孔、10・・・
ゲートランナ部樹脂、11・・・しぼり部。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、樹脂封止型の半導体装置用リードフレームにおいて
、樹脂封止する金型のゲートランナ部に対応するフレー
ム枠部に少くとも1つの貫通孔を設けたことを特徴とす
る半導体装置用リードフレーム。 2、請求項1記載の半導体装置用リードフレームを用い
た半導体装置の製造方法において、ゲートランナ部樹脂
をフレーム枠部先端から折るゲートブレーク作業工程と
、ゲートランナ部樹脂をフレーム枠部と同時に切断する
リード成形工程とを含むことを特徴とする半導体装置の
製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30968490A JPH04180664A (ja) | 1990-11-15 | 1990-11-15 | 半導体装置用リードフレーム及びそれを用いた半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30968490A JPH04180664A (ja) | 1990-11-15 | 1990-11-15 | 半導体装置用リードフレーム及びそれを用いた半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04180664A true JPH04180664A (ja) | 1992-06-26 |
Family
ID=17996036
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP30968490A Pending JPH04180664A (ja) | 1990-11-15 | 1990-11-15 | 半導体装置用リードフレーム及びそれを用いた半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04180664A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5766649A (en) * | 1995-12-15 | 1998-06-16 | Nec Corporation | Resin sealing mold die set with less resin remainder for semiconductor device |
CN104183507A (zh) * | 2013-05-27 | 2014-12-03 | 瑞萨电子株式会社 | 制造半导体器件的方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5559750A (en) * | 1978-10-27 | 1980-05-06 | Hitachi Ltd | Lead frame |
JPS58207660A (ja) * | 1982-05-28 | 1983-12-03 | Fujitsu Ltd | リ−ドフレ−ム |
-
1990
- 1990-11-15 JP JP30968490A patent/JPH04180664A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5559750A (en) * | 1978-10-27 | 1980-05-06 | Hitachi Ltd | Lead frame |
JPS58207660A (ja) * | 1982-05-28 | 1983-12-03 | Fujitsu Ltd | リ−ドフレ−ム |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5766649A (en) * | 1995-12-15 | 1998-06-16 | Nec Corporation | Resin sealing mold die set with less resin remainder for semiconductor device |
CN1077331C (zh) * | 1995-12-15 | 2002-01-02 | 日本电气株式会社 | 具有低量废留树脂的半导体器件树脂密封模具组 |
CN104183507A (zh) * | 2013-05-27 | 2014-12-03 | 瑞萨电子株式会社 | 制造半导体器件的方法 |
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