JPH08195464A - 樹脂封止型半導体装置の製造方法及びそれに用いるリードフレーム - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 モールド樹脂の漏れをなくし、フラッシュ
（樹脂バリ）が発生することのない樹脂封止型半導体装
置の製造方法及びそれに用いるリードフレームを提供す
る。 【構成】 ゲートからモールド樹脂を注入し、モールド
成形を行う樹脂封止型半導体装置の製造方法において、
前記ゲートの近傍のタイバー２に貫通穴３が形成された
リードフレーム４をセットし、モールド時にゲート口よ
り漏れるモールド樹脂６を前記貫通穴３に溜める。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、樹脂モールド成形によ
り製造される樹脂封止型半導体装置及びそれに用いるリ
ードフレームの構造に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、このような分野の技術としては、
例えば、特開昭６１−２５３８４４号公報に記載される
ものがあった。従来の樹脂封止型半導体装置の中でも、
４方向にアウターリードのあるものを“ＱＦＰ”（Ｑｕ
ａｄ Ｆｌａｔ Ｌ−Ｌｅａｄｅｄ Ｐａｃｋａｇｅ）
と呼んでいる。

【０００３】一般的に、そのような樹脂封止型半導体装
置のモールド成形を行う際にモールド樹脂を注入するゲ
ートは、半導体装置のコーナー部分に設けられている。
また、モールド成形を行うためのモールド金型のゲート
部（上型／下型）には、耐摩耗性に優れた“超硬”とい
われる鋼材を入れ駒として設置している。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来構成のモールド金型でモールド成形を行うと、入
れ駒の部分に熱膨張の違いにより、数μｍ〜＋数μｍの
嵌め込み段差が生じてしまい、ゲート近傍のタイバーに
沿って、モールド樹脂が漏れてしまい、フラッシュ（樹
脂バリ）となってまう。このフラッシュは、モールド後
のタイバーカット、リード先端カット、リード先端曲げ
時に一部脱落して、加工製品のリード部に付着したり、
半田メッキ工程にて、半田不着不良を起こし、品質の低
下を招くという問題点があった。

【０００５】本発明は、上記問題点を除去し、モールド
樹脂の漏れをなくし、フラッシュ（樹脂バリ）が発生す
ることのない樹脂封止型半導体装置の製造方法及びそれ
に用いるリードフレームを提供することを目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、 （Ａ）ゲートからモールド樹脂を注入し、モールド成形
を行う樹脂封止型半導体装置の製造方法において、前記
ゲートの近傍のタイバー（２）に貫通穴（３）が形成さ
れたリードフレーム（４）をセットし、モールド時にゲ
ート口より漏れるモールド樹脂（６）を前記貫通穴
（３）に溜めるようにしたものである。

【０００７】（Ｂ）上記（Ａ）記載の樹脂封止型半導体
装置の製造方法において、前記貫通穴（３）はプレス抜
きにより形成するようにしたものである。 （Ｃ）ゲートからモールド樹脂を注入し、モールド成形
を行う半導体装置の製造方法において、前記ゲートの近
傍のタイバー（１２）に窪み部（１３）が形成されたリ
ードフレーム（１４）をセットし、モールド時にゲート
口より漏れるモールド樹脂（１６）を前記窪み部（１
３）に溜めるようにしたものである。

【０００８】（Ｄ）上記（Ｃ）記載の樹脂封止型半導体
装置の製造方法において、前記窪み部（１３）はエッチ
ングにより形成するようにしたものである。 （Ｅ）ゲートからモールド樹脂を注入し、モールド成形
を行う樹脂封止型半導体装置のリードフレームにおい
て、前記ゲートの近傍のタイバー（２）に貫通穴（３）
を具備する。

【０００９】（Ｆ）ゲートからモールド樹脂を注入し、
モールド成形を行う樹脂封止型半導体装置のリードフレ
ームにおいて、前記ゲートの近傍のタイバー（１２）に
窪み部（１３）を具備する。

【００１０】

【作用】

（１）請求項１記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法
によれば、タイバー（２）を伝わって流れ出すモールド
樹脂（６）は、タイバー（２）に設けられた貫通穴
（３）に溜まり、モールド金型の熱により凝固する。従
って、ゲート近傍のタイバー（２）に発生していたフラ
ッシュは、貫通穴（３）が樹脂溜まりとなることにより
防ぐことができ、後工程のタイバー抜きにより、余剰タ
イバー部分（７）と共に完全に除去されるため、得られ
た樹脂封止型半導体装置のリード部に付着することを防
止することができると共に、半田不着不良の発生も防止
することができる。

【００１１】（２）請求項１記載の樹脂封止型半導体装
置の製造方法によれば、リードフレーム（４）として
は、プレスリードフレームを用い、貫通穴（３）はプレ
スにより、リードフレーム（４）の成形時に同時に簡単
に形成することができる。 （３）請求項３記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法
によれば、タイバー（１２）を伝わって流れ出すモール
ド樹脂（１６）は、タイバー（１２）に設けられた窪み
部（１３）に溜まり、モールド金型の熱により凝固す
る。従って、ゲート近傍のタイバー（１２）に発生して
いたフラッシュは、窪み部（１３）が樹脂溜まりとなる
ことにより防ぐことができ、後工程のタイバー抜きによ
り、余剰タイバー部分（１７）と共に完全に除去される
ため、加工製品のリード部に付着することを防止するこ
とができると共に、半田不着不良の発生も防止すること
ができる。

【００１２】（４）請求項４記載の樹脂封止型半導体装
置の製造方法によれば、リードフレーム（１４）として
は、エッチングリードフレームを用い、窪み部（１３）
はハーフエッチングにより、リードフレーム（１４）の
成形時に簡単に形成することができる。 （５）請求項５記載の樹脂封止型半導体装置のリードフ
レームによれば、ゲートの近傍のタイバー（２）に貫通
穴（３）を備えるだけで済み、コストに対する効果を向
上させることができる。

【００１３】（６）請求項６記載の樹脂封止型半導体装
置のリードフレームによれば、ゲートの近傍のタイバー
（１２）に窪み部（１３）を備えるだけで済み、コスト
に対する効果を向上させることができる。また、余剰タ
イバー部分（１７）は大半を残すことになり、タイバー
（１２）としての機能の低下も防ぐことができる。

【００１４】

【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
ながら説明する。図１は本発明の第１実施例を示すリー
ドフレームの部分平面図、図２は図１のＡ−Ａ線断面
図、図３はそのリードフレームのタイバーのカット部分
を示す平面図である。

【００１５】これらの図に示すように、モールド樹脂を
注入するゲートは、半導体装置９のコーナー部分に設け
られ、そのゲート部（上型／下型）には、モールド金型
の超硬の入れ駒１が設けられている。この実施例では、
モールド金型の超硬の入れ駒１とタイバー２の重なる部
分には貫通穴３が形成されている。なお、８はアウタリ
ードである。

【００１６】ここに示されるリードフレームは、「プレ
スリードフレーム」であり、貫通穴３は、フレーム成形
の際に、予め「プレス抜き」されている。モールド工程
でモールド樹脂を注入する際、超硬の入れ駒１とリード
フレーム４との間には、前述の通り、嵌め込み段差（数
μｍ〜＋数μｍ）が生じ、その隙間５から漏れたモール
ド樹脂６は、タイバー２に形成された貫通穴３に溜ま
る。つまり、この貫通穴３が“樹脂溜まり”となり、モ
ールド樹脂６の漏れを防ぐことができる。

【００１７】このように、タイバー２を伝わって流れ出
すモールド樹脂６は、タイバー２に設けられた貫通穴３
に溜まり、モールド金型の熱により凝固する。従って、
ゲート近傍のタイバー２に発生していたフラッシュは、
貫通穴３が樹脂溜まりとなることにより防ぐことがで
き、後工程のタイバー抜きにより、余剰タイバー部分７
と共に完全に除去されるため、得られた樹脂封止型半導
体装置のリード部に付着することを防止することができ
ると共に、半田不着不良の発生も防止することができ
る。

【００１８】また、リードフレーム４としては、プレス
リードフレームを用い、貫通穴３はプレスにより、リー
ドフレーム４の成形時に同時に簡単に形成することがで
きる。更に、リードフレーム４としては、ゲートの近傍
のタイバー２に貫通穴３を備えるだけで済み、それに伴
う格別のコストの上昇はなく、それに対して効果をあげ
ることができる。つまり、費用対効果の向上を図ること
ができる。

【００１９】図４は本発明の第２実施例を示すリードフ
レームの部分平面図、図５は図４のＢ−Ｂ線断面図、図
６はそのリードフレームのタイバーのカット部分を示す
平面図である。これらの図に示すように、モールド金型
の超硬の入れ駒１１とタイバー１２の重なる部分には、
窪み部（ハーフエッチング部）１３が形成されている。

【００２０】ここで示されるリードフレーム１４は、
「エッチングリードフレーム」を表し、窪み部１３は、
フレーム成形の際に、予め「ハーフエッチング」により
形成されるものである。また、１８はアウタリード、１
９は半導体装置である。モールド工程でモールド樹脂を
注入する際、超硬の入れ駒１１とリードフレーム１４と
の間には、前述の通り、嵌め込み段差（数μｍ〜＋数μ
ｍ）が生じ、その隙間１５から漏れたモールド樹脂１６
は、タイバー１２に形成された窪み部１３に溜まる。つ
まり、窪み部１３が“樹脂溜まり”となり、モールド樹
脂の漏れを防ぐことができる。

【００２１】このように、タイバー１２を伝わって流れ
出すモールド樹脂１６は、タイバー１２に設けられた窪
み部１３に溜まり、モールド金型の熱により凝固する。
従って、ゲート近傍のタイバー１２に発生していたフラ
ッシュは、窪み部１３が樹脂溜まりとなることにより防
ぐことができ、後工程のタイバー抜きにより、余剰タイ
バー部分１７と共に完全に除去されるため、加工製品の
リード部に付着することを防止することができると共
に、半田不着不良の発生も防止することができる。

【００２２】また、リードフレーム１４としては、エッ
チングリードフレームを用い、窪み部１３はハーフエッ
チングにより、リードフレーム１４の成形時に簡単に形
成することができる。更に、リードフレーム１４として
は、ゲートの近傍のタイバー１２に窪み部１３を備える
だけで済み、それに伴う格別のコストの上昇はなく、そ
れに対して効果をあげることができる。つまり、費用対
効果の向上を図ることができる。また、余剰タイバー部
分１７は大半を残すことになり、タイバーとしての機能
の低下も防ぐことができる。

【００２３】なお、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能
であり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。

【００２４】

【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、次のような効果を奏することができる。 （１）請求項１記載の発明によれば、タイバーを伝わっ
て流れ出すモールド樹脂は、タイバーに設けられた貫通
穴に溜まり、モールド金型の熱により凝固する。従っ
て、ゲート近傍のタイバーに発生していたフラッシュ
は、貫通穴が樹脂溜まりとなることにより防ぐことがで
き、後工程のタイバー抜きにより、余剰タイバー部分と
共に完全に除去されるため、得られた樹脂封止型半導体
装置のリード部に付着することを防止することができる
と共に、半田不着不良の発生も防止することができる。

【００２５】（２）請求項１記載の発明によれば、リー
ドフレームとしては、プレスリードフレームを用い、貫
通穴はプレスにより、リードフレームの成形時に簡単に
形成することができる。 （３）請求項３記載の発明によれば、タイバーを伝わっ
て流れ出すモールド樹脂は、タイバーに設けられた窪み
部に溜まり、モールド金型の熱により凝固する。従っ
て、ゲート近傍のタイバーに発生していたフラッシュ
は、窪み部が樹脂溜まりとなることにより防ぐことがで
き、後工程のタイバー抜きにより、余剰タイバー部分と
共に完全に除去されるため、加工製品のリード部に付着
することを防止することができると共に、半田不着不良
の発生も防止することができる。

【００２６】（４）請求項４記載の発明によれば、リー
ドフレームとしては、エッチングリードフレームを用
い、窪み部はハーフエッチングにより、リードフレーム
の成形時に簡単に形成することができる。 （５）請求項５記載の発明によれば、ゲートの近傍のタ
イバーに貫通穴を備えるだけで済み、それに伴う格別の
コストの上昇はなく、それにひきかえ効果をあげること
ができる。つまり、費用対効果の向上を図ることができ
る。

【００２７】（６）請求項６記載の発明によれば、ゲー
トの近傍のタイバーに窪み部を備えるだけで済み、それ
に伴う格別のコストの上昇はなく、それにひきかえ効果
を上げることができる。つまり、費用対効果の向上を図
ることができる。また、余剰タイバー部分は大半を残す
ことになり、タイバーとしての機能の低下も防ぐことが
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施例を示すリードフレームの部
分平面図である。

【図２】図１のＡ−Ａ線断面図である。

【図３】本発明の第１実施例を示すリードフレームのタ
イバーのカット部分を示す平面図である。

【図４】本発明の第２実施例を示すリードフレームの部
分平面図である。

【図５】図４のＢ−Ｂ線断面図である。

【図６】本発明の第２実施例を示すリードフレームのタ
イバーのカット部分を示す平面図である。

【符号の説明】

１，１１ 入れ駒 ２，１２ タイバー ３ 貫通穴（打ち抜き穴） ４，１４ リードフレーム ５，１５ 隙間 ６，１６ モールド樹脂 ７，１７ 余剰タイバー部分 ８，１８ アウタリード ９，１９ 半導体装置 １３ 窪み部（ハーフエッチング部）

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ゲートからモールド樹脂を注入し、モー
   ルド成形を行う樹脂封止型半導体装置の製造方法におい
   て、（ａ）前記ゲートの近傍のタイバーに貫通穴が形成
   されたリードフレームをセットし、（ｂ）モールド時に
   ゲート口より漏れるモールド樹脂を前記貫通穴に溜める
   ことを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
2. 【請求項２】 請求項１記載の樹脂封止型半導体装置の
   製造方法において、前記貫通穴はプレス抜きにより形成
   することを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方
   法。
3. 【請求項３】 ゲートからモールド樹脂を注入し、モー
   ルド成形を行う半導体装置の製造方法において、（ａ）
   前記ゲートの近傍のタイバーに窪み部が形成されたリー
   ドフレームをセットし、（ｂ）モールド時にゲート口よ
   り漏れるモールド樹脂を前記窪み部に溜めることを特徴
   とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
4. 【請求項４】 請求項３記載の樹脂封止型半導体装置の
   製造方法において、前記窪み部はエッチングにより形成
   することを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方
   法。
5. 【請求項５】 ゲートからモールド樹脂を注入し、モー
   ルド成形を行う樹脂封止型半導体装置のリードフレーム
   において、 前記ゲートの近傍のタイバーに貫通穴を有する樹脂封止
   型半導体装置のリードフレーム。
6. 【請求項６】 ゲートからモールド樹脂を注入し、モー
   ルド成形を行う樹脂封止型半導体装置のリードフレーム
   において、 前記ゲートの近傍のタイバーに窪み部を有する樹脂封止
   型半導体装置のリードフレーム。