JPH06196604A - リードフレームの製造方法 - Google Patents
リードフレームの製造方法Info
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- JPH06196604A JPH06196604A JP4344091A JP34409192A JPH06196604A JP H06196604 A JPH06196604 A JP H06196604A JP 4344091 A JP4344091 A JP 4344091A JP 34409192 A JP34409192 A JP 34409192A JP H06196604 A JPH06196604 A JP H06196604A
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- Japan
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- lead frame
- laser
- etching
- manufacturing
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- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
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- Laser Beam Processing (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】インナーリード部２以外の部分の成形をエッチ
ングで行う。その後、レーザ加工してインナーリード部
の切断加工や樹脂の流れを止めるタイバーの役割をする
補助のリードなどを設ける加工を行う。 【効果】多ピン化狭ピッチ化リードフレームの製造を可
能とし、ワイヤーボンディング性を向上させ、またイン
ナーリード部の加工精度を向上させることができる。そ
して、インナーリード部の形状を短時間で変更すること
が可能となる。又、補助のリードを設けることによりタ
イバーの切断工程を不要とし、タイバー切断時に発生し
ていたリードの切断不良をなくすことができる。
ングで行う。その後、レーザ加工してインナーリード部
の切断加工や樹脂の流れを止めるタイバーの役割をする
補助のリードなどを設ける加工を行う。 【効果】多ピン化狭ピッチ化リードフレームの製造を可
能とし、ワイヤーボンディング性を向上させ、またイン
ナーリード部の加工精度を向上させることができる。そ
して、インナーリード部の形状を短時間で変更すること
が可能となる。又、補助のリードを設けることによりタ
イバーの切断工程を不要とし、タイバー切断時に発生し
ていたリードの切断不良をなくすことができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はリードフレームの製造に
レーザ加工を用いることにより、エッチングやプレス加
工では困難となりつつある高精細で多ピン化等の微細加
工されたリードフレームの製造を可能にするものであ
る。
レーザ加工を用いることにより、エッチングやプレス加
工では困難となりつつある高精細で多ピン化等の微細加
工されたリードフレームの製造を可能にするものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】一般に、リードフレームの製造におい
て、リードフレームは金型を用いてプレスによる機械的
な打ち抜き加工あるいは、エッチングレジストならびに
エッチング液を用いたエッチングによる化学的な溶解作
用を用いた加工によって製造されている。
て、リードフレームは金型を用いてプレスによる機械的
な打ち抜き加工あるいは、エッチングレジストならびに
エッチング液を用いたエッチングによる化学的な溶解作
用を用いた加工によって製造されている。
【０００３】このほか、特開平４−３７４９３号公報に
おいて、金属板の加工をレーザ加工に先立ち、そのレー
ザ加工をする部位を予めハーフエッチングする技術が開
示されている。
おいて、金属板の加工をレーザ加工に先立ち、そのレー
ザ加工をする部位を予めハーフエッチングする技術が開
示されている。
【０００４】また、リードフレームは、それを用いた集
積回路実装後に樹脂封止されるが、そのときモールディ
ング時の樹脂流れを止めるタイバーを予め設けておき、
樹脂封止後にそのタイバーを金型を用いて切断されてい
る。
積回路実装後に樹脂封止されるが、そのときモールディ
ング時の樹脂流れを止めるタイバーを予め設けておき、
樹脂封止後にそのタイバーを金型を用いて切断されてい
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】昨今ＩＣ、ＬＳＩ等の
集積回路が急速に多機能化、高密度化する中で、従来の
半導体装置では必要とするリードフレームのピン数が急
速に増加し、さらに高精細化しリードピッチが狭まって
くることに伴い、エッチングやプレス加工ではリードフ
レームの製造が困難な状態となってきている。
集積回路が急速に多機能化、高密度化する中で、従来の
半導体装置では必要とするリードフレームのピン数が急
速に増加し、さらに高精細化しリードピッチが狭まって
くることに伴い、エッチングやプレス加工ではリードフ
レームの製造が困難な状態となってきている。
【０００６】また従来のエッチングによる加工では、イ
ンナーリード部の断面形状が先鋭化してしまうため、微
細化されたインナーリード部では集積回路実装時のワイ
ヤーボンディング性に悪影響を及ぼしている。
ンナーリード部の断面形状が先鋭化してしまうため、微
細化されたインナーリード部では集積回路実装時のワイ
ヤーボンディング性に悪影響を及ぼしている。
【０００７】特開平４−３７４９３号公報の開示技術で
は、レーザ加工をする部位がハーフエッチング部位に限
られる為に、機械的強度を要求される部位、例えばイン
ナーリード部の先端部や、全幅が要求される部位、例え
ば樹脂流れ止め部位にはこの技術を用いることができな
い。
は、レーザ加工をする部位がハーフエッチング部位に限
られる為に、機械的強度を要求される部位、例えばイン
ナーリード部の先端部や、全幅が要求される部位、例え
ば樹脂流れ止め部位にはこの技術を用いることができな
い。
【０００８】更に昨今ＩＣ、ＬＳＩ等の集積回路が急速
に多機能化、高密度化する中で、従来の半導体装置では
必要とするリードフレームのピン数が急速に増加し、さ
らに高精細化しリードピッチが狭まってくることに伴
い、タイバーの金型による切断は困難な状態となってき
ている。
に多機能化、高密度化する中で、従来の半導体装置では
必要とするリードフレームのピン数が急速に増加し、さ
らに高精細化しリードピッチが狭まってくることに伴
い、タイバーの金型による切断は困難な状態となってき
ている。
【０００９】また従来の金型による切断ではしばしばタ
イバーの切断のみならずリード部分まで切断してしまう
ことが発生している。これを解決するため、タイバーに
代わる補助リードを設けることも考えられるが、プレス
やエッチングでは、リードと補助リードの間隙が開くた
め、樹脂の流れの堰き止め効果が十分に発揮しえないも
のとなる。
イバーの切断のみならずリード部分まで切断してしまう
ことが発生している。これを解決するため、タイバーに
代わる補助リードを設けることも考えられるが、プレス
やエッチングでは、リードと補助リードの間隙が開くた
め、樹脂の流れの堰き止め効果が十分に発揮しえないも
のとなる。
【００１０】
【問題を解決するための手段】本発明は、上記のような
問題を解決するために成されたもので、その目的は多ピ
ン化、狭ピッチ化、そして高精細化されたリードフレー
ムの製造を可能とし、エッチングやプレスでは不可能と
思われるインナーリード部の微細化ならびに形状のリー
ドフレームを提供するものである。
問題を解決するために成されたもので、その目的は多ピ
ン化、狭ピッチ化、そして高精細化されたリードフレー
ムの製造を可能とし、エッチングやプレスでは不可能と
思われるインナーリード部の微細化ならびに形状のリー
ドフレームを提供するものである。
【００１１】前記課題を解決するために本発明が提供す
る手段は、具体的に請求項１の内容は、リードフレーム
の製造方法において、少なくとも微細間隙部以外をエッ
チングあるいは打ち抜きによって加工した後、微細間隙
部をレーザによって加工することを特徴としたリードフ
レームの製造方法を提供するものである。
る手段は、具体的に請求項１の内容は、リードフレーム
の製造方法において、少なくとも微細間隙部以外をエッ
チングあるいは打ち抜きによって加工した後、微細間隙
部をレーザによって加工することを特徴としたリードフ
レームの製造方法を提供するものである。
【００１２】請求項２の内容は、微細間隙部がインナー
リード部の先端部であることを特徴とした請求項１記載
のリードフレームの製造方法を提供するものである。
リード部の先端部であることを特徴とした請求項１記載
のリードフレームの製造方法を提供するものである。
【００１３】請求項３の内容は、レーザ加工の前におい
てインナーリード部の先端部の延長部を残しておき、レ
ーザ加工をインナーリード部の先端部に行ない、その後
インナーリード部の延長部をプレスによって切断するこ
とを特徴とした請求項１記載のリードフレームの製造方
法を提供するものである。
てインナーリード部の先端部の延長部を残しておき、レ
ーザ加工をインナーリード部の先端部に行ない、その後
インナーリード部の延長部をプレスによって切断するこ
とを特徴とした請求項１記載のリードフレームの製造方
法を提供するものである。
【００１４】請求項４の内容は、エッチングによって微
細間隙部以外を加工した後、微細間隙部をレーザによっ
て加工するリードフレームの製造方法において、エッチ
ングレジストをレーザ加工後に取り除くことを特徴とし
た請求項１記載のリードフレームの製造方法を提供する
ものである。
細間隙部以外を加工した後、微細間隙部をレーザによっ
て加工するリードフレームの製造方法において、エッチ
ングレジストをレーザ加工後に取り除くことを特徴とし
た請求項１記載のリードフレームの製造方法を提供する
ものである。
【００１５】請求項５の内容は、リードフレームのレー
ザ加工を行う部分に他の金属を形成したことを特徴とし
た請求項１記載のリードフレームの製造方法を提供する
ものである。
ザ加工を行う部分に他の金属を形成したことを特徴とし
た請求項１記載のリードフレームの製造方法を提供する
ものである。
【００１６】請求項６の内容は、レーザ加工にＹＡＧあ
るいはＣＯ2 レーザを用いた請求項１記載のリードフレ
ームの製造方法を提供するものである。
るいはＣＯ2 レーザを用いた請求項１記載のリードフレ
ームの製造方法を提供するものである。
【００１７】請求項７の内容は、微細間隙部が樹脂流れ
止め用補助リードとリードの間であることを特徴とした
請求項１記載のリードフレームの製造方法を提供するも
のである。
止め用補助リードとリードの間であることを特徴とした
請求項１記載のリードフレームの製造方法を提供するも
のである。
【００１８】
【作用】以上の発明の構成を採った結果、インナーリー
ド部の加工にレーザを用いることにより、微細加工が可
能となり、さらに短時間で比較的自由にインナーリード
部の形状の変更が可能となる作用もある。
ド部の加工にレーザを用いることにより、微細加工が可
能となり、さらに短時間で比較的自由にインナーリード
部の形状の変更が可能となる作用もある。
【００１９】レーザ加工におけるインナーリード部の加
工後に、請求項３に示した様にインナーリード部先端の
切断を最終段階に行うことにより、インナーリード部先
端の加工精度を上げることができ、さらにインナーリー
ド部の長さを変化させることにより集積回路実装時のワ
イヤーボンディング時におけるワイヤーのとり回しを容
易にすることができる。
工後に、請求項３に示した様にインナーリード部先端の
切断を最終段階に行うことにより、インナーリード部先
端の加工精度を上げることができ、さらにインナーリー
ド部の長さを変化させることにより集積回路実装時のワ
イヤーボンディング時におけるワイヤーのとり回しを容
易にすることができる。
【００２０】本発明のリードフレームの製造方法を用い
ることにより、従来のプレスやエッチングでは困難とな
りつつある多ピン化、狭ピッチ化されたリードフレーム
の製造を可能とし、さらに短時間でインナーリード部の
形状を変化させることが可能となる。
ることにより、従来のプレスやエッチングでは困難とな
りつつある多ピン化、狭ピッチ化されたリードフレーム
の製造を可能とし、さらに短時間でインナーリード部の
形状を変化させることが可能となる。
【００２１】また、インナーリード部の形状が、従来の
エッチングによるものとは異なり、先鋭化せずに矩形と
なるために集積回路実装時のワイヤーボンディング時に
悪影響を及ぼす事なく、良好なワイヤーボンディングが
可能となる。
エッチングによるものとは異なり、先鋭化せずに矩形と
なるために集積回路実装時のワイヤーボンディング時に
悪影響を及ぼす事なく、良好なワイヤーボンディングが
可能となる。
【００２２】また、インナーリード部のレーザ加工時に
先端部を最後に切断することにより、プレスによる切断
のように機械的な力を加える事なく、インナーリード部
の加工精度を向上することができる。
先端部を最後に切断することにより、プレスによる切断
のように機械的な力を加える事なく、インナーリード部
の加工精度を向上することができる。
【００２３】また、従来通りのプレスによる切断でもイ
ンナーリード部の加工精度を向上することができる。
ンナーリード部の加工精度を向上することができる。
【００２４】また、請求項７に関し、リード間に補助の
リードをレーザ加工によって設けることにより、半導体
装置製造における樹脂封止後のリード成形時に、樹脂の
流れを止めるタイバーの切断を必要とせず、アウターリ
ード部の切断時にタイバーの役割をしていた補助リード
も切り落とされるため、従来のタイバーの切断時に発生
していたリード切断を全く起こすことのないリードフレ
ームを提供することができる。また、タイバー切断工程
を必要としないため、半導体装置製造時間の短縮が可能
である。
リードをレーザ加工によって設けることにより、半導体
装置製造における樹脂封止後のリード成形時に、樹脂の
流れを止めるタイバーの切断を必要とせず、アウターリ
ード部の切断時にタイバーの役割をしていた補助リード
も切り落とされるため、従来のタイバーの切断時に発生
していたリード切断を全く起こすことのないリードフレ
ームを提供することができる。また、タイバー切断工程
を必要としないため、半導体装置製造時間の短縮が可能
である。
【００２５】補助リードの形成には、補助リード部分以
外を従来通りエッチングあるいはプレス加工によってリ
ードフレームを形成した後、補助リード部分をレーザー
を用いて加工することにより、エッチングやプレスでは
加工が困難であった補助リードの加工を可能としてい
る。従来技術とレーザー加工を併用することにより、レ
ーザ加工の加工速度を補うことができる。また、リード
フレーム全体の加工にレーザを用いても良い。このリー
ドフレームを使用することにより、樹脂封止時にも今ま
で使用されてきたリードフレームと同様に取り扱うこと
ができ、特に金型等の変更を必要としない。
外を従来通りエッチングあるいはプレス加工によってリ
ードフレームを形成した後、補助リード部分をレーザー
を用いて加工することにより、エッチングやプレスでは
加工が困難であった補助リードの加工を可能としてい
る。従来技術とレーザー加工を併用することにより、レ
ーザ加工の加工速度を補うことができる。また、リード
フレーム全体の加工にレーザを用いても良い。このリー
ドフレームを使用することにより、樹脂封止時にも今ま
で使用されてきたリードフレームと同様に取り扱うこと
ができ、特に金型等の変更を必要としない。
【００２６】
【実施例】（実施例１）以下、図面を参照して本発明を
さらに詳細に説明する。
さらに詳細に説明する。
【００２７】図１、図２は本発明に係わるリードフレー
ム製造方法の一実施例の平面図である。また、図３、図
４は各々リードフレームのエッチングによるリード断面
と同レーザ加工によるリード断面を示す断面図である。
はじめに従来通りエッチングによって図１のようにイン
ナーリード部２以外の部分の成形を行う。その後、ＹＡ
Ｇレーザ加工機（ＬＵ３００：日立建機株式会社製）を
用いてインナーリード部の切断加工を行うことにより、
多ピン化、狭ピッチ化されたリードフレームの製造を行
うことができた。また、従来のエッチングによるリード
形状図３とは異なり、レーザ加工では矩形化されたリー
ド断面形状図４が得られ、インナーリード部上面４をエ
ッチングによるリードよりレーザ加工では矩形化された
リードの方が広くとることが出来、ワイヤーボンディン
グ性の向上が見られた。
ム製造方法の一実施例の平面図である。また、図３、図
４は各々リードフレームのエッチングによるリード断面
と同レーザ加工によるリード断面を示す断面図である。
はじめに従来通りエッチングによって図１のようにイン
ナーリード部２以外の部分の成形を行う。その後、ＹＡ
Ｇレーザ加工機（ＬＵ３００：日立建機株式会社製）を
用いてインナーリード部の切断加工を行うことにより、
多ピン化、狭ピッチ化されたリードフレームの製造を行
うことができた。また、従来のエッチングによるリード
形状図３とは異なり、レーザ加工では矩形化されたリー
ド断面形状図４が得られ、インナーリード部上面４をエ
ッチングによるリードよりレーザ加工では矩形化された
リードの方が広くとることが出来、ワイヤーボンディン
グ性の向上が見られた。
【００２８】また、本発明は前記各実施例に限定される
ものではない。以上から、本発明からは次のような種々
の効果が得られるものである。
ものではない。以上から、本発明からは次のような種々
の効果が得られるものである。
【００２９】（ａ）インナーリード部の加工にレーザを
用いるため、プレスやエッチングでは製造が困難な多ピ
ン化、狭ピッチ化されたリードフレームの製造が行え
る。
用いるため、プレスやエッチングでは製造が困難な多ピ
ン化、狭ピッチ化されたリードフレームの製造が行え
る。
【００３０】（ｂ）インナーリード部の断面形状が矩形
化されるため、集積回路実装時のワイヤーボンディング
性が向上する。
化されるため、集積回路実装時のワイヤーボンディング
性が向上する。
【００３１】（ｃ）リード先端部をレーザによってカッ
トするため、リード先端部の加工精度が向上する。
トするため、リード先端部の加工精度が向上する。
【００３２】（ｄ）インナーリード部の加工にレーザを
用いているため、インナーリード部の形状を比較的自由
に変更することができ、ワイヤーボンディングのとり回
し等に対応することが可能である。
用いているため、インナーリード部の形状を比較的自由
に変更することができ、ワイヤーボンディングのとり回
し等に対応することが可能である。
【００３３】以上により、リードフレームの、多ピン
化、高精細化、に伴って困難となりつつあるリードフレ
ームの製造をレーザ加工を用いることによって可能と
し、半導体装置製造の市場動向に伴う要求に十分対応す
ることができる。
化、高精細化、に伴って困難となりつつあるリードフレ
ームの製造をレーザ加工を用いることによって可能と
し、半導体装置製造の市場動向に伴う要求に十分対応す
ることができる。
【００３４】（実施例２）図５は実施例２の平面図であ
る。リードフレームのアウターリード部３に、補助リー
ド５が設けられている。それ以外の部分２を従来通りエ
ッチングあるいはプレスによって加工し、その後アウタ
ーリード部３をＹＡＧレーザあるいはＣＯ2 レーザによ
って加工を行う。このリードフレームを用いることによ
り、従来必要としてきたタイバーを必要とせず、従来の
金型、装置を用いて樹脂封止することが出来た。また、
従来行ってきたタイバーの切断が不要となり、リードの
切断不良をなくすことができ、形状の良いリード成形を
行うことが出来た。
る。リードフレームのアウターリード部３に、補助リー
ド５が設けられている。それ以外の部分２を従来通りエ
ッチングあるいはプレスによって加工し、その後アウタ
ーリード部３をＹＡＧレーザあるいはＣＯ2 レーザによ
って加工を行う。このリードフレームを用いることによ
り、従来必要としてきたタイバーを必要とせず、従来の
金型、装置を用いて樹脂封止することが出来た。また、
従来行ってきたタイバーの切断が不要となり、リードの
切断不良をなくすことができ、形状の良いリード成形を
行うことが出来た。
【００３５】また、リードフレーム全体をＹＡＧあるい
はＣＯ2 レーザを用いて加工することによっても上記の
実施例と同様の効果が得られた。
はＣＯ2 レーザを用いて加工することによっても上記の
実施例と同様の効果が得られた。
【００３６】また、本発明は前記各実施例に限定される
ものではない。以上から、本発明からは次のような種々
の効果が得られるものである。
ものではない。以上から、本発明からは次のような種々
の効果が得られるものである。
【００３７】（ａ）タイバーの代わりに補助リードを設
けているため、従来のようにタイバーの切断を必要とし
ない。
けているため、従来のようにタイバーの切断を必要とし
ない。
【００３８】（ｂ）補助リードならびにリードフレーム
の形成にレーザ加工を用いているため、多ピン化、狭ピ
ッチ化されたリードフレームにも対応が可能である。
の形成にレーザ加工を用いているため、多ピン化、狭ピ
ッチ化されたリードフレームにも対応が可能である。
【００３９】（ｃ）タイバーの切断が不要であるため、
従来発生していたタイバーカット時のリード切断不良が
なくなる。
従来発生していたタイバーカット時のリード切断不良が
なくなる。
【００４０】（ｄ）タイバー切断工程が不要であるた
め、半導体装置製造時間が短縮できる。
め、半導体装置製造時間が短縮できる。
【００４１】
【発明の効果】以上詳細に説明したように本発明によれ
ば、従来の製造方法では困難となりつつある多ピン化、
狭ピッチ化されたリードフレームの製造を可能とし、さ
らにインナーリード部の断面形状を矩形化することによ
り集積回路実装時のワイヤーボンディング性を向上さ
せ、またインナーリード部の加工精度を向上させること
ができる。そして、インナーリード部の形状を短時間で
変更することが可能となり、市場の要求に速やかに対応
することが可能となる。
ば、従来の製造方法では困難となりつつある多ピン化、
狭ピッチ化されたリードフレームの製造を可能とし、さ
らにインナーリード部の断面形状を矩形化することによ
り集積回路実装時のワイヤーボンディング性を向上さ
せ、またインナーリード部の加工精度を向上させること
ができる。そして、インナーリード部の形状を短時間で
変更することが可能となり、市場の要求に速やかに対応
することが可能となる。
【００４２】又、請求項７においては、リードフレーム
のアウターリード部に樹脂封止の際の樹脂の流れを止め
るタイバーの役割をする補助のリードを設けることによ
り、タイバーの切断工程を不要とし、タイバー切断時に
発生していたリードの切断不良をなくすことができる。
また、多ピン化、狭ピッチ化され、金型では切断が困難
となりつつあるタイバーの切断にも対応が可能である。
リードフレームの厚み等に変更がないため、従来使用さ
れてきた樹脂封止の金型、装置がそのまま使用できる。
また、タイバー切断工程を必要としないため、半導体装
置製造における製造時間の短縮が可能となる。
のアウターリード部に樹脂封止の際の樹脂の流れを止め
るタイバーの役割をする補助のリードを設けることによ
り、タイバーの切断工程を不要とし、タイバー切断時に
発生していたリードの切断不良をなくすことができる。
また、多ピン化、狭ピッチ化され、金型では切断が困難
となりつつあるタイバーの切断にも対応が可能である。
リードフレームの厚み等に変更がないため、従来使用さ
れてきた樹脂封止の金型、装置がそのまま使用できる。
また、タイバー切断工程を必要としないため、半導体装
置製造における製造時間の短縮が可能となる。
【００４３】
【図１】本発明の一実施例に係わるリードフレームのレ
ーザ加工前の平面図である。
ーザ加工前の平面図である。
【図２】本発明の一実施例に係わるリードフレームのレ
ーザ加工後の平面図である。
ーザ加工後の平面図である。
【図３】エッチングによるインナーリード部の断面図で
ある。
ある。
【図４】レーザ加工によるインナーリード部の断面図で
ある。
ある。
【図５】本発明の図１と別な一実施例に係わるリードフ
レームのレーザ加工後の平面図である。
レームのレーザ加工後の平面図である。
１・・・アイランド部 ２・・・インナーリード部 ３・・・アウターリード部 ４・・・インナーリード部上面 ５・・・補助リード
Claims (7)
- 【請求項１】リードフレームの製造方法において、少な
くとも微細間隙部以外をエッチングあるいは打ち抜きに
よって微細間隙部以外を加工した後、微細間隙部をレー
ザによって加工することを特徴としたリードフレームの
製造方法。 - 【請求項２】微細間隙部がインナーリード部の先端部で
あることを特徴とした請求項１記載のリードフレームの
製造方法。 - 【請求項３】レーザ加工の前においてインナーリード部
の先端部の延長部を残しておき、レーザ加工をインナー
リード部の先端部に行ない、その後インナーリード部の
先端部の延長部をプレスによって切断することを特徴と
した請求項１記載のリードフレームの製造方法。 - 【請求項４】エッチングによって微細間隙部以外を加工
した後、微細間隙部をレーザによって加工するリードフ
レームの製造方法において、エッチングレジストをレー
ザ加工後に取り除くことを特徴とした請求項１記載のリ
ードフレームの製造方法。 - 【請求項５】リードフレームのレーザ加工を行う部分に
他の金属を形成したことを特徴とした請求項１記載のリ
ードフレームの製造方法。 - 【請求項６】レーザ加工にＹＡＧあるいはＣＯ2 レーザ
を用いた請求項１記載のリードフレームの製造方法。 - 【請求項７】微細間隙部が樹脂流れ止め用補助リードと
リードの間であることを特徴とした請求項１記載のリー
ドフレームの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4344091A JPH06196604A (ja) | 1992-12-24 | 1992-12-24 | リードフレームの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4344091A JPH06196604A (ja) | 1992-12-24 | 1992-12-24 | リードフレームの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06196604A true JPH06196604A (ja) | 1994-07-15 |
Family
ID=18366585
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4344091A Pending JPH06196604A (ja) | 1992-12-24 | 1992-12-24 | リードフレームの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06196604A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030015946A (ko) * | 2001-08-18 | 2003-02-26 | 주식회사 이오테크닉스 | 레이저를 이용한 리드 프레임의 도금층 치밀화 방법 및 그장치 |
-
1992
- 1992-12-24 JP JP4344091A patent/JPH06196604A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030015946A (ko) * | 2001-08-18 | 2003-02-26 | 주식회사 이오테크닉스 | 레이저를 이용한 리드 프레임의 도금층 치밀화 방법 및 그장치 |
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