JPH06232193A - モールド装置およびそれを用いたモールド方法 - Google Patents

モールド装置およびそれを用いたモールド方法

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JPH06232193A
JPH06232193A JP1524593A JP1524593A JPH06232193A JP H06232193 A JPH06232193 A JP H06232193A JP 1524593 A JP1524593 A JP 1524593A JP 1524593 A JP1524593 A JP 1524593A JP H06232193 A JPH06232193 A JP H06232193A
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resin
molding
mold
integrated circuit
semiconductor integrated
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JP1524593A
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Takashi Miwa
孝志 三輪
Toshihiro Matsunaga
俊博 松永
Minoru Kubosono
実 窪薗
Masayuki Shirai
優之 白井
Toshihiro Tsuboi
敏宏 坪井
Hiroshi Kosaku
浩 小作
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Hitachi ULSI Engineering Corp
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi ULSI Engineering Corp
Hitachi Ltd
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
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    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
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    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item

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  • Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
  • Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 樹脂封止形半導体集積回路装置の樹脂封止工
程時に漏出した流出レジンを、樹脂封止時に確実に除去
する。 【構成】 リードフレーム1のリード部を挟持する位置
において、樹脂封止用の上金型3および下金型4のリー
ド間に連通孔5,6を設け、樹脂封入時に、両金型3,
4の連通孔5,6に圧力流体を印加し、リードフレーム
1のリード間の隙間から漏出する流出レジンを吹き飛ば
し、除去する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、モールド装置、特に樹
脂封止形半導体集積回路装置の樹脂封止時にリードフレ
ームのリード間から樹脂の漏出を防止することができる
モールド装置およびそれを用いたモールド方法に関する
ものである。
【0002】
【従来の技術】樹脂封止形半導体集積回路装置の組立工
程においては、所望のパッケージ形状のキャビティが刻
設された上下一対の金型に間に、半導体チップを該キャ
ビティ内に搭載したリードフレームを挟持させ、キャビ
ティ中央部に位置する半導体ペレットを加圧充填される
樹脂によって包み込むように封止するものである。
【0003】この場合、金型間に位置するリードフレー
ムおいては、個々のリード間に外部とキャビティとを連
結させる隙間が生じるために、個々のリードを幅方向に
連結するダムバーによって当該隙間から漏出しようとす
る樹脂を堰き止めるようになっている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記のよう
な従来技術のリードフレームの場合、ダムバーを切断除
去する必要がある。そのため、ダムバーを除去する技術
としてリード間隔に対応した櫛歯状のダムバー切断工具
により当該リード間のダムバーを一括して除去する。
【0005】しかし、ダムバー切断時に切断バリが発生
したり、ダムバーに当接する歯の先端部が摩耗するとダ
ムバー切断工具全体を交換する必要が生じ、ダムバー切
断工具自体を特別に作製したり、交換作業等を行うため
に要する費用が必要以上に高くなってしまう。
【0006】また、微細ピッチ多ピン半導体集積回路装
置のようなリード間隔が非常に狭い半導体集積回路装置
では、ダムバーを切断除去する際にダムバーの切断が困
難で、しかもリードの変形を生じ易いという問題があ
る。
【0007】本発明の目的は、モールド装置のリードフ
レームのリード間から漏出した樹脂の流出レジンを、樹
脂封止時に除去できるモールド技術を提供することにあ
る。
【0008】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
【0009】すなわち、本発明のモールド装置は、樹脂
封止工程における半導体集積回路装置のパッケージ本体
の外周部に相当する位置における上金型と下金型に連通
孔を設けたものである。
【0010】また、半導体集積回路装置のモールド時
に、連通孔に漏出レジン除去用の圧力流体を印加しなが
らモールドを行うこともできる。
【0011】さらに、圧力流体は、上金型または下金型
の一方の連通孔に印加される高圧流体と上金型または下
金型の他方の連通孔に印加される真空とのいずれか一方
であってもよい。
【0012】また、半導体集積回路装置のパッケージ本
体の外周部に相当する位置における上金型と下金型のど
ちらか一方に、真空吸引孔を設けることができる。
【0013】さらに、この真空吸引孔に真空を印加しな
がらモールドを行うことができる。
【0014】
【作用】上記した本発明のモールド装置およびそれを用
いたモールド方法によれば、金型に設けられた連通孔お
よび真空吸引孔から印加される圧力流体または真空によ
りリードフレームのリード間から漏出した樹脂を吹き飛
ばしたり吸引したりして除去することができる。
【0015】その結果、樹脂封止時に、リード間から樹
脂が流出してもレジンバリは残らず、レジンバリの除去
作業が不要となり、場合によっては、ダムバーが不要と
なる。
【0016】
【実施例1】図1は、本発明のモールド装置の1実施例
を示す樹脂封止用金型の断面図である。
【0017】本実施例1において、リードフレーム1の
タブ部1aに取り付けられた半導体チップ2を樹脂封止
するための金型は、上金型3と下金型4とからなる。
【0018】また、上金型3と下金型4には、半導体チ
ップ2を収容し、その中に樹脂が注入されるキャビティ
7が設けられている。
【0019】本実施例の上金型3と下金型4において
は、モールド装置による樹脂封止後の樹脂パッケージの
外周部に相当する位置すなわちキャビティ7の外周近傍
の位置において、上金型3および下金型4で挟持される
リードフレーム1の複数のリードと重ならないように、
連通孔5、6が設けられている。
【0020】次に、本実施例の作用について説明する。
【0021】まず、モールド装置の上金型3と下金型4
との間にリードフレーム1のリード部を挟持し、キャビ
ティ7の中にモールド樹脂を注入する。
【0022】それにより、リードフレーム1のタブ部1
aに搭載された半導体チップ2はキャビティ7内のモー
ルド樹脂の中に包み込まれて封止される。
【0023】この樹脂封止時において、キャビティ7内
に加圧注入されるモールド樹脂はリードフレーム1のリ
ード間から外部に漏出しようとする。ところが、本実施
例では、半導体集積回路装置にパッケージ本体の外周部
に相当する位置における上金型3と下金型4に連通孔
5,6が設けられ、連通孔5、6の一方より流出レジン
除去用の圧力流体を印加し(図1では、連通孔5) 、他
方の連通孔5または6より印加された圧力流体を真空吸
引(図1では、連通孔6)しながらモールドを行うよう
になっている。
【0024】したがって、本実施例においては、キャビ
ティ7内に注入されたモールド樹脂がリードフレーム1
のリード間より漏出しても、連通孔5、6を通して印加
される圧力流体の圧力により、流出レジンを吹き飛ばし
て、除去することができる。
【0025】それにより、本実施例によれば、流出レジ
ンの付着によるレジンバリの発生が阻止でき、また、そ
の除去作用が不要となるほか、リードフレーム1として
従来のような樹脂流出防止用のダムバーを用いる必要が
なくなり、ダムバーの切断除去が不要となる上に、リー
ドピッチの微細化を図ることができる。
【0026】なお、実施例1においては、図1によるリ
ードフレーム1のリード間に相当する位置における上金
型3および下金型4の連通孔5,6に印加される高圧流
体と、上金型3および下金型4の他方の連通孔3または
4に印加される真空とのいずれか一方を印加するように
してもよい。
【0027】その場合においても、連通孔5,6の存在
により、樹脂封止時にリードフレーム1のリード間の隙
間からモールド樹脂が漏出しても、該連通孔5,6を通
して印加される圧力流体で流出レジンを吹き飛ばして除
去することができる。
【0028】
【実施例2】図2は,本発明の実施例2によるモールド
装置の金型の断面図である。
【0029】本実施例2においては、モールド後の樹脂
パッケージの外周部に相当する位置すなわちキャビティ
7の外周側の近傍の位置における下金型4に、真空吸引
孔8を設け、半導体モールド時に真空吸引孔8より真空
を印加するようになっている。
【0030】したがって、本実施例においても、真空吸
引孔8に印加される真空によりリードフレーム1のリー
ド間からの流出したモールド樹脂を吸引し、流出レジン
を除去することができる。
【0031】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものでなく、その主旨を逸脱しない範囲で
種々変更可能であることはいうまでもない。
【0032】たとえば、真空吸引孔8は、上金型3に設
けてもよく、また、上金型3および下金型4の一方に設
けた真空吸引孔に、真空吸引配管を接続し、流出レジン
を吸引回収しながらレジンを除去することができる。
【0033】なお、本明細書における真空とは、雰囲気
圧よりも低い圧力を含むものである。
【0034】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。
【0035】(1) 本発明によれば、樹脂封止工程におい
てモールド樹脂がリードフレームのリード間から流出し
ても、その流出レジンを除去することができる。
【0036】(2) また、上記(1) により、本発明では、
リードフレームに従来のような樹脂流出防止のためのダ
ムバーが不必要となるので、ダムバーを切断するという
コストや、特別な工具によりダムバーを切断除去する手
間やコストが不要となる。
【0037】(3) さらに、本発明においては、モールド
樹脂の流出によって形成されるレジンバリが発生しない
ので、バリ取り作業やそれに要するコストが削減でき
る。
【0038】(4) また、本発明は微細ピッチ多ピン形半
導体集積回路装置のようなリード間隔が非常に狭い半導
体集積回路装置の場合にも、ダムバーの切断や切断バリ
の除去によるリードの変形などが廃絶されるので、この
ような微細ピッチ多ピン型半導体集積回路装置のモール
ドに好適であり、リードピッチの微細化を実施できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例1によるモールド装置の金型の
断面図である。
【図2】本発明の実施例2によるモールド装置の金型の
断面図である。
【符号の説明】
1 リードフレーム 1a タブ部 2 半導体チップ 3 上金型 4 下金型 5 連通孔 6 連通孔 7 キャビティ 8 真空吸引孔
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 松永 俊博 東京都青梅市今井2326番地 株式会社日立 製作所デバイス開発センタ内 (72)発明者 窪薗 実 東京都青梅市今井2326番地 株式会社日立 製作所デバイス開発センタ内 (72)発明者 白井 優之 東京都青梅市今井2326番地 株式会社日立 製作所デバイス開発センタ内 (72)発明者 坪井 敏宏 東京都小平市上水本町5丁目20番1号 日 立超エル・エス・アイ・エンジニアリング 株式会社内 (72)発明者 小作 浩 東京都小平市上水本町5丁目20番1号 日 立超エル・エス・アイ・エンジニアリング 株式会社内

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 樹脂封止形半導体集積回路装置の樹脂封
    止に用いるモールド装置であって、モールド用上金型と
    下金型とを備え、前記半導体集積回路装置のパッケージ
    本体の外周部に相当する位置における前記上金型と下金
    型に連通孔を設けたことを特徴とするモールド装置。
  2. 【請求項2】 請求項1記載のモールド装置を用いたモ
    ールド方法であって、半導体集積回路装置のモールド時
    に前記連通孔に漏出レジン除去用の圧力流体を印加しな
    がらモールドを行うことを特徴とするモールド方法。
  3. 【請求項3】 前記圧力流体は、前記上金型または下金
    型の一方の前記連通孔に印加される高圧流体と、前記上
    金型または下金型の他方の前記連通孔に印加される真空
    とのいずれか一方であることを特徴とする請求項2記載
    のモールド方法。
  4. 【請求項4】 樹脂封止形半導体集積回路装置の樹脂封
    止に用いるモールド装置であって、モールド用上金型と
    下金型とを備え、前記半導体集積回路装置のパッケージ
    本体の外周部に相当する位置における前記上金型と下金
    型の一方に真空吸引孔を設けたことを特徴とするモール
    ド装置。
  5. 【請求項5】 請求項4記載のモールド装置を用いたモ
    ールド方法であって、半導体集積回路装置のモールド時
    に前記真空吸引孔に真空を印加しながらモールドを行う
    ことを特徴とするモールド方法。
JP1524593A 1993-02-02 1993-02-02 モールド装置およびそれを用いたモールド方法 Pending JPH06232193A (ja)

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JPH06232193A true JPH06232193A (ja) 1994-08-19

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6676885B2 (en) 2000-02-10 2004-01-13 Nec Electronics Corporation Plural semiconductor devices bonded onto one face of a single circuit board for subsequent batch resin encapsulation of the plural semiconductor devices in a single cavity formed by molding dies
JP2011159876A (ja) * 2010-02-02 2011-08-18 Denso Corp 半導体装置の製造方法

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6676885B2 (en) 2000-02-10 2004-01-13 Nec Electronics Corporation Plural semiconductor devices bonded onto one face of a single circuit board for subsequent batch resin encapsulation of the plural semiconductor devices in a single cavity formed by molding dies
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