JPS58135646A - 樹脂封止形半導体装置の製造方法 - Google Patents
樹脂封止形半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS58135646A JPS58135646A JP1851482A JP1851482A JPS58135646A JP S58135646 A JPS58135646 A JP S58135646A JP 1851482 A JP1851482 A JP 1851482A JP 1851482 A JP1851482 A JP 1851482A JP S58135646 A JPS58135646 A JP S58135646A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- pressure
- semiconductor device
- manufacturing
- die pad
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000011347 resin Substances 0.000 title claims abstract description 46
- 229920005989 resin Polymers 0.000 title claims abstract description 46
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 23
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 12
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 32
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 31
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 19
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 5
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 4
- 230000005484 gravity Effects 0.000 claims description 3
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 5
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 3
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 206010039509 Scab Diseases 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002689 soil Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4912—Layout
- H01L2224/49171—Fan-out arrangements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は樹脂封止形半導体装置の製造方法に係り、特
に半導体チップを封止する封止用樹脂部を成形する樹脂
封止工程時に封止用樹脂部から突出して形成された突起
樹脂を除去する方法に関するものでるる。
に半導体チップを封止する封止用樹脂部を成形する樹脂
封止工程時に封止用樹脂部から突出して形成された突起
樹脂を除去する方法に関するものでるる。
以下、デュアルインライン（ＤＩＬ）構造の樹脂封止形
半導体集積回路装置（以下「モールドＩＣＪと呼ぶ）の
樹脂封止工程時に形成され封止用樹脂部から突出した突
起樹脂を除去する方法を例にとり説明する。 ゛ 第１図ＴＡ）はモールドＩＣの樹脂封止工程後の状態を
示す平面図、第１図（Ｂ）は第１図（Ａ）の■Ｂ−ＩＢ
線での断面図である。
半導体集積回路装置（以下「モールドＩＣＪと呼ぶ）の
樹脂封止工程時に形成され封止用樹脂部から突出した突
起樹脂を除去する方法を例にとり説明する。 ゛ 第１図ＴＡ）はモールドＩＣの樹脂封止工程後の状態を
示す平面図、第１図（Ｂ）は第１図（Ａ）の■Ｂ−ＩＢ
線での断面図である。
図において、（１）はリードフレーム、（２ＪＬ）およ
び（２ｂ）はリードフレーム（１）のフレーム部、（３
）はリードフレーム（１）のフレーム部（２ａ）および
°（２ｂ）にそれぞれ支持条帯（４ａ）および（４ｂ）
を介して固定されたダイパッド部、（５）はダイパッド
部（３）に装着されたＩＣチップ、（６ａ）１１ダイパ
ッド部（３）の一方の側端面近傍からフレーム部（２ａ
）および（２ｂ）に平行に伸びるように設けられた複数
個の外部リード条帯、（６ｂ）はダイパッド部（３）の
他方の側端面近傍からフレーム部（２ａ）および（２ｂ
）に平行に伸びるように設けられた複数個の外部リード
条帯、（７ａ）は複数個の外部リード条帯（６ａ）を順
次連結してフレーム部（２ａ）および（２ｂ）Ｋ固定す
る連結条帯、（７ｂ）は複数個の外部リード条帯（６ｂ
）を順次連結してフレーム部（２ａ）および（２ｂ）に
固定する連結条帯、（８ａ）Ｆｉ外部リすド条条帯６ａ
）とこれに対応する工Ｃチップ（５）の電極とを接続す
るボンディングワイヤ、（８ｂ）は外部リード条帯（６
ｂ）とこれに対応するＩＣチップ（５）の電極とを接続
するボンディングワイヤ、（９）はダイパッド部（３）
、支持条帯（４ａ）および（４ｂ）、ＩＣチップ（５）
、外部リード条帯（７ａ）および（７ｂ）の所要部分、
並びにボンディングワイヤ（８ａ）および（８ｂ）を封
止す誌封止用樹脂部である。この封止用樹脂部（９）を
成形する樹脂封止工程において、封止用樹脂部（９）の
、リードフレーム（１）より上部の形状に対応する第１
のキャビティを有する上金屋とリードフレーム（１）よ
り下部の形状に対応する第２のキャビテ５イを有する下
金箆とでリードフレーム（１）を挾持したときに、外部
リード条？Ｉｆ（６ａ）および（６ｂ）’の各相互間並
びに外部リード １゛条帝（６ａ）および（６ｂ）と
フレーム部（２ａ）および（２ｂ）との各相互間の連結
条帯（？ａ）および（７ｂ）の内側の部分にすき間がで
きる。従って、上記第１および第２のキャビティへ注入
された封止用樹脂の一部が上記すき間へ流れ出るから、
封止用樹脂部（９）に突起樹脂（以下「はり」と呼ぶ）
Ｑｌ）ができる。このようなばり０４はモールドエＣの
外観上好ましくないので、このばり（６）を封止用樹脂
部（９）から除去する必要がある。
び（２ｂ）はリードフレーム（１）のフレーム部、（３
）はリードフレーム（１）のフレーム部（２ａ）および
°（２ｂ）にそれぞれ支持条帯（４ａ）および（４ｂ）
を介して固定されたダイパッド部、（５）はダイパッド
部（３）に装着されたＩＣチップ、（６ａ）１１ダイパ
ッド部（３）の一方の側端面近傍からフレーム部（２ａ
）および（２ｂ）に平行に伸びるように設けられた複数
個の外部リード条帯、（６ｂ）はダイパッド部（３）の
他方の側端面近傍からフレーム部（２ａ）および（２ｂ
）に平行に伸びるように設けられた複数個の外部リード
条帯、（７ａ）は複数個の外部リード条帯（６ａ）を順
次連結してフレーム部（２ａ）および（２ｂ）Ｋ固定す
る連結条帯、（７ｂ）は複数個の外部リード条帯（６ｂ
）を順次連結してフレーム部（２ａ）および（２ｂ）に
固定する連結条帯、（８ａ）Ｆｉ外部リすド条条帯６ａ
）とこれに対応する工Ｃチップ（５）の電極とを接続す
るボンディングワイヤ、（８ｂ）は外部リード条帯（６
ｂ）とこれに対応するＩＣチップ（５）の電極とを接続
するボンディングワイヤ、（９）はダイパッド部（３）
、支持条帯（４ａ）および（４ｂ）、ＩＣチップ（５）
、外部リード条帯（７ａ）および（７ｂ）の所要部分、
並びにボンディングワイヤ（８ａ）および（８ｂ）を封
止す誌封止用樹脂部である。この封止用樹脂部（９）を
成形する樹脂封止工程において、封止用樹脂部（９）の
、リードフレーム（１）より上部の形状に対応する第１
のキャビティを有する上金屋とリードフレーム（１）よ
り下部の形状に対応する第２のキャビテ５イを有する下
金箆とでリードフレーム（１）を挾持したときに、外部
リード条？Ｉｆ（６ａ）および（６ｂ）’の各相互間並
びに外部リード １゛条帝（６ａ）および（６ｂ）と
フレーム部（２ａ）および（２ｂ）との各相互間の連結
条帯（？ａ）および（７ｂ）の内側の部分にすき間がで
きる。従って、上記第１および第２のキャビティへ注入
された封止用樹脂の一部が上記すき間へ流れ出るから、
封止用樹脂部（９）に突起樹脂（以下「はり」と呼ぶ）
Ｑｌ）ができる。このようなばり０４はモールドエＣの
外観上好ましくないので、このばり（６）を封止用樹脂
部（９）から除去する必要がある。
第２図はモールドＩＣの樹脂封止工程時に封止用樹脂部
にで′ｆ！！たばりを除去する従来の方法を説明するた
めの一部断面で示す側面図である。
にで′ｆ！！たばりを除去する従来の方法を説明するた
めの一部断面で示す側面図である。
図において、第１図に示した符号と同一符号は同等部分
を示し、その説明は省略する。（１υはＪｌ１図に示し
た樹脂封止工程後のモールドエＣを載置支持する支持台
、Ｏ’４は超硬合金からなり封止用樹脂部（９）からは
り叫を破断除去するための刃片、Ｉは刃片０′４を封止
用樹脂部（９）にで１Ａたばり［相］に対応する位置に
保持する刃片保持具である。
を示し、その説明は省略する。（１υはＪｌ１図に示し
た樹脂封止工程後のモールドエＣを載置支持する支持台
、Ｏ’４は超硬合金からなり封止用樹脂部（９）からは
り叫を破断除去するための刃片、Ｉは刃片０′４を封止
用樹脂部（９）にで１Ａたばり［相］に対応する位置に
保持する刃片保持具である。
この従来の方法では、支持台（１１）上に第１図に示し
た樹脂封止工程後のモールドエＣを載置し、封止用樹脂
部（９）にできたば９ＱＱに刃片１１１を当接させて刃
片保持Ａ輌を図示矢印の方向に押し下げて、刃片（Ｉ々
でばシＱＱを封止用樹脂部（９）から破断除去していた
。ところが、刃片Ｑ匂の摩耗が着しく、その上破損する
ことも多いので、頻繁に不良になった刃片Ｏ＠を新品と
取シ換える必ｌ！があり、作業性が悪いという欠点があ
った。
た樹脂封止工程後のモールドエＣを載置し、封止用樹脂
部（９）にできたば９ＱＱに刃片１１１を当接させて刃
片保持Ａ輌を図示矢印の方向に押し下げて、刃片（Ｉ々
でばシＱＱを封止用樹脂部（９）から破断除去していた
。ところが、刃片Ｑ匂の摩耗が着しく、その上破損する
ことも多いので、頻繁に不良になった刃片Ｏ＠を新品と
取シ換える必ｌ！があり、作業性が悪いという欠点があ
った。
この発明は、上述の欠点に鑑みてなされたもので、刃片
を使用することなく、高圧液体流を用いて封止用樹脂部
からばシを除去することによって、ばシ除去作業の作業
性を向上させ得る樹脂封止形半導体装置の製造方法を提
供することを目的とする０ 第３図はモールドエＣの樹脂封止工程時に封止用樹脂部
にできたばシを除去するこの発明の一実施例の方法を説
明するための一部断面で示す側面図である。
を使用することなく、高圧液体流を用いて封止用樹脂部
からばシを除去することによって、ばシ除去作業の作業
性を向上させ得る樹脂封止形半導体装置の製造方法を提
供することを目的とする０ 第３図はモールドエＣの樹脂封止工程時に封止用樹脂部
にできたばシを除去するこの発明の一実施例の方法を説
明するための一部断面で示す側面図である。
図において、第１図および第２図に示した符号と同一符
号は同等部分を示し、その説明は省略する。Ｈは高圧水
流（１１９を噴出するノズル、賭はノズ／ｌ１０４へ加
圧水を供給するポンプ、ａηはノズルＩを封止用樹脂部
（９）にできたはり（ト）Ｋ対応する位置に保持するノ
ズル保持具である。
号は同等部分を示し、その説明は省略する。Ｈは高圧水
流（１１９を噴出するノズル、賭はノズ／ｌ１０４へ加
圧水を供給するポンプ、ａηはノズルＩを封止用樹脂部
（９）にできたはり（ト）Ｋ対応する位置に保持するノ
ズル保持具である。
この実施例の方法では、支持台（用土に第１図に示した
樹脂封止工程後のモールドエＣを載置し、ノズルＨから
ばＤＱｉ）へ高圧水流Ｏ＠を噴射させると、高圧水流（
１句のばりａＱへの衝撃力によってばりａＱが封止用樹
脂部（９）から切り離されて除去される。このように高
圧水流０句を使用して封止用樹脂部（９）からはり（Ｉ
Ｑを除去するので、第２図に示した従来の方法のような
刃片Ｈの破損や摩耗がなくなシ、ばυαＱの除去作業の
作業性を向上はせることができる０ 発明者らの行なった種々の実験結果によれば、ノズル（
１４１から噴出する高圧水流に）の圧力が２００ｋｇ／
ａｍ２以上であれば効果的で６９、その上高圧水流１Ｊ
６）の直径が３ｍｍ以下であれば一層効果的であること
が判明した。
樹脂封止工程後のモールドエＣを載置し、ノズルＨから
ばＤＱｉ）へ高圧水流Ｏ＠を噴射させると、高圧水流（
１句のばりａＱへの衝撃力によってばりａＱが封止用樹
脂部（９）から切り離されて除去される。このように高
圧水流０句を使用して封止用樹脂部（９）からはり（Ｉ
Ｑを除去するので、第２図に示した従来の方法のような
刃片Ｈの破損や摩耗がなくなシ、ばυαＱの除去作業の
作業性を向上はせることができる０ 発明者らの行なった種々の実験結果によれば、ノズル（
１４１から噴出する高圧水流に）の圧力が２００ｋｇ／
ａｍ２以上であれば効果的で６９、その上高圧水流１Ｊ
６）の直径が３ｍｍ以下であれば一層効果的であること
が判明した。
この実施例では、高圧水流α呻を用いたが、必ずしもこ
れは高圧水流に限定する必要がなく、水にポリマーなど
の比重および粘度の大きい物質を溶解させた高圧水溶液
流でもよく、また水にカーボランダム粉末などの固形粉
末を混合させた高圧固形粉末混合水流でもよく、更に比
重の大きい高圧有機溶媒流であってもよい。
れは高圧水流に限定する必要がなく、水にポリマーなど
の比重および粘度の大きい物質を溶解させた高圧水溶液
流でもよく、また水にカーボランダム粉末などの固形粉
末を混合させた高圧固形粉末混合水流でもよく、更に比
重の大きい高圧有機溶媒流であってもよい。
なお、これまで、Ｄ工り構造のモールドＩＣの場合を例
にと夛述べたが、この発明はこれに限らず、シングルイ
ンライン構造のモールドエＣの場合は述べるまでもなく
、リードフレームを構成し半導体チップを封止する封止
用樹脂部から延出する外部リード条帯を有するその他の
樹脂封止形半導体装置の場合にも適用することができる
。
にと夛述べたが、この発明はこれに限らず、シングルイ
ンライン構造のモールドエＣの場合は述べるまでもなく
、リードフレームを構成し半導体チップを封止する封止
用樹脂部から延出する外部リード条帯を有するその他の
樹脂封止形半導体装置の場合にも適用することができる
。
以上、説明したように、この発明の樹脂封止形半導体装
置の製造方法では、半導体チップを封止する封止用樹脂
部を成形する樹脂封止工程時に上記封止用樹脂部から突
出して形成され九突起樹脂を高圧液体流を用いて除去す
るので、従来の方法のような刃片の破損や摩耗がなくな
り、作業性の向上を図ることができる０
置の製造方法では、半導体チップを封止する封止用樹脂
部を成形する樹脂封止工程時に上記封止用樹脂部から突
出して形成され九突起樹脂を高圧液体流を用いて除去す
るので、従来の方法のような刃片の破損や摩耗がなくな
り、作業性の向上を図ることができる０
＃Ｉ１図（Ａ）はモールドＩＣの樹脂封止工程後の状態
を示す平面図、第１図（Ｂ）はｇ１図（Ａ）のＩＢ−Ｉ
Ｂ巌での断面図、篤２囚はモールドエＣの樹脂封止工程
時に封止用樹脂部にできたばりを除去する従来°の方法
を説明−ンるための一部断面で示す側面図、第３図はモ
ールドＩＣの樹脂封止工程時に封止用ｍ盾部にできたは
シを除去するこの発明の一実施例の方法を説明するため
の一部断面で示す側面図である。 図において、（１）はリードフレーム、（３）はダイパ
ッド部、（５）はＩＣテンプ（半導体チップ）、（６ａ
）および（６ｂ）は外部リード条帯、（９）は封止用樹
脂部、ＱＯは突起樹脂、（Ｉっは高圧水流（高圧液体流
）である〇 なお、図中同一符号はそれぞれ同一もしくは相当部分を
示す。 代理人 葛野信−（外１名） ２
を示す平面図、第１図（Ｂ）はｇ１図（Ａ）のＩＢ−Ｉ
Ｂ巌での断面図、篤２囚はモールドエＣの樹脂封止工程
時に封止用樹脂部にできたばりを除去する従来°の方法
を説明−ンるための一部断面で示す側面図、第３図はモ
ールドＩＣの樹脂封止工程時に封止用ｍ盾部にできたは
シを除去するこの発明の一実施例の方法を説明するため
の一部断面で示す側面図である。 図において、（１）はリードフレーム、（３）はダイパ
ッド部、（５）はＩＣテンプ（半導体チップ）、（６ａ
）および（６ｂ）は外部リード条帯、（９）は封止用樹
脂部、ＱＯは突起樹脂、（Ｉっは高圧水流（高圧液体流
）である〇 なお、図中同一符号はそれぞれ同一もしくは相当部分を
示す。 代理人 葛野信−（外１名） ２
Claims (6)
- （１） ダイパッド部とこのダイパッド部の近傍から
伸びる複数個の外部リード条帯とを有するリードフレー
ムの上記ダイパッド部に半導体チップを装着し、上記外
部リード条帯とこれに対応する上記半導体チップの電極
とを・ワイヤボンディング接続した後に、上記半導体チ
ップ、上記ダイパッド部および上記外部リード条帯の所
要部分を樹脂封止し、この封止用樹脂部から上記樹脂封
止工程時に上記外部リード間に突出して形成された突起
樹脂を高圧液体流を用いて除去することを特徴とする樹
脂封止形半導体装置の製造方法。 - （２）高圧液体流に２００ｋｇ／ａｍ２以上の圧力を有
する高圧水流を用いることを特徴とする特許請求の範囲
第１ｉ記載の樹脂封止形半導体装置の製造方法０ - （３） 高圧液体流に２００ｋｇ１０ｎ”以上の圧力
と３ｍｍ以下の直径とを有する高圧水流を用いることを
特徴とする特許Ｍ求の範囲第１ｉ記載の樹脂封止形半導
体装置の製造方法。 - （４） 高圧液体流に比重および粘度の大きい物質を
水に溶解させた高圧水溶液流を用いることを特徴とする
特許請求の範題第１項記載の樹脂封止形半導体装置の製
造方法。 - （５） 高圧液体流に固形粉末を水に混合させた高圧
固形粉末混合水流を用いることを特徴とする特許＃ｉｌ
求の範囲第１項記載の樹脂封止形半導体装置の製造方法
。 - （６） 高圧液体流に比重の大きい高圧有機溶媒流を
用いることｔ特徴とする特許請求の範囲第１項記載の樹
脂封止形半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1851482A JPS58135646A (ja) | 1982-02-05 | 1982-02-05 | 樹脂封止形半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1851482A JPS58135646A (ja) | 1982-02-05 | 1982-02-05 | 樹脂封止形半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58135646A true JPS58135646A (ja) | 1983-08-12 |
Family
ID=11973730
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1851482A Pending JPS58135646A (ja) | 1982-02-05 | 1982-02-05 | 樹脂封止形半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58135646A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60158635A (ja) * | 1984-01-27 | 1985-08-20 | Nec Kansai Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS61160944A (ja) * | 1985-01-09 | 1986-07-21 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS62190732A (ja) * | 1986-02-18 | 1987-08-20 | Hitachi Ltd | 半導体バリ取り装置の搬送レ−ル |
| US6178610B1 (en) * | 1997-09-11 | 2001-01-30 | Piller Entgrattenchnik Gmbh | Method of and apparatus for removing burrs from metal work-piece |
-
1982
- 1982-02-05 JP JP1851482A patent/JPS58135646A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60158635A (ja) * | 1984-01-27 | 1985-08-20 | Nec Kansai Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS61160944A (ja) * | 1985-01-09 | 1986-07-21 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS62190732A (ja) * | 1986-02-18 | 1987-08-20 | Hitachi Ltd | 半導体バリ取り装置の搬送レ−ル |
| US6178610B1 (en) * | 1997-09-11 | 2001-01-30 | Piller Entgrattenchnik Gmbh | Method of and apparatus for removing burrs from metal work-piece |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3660861B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP4086202B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR101054602B1 (ko) | 반도체 장치의 제조 방법 | |
| JPH0774195A (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
| KR100244966B1 (ko) | 공기 유입구가 형성된 절단 펀치를 포함하는 게이트 잔여물절단 장치 | |
| US5422314A (en) | Lead frame and production method for producing semiconductor device using the lead frame | |
| JPS58135646A (ja) | 樹脂封止形半導体装置の製造方法 | |
| JPH08125097A (ja) | リードフレーム | |
| CN115547969A (zh) | 制造半导体器件的方法、对应的基板和半导体器件 | |
| KR100289403B1 (ko) | 반도체패키지제조방법 | |
| JPS6084850A (ja) | リ−ドフレ−ム | |
| CN218385210U (zh) | 半导体封装结构 | |
| KR100218320B1 (ko) | 버틈 리드 패키지의 제조방법 | |
| JPH08172153A (ja) | 半導体装置のリード加工方法及びリード加工用金型 | |
| JPH10154784A (ja) | リードフレームの製造方法 | |
| JPH11220087A (ja) | リードフレームおよびそれを用いた半導体装置ならびにその製造方法 | |
| JPH10135259A (ja) | Ｉｃリードの形成方法 | |
| JPS63107052A (ja) | レジンモ−ルド型半導体装置用リ−ドフレ−ム | |
| JPH05206346A (ja) | リードフレームの製造方法 | |
| JPH07135281A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6158261A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2014112714A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH06232193A (ja) | モールド装置およびそれを用いたモールド方法 | |
| JPS63136636A (ja) | 成形金型 | |
| JPH0685134A (ja) | リードフレーム |