JPS60158635A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
イ、産業上の利用分野
本発明は樹脂モ・−ルド型半導体装置の製造において、
樹脂モールド時にリードフレームに被着した樹脂パリを
樹脂モールド部を傷付けないで除去する方法に関する。
樹脂モールド時にリードフレームに被着した樹脂パリを
樹脂モールド部を傷付けないで除去する方法に関する。
口、従来技術
樹脂モールド型半導体装置は、一般に第１図に示すよう
に基板部、例えば放熱板（１）（１）−・とり一ド（２
） （２）−とをタイバー（３）（３） −で連結一体
化したリードフレーム（４）を用いて製造される。すな
わち、リードフレーム（４）の放熱板（１）（１）−に
半導体ペレット（５）（５）・−をろう付けにより固定
し、この半導体ペレット（５）（５）−とリード（２）
（２）−とを金属細線（６）（６）・−で接続した後、
第２図に示すように樹脂封止用の上金型（７）及び下金
型（８）にリードフレーム（４）を挟み、そのキャビテ
ィ （９）内に半導体ペレット等の主要部を収納し、こ
のキャビティ （９）内に溶融したエポキシ樹脂等の熱
硬化性樹脂を流し込んで樹脂モールドしている。
に基板部、例えば放熱板（１）（１）−・とり一ド（２
） （２）−とをタイバー（３）（３） −で連結一体
化したリードフレーム（４）を用いて製造される。すな
わち、リードフレーム（４）の放熱板（１）（１）−に
半導体ペレット（５）（５）・−をろう付けにより固定
し、この半導体ペレット（５）（５）−とリード（２）
（２）−とを金属細線（６）（６）・−で接続した後、
第２図に示すように樹脂封止用の上金型（７）及び下金
型（８）にリードフレーム（４）を挟み、そのキャビテ
ィ （９）内に半導体ペレット等の主要部を収納し、こ
のキャビティ （９）内に溶融したエポキシ樹脂等の熱
硬化性樹脂を流し込んで樹脂モールドしている。
この結果第３図に示すように樹脂モールドされたリード
フレーム（４）は、この後プレス装置を用いてタイバー
（３）（３１−を切断除去して第４図に示すような一個
の樹脂モールド型半導体装置（１０）に分断される。
フレーム（４）は、この後プレス装置を用いてタイバー
（３）（３１−を切断除去して第４図に示すような一個
の樹脂モールド型半導体装置（１０）に分断される。
しかしながら上記樹脂モールド時に、キャビティ （９
）からのリードの一方の導出部（２ａ）は、キャビティ
内の空気を逃すためのエアーペン） （１１）として、
上金型（７）及び下金型（８）に対して通常０．０１〜
０．０２ｍｍｔ７）？ｊ！ｌ少な隙間に保たれている。
）からのリードの一方の導出部（２ａ）は、キャビティ
内の空気を逃すためのエアーペン） （１１）として、
上金型（７）及び下金型（８）に対して通常０．０１〜
０．０２ｍｍｔ７）？ｊ！ｌ少な隙間に保たれている。
一方モールドに用いられるエポキシ樹脂は加熱により一
旦溶融し、さらに時間が経過すると、硬化する性質のも
のであるが、溶融時にはその粘度はかなり小さくなり、
上記導出部（２ＪＪ）の隙間に容易に侵入する。従って
樹脂モールド後には、リードの導出部（２ａ）に薄い樹
脂パリ （１２） （１２）−・−が被着しており、こ
の薄い樹脂パリ （１２） （１２）・−はプレス装置
によるタイバーの切断除去時に導出部（２ａ）（２ａ）
−−一間の樹脂パリ（１３） （１３Ｌ−を除去して
も、第４図に示すように剥せないで残る。このように薄
い樹脂パリ （１２） （１２）−が残された樹脂モー
ルド型半導体装置（１０）を、そのまま第５図に示すよ
うにプリシト基板（１４）に挿入し、半田付処理、例え
ば半田槽による半田デイツプ処理をしても半田（１５）
がリード（２）（２）−に付着せず電気的接続ができな
い不良従来、この薄い樹脂パリ （１２） （１２）
−・を除去する方法として、樹脂モールド直後のリード
フレーム（４）に対して、第６図に示すように回転ブラ
シ（１６）を作用させる方法、珪砂等の粉末を高圧エア
によりノズルから吹き付ける方法、或いは珪砂等の粉末
を浸入した高圧水をノズルから吹き付ける方法等があっ
た。
旦溶融し、さらに時間が経過すると、硬化する性質のも
のであるが、溶融時にはその粘度はかなり小さくなり、
上記導出部（２ＪＪ）の隙間に容易に侵入する。従って
樹脂モールド後には、リードの導出部（２ａ）に薄い樹
脂パリ （１２） （１２）−・−が被着しており、こ
の薄い樹脂パリ （１２） （１２）・−はプレス装置
によるタイバーの切断除去時に導出部（２ａ）（２ａ）
−−一間の樹脂パリ（１３） （１３Ｌ−を除去して
も、第４図に示すように剥せないで残る。このように薄
い樹脂パリ （１２） （１２）−が残された樹脂モー
ルド型半導体装置（１０）を、そのまま第５図に示すよ
うにプリシト基板（１４）に挿入し、半田付処理、例え
ば半田槽による半田デイツプ処理をしても半田（１５）
がリード（２）（２）−に付着せず電気的接続ができな
い不良従来、この薄い樹脂パリ （１２） （１２）
−・を除去する方法として、樹脂モールド直後のリード
フレーム（４）に対して、第６図に示すように回転ブラ
シ（１６）を作用させる方法、珪砂等の粉末を高圧エア
によりノズルから吹き付ける方法、或いは珪砂等の粉末
を浸入した高圧水をノズルから吹き付ける方法等があっ
た。
しかしながら上記従来方法は、いずれも次に述べるよう
な欠点があった。
な欠点があった。
第６図に示す回転ブラシ（１６）を用いた方法はブラシ
の材質が軟らかいと、薄い樹脂パリが取れにくいので、
金属線を植立したものが用いられるが、この金属線は樹
脂モールド部を傷つけ易く、さらに作業能率も悪い欠点
があった。
の材質が軟らかいと、薄い樹脂パリが取れにくいので、
金属線を植立したものが用いられるが、この金属線は樹
脂モールド部を傷つけ易く、さらに作業能率も悪い欠点
があった。
また珪砂等の粉末を高圧エアによりノズルから吹き付け
る方法も、珪砂等の粉末が樹脂モールド部を傷つけ易い
が、この欠点を補うために第７図に示すように樹脂モー
ルド部（１７）に保護カバー（１８）を被せたとしても
、珪砂等の粉末の吹きイ」けによりリードフレーム（４
）に曲げ応力が作用した状態で珪砂等の粉末が樹脂モー
ルド部（１７）のリード導出位置（１７ａ ）に当たる
ので、このリード導出位置（１７３）にクラック（１９
）が入り易い欠点がある。また、この方法は、作業現場
において大量の粉塵が発生し、作業環境が悪化するので
、この対策として特別に仕切られた部屋等の作業設備を
段重」る必要があり、設備費が多額になる欠点がある。
る方法も、珪砂等の粉末が樹脂モールド部を傷つけ易い
が、この欠点を補うために第７図に示すように樹脂モー
ルド部（１７）に保護カバー（１８）を被せたとしても
、珪砂等の粉末の吹きイ」けによりリードフレーム（４
）に曲げ応力が作用した状態で珪砂等の粉末が樹脂モー
ルド部（１７）のリード導出位置（１７ａ ）に当たる
ので、このリード導出位置（１７３）にクラック（１９
）が入り易い欠点がある。また、この方法は、作業現場
において大量の粉塵が発生し、作業環境が悪化するので
、この対策として特別に仕切られた部屋等の作業設備を
段重」る必要があり、設備費が多額になる欠点がある。
従って、このような問題を解決するために、珪砂等の粉
末を混入した高圧水をノズルより吹き付ける方法も用い
られている。この方法は湿式であるので粉量によって作
業環境を劣悪にする問題はないが、公害防止の観点から
一度使用された汚濁排水から珪砂等の粉末を分離して取
り出して浄化し、さらに取り出された珪砂等の粉末を再
利用する必要がある。しかし、この珪砂等の粉末は汚濁
排水中に沈澱しており、再回収するのは容易ではなく、
設備費が前記乾式の防塵設備より更に高額になる３、ま
たこの湿式の方法であっても樹脂モールド部（１７）の
傷付きを防止することは不可能で、第７図で説明した上
記乾式法の場合と同じように保護カバー（１８）と被せ
たとしても、噴出される高圧水中の珪砂等の粉末がリー
ド導出部（１７ａ）に当たり、乾式法の場合と同様にク
ランク（１９）が入る欠点は解決できなかった。なおノ
ズルから噴出される珪砂等の粉末を混入した高圧水の圧
力を、樹脂モールド部（■７）を傷付けないように調整
することも考えられるが、このようにすると樹脂パリ（
１２） （１２）−が取れなくなる。つまり樹脂パリ
（１２） （１２Ｌ−が剥がせる程度の圧力で珪砂等の
粉末を混入した高圧水を吹き付けると、珪砂等の粉末が
樹脂モールド部に当たり、必然的に傷付けるのである。
末を混入した高圧水をノズルより吹き付ける方法も用い
られている。この方法は湿式であるので粉量によって作
業環境を劣悪にする問題はないが、公害防止の観点から
一度使用された汚濁排水から珪砂等の粉末を分離して取
り出して浄化し、さらに取り出された珪砂等の粉末を再
利用する必要がある。しかし、この珪砂等の粉末は汚濁
排水中に沈澱しており、再回収するのは容易ではなく、
設備費が前記乾式の防塵設備より更に高額になる３、ま
たこの湿式の方法であっても樹脂モールド部（１７）の
傷付きを防止することは不可能で、第７図で説明した上
記乾式法の場合と同じように保護カバー（１８）と被せ
たとしても、噴出される高圧水中の珪砂等の粉末がリー
ド導出部（１７ａ）に当たり、乾式法の場合と同様にク
ランク（１９）が入る欠点は解決できなかった。なおノ
ズルから噴出される珪砂等の粉末を混入した高圧水の圧
力を、樹脂モールド部（■７）を傷付けないように調整
することも考えられるが、このようにすると樹脂パリ（
１２） （１２）−が取れなくなる。つまり樹脂パリ
（１２） （１２Ｌ−が剥がせる程度の圧力で珪砂等の
粉末を混入した高圧水を吹き付けると、珪砂等の粉末が
樹脂モールド部に当たり、必然的に傷付けるのである。
ハ０発明の目的
本発明は上記従来の欠点に鑑みこれを改良するため、樹
脂モールド部を傷付けずにリードフレームに被着した薄
い樹脂パリが除去でき、しかも粉塵の発生や汚濁排水の
発生がない半導体装置の製造方法を提供することを目的
とする。
脂モールド部を傷付けずにリードフレームに被着した薄
い樹脂パリが除去でき、しかも粉塵の発生や汚濁排水の
発生がない半導体装置の製造方法を提供することを目的
とする。
二６発明の構成
本発明はリードフレームの基板部に半導体ペレットを固
定すると共に、半導体ペレットを含む主要部分を樹脂材
にてモールド被覆する工程と、樹脂材より露呈するリー
ドフレーム部分にノズルから噴射する水を吹き付けるこ
とにより樹脂パリを除去する工程をとを含むことを特徴
とする。
定すると共に、半導体ペレットを含む主要部分を樹脂材
にてモールド被覆する工程と、樹脂材より露呈するリー
ドフレーム部分にノズルから噴射する水を吹き付けるこ
とにより樹脂パリを除去する工程をとを含むことを特徴
とする。
ホ、実施例
本発明は上記従来方法の欠点が珪砂等の粉末を用いてい
ることに起因していることに着目し、水のみで樹脂パリ
が除去できるか試験した結果得られたものである。
ることに起因していることに着目し、水のみで樹脂パリ
が除去できるか試験した結果得られたものである。
すなわち本発明方法はリードフレームのリードに付着し
た樹脂パリが剥れ、樹脂モールド部を傷付けない圧力に
設定された水を、ノズルから噴射して、樹ｎｈバリを除
去する方法である。
た樹脂パリが剥れ、樹脂モールド部を傷付けない圧力に
設定された水を、ノズルから噴射して、樹ｎｈバリを除
去する方法である。
例えばこの条件を満たず水圧は、第８図に示すように樹
脂モールド被覆のリードフレーム（４）を送りつつ、上
下から多数のノズル（２０） （２０）−によって水（
２１）を噴出させた場合、１２０ Ｋｇ／ｃＪ（流速で
５ｍ／分）である。
脂モールド被覆のリードフレーム（４）を送りつつ、上
下から多数のノズル（２０） （２０）−によって水（
２１）を噴出させた場合、１２０ Ｋｇ／ｃＪ（流速で
５ｍ／分）である。
上記条件設定が可能な理由は、樹脂モールド部（１７）
が放熱板部分を厚く周囲から取り囲み一体物となってい
て剥離に対する強度ががなり大きいのに対し、樹脂パリ
（１２） （１２Ｌ−はり一ドフレーム（４）の表面に
被着しているのみで剥がれ易いこと、並びに噴射される
水に珪砂等の粉末が含まれず水圧を大きくしても加えた
エネルギーに刻する研削作用は粉末を含ませた従来例よ
りも少ないからと考えられる。
が放熱板部分を厚く周囲から取り囲み一体物となってい
て剥離に対する強度ががなり大きいのに対し、樹脂パリ
（１２） （１２Ｌ−はり一ドフレーム（４）の表面に
被着しているのみで剥がれ易いこと、並びに噴射される
水に珪砂等の粉末が含まれず水圧を大きくしても加えた
エネルギーに刻する研削作用は粉末を含ませた従来例よ
りも少ないからと考えられる。
なお上記ノズル（２０） （２ＯＬ−の配置は樹脂パリ
が生じるリードフレーム（４）のリード（２）（２）−
・に選択的に水が噴射されるようにすることが好ましく
、また噴射される水は半導体装置に悪影響を与える不純
物を含まない水、理想的には純水が好ましい。この悪影
響を与える不純物の一例は塩素である。塩素は半導体ペ
レツト（５）とリード（２）（２Ｌ−とを接続した金属
細線（６）（６）−であるアルミ線を腐食し信頼性を低
下させる。従って噴射に用いる水はその組成を調べ、半
導体装置に悪影響を与える成分があれば、それを選択的
に除去すればよ（、必ずしも純水を用いる必要はない。
が生じるリードフレーム（４）のリード（２）（２）−
・に選択的に水が噴射されるようにすることが好ましく
、また噴射される水は半導体装置に悪影響を与える不純
物を含まない水、理想的には純水が好ましい。この悪影
響を与える不純物の一例は塩素である。塩素は半導体ペ
レツト（５）とリード（２）（２Ｌ−とを接続した金属
細線（６）（６）−であるアルミ線を腐食し信頼性を低
下させる。従って噴射に用いる水はその組成を調べ、半
導体装置に悪影響を与える成分があれば、それを選択的
に除去すればよ（、必ずしも純水を用いる必要はない。
尚、ノズルから噴射される水圧は樹脂パリの除去効果が
損なわれない範囲内で適宜に変更できる。
損なわれない範囲内で適宜に変更できる。
へ９発明の効果
本発明によれば、樹脂モールド部を傷（１けないで、リ
ードフレームに被着した樹脂パリを除去することができ
る。また本発明方法は、樹脂パリの除去に水のみを用い
、珪砂等の研磨用の粉末を用いないから、乾式法におけ
る粉塵の発生、研磨用の粉末を用いた湿式法における汚
濁排水の発生がない。従って作業環境の衛生を保て、且
つ、公害防止用設備を設ける必要がな（、設備費を低く
できる。
ードフレームに被着した樹脂パリを除去することができ
る。また本発明方法は、樹脂パリの除去に水のみを用い
、珪砂等の研磨用の粉末を用いないから、乾式法におけ
る粉塵の発生、研磨用の粉末を用いた湿式法における汚
濁排水の発生がない。従って作業環境の衛生を保て、且
つ、公害防止用設備を設ける必要がな（、設備費を低く
できる。
第１図は半導体ペレットを載置したリードフレームの一
部を示す平面図、第２図はリードフレームを樹脂封止用
金型を用いて樹脂モールドする工程を示す断面図、第３
図は樹脂モールド直後のリードフレームの一部を示す平
面図、第４図はタイバーを切断除去してリードフレーム
から分断された樹脂モールド型半導体装置を示す平面図
、第５図は樹脂パリがリードに残された樹脂モールド型
半導体装置をプリント基板に実装した状態を示す断面図
、第６図はブラシによる樹脂パリの除去方法を示す側面
図、第７図は珪砂等の粉末を高圧エアで吹き付けて樹脂
パリを除去する方法を示す側面図、第８図は本発明方法
の一実施例である高圧水噴射による樹脂パリの除去方法
を示す側面図である。 （１） −放熱板、 （２） −リード、 （４）−・
リードフレーム、（５）−半導体ペレット、（１０）・
−半導体装置、（１２）−・樹脂パリ、（１７）−樹脂
モールＦ部、（２０）−ノズル、（２１） −水。
部を示す平面図、第２図はリードフレームを樹脂封止用
金型を用いて樹脂モールドする工程を示す断面図、第３
図は樹脂モールド直後のリードフレームの一部を示す平
面図、第４図はタイバーを切断除去してリードフレーム
から分断された樹脂モールド型半導体装置を示す平面図
、第５図は樹脂パリがリードに残された樹脂モールド型
半導体装置をプリント基板に実装した状態を示す断面図
、第６図はブラシによる樹脂パリの除去方法を示す側面
図、第７図は珪砂等の粉末を高圧エアで吹き付けて樹脂
パリを除去する方法を示す側面図、第８図は本発明方法
の一実施例である高圧水噴射による樹脂パリの除去方法
を示す側面図である。 （１） −放熱板、 （２） −リード、 （４）−・
リードフレーム、（５）−半導体ペレット、（１０）・
−半導体装置、（１２）−・樹脂パリ、（１７）−樹脂
モールＦ部、（２０）−ノズル、（２１） −水。
Claims (1)
- （１１リードフレームの基板部に半導体ベレッＩ・を固
定すると共に、半導体ペレットを含む主要部分を樹脂材
にてモールド被覆する工程と、樹脂材より露呈するり一
ドフレーム部分にノズルから噴射する水を吹き付番）る
ことにより樹脂パリを除去する工程とを含むことを特徴
とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59014125A JPS60158635A (ja) | 1984-01-27 | 1984-01-27 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59014125A JPS60158635A (ja) | 1984-01-27 | 1984-01-27 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60158635A true JPS60158635A (ja) | 1985-08-20 |
Family
ID=11852399
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59014125A Pending JPS60158635A (ja) | 1984-01-27 | 1984-01-27 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60158635A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58135646A (ja) * | 1982-02-05 | 1983-08-12 | Mitsubishi Electric Corp | 樹脂封止形半導体装置の製造方法 |
-
1984
- 1984-01-27 JP JP59014125A patent/JPS60158635A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58135646A (ja) * | 1982-02-05 | 1983-08-12 | Mitsubishi Electric Corp | 樹脂封止形半導体装置の製造方法 |
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