JPS6158261A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS6158261A JPS6158261A JP59178386A JP17838684A JPS6158261A JP S6158261 A JPS6158261 A JP S6158261A JP 59178386 A JP59178386 A JP 59178386A JP 17838684 A JP17838684 A JP 17838684A JP S6158261 A JPS6158261 A JP S6158261A
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- leads
- semiconductor device
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4821—Flat leads, e.g. lead frames with or without insulating supports
- H01L21/4842—Mechanical treatment, e.g. punching, cutting, deforming, cold welding
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、例えばＬ ８ Ｉ （Ｌａｒｇｅ ８ｃａ
ｌｅ ＩｎｔｅｇｒａｔｅｌＣｉ ｒｃｕｉ ｔ ）な
どの半導体装置の製造方法に関する。
ｌｅ ＩｎｔｅｇｒａｔｅｌＣｉ ｒｃｕｉ ｔ ）な
どの半導体装置の製造方法に関する。
一般に、ＬＳＩの製造工程は、つぎのようにして行われ
ている。すなわち、まず′４極が形成されたウェーハと
ダイシングによりチップ状に分割する。つぎに、分割さ
れ之チップをリードフレームの所定位置にダイ・ボンデ
ィングにより接合する。
ている。すなわち、まず′４極が形成されたウェーハと
ダイシングによりチップ状に分割する。つぎに、分割さ
れ之チップをリードフレームの所定位置にダイ・ボンデ
ィングにより接合する。
ついで、チップの電極とリードフレームの端子部分とを
ワイヤボンディングにより接続する。”りぎに、チップ
部分のみを成形用金車のキャピテイ内に収納し、キャビ
ティ内に溶融樹脂を導入し、半導体素子を封止する。つ
ぎに、リードフレームを各半導体素子ごとに切断したの
ち、リード部分をプレス加工により直角下方に曲げ成形
する。すなわち、第５図に示すように、樹脂部分（人）
から突出しているリード（Ｂ）・・・をダイ（Ｃ）の上
に載せ、その上方より、リード（Ｂｌ・・・を板おさえ
（Ｂ）によりおさえる。そうして、外方に突出している
リード（Ｂ）・・・は、ポンチ（Ｂ）とダイ（Ｃ）によ
り曲げ刀口工される。
ワイヤボンディングにより接続する。”りぎに、チップ
部分のみを成形用金車のキャピテイ内に収納し、キャビ
ティ内に溶融樹脂を導入し、半導体素子を封止する。つ
ぎに、リードフレームを各半導体素子ごとに切断したの
ち、リード部分をプレス加工により直角下方に曲げ成形
する。すなわち、第５図に示すように、樹脂部分（人）
から突出しているリード（Ｂ）・・・をダイ（Ｃ）の上
に載せ、その上方より、リード（Ｂｌ・・・を板おさえ
（Ｂ）によりおさえる。そうして、外方に突出している
リード（Ｂ）・・・は、ポンチ（Ｂ）とダイ（Ｃ）によ
り曲げ刀口工される。
しかるに、上記従来のプレス加工によるリード（Ｂ）・
・・の曲げ成形に２いては、リードＣＢ）・・・が損傷
したり、ポンチ精度誤差により各リード（Ｂｌ・・・ご
とに、浮き、沈みなどの成形誤差が生じやすい不都合を
生じている。
・・の曲げ成形に２いては、リードＣＢ）・・・が損傷
したり、ポンチ精度誤差により各リード（Ｂｌ・・・ご
とに、浮き、沈みなどの成形誤差が生じやすい不都合を
生じている。
本発明は、上記事情に着目してなされたもので、リード
に損傷を与えることなく、高精度でリードの曲げ加工を
行うことができ′る半導体装置の製造方法を提供するこ
とを目的とする。
に損傷を与えることなく、高精度でリードの曲げ加工を
行うことができ′る半導体装置の製造方法を提供するこ
とを目的とする。
半導体装置の半導体素子を保護する樹脂部から突出して
いるリードに液体ジェット流を噴射してリードを下方に
曲げ成形するようにしたものである０ 〔発明の実施例〕 以下、本発明の一実施例を図面を参照して詳述する。
いるリードに液体ジェット流を噴射してリードを下方に
曲げ成形するようにしたものである０ 〔発明の実施例〕 以下、本発明の一実施例を図面を参照して詳述する。
第２図は、リードフレーム（１）を示していて、このリ
ードフレーム（１）は、ニラクル（Ｎｉ） ｆｉ 。
ードフレーム（１）は、ニラクル（Ｎｉ） ｆｉ 。
銅（Ｃｕ）基等の板材より打抜きにより成形されたもの
である。ついで、このリードフレーム（１）の一定のピ
ッチ間隔を有する所定部位に半導体素子であるチップを
グイ・ボンディングにより接合する。
である。ついで、このリードフレーム（１）の一定のピ
ッチ間隔を有する所定部位に半導体素子であるチップを
グイ・ボンディングにより接合する。
つぎに、チップとリードフレーム（１）の端子部分とと
ワ・イヤ・ポンディングにより接続する。つづいて、第
３図に示すように、上下一対の成形用金型（２）・・・
により、リードフレーム（１）を挾持するようにチップ
（３）・・・をそのキャピテイ（４）・・・中に収納し
、キャビティ（４）・・・中に溶融樹脂を導入し、第２
図に示すように、チップ（３）・・・を保護する樹脂部
（５）・・・を形成する。ついで、剪断加工によ１７１
Ｊ−ドフレーム（１）を各半導体装置（６）・・・ごと
に分割する。ついで半導体装置（６）を上下一対の支持
治具（７）、 （８）により保持する。すなわち、第１
図に示すように、支持治具（７）、 （８）は、互に密
接した状態で、中空の収納部（９）が形成される。この
収納部（９）中に、半導体装置（６）の樹脂部（５）を
収納するとともに、リード（１０）・・・の一部を外方
に突出させた状態で、このリード（１０）・・・を支持
冶具（力、（８）に挾持させる９ついで一対のノズル（
１１）。
ワ・イヤ・ポンディングにより接続する。つづいて、第
３図に示すように、上下一対の成形用金型（２）・・・
により、リードフレーム（１）を挾持するようにチップ
（３）・・・をそのキャピテイ（４）・・・中に収納し
、キャビティ（４）・・・中に溶融樹脂を導入し、第２
図に示すように、チップ（３）・・・を保護する樹脂部
（５）・・・を形成する。ついで、剪断加工によ１７１
Ｊ−ドフレーム（１）を各半導体装置（６）・・・ごと
に分割する。ついで半導体装置（６）を上下一対の支持
治具（７）、 （８）により保持する。すなわち、第１
図に示すように、支持治具（７）、 （８）は、互に密
接した状態で、中空の収納部（９）が形成される。この
収納部（９）中に、半導体装置（６）の樹脂部（５）を
収納するとともに、リード（１０）・・・の一部を外方
に突出させた状態で、このリード（１０）・・・を支持
冶具（力、（８）に挾持させる９ついで一対のノズル（
１１）。
（１１）より、水を高速で支持治具（７）、 （８）よ
り突出しているリード（１０）・・・に噴射し、紙面垂
直方向に相対的に送る。すると、高速噴射流があたった
リード（１０）・・・は下方に支持治具（８）の側面に
倣って変形し、第４図に示すような、リード（１０）・
・・が正確に所定形状に曲げ成形された半導体装置（６
）を得ることができる。
り突出しているリード（１０）・・・に噴射し、紙面垂
直方向に相対的に送る。すると、高速噴射流があたった
リード（１０）・・・は下方に支持治具（８）の側面に
倣って変形し、第４図に示すような、リード（１０）・
・・が正確に所定形状に曲げ成形された半導体装置（６
）を得ることができる。
このように、この実施例の半導体装置の製造方法は、リ
ード（１０）・・・の曲げ成形を液体ジェット加工によ
り行うよつにしているので、リード（１０）・・・に損
傷を与えることなく、ポンチによる曲げ加工に比べて高
速かつ高精度で行うことができる。さらに、リード（１
０）・・・に付着しているパリ、ゴミなどを同時に除去
することができる。
ード（１０）・・・の曲げ成形を液体ジェット加工によ
り行うよつにしているので、リード（１０）・・・に損
傷を与えることなく、ポンチによる曲げ加工に比べて高
速かつ高精度で行うことができる。さらに、リード（１
０）・・・に付着しているパリ、ゴミなどを同時に除去
することができる。
なお、ノズルの数は、加工態様に応じて複数個設置して
よい。また、複数の半導体装置（６）・・・をリード（
１０）・・・を突出させて、これらリード（１０）・・
・の長手方向に直交する方向に一列に支持治具（７）。
よい。また、複数の半導体装置（６）・・・をリード（
１０）・・・を突出させて、これらリード（１０）・・
・の長手方向に直交する方向に一列に支持治具（７）。
（８）に保持させ、ノズルより液体ジェット流をリード
（１０）・・・の配列方向に沿って噴射するようにすれ
ば、同時に硯数個のリードの曲げ加工が可能となり、加
工能率がポンチによる曲げ加工に比べてすこぶる向上す
る格別の効果を奏する。
（１０）・・・の配列方向に沿って噴射するようにすれ
ば、同時に硯数個のリードの曲げ加工が可能となり、加
工能率がポンチによる曲げ加工に比べてすこぶる向上す
る格別の効果を奏する。
本発明の半導体装置の製造方法は、半導体装置のリード
の曲げ加工を、リード表面に損傷を与えることなく、高
速かつ高精度で行うことができる。
の曲げ加工を、リード表面に損傷を与えることなく、高
速かつ高精度で行うことができる。
さらに、リードに付着しているパリ、ゴミなどを同時に
除去することができる利点をもっている。
除去することができる利点をもっている。
第１図は本発明の一実施例の半導体装置の製造方法の曲
げ加工工程の説明図、第２図はリードフレームを示す平
面図、第３図は樹脂成形工程の説明図、第４図は本発明
の一実施例の方法により得られた半導体装置の正面図、
＠Ｓ図は従来における半導体装置の製造方法の曲げ加工
工程の説明図である。 （１）・・・リードフレーム、（２）・・・チップ（半
導体素子）（５）・・・樹脂部、（６）・・・半導体装
置、 （１０）・・・リード代理人 弁理士 則 近
憲 佑 （ほか１名） 第１図 第４図 第５図 第２図 第３図
げ加工工程の説明図、第２図はリードフレームを示す平
面図、第３図は樹脂成形工程の説明図、第４図は本発明
の一実施例の方法により得られた半導体装置の正面図、
＠Ｓ図は従来における半導体装置の製造方法の曲げ加工
工程の説明図である。 （１）・・・リードフレーム、（２）・・・チップ（半
導体素子）（５）・・・樹脂部、（６）・・・半導体装
置、 （１０）・・・リード代理人 弁理士 則 近
憲 佑 （ほか１名） 第１図 第４図 第５図 第２図 第３図
Claims (1)
- リードが形成され且つ半導体素子が接続されたリード
フレームに上記半導体素子を保護する樹脂部を成形する
工程と、上記樹脂部から突出している上記リードに液体
ジェット流を噴射して上記リードを曲げ加工する工程と
を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59178386A JPS6158261A (ja) | 1984-08-29 | 1984-08-29 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59178386A JPS6158261A (ja) | 1984-08-29 | 1984-08-29 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6158261A true JPS6158261A (ja) | 1986-03-25 |
| JPH0123946B2 JPH0123946B2 (ja) | 1989-05-09 |
Family
ID=16047580
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59178386A Granted JPS6158261A (ja) | 1984-08-29 | 1984-08-29 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6158261A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0251879A2 (en) * | 1986-06-25 | 1988-01-07 | Fairchild Semiconductor Corporation | Solder finishing integrated circuit package leads |
-
1984
- 1984-08-29 JP JP59178386A patent/JPS6158261A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0251879A2 (en) * | 1986-06-25 | 1988-01-07 | Fairchild Semiconductor Corporation | Solder finishing integrated circuit package leads |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0123946B2 (ja) | 1989-05-09 |
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