JPH07135281A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法

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JPH07135281A
JPH07135281A JP5305959A JP30595993A JPH07135281A JP H07135281 A JPH07135281 A JP H07135281A JP 5305959 A JP5305959 A JP 5305959A JP 30595993 A JP30595993 A JP 30595993A JP H07135281 A JPH07135281 A JP H07135281A
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leads
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tab
resin
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Yasuhiro Koyama
泰弘 小山
Tomoo Sakamoto
友男 坂本
Yoshio Ohashi
芳雄 大橋
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Hitachi Ltd
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Hitachi Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 所望のリードを簡単かつ短時間に、しかも低
コストで形成する。 【構成】 金属の薄板15をワイヤカット放電加工によ
り加工してタブ3およびリード5のインナ部8を形成す
る。次に、ペレットおよびワイヤ・ボンディング工程、
さらに樹脂封止パッケージ本体成形工程を実施する。次
に、ワイヤカット放電加工によりパッケージ本体の外側
にリードのアウタ部を形成する。 【効果】 タブおよびリードをワイヤカット放電加工に
よって形成することにより、製作コストが高い金型を必
要としないため、半導体装置の製造コストを低減でき、
仕様の異なる半導体装置の製造も製作期間の長い金型や
マスクを使用しないため、短期間で製造できる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造技
術、特に、リードの形成技術に関し、例えば、開発段階
の半導体集積回路装置(以下、ICという。)や、小量
生産のICの製造に利用して有効な技術に関する。
【0002】
【従来の技術】ICが量産される場合には、リードフレ
ームと呼称される、金属板をパターニングした基板が使
用されている。このリードフレームは導電製材料として
の銅系(銅またはその合金)材料等からなる薄い金属板
が用いられて、打ち抜きプレス加工やエッチング加工等
のような手段により一体形成されている。
【0003】例えば、樹脂封止形ICの製造にあって
は、最初に、上記したように打ち抜きプレス加工等によ
って形成されたリードフレームに、ペレット・ボンディ
ング作業が実施されてリードフレームのタブ上に半導体
ペレットが搭載固定される。次に、ワイヤ・ボンディン
グ作業が実施されて、ペレットの各電極パッドとリード
フレームの各リードのインナ部がワイヤで電気的に接続
される。その後、タブ、ペレットおよびリードのインナ
部の被モールド領域がレジンで樹脂封止され、ペレット
等はレジンからなる樹脂封止パッケージ本体によって被
われる。そして、パッケージ本体の外側の不要なリード
フレーム部分が切断除去され、パッケージ本体から突出
するリードのアウタ部がさらに適当な形状に成形される
ことによって、樹脂封止形ICが製造される。
【0004】なお、このような樹脂封止形パッケージを
備えているICの製造方法を述べてある例としては、特
開昭60−241241号公報がある。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】前述したように、リー
ドフレームはエッチング加工や打ち抜きプレス加工によ
って形成されている。このうち、エッチング加工はプレ
ス加工に比べれば汎用性があるため、開発段階や小量生
産時に使用されることが多い。しかしながら、このエッ
チング加工は、マスクの製作に手間がかかるとともに、
エッチング処理に時間がかかるため、リードフレームの
製作コストが割高になるという問題点がある。
【0006】一方、プレス金型を利用した打ち抜きプレ
ス加工は、一度金型を製作すれば、精度および生産性が
良好であるため、量産用として広く使用されている。し
かしながら、プレス金型は高価で、その製作期間も長く
かかり、汎用性にも欠けるという問題点を有している。
【0007】また、エッチング加工およびプレス加工に
よりリードフレームが成形されるいずれの場合であって
も、樹脂封止パッケージ本体成形後、パッケージ本体か
ら突出しているリードフレームの不要部分を切断除去す
る加工には、従来から切断用のプレス金型が使用されて
いる。この切断用プレス金型についても上記リードフレ
ーム打ち抜き用の金型と同様の問題点がある。
【0008】本発明の目的は、所望のリードを簡単かつ
迅速に、しかも、低コストで形成することができる半導
体装置の製造技術を提供することにある。
【0009】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
【0010】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を説明すれば、次の通り
である。
【0011】すなわち、半導体ペレットと、半導体ペレ
ットの各電極に電気的に接続されている複数本のリード
と、半導体ペレットおよび各リードの一部を封止するパ
ッケージ本体とを備えている半導体装置の製造方法にお
いて、前記リードは、高エネルギーを被加工物に付勢し
て被加工物を欠除加工する加工手段の高エネルギー付勢
点が、リードの材料になる金属板に対して指定された軌
跡に相対移動されることにより、形成されることを特徴
とする。
【0012】
【作用】前記した手段によれば、タブおよびリードの形
成に、製作コストが高いプレス金型を必要としない。こ
のため、半導体装置の製造コストを低減することができ
る。また、仕様の異なる半導体装置の製造も製作期間の
長いプレス金型を使用しないため、短期間で製造できる
ようになる。さらに、エッチング加工法に比べても、マ
スクの製作が不要であるため、コストをきわめて小さく
抑制することができるとともに、汎用性もより一層向上
することができる。
【0013】
【実施例】図1は本発明の一実施例である樹脂封止形D
IP・ICの製造工程におけるタブおよびリードの形成
工程(ワイヤカット放電加工)を示す斜視図、図2以降
は樹脂封止形DIP・ICの製造方法における各工程を
示す説明図である。
【0014】本実施例において、本発明に係る半導体装
置は、DIP・ICとして構成されている。このDIP
・IC1は、ペレット2と、ペレット2がボンディング
されているタブ3と、ペレット2の各電極パッド2aに
ボンディングワイヤ4を介して電気的に接続されている
複数本のリード5と、ペレット2、タブ3および各リー
ド5の一部を樹脂封止する樹脂封止パッケージ本体6と
を備えている。
【0015】以下、本発明の一実施例であるこのDIP
・IC1の製造方法を説明する。この説明により、DI
P・ICについての前記した構成の詳細が共に明らかに
される。
【0016】本実施例におけるDIP・ICの製造方法
において、タブおよびリードはワイヤカット放電加工に
よって金属板から製作される。
【0017】まず、一枚の略長方形形状の薄い金属板、
例えば鉄−ニッケル合金や燐青銅等のような比較的大き
い機械的強度を有するばね材料からなる薄板が用いら
れ、ワイヤカット放電加工により、不要な部分が切断除
去されて、図2に示すように、薄板15の略中央部に配
置されたタブ3と、そのタブ3を支持する2本のタブ吊
りリード7と、タブ3の周囲に配置されている複数本の
リードのインナ部8とが一体形成される。16は予め形
成されている位置決め孔である。
【0018】薄板15の略中央部に配置されているタブ
3は略正方形形状に形成されて、その対向する両端の略
中央部が2本のタブ吊りリード7で支持されており、タ
ブ吊りリード7は一端がタブ3に連結されてタブ3に垂
直に延び、他端が薄板15の枠状部15aに連結されて
いる。タブ3の外周囲には、先端がタブ3に近接してタ
ブ3を取り囲むようにして複数本のリードのインナ部8
が形成されている。各リードのインナ部8は、途中まで
の部分が、タブ3におけるタブ吊りリード7が連結され
ていない側の辺に対して垂直に配されて薄板15の枠状
部15aからそれぞれ突設されており、それから延びて
いる先端部分がタブ3に向かって屈曲してタブ3の近傍
まで延在されている。
【0019】ワイヤカット放電加工の概要を図1に基づ
いて以下説明する。ワイヤカット放電加工は、銅、黄銅
あるいはタングステンなどの細いワイヤ電極50と、被
加工物である薄板15との間に所定のインパルス電圧を
印加しながら、間欠的火花放電を行わせ、その際に発生
する異常消耗現象を利用した加工法であり、ワイヤ電極
50により被加工物である薄板15を糸鋸式に加工す
る。51は薄板15とワイヤ電極50との間に接続され
た加工電源である。ワイヤ電極50は供給リール52か
ら一定速度で送り出され、巻き取りリール53に巻き取
られる。被加工物である薄板15を固定しているクロス
テーブル54はNC装置55によりX、Y軸方向に送り
が与えられ、所望の2次元形状の加工が行われる。56
はタンク57に収容されている加工液で、ポンプ58に
より加工部分に送られる。
【0020】上記ワイヤカット放電加工の後、後述する
ワイヤボンディング作業におけるボンダビィリティーを
高めるために、リードのインナ部8の先端部表面には銀
等を用いためっき処理が施される。
【0021】上記のように、タブ3およびリードのイン
ナ部8をワイヤカット放電加工によって形成した薄板1
5には、ペレット・ボンディング作業、続いて、ワイヤ
・ボンディング作業が実施される。
【0022】ペレット・ボンディング作業により、図3
に示されているように、ペレット2がタブ3上の略中央
部に配されて、銀ペースト等の接着材層により形成され
るボンディング層9を介して固着される。
【0023】そして、タブ3に固定的に搭載されたペレ
ット2の各電極パッド2aと、これらの電極パッド2a
に対応するリードのインナ部8の先端部との間にはワイ
ヤ4が、その両端部をそれぞれボンディングされて橋絡
される。これにより、ペレット2に作り込まれている集
積回路は、電極パッド2aからワイヤ4を介してリード
のインナ部8へ引き出されることになる。
【0024】つぎに、トランスファ成形装置が使用され
て、図5に示されているように、ペレット2、ワイヤ4
およびリードのインナ部8が樹脂封止パッケージ本体6
で樹脂封止される。
【0025】図4に示されているトランスファ成形装置
20はシリンダ装置等(図示せず)によって互いに型締
めされる一対の上型21と下型22とを備えており、上
型21と下型22との合わせ面には上型キャビティー凹
部23aと下型キャビティー凹部23bとが互いに協働
してキャビティー23を形成するように複数組没設され
ている。
【0026】上型21の合わせ面にはポット24が開設
されており、ポット24にはシリンダ装置(図示せず)
により進退されるプランジャ25が成形材料としての樹
脂(以下、レジンという。)を送給し得るように挿入さ
れている。
【0027】下型22の合わせ面にはカル26がポット
24との対向位置に配されて没設されているとともに、
複数条のランナ27がカル26にそれぞれ接続するよう
に放射状に配されて没設されている。各ランナ27の他
端部は下側キャビティー凹部23bにそれぞれ接続され
ており、その接続部にはゲート28がレジンをキャビテ
ィー23内に注入し得るように形成されている。また、
下型22の合わせ面には逃げ凹所29がリードフレーム
の厚みを逃げ得るように、薄板15の外形よりも若干大
きめの長方形で、その厚さと略等しい寸法の一定深さに
没設されている。
【0028】トランスファ成形時において、前記構成に
かかる薄板15は下型22に没設されている逃げ凹所2
9内に、ペレット2がキャビティー23内に収容される
ように配されてセットされる。続いて、上型21と下型
22とが型締めされ、ポット24からプランジャ25に
よりレジン31がランナ27およびゲート28を通じて
キャビティー23に送給されて圧入される。
【0029】注入後、レジンが熱硬化されて樹脂封止形
パッケージ本体6が成形されると、上型21および下型
22は型開きされるとともに、エジェクタ・ピン(図示
せず)によりパッケージ本体6が離型される。このよう
にして、図5に示されているように、パッケージ本体6
を成形された薄板15はトランスファ成形装置20から
脱装されて次工程へ送られる。図5中、30は樹脂ばり
である。
【0030】次に、ワイヤカット放電加工によって、ペ
レット2等が樹脂封止されている薄板15を、図6に示
す点線に沿って、すなわち樹脂封止パッケージ本体6の
外側面の一部およびリードのアウタ部形状に沿って、切
断することにより、図7に示されているように、複数本
のリードのアウタ部10が樹脂封止パッケージ本体6の
長辺側の側面から垂直に突出形成される。複数本のリー
ドのアウタ部10は等間隔に、かつ、平行に配されてお
り、各リードのアウタ部10は樹脂封止パッケージ本体
6の付近において幅広に、それから先は幅狭に形成され
ており、幅広部と幅狭部との境界部にはテーパ部が形成
されている。また、アウタ部10の先端部も先細のテー
パ形状に形成されている。
【0031】以上のように、タブ3およびリード5(イ
ンナ部8とアウタ部10)を、ワイヤカット放電加工に
より形成することにより、製作コストが高く、設計・製
作期間が長い金型を使用せずに済み、開発期間の短縮、
生産コストの低減等を図ることができる。
【0032】また、従来は、樹脂封止パッケージ本体成
形後、パッケージ本体から突出しているリードフレーム
の不要な部分をプレス金型によって切断していた。その
ため、リードとパッケージ本体との間に大きなストレス
が加わり、リードとパッケージ本体を構成する樹脂との
間にクラック等が発生することがあった。しかし、本実
施例にあっては、プレス金型は使用せず、ワイヤカット
放電加工によって加工されるため、リードとパッケージ
本体を構成する樹脂との間にクラック等が発生しない。
【0033】また、アウタ部10の形成時に、樹脂封止
パッケージ本体6の側面に発生されている樹脂ばり30
を同時に除去できる。従来は、この樹脂ばり30を除去
するために、プレス金型を使用した打ち抜き処理が実施
されていたので、この金型を使用した打ち抜き処理を省
略できることになる。
【0034】次に、はんだめっき処理工程において、リ
ードのアウタ部10にはんだ皮膜が被着される。はんだ
皮膜はリードの酸化を防止するとともに、樹脂封止形D
IP・ICが使用者等においてプリント配線基板に実装
される際におけるソルダビリティーを高めるために被着
される。
【0035】次に、図8に示されているリード成形装置
により、リードのアウタ部10が図9に示されているよ
うに下向きに屈曲成形される。
【0036】図8に示されているリード成形装置37は
上側取付板60および下側取付板70を備えており、上
側取付板60はシリンダ装置(図示せず)によって上下
動されることにより、機台上に固設されている下側取付
板70に対して接近、離反するように構成されている。
両取付板60および70にはホルダ61および71がそ
れぞれ固定的に取り付けられており、両ホルダ61およ
び71には上側押さえ型62および下側押さえ型72
(以下、上型62および下型72ということがある。)
が互いに心合わせされてそれぞれ保持されている。上型
62および下型72は互いにもなか合わせになる略チャ
ンネル型鋼形状にそれぞれ形成されており、上型62と
下型72とは左右の押さえ部63と73とによってリー
ドのアウタ部10の基端部を上下から押さえるように構
成されている。また、上型62はガイド68およびスプ
リング69により独立懸架されるように構成されてい
る。
【0037】上側ホルダ61には成形ロール64が一
対、上型62の左右両脇においてリード群のピッチに対
応するように垂直下向きに配されて、回転自在に支持さ
れており、このロール64は後記する成形ダイと協働し
てリードのアウタ部10を略垂直下向きに屈曲成形し得
るように構成されている。
【0038】他方、下型72には一対の成形ダイ74が
押さえ部73の左右両脇に配されて、成形後におけるリ
ードのアウタ部10の下面に沿う形状に形成されてい
る。
【0039】次に作用を説明する。図8に示されている
ように、下型72にDIP・IC中間品40が凹部にパ
ッケージ本体6を落とし込むようにしてセットされる。
これにより、リードのアウタ部10の基端部が下型72
の押さえ部73に当接する。
【0040】次ぎに、シリンダ装置により上側取付板6
0が下降され、上型62が下型72にスプリング69の
付勢力により合わせられる。これにより、上型62の押
さえ部63と下型72の押さえ部73との間で被屈曲部
としてのリードのアウタ部10の基端部が挟圧されて固
定される。
【0041】その後、上側取付板60がさらに下降され
て行くと、成形ロール64が下降されて行く。このと
き、上型62はスプリング69が圧縮変形されるため、
下型72に押圧される。
【0042】さらに、成形ロール64が成形ダイ74に
対して下降されると、リードのアウタ部10は成形ロー
ル64の下降に伴って成形ダイ74に押しつけられるこ
とにより、この成形ダイ74に倣うように屈曲されて所
望の形状に成形される。
【0043】成形ロール64が所定のストロークを終了
すると、成形ロール64は上昇され、元の待機状態まで
戻される。その後、成形済のICは下型72から取り外
され、次工程に送給されて行く。
【0044】前記実施例によれば次の効果が得られる。 タブおよびリードを形成するのに、ワイヤカット放
電加工により形成するため、打ち抜き加工のための金型
や、エッチング処理のためのマスクが不要になる。
【0045】 樹脂封止パッケージ本体成形後にワイ
ヤカット放電加工によって不要部分を除去し、リードの
アウタ部を形成することにより、リードとパッケージ本
体との間に大きなストレスが加わらないため、リードと
パッケージ本体を構成する樹脂との間にクラック等が発
生せず、クラック等による耐湿性の低下を防止すること
ができる。
【0046】 上記により、製作コストの高い金型
やマスクを使用しないため、半導体装置の製作コストの
低減を図ることができる。
【0047】 上記により、設計・製作期間の長い
金型を使用しないため、半導体装置をより短期間で製造
することができる。
【0048】 ワイヤカット放電加工により、樹脂封
止パッケージ本体成形後におけるリードのアウタ部の形
成時に、樹脂封止パッケージ本体の側面に発生されてい
る樹脂ばりを同時に除去できるため、樹脂ばりを除去す
るプレス金型が不要になり、上記と同じ効果、および
コストの低減等を図ることができる。
【0049】以上本発明者によってなされた発明を実施
例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例に
限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で
種々変更可能であることはいうまでもない。
【0050】例えば、ワイヤカット放電加工法の代わり
に、レーザ加工法あるいはウォータジェット加工法等の
高エネルギー付勢を利用した加工法を使用することもで
きる。
【0051】以上の説明では主として本発明者によって
なされた発明をその背景となった利用分野である樹脂封
止形DIP・ICに適用した場合について説明したが、
それに限定されるものではなく、その他の樹脂封止パッ
ケージを備えているICや、気密封止パッケージを備え
ているIC等の半導体装置全般に適用することができ
る。
【0052】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、次
の通りである。
【0053】リードを金属板からワイヤカット放電加
工、レーザ加工、あるいはウォータジェット加工により
形成することにより、製作コストが高い切断用金型を必
要としないため、半導体装置の製造コストを低減するこ
とができ、さらに仕様の異なる半導体装置の製造も製作
期間の長い金型やマスクを使用しないため、短期間で製
造することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例である樹脂封止形DIP・I
Cの製造工程におけるタブおよびリードの形成工程(ワ
イヤカット放電加工)を示す斜視図である。
【図2】ワイヤカット放電加工により、タブ、リードの
インナ部等を形成した薄板を示す平面図である。
【図3】その薄板上に、ペレットおよびワイヤ・ボンデ
ィング作業が実施された後の状態を示す図で、(a)は
平面図、(b)は縦断面図である。
【図4】樹脂封止パッケージ本体成形工程を示す縦断面
図である。
【図5】樹脂封止パッケージ本体成形後を示す平面図で
ある。
【図6】樹脂封止パッケージ本体成形後のワイヤカット
放電加工による切断線を示す説明図である。
【図7】樹脂封止パッケージ本体成形後にワイヤカット
放電加工によりリードのアウタ部が形成された状態を示
す平面図である。
【図8】リード成形装置を示す縦断面図である。
【図9】樹脂封止形DIP・ICを示し、(a)は斜視
図、(b)は縦断面図である。
【符号の説明】
1…DIP・IC、2…ペレット、2a…電極パッド、
3…タブ、4…ワイヤ、5…リード、6…樹脂封止パッ
ケージ本体、7…タブ吊りリード、8…インナ部、9…
ボンディング層、10…アウタ部、15…薄板、15a
…枠状部、16…位置決め孔、20…トランスファ成形
装置、21…上型、22…下型、23…キャビティー、
24…ポット、25…プランジャ、26…カル、27…
ランナ、28…ゲート、29…リードフレーム逃げ凹
所、30…樹脂ばり、31…レジン、37…リード成形
装置、40…DIP・IC中間品、50…ワイヤ電極、
51…加工電源、52…供給リール、53…巻き取りリ
ール、54…クロステーブル、55…NC装置、56…
加工液、57…タンク、58…ポンプ、60、70…取
付板、61、71…ホルダ、62、72…押さえ型、6
3、73…押さえ部、64…成形ロール、68…ガイ
ド、69…スプリング、74…成形ダイ。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半導体ペレットと、半導体ペレットの各
    電極に電気的に接続されている複数本のリードと、半導
    体ペレットおよび各リードの一部を封止するパッケージ
    本体とを備えている半導体装置の製造方法において、 前記リードは、高エネルギーを被加工物に付勢して被加
    工物を欠除加工する加工手段の高エネルギー付勢点が、
    リードの材料になる金属板に対して指定された軌跡に相
    対移動されることにより、形成されることを特徴とする
    半導体装置の製造方法。
  2. 【請求項2】 前記加工手段は、ワイヤカット放電加工
    装置、レーザー加工装置、ウォータジェット装置のうち
    の少なくとも一つであることを特徴とする請求項1に記
    載の半導体装置の製造方法。
  3. 【請求項3】 半導体ペレットと、半導体ペレットの各
    電極に電気的に接続されている複数本のリードと、ペレ
    ットおよび各リードの一部を封止するパッケージ本体と
    を備えている半導体装置の製造方法において、 高エネルギーを被加工物に付勢して被加工物を欠除加工
    する加工手段の高エネルギー付勢点がリードの材料にな
    る金属板に対して指定された軌跡に相対移動されること
    により、付勢点がリードのインナ部が一体形成されるイ
    ンナ部形成工程と、 半導体ペレットの各電極と各リードのインナ部とが電気
    的に接続される接続工程と、 半導体ペレットおよびリードのインナ部を封止するパッ
    ケージ本体を成形するパッケージ本体成形工程と、 前記加工手段の高エネルギー付勢点がパッケージ本体を
    成形された前記金属板に対して指定された軌跡に相対移
    動されることにより、パッケージ本体の外側にリードの
    アウタ部が一体形成されるアウタ部形成工程とを備えて
    いることを特徴とする半導体装置の製造方法。
JP5305959A 1993-11-11 1993-11-11 半導体装置の製造方法 Pending JPH07135281A (ja)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7171744B2 (en) 2003-09-01 2007-02-06 Oki Electric Industry Co., Ltd. Substrate frame

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