JPH05291328A - 半導体装置樹脂封止用金型と半導体装置 - Google Patents
半導体装置樹脂封止用金型と半導体装置Info
- Publication number
- JPH05291328A JPH05291328A JP11537692A JP11537692A JPH05291328A JP H05291328 A JPH05291328 A JP H05291328A JP 11537692 A JP11537692 A JP 11537692A JP 11537692 A JP11537692 A JP 11537692A JP H05291328 A JPH05291328 A JP H05291328A
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- JP
- Japan
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- dam
- mold
- semiconductor device
- resin
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- Pending
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ダム内へ突入可能なダム型がパーティング面
に突設されたダム型を有する半導体樹脂封止用金型にお
いて、ダム内のフラッシュを確実にカット可能にし得る
半導体樹脂封止用金型とその金型で樹脂封止された半導
体装置を提供する。 【構成】 型閉した際に、樹脂封止される半導体装置の
リードフレーム１６のダムバー１４とインナーリード１
２とに囲繞されて成るダム２０内へ突入可能なダム型３
０をパーティング面２８ｂに突設して成る半導体装置樹
脂封止用金型２６において、前記ダム型３０の高さは前
記インナーリード１２の厚さ未満である。
に突設されたダム型を有する半導体樹脂封止用金型にお
いて、ダム内のフラッシュを確実にカット可能にし得る
半導体樹脂封止用金型とその金型で樹脂封止された半導
体装置を提供する。 【構成】 型閉した際に、樹脂封止される半導体装置の
リードフレーム１６のダムバー１４とインナーリード１
２とに囲繞されて成るダム２０内へ突入可能なダム型３
０をパーティング面２８ｂに突設して成る半導体装置樹
脂封止用金型２６において、前記ダム型３０の高さは前
記インナーリード１２の厚さ未満である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置樹脂封止用金
型と半導体装置に関し、一層詳細には型閉した際に、樹
脂封止される半導体装置のリードフレームのダムバーと
インナーリードとに囲繞されて成るダム内へ突入可能な
ダムブロックをパーティング面に突設して成る半導体装
置樹脂封止用金型と、その半導体装置樹脂封止用金型で
樹脂封止された半導体装置に関する。
型と半導体装置に関し、一層詳細には型閉した際に、樹
脂封止される半導体装置のリードフレームのダムバーと
インナーリードとに囲繞されて成るダム内へ突入可能な
ダムブロックをパーティング面に突設して成る半導体装
置樹脂封止用金型と、その半導体装置樹脂封止用金型で
樹脂封止された半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置樹脂封止用金型において、型
閉した際に、樹脂封止される半導体装置の、リードフレ
ームのダムバーとインナーリードとに囲繞されて成るダ
ム内へ突入可能なダムブロックがパーティング面に突設
されているものが知られている。このダムブロックはイ
ンナーリードの厚さと同一の高さに形成され、一方の型
のパーティング面から他方の型のパーティング面に向け
て突設されている。型閉した際にはダムブロックはリー
ドフレームのダム内に突入し、ダムブロックの先端面は
リードフレームの他方の型側の面と面一になる。この状
態で樹脂封止を行うと、ダム内はダムブロックで充填さ
れ、フラッシュの発生を防止可能となる。
閉した際に、樹脂封止される半導体装置の、リードフレ
ームのダムバーとインナーリードとに囲繞されて成るダ
ム内へ突入可能なダムブロックがパーティング面に突設
されているものが知られている。このダムブロックはイ
ンナーリードの厚さと同一の高さに形成され、一方の型
のパーティング面から他方の型のパーティング面に向け
て突設されている。型閉した際にはダムブロックはリー
ドフレームのダム内に突入し、ダムブロックの先端面は
リードフレームの他方の型側の面と面一になる。この状
態で樹脂封止を行うと、ダム内はダムブロックで充填さ
れ、フラッシュの発生を防止可能となる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
従来の半導体樹脂封止用金型とその金型で樹脂封止され
た半導体装置には次のような課題がある。ダムブロック
の先端面が確実にインナーリードの厚さと同一の高さに
形成され、型閉した際に、ダムブロックの先端面がリー
ドフレームの他方の型側の面と面一になればダム内にフ
ラッシュは発生しない。しかし、インナーリードの板厚
の公差は一般的に±０．０１ミリメートルであり、この
公差の範囲内において、ダムブロックの先端面がリード
フレームの他方の型側の面に達しない場合、ダム内に極
めて薄い（例えば０．００５〜０．０２５ミリメート
ル）フラッシュが成形されてしまうことが多い。そこ
で、パンチとダイで薄いフラッシュをカット、除去する
工程が必要となる。ところがフラッシュが極めて薄いた
め、パンチが作用しても容易に変形してしまいカットで
きないことがある。また、フラッシュがパンチやパンチ
ガイドへ付着したり、完全にカットできなかったフラッ
シュがリードに巻きつくという課題がある。従って、本
発明はダム内へ突入可能なダムブロックがパーティング
面に突設されたダムブロックを有する半導体樹脂封止用
金型において、ダム内のフラッシュを確実にカット可能
にし得る半導体樹脂封止用金型とその金型で樹脂封止さ
れた半導体装置を提供することを目的とする。
従来の半導体樹脂封止用金型とその金型で樹脂封止され
た半導体装置には次のような課題がある。ダムブロック
の先端面が確実にインナーリードの厚さと同一の高さに
形成され、型閉した際に、ダムブロックの先端面がリー
ドフレームの他方の型側の面と面一になればダム内にフ
ラッシュは発生しない。しかし、インナーリードの板厚
の公差は一般的に±０．０１ミリメートルであり、この
公差の範囲内において、ダムブロックの先端面がリード
フレームの他方の型側の面に達しない場合、ダム内に極
めて薄い（例えば０．００５〜０．０２５ミリメート
ル）フラッシュが成形されてしまうことが多い。そこ
で、パンチとダイで薄いフラッシュをカット、除去する
工程が必要となる。ところがフラッシュが極めて薄いた
め、パンチが作用しても容易に変形してしまいカットで
きないことがある。また、フラッシュがパンチやパンチ
ガイドへ付着したり、完全にカットできなかったフラッ
シュがリードに巻きつくという課題がある。従って、本
発明はダム内へ突入可能なダムブロックがパーティング
面に突設されたダムブロックを有する半導体樹脂封止用
金型において、ダム内のフラッシュを確実にカット可能
にし得る半導体樹脂封止用金型とその金型で樹脂封止さ
れた半導体装置を提供することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明は次の構成を備える。すなわち、型閉した際
に、樹脂封止される半導体装置のリードフレームのダム
バーとインナーリードとに囲繞されて成るダム内へ突入
可能なダムブロックをパーティング面に突設して成る半
導体装置樹脂封止用金型において、前記ダムブロックの
高さは前記インナーリードの厚さ未満であることを特徴
とする。具体的には、例えば前記ダムブロックの高さ方
向の断面形状は、先端方向へ行くに従い徐々に短寸とな
る等脚台形状に形成するとよい。
め、本発明は次の構成を備える。すなわち、型閉した際
に、樹脂封止される半導体装置のリードフレームのダム
バーとインナーリードとに囲繞されて成るダム内へ突入
可能なダムブロックをパーティング面に突設して成る半
導体装置樹脂封止用金型において、前記ダムブロックの
高さは前記インナーリードの厚さ未満であることを特徴
とする。具体的には、例えば前記ダムブロックの高さ方
向の断面形状は、先端方向へ行くに従い徐々に短寸とな
る等脚台形状に形成するとよい。
【０００５】
【作用】作用について説明する。ダムブロックの高さは
インナーリードの厚さ未満に形成することにより、樹脂
封止の際にダム内に形成されるフラッシュを、パンチと
ダイでカット、除去する場合にも容易に変形不能な厚い
フラッシュとすることが可能となる。
インナーリードの厚さ未満に形成することにより、樹脂
封止の際にダム内に形成されるフラッシュを、パンチと
ダイでカット、除去する場合にも容易に変形不能な厚い
フラッシュとすることが可能となる。
【０００６】
【実施例】以下、本発明の好適な実施例について添付図
面と共に詳述する。図１には本実施例の半導体樹脂封止
用金型で樹脂封止された半導体装置を示す。図１におい
て、１０はパッケージ部であり、内部に半導体チップ
（不図示）が樹脂封止されている。１２はインナーリー
ドであり、不図示の内端はパッケージ部１０内において
半導体チップと接続されている。１４はダムバーであ
り、両端はリードフレーム１６のサイドレール１８に接
続され、かつ各インナーリード１２を横断する方向へ延
び、インナーリード１２とも接続されている。２０はダ
ムであり、インナーリード１２、ダムバー１４およびパ
ッケージ部１０の側壁に囲繞されて成る空間である。ダ
ム２０は、パッケージ部１０を樹脂封止する際に、樹脂
の流れをせき止めるために形成されている。ダム２０に
よりせき止められた樹脂がダム２０内にフラッシュ２２
として残っている。
面と共に詳述する。図１には本実施例の半導体樹脂封止
用金型で樹脂封止された半導体装置を示す。図１におい
て、１０はパッケージ部であり、内部に半導体チップ
（不図示）が樹脂封止されている。１２はインナーリー
ドであり、不図示の内端はパッケージ部１０内において
半導体チップと接続されている。１４はダムバーであ
り、両端はリードフレーム１６のサイドレール１８に接
続され、かつ各インナーリード１２を横断する方向へ延
び、インナーリード１２とも接続されている。２０はダ
ムであり、インナーリード１２、ダムバー１４およびパ
ッケージ部１０の側壁に囲繞されて成る空間である。ダ
ム２０は、パッケージ部１０を樹脂封止する際に、樹脂
の流れをせき止めるために形成されている。ダム２０に
よりせき止められた樹脂がダム２０内にフラッシュ２２
として残っている。
【０００７】次に、図２（図１Ａ−Ａ部の部分断面図）
と共に、フラッシュ２２の形状について説明する。ダム
２０内に形成されたフラッシュ２２は、上面はインナー
リード１２の上面と面一に形成されている。フラッシュ
２２の内側には上端方向へ行くに従い徐々に短寸となる
等脚台形状の空間２４が形成されている。空間２４は下
端が開放されている。
と共に、フラッシュ２２の形状について説明する。ダム
２０内に形成されたフラッシュ２２は、上面はインナー
リード１２の上面と面一に形成されている。フラッシュ
２２の内側には上端方向へ行くに従い徐々に短寸となる
等脚台形状の空間２４が形成されている。空間２４は下
端が開放されている。
【０００８】フラッシュ２２の中央部分の厚さＢは、例
えば０．０５〜０．０７ミリメートルに形成するとよ
い。厚さＢを０．０５〜０．０７ミリメートル程度に形
成すると、フラッシュ２２にある程度の剛性を持たせる
ことができる。そこで、当該フラッシュ２２をパンチ
（不図示）で下方へ押動すると、フラッシュ２２が変形
しにくいため、フラッシュ２２は割れてインナーリード
１２から剥離するので確実に除去することができる。ま
た、フラッシュ２２の上面はダム２０内全面に広がって
いるので、パンチを確実にフラッシュ２２へ当てること
ができ、かつ上記の剛性を持たせた効果によりパンチが
正確にフラッシュ２２の中央に当たらなくてもフラッシ
ュ２２を割ることができる。さらに、空間２４を上端方
向へ行くに従い徐々に短寸となる等脚台形状に形成する
ことにより、フラッシュ２２のインナーリード１２寄り
の部分の剛性を高めることができる。その結果、フラッ
シュ２２除去の際により確実にフラッシュ２２を剥離、
除去することができる。
えば０．０５〜０．０７ミリメートルに形成するとよ
い。厚さＢを０．０５〜０．０７ミリメートル程度に形
成すると、フラッシュ２２にある程度の剛性を持たせる
ことができる。そこで、当該フラッシュ２２をパンチ
（不図示）で下方へ押動すると、フラッシュ２２が変形
しにくいため、フラッシュ２２は割れてインナーリード
１２から剥離するので確実に除去することができる。ま
た、フラッシュ２２の上面はダム２０内全面に広がって
いるので、パンチを確実にフラッシュ２２へ当てること
ができ、かつ上記の剛性を持たせた効果によりパンチが
正確にフラッシュ２２の中央に当たらなくてもフラッシ
ュ２２を割ることができる。さらに、空間２４を上端方
向へ行くに従い徐々に短寸となる等脚台形状に形成する
ことにより、フラッシュ２２のインナーリード１２寄り
の部分の剛性を高めることができる。その結果、フラッ
シュ２２除去の際により確実にフラッシュ２２を剥離、
除去することができる。
【０００９】続いて図３と共に、図１および図２に示し
た半導体装置を樹脂封止するための金型について説明す
る。金型２６は上型２６ａと下型２６ｂとから構成され
ている。インナーリード１２を挟着する部分のパーティ
ング面２８ａ、２８ｂのうち下型２６ｂのパーティング
面２８ａであって、リードフレーム１６の各ダム２０に
対応する部分には、ダム２０内へ突入可能であると共
に、高さがインナーリード１２の厚さ未満のダムブロッ
ク３０が上方へ突設されている。インナーリード１２の
厚さとダムブロック３０の高さの差Ｃは、フラッシュ２
２の中央部分の厚さＢ（図２参照）と同一に設定されて
いる。ダムブロック３０は、フラッシュ２２の空間２４
を形成するために設けられており、高さ方向の断面形状
は、上端方向へ行くに従い徐々に短寸となる等脚台形状
である。このダムブロック３０を有する金型２６を用い
て樹脂封止を行うと、パッケージ部１０を形成するため
に金型２６内に充填された溶融樹脂が流れ出し、ダム２
０内に流れ込み、フラッシュを形成すると、図２に示す
形状のフラッシュ２２が形成される。
た半導体装置を樹脂封止するための金型について説明す
る。金型２６は上型２６ａと下型２６ｂとから構成され
ている。インナーリード１２を挟着する部分のパーティ
ング面２８ａ、２８ｂのうち下型２６ｂのパーティング
面２８ａであって、リードフレーム１６の各ダム２０に
対応する部分には、ダム２０内へ突入可能であると共
に、高さがインナーリード１２の厚さ未満のダムブロッ
ク３０が上方へ突設されている。インナーリード１２の
厚さとダムブロック３０の高さの差Ｃは、フラッシュ２
２の中央部分の厚さＢ（図２参照）と同一に設定されて
いる。ダムブロック３０は、フラッシュ２２の空間２４
を形成するために設けられており、高さ方向の断面形状
は、上端方向へ行くに従い徐々に短寸となる等脚台形状
である。このダムブロック３０を有する金型２６を用い
て樹脂封止を行うと、パッケージ部１０を形成するため
に金型２６内に充填された溶融樹脂が流れ出し、ダム２
０内に流れ込み、フラッシュを形成すると、図２に示す
形状のフラッシュ２２が形成される。
【００１０】フラッシュ２２を除去する際は、従来公知
のパンチとダイ（例えば特開平３−２６８８２４号公報
参照）で除去すれば確実にダム２０内のフラッシュ２２
をカット、除去することができる。以上、本発明の好適
な実施例について種々述べてきたが、本発明は上述の実
施例に限定されるのではなく、発明の精神を逸脱しない
範囲で多くの改変を施し得るのはもちろんである。
のパンチとダイ（例えば特開平３−２６８８２４号公報
参照）で除去すれば確実にダム２０内のフラッシュ２２
をカット、除去することができる。以上、本発明の好適
な実施例について種々述べてきたが、本発明は上述の実
施例に限定されるのではなく、発明の精神を逸脱しない
範囲で多くの改変を施し得るのはもちろんである。
【００１１】
【発明の効果】本発明に係る半導体装置樹脂封止用金型
を用いると、ダムブロックの高さはインナーリードの厚
さ未満に形成することにより、樹脂封止された半導体装
置のダム内に形成されるフラッシュを、パンチとダイで
カット、除去する場合にも容易に変形不能な厚いフラッ
シュとすることが可能となる。従って、フラッシュをパ
ンチとダイでカット、除去する際に、フラッシュが変形
しにくいため、フラッシュは割れてインナーリードから
剥離するので確実に除去することができる。また、請求
項２の構成を採用すると、フラッシュのインナーリード
寄りの部分の剛性を高めることができ、フラッシュ除去
の際により確実にフラッシュを剥離、除去することがで
きる等の著効を奏する。
を用いると、ダムブロックの高さはインナーリードの厚
さ未満に形成することにより、樹脂封止された半導体装
置のダム内に形成されるフラッシュを、パンチとダイで
カット、除去する場合にも容易に変形不能な厚いフラッ
シュとすることが可能となる。従って、フラッシュをパ
ンチとダイでカット、除去する際に、フラッシュが変形
しにくいため、フラッシュは割れてインナーリードから
剥離するので確実に除去することができる。また、請求
項２の構成を採用すると、フラッシュのインナーリード
寄りの部分の剛性を高めることができ、フラッシュ除去
の際により確実にフラッシュを剥離、除去することがで
きる等の著効を奏する。
【図１】本発明に係る半導体樹脂封止用金型で樹脂封止
された半導体装置の実施例を示す部分平面図。
された半導体装置の実施例を示す部分平面図。
【図２】図１Ａ−Ａ部の部分断面図。
【図３】図１および図２に示す半導体装置を樹脂封止す
るための半導体樹脂封止用金型の実施例を示した部分断
面図。
るための半導体樹脂封止用金型の実施例を示した部分断
面図。
１０ パッケージ部 １２ インナーリード １４ ダムバー １６ リードフレーム ２０ ダム ２２ フラッシュ ２４ 空間 ２６ 金型 ２６ａ 上型 ２６ｂ 下型 ２８ａ パーティング面 ２８ｂ パーティング面 ３０ ダムブロック
Claims (3)
- 【請求項１】 型閉した際に、樹脂封止される半導体装
置のリードフレームのダムバーとインナーリードとに囲
繞されて成るダム内へ突入可能なダムブロックをパーテ
ィング面に突設して成る半導体装置樹脂封止用金型にお
いて、 前記ダムブロックの高さは前記インナーリードの厚さ未
満であることを特徴とする半導体装置樹脂封止用金型。 - 【請求項２】 前記ダムブロックの高さ方向の断面形状
は、先端方向へ行くに従い徐々に短寸となる等脚台形状
であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置樹脂
封止用金型。 - 【請求項３】 請求項１または２記載の半導体装置樹脂
封止用金型で樹脂封止された半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11537692A JPH05291328A (ja) | 1992-04-08 | 1992-04-08 | 半導体装置樹脂封止用金型と半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11537692A JPH05291328A (ja) | 1992-04-08 | 1992-04-08 | 半導体装置樹脂封止用金型と半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05291328A true JPH05291328A (ja) | 1993-11-05 |
Family
ID=14660999
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11537692A Pending JPH05291328A (ja) | 1992-04-08 | 1992-04-08 | 半導体装置樹脂封止用金型と半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05291328A (ja) |
-
1992
- 1992-04-08 JP JP11537692A patent/JPH05291328A/ja active Pending
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