JP2000164615A

JP2000164615A - 樹脂封止金型及び半導体装置の製造方法

Info

Publication number: JP2000164615A
Application number: JP10339007A
Authority: JP
Inventors: Masahiko Masuki; 雅彦増木; Eishin Sato; 英信佐藤
Original assignee: Toshiba Corp; Toshiba Microelectronics Corp
Current assignee: Toshiba Corp; Toshiba Electronic Device Solutions Corp
Priority date: 1998-11-30
Filing date: 1998-11-30
Publication date: 2000-06-16

Abstract

(57)【要約】【課題】上金型と下金型が接触し樹脂流路が形成され
た場合に排気抵抗の増加及び排気速度の低下が少なく、
樹脂流路に残留するエア及び溶融した樹脂から発生する
ガスを短時間で脱気できる樹脂封止用金型及びこの金型
を用いた半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】真空（減圧）環境下で用いられる半導体
装置用樹脂封止金型において、樹脂形成を行うキャビテ
ィ１４の外側に設けられているエアベント１２２に隣接
して排気経路となる溝１０を上金型１２もしくは下金型
１３又は両方の押し切り逃げ面に形成する。上金型と下
金型が接触して樹脂流路が形成された際に、この溝によ
りエアベント端までの排気抵抗の増加が少なくなり、排
気速度の低下が少なくなる。エアベントにおける排気抵
抗により低下するキャビティの排気速度の低下を最小限
に抑えることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、真空又は減圧環境
下で樹脂成形を行う樹脂封止金型の構造及びこの樹脂封
止金型を用いて半導体素子を樹脂封止する半導体装置の
製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】樹脂封止型半導体装置は、通常、リード
フレームに半導体素子（以下、半導体チップという）を
搭載し、この半導体素子をリードフレームと共に樹脂封
止し、成型された樹脂封止体から露出するリードフレー
ムのフレーム部などの不要な部分を除去することにより
製造されている。ここに用いられる樹脂封止体は、上金
型及び下金型から構成された樹脂封止金型により形成さ
れる。図８及び図９を参照して従来の樹脂封止金型を説
明する。図８は、従来の真空もしくは減圧された環境下
で用いられる樹脂封止金型の上金型と下金型が型締めさ
れた状態の断面図、図９は、図８の樹脂封止金型を構成
する上金型のパーティング面から見た平面図であり、図
８は、図９のＡ−Ａ′線に沿う部分の断面図である。こ
こで上金型及び下金型の両者が合わさる面をそれぞれの
パーティング面という。

【０００３】真空環境下での半導体装置の樹脂封止工程
は、予め半導体チップ１１５がダイボンドされ、且つリ
ードと半導体チップ１１５とをボンディングワイヤ（図
示せず）でボンディングされたリードフレーム１を用意
する。上金型２と下金型３が開いた状態でリードフレー
ム１を半導体チップ１１５と共に上金型２と下金型３の
間に置き、半導体チップ１１５がキャビティ４内に収容
されるように配置する。樹脂タブレット９はリードフレ
ーム１が上金型２と下金型３の間に配置されると同時か
もしくはその直後に下金型３に備えられているポット５
の中に配置される。次に、上金型２と下金型３でリード
フレーム１を挟んで型締めすれば、リードフレーム１で
支持された半導体チップ１１５がキャビティ４内に固定
される。上金型２又は下金型３にはシール材６が設置さ
れており、上金型２と下金型３が密閉されると上金型２
と下金型３が当接する面とシール材６によって閉じられ
た密封空間が形成される。この密封空間内には排気用の
開口部（排気口）７が設けられており、この開口部７は
真空ポンプ（図示せず）に連結されている。密封空間を
開口部７を介して排気することによりランナー８、キャ
ビティポット等の樹脂流路を真空（減圧）にする。次
に、ポット５内で樹脂タブレット９を溶融し、下金型３
に設けたプランジャ１１０を上昇させて溶融した樹脂を
キャビティ４内に充填させる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】以上説明したように真
空もしくは減圧環境下での半導体装置の樹脂封止は、脱
気することにより大気圧下での半導体装置の樹脂封止の
ような樹脂流路の残留エア及び溶融した樹脂から発生す
るガスが樹脂中に気泡となり取り込まれ不良発生の原因
になることがない。しかし、半導体装置の樹脂封止には
通常熱硬化性樹脂が用いられている。その為、樹脂がポ
ットに配置されてからキャビティに充填されるまでの時
間は限られている。又、前記の時間が長いと生産性が低
下する。真空もしくは減圧環境で半導体の樹脂封止を行
うには、上金型と下金型が型締めされた後、上金型と下
金型とシール材によって閉じられた密封空間を短時間で
脱気する必要がある。しかし、従来の金型構造は、上金
型と下金型が型締めされた際、排気経路となる上金型と
下金型の隙間１１１が０．１ｍｍと狭い。キャビティ４
の周辺部は、リードフレーム１を固定するためにパーテ
ィング面の他の部分より幾分高くなっており、この部分
は、押し切り面１１６という。同じパーティング面のキ
ャビティ４以外の部分は、押し切り逃げ面１１７とい
い、２つの部分は、押し切り面により分けられている。

【０００５】更にキャビティ４の周辺部の押し切り面１
１６にはリードフレーム１のリード（図示せず）が配置
されない領域にエアベント１１２が形成されている。エ
アベント１１２は、キャビティ４と押し切り逃げ面１１
７に形成された上記隙間１１１との間を通気するために
設けられている。エアベント１１２は、この隙間１１１
より狭く０．０４ｍｍ程度である。このようにエアベン
ト１１２や隙間１１１などの排気経路は狭くしたがって
排気抵抗が大きいために、真空ポンプに連結されている
排気用の開口部７の排気速度に比べてキャビティ４、ラ
ンナー８等の樹脂流路の排気速度は非常に遅くなり、し
たがって、短時間で脱気することが難しく、樹脂流路の
残留エア及び溶融した樹脂から発生するガスは、十分に
排気されず、樹脂中に気泡となって取り込まれ不良発生
の原因になっている。本発明は、このような事情により
なされたものであり、上金型と下金型が接触し樹脂流路
が形成された場合において排気抵抗の増加が少なく排気
速度の低下が少なく、キャビティやランナー等の樹脂流
路に残留するエア及び溶融した樹脂から発生するガスを
短時間で脱気することが可能な真空もしくは減圧環境下
で用いられる半導体装置用樹脂封止金型及びこの樹脂封
止金型を用いた半導体装置の製造方法を提供する。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明は、真空（減圧）
環境下で用いられる半導体装置用の樹脂封止金型におい
て、樹脂形成を行うキャビティの外側に設けられている
エアベントに隣接して排気経路となる溝を上金型もしく
は下金型又は両方の押し切り逃げ面に形成することを特
徴としている。上金型と下金型が接触して樹脂流路が形
成された際に、この溝によりエアベント端までの排気抵
抗の増加が少なくなり、排気速度の低下が少なくなる。
また、エアベントにおける排気抵抗によりキャビティの
排気速度は低下するが本発明ではその低下を最小限に抑
えることができる。その結果、キャビティやランナー等
の樹脂流路に残留するエア及び溶融した樹脂から発生す
るガスを短時間で脱気することが可能になる。すなわ
ち、本発明の樹脂封止用金型は、上金型及び下金型から
構成され、リードフレームと半導体素子が収納される少
なくとも１つのキャビティと、前記キャビティの周辺に
形成され、前記リードフレームを押圧する押し切り面
と、この押し切り面を介して前記キャビティを囲むよう
に形成された押し切り逃げ面と、前記キャビティ及び押
し切り逃げ面間を通気し前記押し切り面に形成されたエ
アベントとを具備し、前記押し切り逃げ面には空気抜き
手段を有する溝が形成されていることを特徴としてい
る。

【０００７】前記空気抜き手段は、前記押し切り逃げ面
の所定の位置に形成された少なくとも１つの排気口であ
るようにしても良い。前記排気口は、前記キャビティの
前記エアベントが形成されている辺に近接し、このエア
ベントと対向しているようにしても良い。前記溝は、前
記上金型及び下金型のいずれか一方もしくは双方に形成
されるようにしても良い。前記溝は、前記キャビティ全
周を囲むように形成配置されているようにしても良い。
前記空気抜き手段は、前記エアベントに近接した位置に
形成され、前記溝は、前記エアベントに近接した位置に
形成されているようにしても良い。前記上金型及び下金
型を合わせて密閉したときの前記押し切り逃げ面の前記
上金型と前記下金型との間隔は、０．１ｍｍ以下である
ようにしても良い。前記上金型もしくは下金型のキャビ
ティが形成されているキャビティブロックの厚さは、１
５ｍｍ〜３０ｍｍ程度が適当であり、前記上金型もしく
は下金型の押し切り逃げ面から前記溝までの最深の深さ
は、０．５ｍｍ〜３０ｍｍであるようにしても良い。前
記溝の前記深さは、前記溝の幅と実質的に等しくしても
良い。

【０００８】本発明の半導体装置の製造方法は、上金型
及び下金型から構成された少なくとも１つのキャビティ
と、前記キャビティの周辺に形成され、リードフレーム
を押圧する押し切り面と、この押し切り面を介して前記
キャビティを囲むように形成された押し切り逃げ面と、
前記キャビティ及び押し切り逃げ面間を通気し前記押し
切り面に形成されたエアベントと、前記押し切り逃げ面
に形成され、空気抜き手段を有する溝とを具備する樹脂
封止金型に半導体素子が搭載されたリードフレームを前
記キャビティに収納する工程と、前記上金型及び下金型
を押圧して前記キャビティを密閉する工程と、前記密閉
状態のキャビティを真空もしくは減圧状態にする工程と
前記真空もしくは減圧状態のキャビティ外部から流動樹
脂を供給し前記リードフレームと半導体素子を樹脂封止
する工程とを具備し、前記キャビティ内の残留エアや溶
融した樹脂から発生するガスを前記エアベント及び前記
溝を介して前記空気抜き手段から外部へ排出させること
を特徴としている。

【０００９】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して発明の実施
の形態を説明する。まず、図１乃至図５を参照して第１
の実施例を説明する。図１は、真空もしくは減圧された
環境下で用いられる樹脂封止金型の上金型と下金型が型
締めされた状態の断面図、図２は、図１に示された樹脂
封止金型を構成する上金型のパーティング面から見た平
面図であり、そして図１は、図２のＡ−Ａ′線に沿う部
分の樹脂封止金型断面を示したものである。図３は、溝
の深さの違いによるキャビティ内部の真空度と真空にす
る時間との関係を示す特性図、図４は、図２に示された
上金型のパーティング面の内、エアベントが形成された
押し切り面に形成されたエアベント領域を拡大した平面
図、図５は、溝の断面図である。なお、上金型及び下金
型の両者が合わさる面をそれぞれのパーティング面とい
う。

【００１０】真空環境下での半導体装置の樹脂封止工程
は、以下のような工程を含む。まず予め半導体チップ１
２３がダイボンドされ、且つリードと半導体チップ１２
３とを、例えば、ボンディングワイヤ（図示せず）でボ
ンディングされたリードフレーム１１を用意する。そし
て、上金型１２と下金型１３が開いた状態でリードフレ
ーム１１を半導体チップ１２３と共に上金型１２と下金
型１３の間に置き、半導体チップ１２３がキャビティ１
４内に収容されるように配置する。樹脂タブレット１９
は、リードフレーム１１が上金型１２と下金型１３の間
に配置されると同時かもしくはその直後に下金型１３に
備えられているポット１５の中に配置される。この上金
型１２と下金型１３とでリードフレーム１１を挟んで型
締めすれば、リードフレーム１１で支持された半導体チ
ップ１２３がキャビティ１４内に固定される。上金型１
２又は下金型１３にはシール材１６が設置されており、
上金型１２と下金型１３とが密閉されると、上金型１２
と下金型１３とが当接する面とシール材１６によって閉
じられた密封空間が形成される。この密封空間内には排
気用の開口部（排気口）１７が設けられており、開口部
１７は、真空ポンプ（図示せず）に連結されている。

【００１１】そして、密封空間を開口部１７を介して排
気することによりランナー１８、キャビティポット等の
樹脂流路を真空（減圧）にする。ポット１５内で樹脂タ
ブレット１９は、ポット１５内で溶融され、下金型１３
に設けたプランジャ１２０を上昇させて溶融した樹脂が
キャビティ１４内に充填される。この樹脂封止用金型
の、例えば、上金型１２のパーティング面は、キャビテ
ィ１４と、キャビティ１４の周辺に他の部分より高く設
けられ、リードフレーム１１を固定する押し切り面１２
６と、キャビティとはこの押し切り面を介して隔離され
ている押し切り逃げ面１２７とが形成されている。この
他ランナー１８などの樹脂流路、排気用の開口部１７等
がパーティング面には形成されている。上金型１２及び
下金型１３の押し切り逃げ面１２７の合わせた部分に
は、例えば、０．１ｍｍ程度の間隙１２５（距離ｄ）が
形成されており、この間隙１２５は、開口部１７と通じ
ている。また、上金型１２と下金型１３が合わさったと
きに押し切り面１２６は、リードフレーム１１を把持す
るが、押し切り面１２６のリードが配置されていない部
分にはエアベント１２２が形成されている。エアベント
１２２を介してキャビティ１４の内部と押し切り逃げ面
１２７の間隙１２５とは通気している。

【００１２】このような樹脂封止用金型の内部構造にお
いて、上金型１２側の押し切り逃げ面１２７にはキャビ
ティ１４及びランナー１８を囲むように脱気用の溝１０
が環状に形成されている。本発明ではこの溝は、上金型
側でも下金型側でもどちらでも良く、両側に形成するこ
とも可能である。上金型１２の厚さ（ｔ）もしくは下金
型１３の厚さ（ｔ′）は、３０ｍｍ程度以下が適当であ
る。溝１０の深さ（ｈ）は、０．５ｍｍ〜３０ｍｍが適
当である。好もしくは、５ｍｍ〜１０ｍｍが適当であ
る。５ｍｍ〜１０ｍｍの数値範囲は、溝の効果が真空ポ
ンプ排気速度の大小に余り影響されない範囲である。５
ｍｍより小さいと、溝の効果が真空ポンプ排気速度の大
小に影響され易い。また１０ｍｍより大きくしても効果
は５〜１０ｍｍの場合とさほどかわらない。また、溝１
０の幅（ｗ）は、０．５ｍｍ以上が適当である。好もし
くは、５〜１０ｍｍが適当である。図３は、溝１０の深
さ（ｈ）の違いによる樹脂封止時の真空度と真空引き時
間との関係を示す特性図である。縦軸は、真空度（ｔｏ
ｒｒ）を表わし、横軸は、真空引き時間（ｓｅｃ）を表
わしている。脱気用の溝は、深さ（ｈ）が０．３ｍｍ、
０．５ｍｍ、０．７ｍｍ、１．０ｍｍの場合について真
空度の時間依存性について示されている。真空度は、４
０ｔｏｒｒ程度までは溝１０の深さがどの様であっても
実質的に時間に違いは生じない。しかし、この値を越え
ると、浅い溝（ｈ＝０．３ｍｍ）を用いたものは真空引
き時間が、深い溝（ｈ＝０．５ｍｍ〜〜１．０ｍｍ）を
用いた場合より著しく長くなり、半導体装置の製造工程
の長引く一因となる。したがって、真空度を４０ｔｏｒ
ｒ程度より深く真空引きする場合は、溝の深さ（ｈ）を
０．５ｍｍより深くする必要がある。

【００１３】図５は、樹脂封止金型に形成された脱気用
溝の断面図である。図に示すように溝の断面形状は、実
質的に正方形（図５（ａ））でも良いし、半円形であっ
ても良く（図５（ｂ））、本発明は、溝の断面形状に拘
らない。図４は、樹脂封止金型のキャビティ部分を拡大
した部分断面図及びキャビティの上金型側の平面図であ
る。この断面図は、平面図のキャビティのＡ−Ａ′線に
沿う部分の断面に相当している。キャビティ１４の周辺
には、パーティング面の他の領域より高くなっている押
し切り面１２６が形成されており、リードフレーム１１
が収容された時にリードフレーム１１のリード（図示せ
ず）が配置されていない部分にはエアベント１２２が形
成されている。エアベント１２２は、押し切り面１２６
が終わると直ぐに押し切り逃げ面の間隙１２５につなが
るが、この実施例では、エアベント１２２から間隙１２
５に入ると直ぐに溝１０が形成されている。このエアベ
ントは、上金型と下金型の両方に形成されているが、本
発明では、いずれか一方の金型にのみに形成しても良
い。また、本発明では、エアベント１２２と溝１０との
間に溝以外他の領域が介在しても良い。

【００１４】上金型１２及び下金型１３は、いづれもブ
ロックで構成されており、各ブロックＡ、Ａ′、Ｂ、
Ｂ′、Ｃ、Ｃ′は、それぞれ外枠Ｄ、Ｄ′に収容されて
いる。したがって、外枠も金型を構成するものの、上金
型もしくは下金型の厚さは、図１に示すようにブロック
の厚さ（ｔ、ｔ′）を意味している。例えば、上金型１
２の外枠Ｄに収容されるブロックには、キャビティが形
成されているキャビティブロックＡ、Ｃと樹脂流路が形
成されているブロックＢがある。次に、脱気用溝の作用
について説明する。上金型と下金型が型締めされた脱気
が開始されるまでは従来の樹脂封止工程及び金型と同様
である。図１、図２に示すこの実施例の樹脂封止金型は
上金型もしくは下金型又は両型のエアベント１２２端に
脱気用の溝１０が設置されており、上金型と下金型が型
締めされると上金型と下金型の当接面とシール材１６に
よって閉じられた密封空間が形成される。この脱気用溝
は真空ポンプ（図示せず）に連結されている排気用の開
口部１７まで設置されており、上金型と下金型が型締め
された後もエアベント１２２までは十分な排気経路が確
保される。したがって、上金型と下金型が型締めされる
ことにより排気経路が狭くなることがなく、エアベント
１２２までの排気速度の低下は少ない。

【００１５】当然のことながらエアベント１２２の隙間
は狭く、排気抵抗が大きいのでキャビティ１４、ランナ
ー１８、ポット１５等の樹脂流路の排気速度は低下する
が、脱気用溝１０の効果により従来の樹脂封止金型より
樹脂流路の排気速度は速くなる。そのために樹脂流路の
残留エア及び溶融した樹脂から発生するガスが樹脂中に
気泡となり取り込まれて不良発生の原因となるようなこ
とはなくなり、チップの外周を隙間なく樹脂封止するこ
とができる。以上の作用効果は、図３に示すように、溝
の深さを浅くすると真空引き時間が長くなることでも確
認することができる。

【００１６】次に、図６を参照して第２の実施例を説明
する。図６は、樹脂封止金型を構成する上金型の平面図
である。上金型及び下金型は、いづれもブロックで構成
されており、各ブロックは、それぞれ外枠に収容されて
いる。この実施例では、例えば、上金型２２の外枠に収
容されるブロックには、キャビティが形成されているキ
ャビティブロックＡ、Ｃと樹脂流路が形成されているブ
ロックＢがある。樹脂封止用金型の、例えば、上金型２
２のパーティング面は、キャビティ２４と、キャビティ
２４の周辺に他の部分より高く設けられ、チップを搭載
したリードフレーム（図示せず）を固定する押し切り面
２２６と、キャビティ２４とはこの押し切り面２２６を
介して隔離されている押し切り逃げ面２２７とが形成さ
れている。この他ランナー２８などの樹脂流路、排気用
の開口部２７等がパーティング面には形成されている。
上金型２２及び下金型の押し切り逃げ面２２７の合わせ
た部分には、例えば、０．１ｍｍ程度の間隙が形成され
ており、この間隙は、開口部２７と通じている。また、
上金型２２と下金型が合わさったときに押し切り面２２
６は、リードフレームを把持するが、押し切り面２２６
の１辺にあってリードフレームのリードが配置されない
部分にはエアベント２２２が形成されている。エアベン
ト２２２を介してキャビティ２４の内部と押し切り逃げ
面２２７の間隙とは通気している。

【００１７】このような樹脂封止用金型の内部構造にお
いて、上金型２２側の押し切り逃げ面２２７にはキャビ
ティ２４及びランナー２８を囲むように開口部２７につ
ながる脱気用の溝２０がそれぞれのブロックＡ、Ｃに形
成されている。溝２０の深さは、０．５ｍｍ〜３０ｍｍ
が適当である。好もしくは、５ｍｍ〜１０ｍｍが適当で
ある。また、溝２０の幅は、０．５ｍｍ以上が適当であ
る。好ましくは、５〜１０ｍｍが適当である。この脱気
用溝は、真空ポンプ（図示せず）に連結されている排気
用の開口部２７まで設置されており、上金型と下金型が
型締めされた後もエアベント２２２までは十分な排気経
路が確保される。したがって、上金型と下金型が型締め
されることにより排気経路が狭くなることがなく、エア
ベント２２２までの排気速度の低下は少ない。エアベン
ト２２２の隙間は狭く、排気抵抗が大きいのでキャビテ
ィ２２４、ランナー２８、ポット２５等の樹脂流路の排
気速度は低下するが、脱気用溝２０の効果により従来の
樹脂封止金型より樹脂流路の排気速度は速くなる。その
ために樹脂流路の残留エア及び溶融した樹脂から発生す
るガスが樹脂中に気泡となり取り込まれて不良発生の原
因となるようなことはなくなりチップの外周を隙間なく
樹脂封止することができる。また、第１の実施例より溝
面積を少なくすることができるので製造工程を容易にす
ることができる。

【００１８】次に、図７を参照して第３の実施例を説明
する。図７は、樹脂封止金型を構成する上金型の平面図
である。上金型及び下金型は、いづれもブロックで構成
されており、各ブロックは、それぞれ外枠に収容されて
いる。この実施例では、例えば、上金型３２の外枠に収
容されるブロックには、キャビティが形成されているキ
ャビティブロックＡ、Ｃと樹脂流路が形成されているブ
ロックＢがある。この実施例の樹脂封止用金型は、溝及
び開口部以外は、第２の実施例と同じ配置構造になって
いる。このような樹脂封止用金型の内部構造において、
上金型３２側の押し切り逃げ面３２７には開口部３７に
つながる脱気用の溝３０がそれぞれのブロックＡ、Ｃに
形成されている。溝３０の深さは、０．５ｍｍ〜３０ｍ
ｍが適当である。好もしくは、５ｍｍ〜１０ｍｍが適当
である。また、溝３０の幅は、０．５ｍｍ以上が適当で
ある。好ましくは、５〜１０ｍｍが適当である。

【００１９】この脱気用溝３０は、真空ポンプ（図示せ
ず）に連結されている排気用の開口部３７につながって
おり、上金型と下金型が型締めされた後もエアベント３
２２までは十分な排気経路が確保される。したがって、
上金型と下金型が型締めされることにより排気経路が狭
くなることがなく、エアベント３２２までの排気速度の
低下は少ない。エアベント３２２の隙間は狭く、排気抵
抗が大きいのでキャビティ３４、ランナー３８、ポット
等の樹脂流路の排気速度は低下するが、脱気用溝３０の
効果により従来の樹脂封止金型より樹脂流路の排気速度
は速くなる。そのために樹脂流路の残留エア及び溶融し
た樹脂から発生するガスが樹脂中に気泡となり取り込ま
れて不良発生の原因となるようなことはなくなりチップ
の外周を隙間なく樹脂封止することができる。また、真
空ポンプに直接接続されている開口部は、いずれかのキ
ャビティに設けられたエアベントに対向するように配置
されているので、真空引き速やかになり樹脂封止工程が
容易になる。

【００２０】

【発明の効果】本発明以上の構成により、型締め後に排
気経路となる上金型と下金型の隙間が広くなり、排気用
開口部からエアベントまでの排気抵抗増大がなく排気速
度は低下しない。エアベントの持っている本来的な排気
抵抗によりキャビティ、ランナー等の樹脂流路の排気速
度は低下するが、脱気用溝の存在によりこの排気速度は
最大限に保たれる。その結果、樹脂流路の残留エア及び
溶融した樹脂から発生するガスを短時間で脱気できるの
で、これらが樹脂中に気泡となり取り込まれ不良発生の
原因となることはない。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の真空もしくは減圧環境下で用いられる
半導体装置製造用樹脂封止金型の上金型と下金型が型締
めされた状態の断面図。

【図２】本発明の真空もしくは減圧環境下で用いられる
半導体装置製造用樹脂封止金型の上金型平面図。

【図３】本発明の溝深さの違いによる真空度と時間の関
係を示す特性図。

【図４】本発明の樹脂封止金型の部分断面図及びこの金
型を構成する上金型のキャビティ部分の平面図。

【図５】本発明の脱気用溝の断面図。

【図６】本発明の樹脂封止金型を構成する上金型の平面
図。

【図７】本発明の樹脂封止金型を構成する上金型の平面
図。

【図８】従来の真空もしくは減圧環境下で用いられる半
導体装置用の樹脂封止金型の上金型と下金型が型締めさ
れた断面図。

【図９】従来の真空もしくは減圧環境下で用いられる半
導体装置用の樹脂封止金型の上金型平面図。

【符号の説明】

１、１１・・・リードフレーム、２、１２、２２、
３２・・・上金型、３、１３・・・下金型、４、１
４、２４、３４・・・キャビティ、５、１５・・・ポッ
ト、６、１６・・・シール材、７、１７、２７、３
７・・・排気用開口部（排気口）、８、１８、２８、３
８・・・ランナー、９、１９・・・樹脂タブレット、
１０、２０、３０・・・脱気用溝、１１０、１２０、・
・・プランジャ、１１１、１２５、・・・上金型と下金
型の隙間、１１２、１２２、２２２、３２２・・・エア
ベント、１１５、１２３・・・半導体チップ、１１６、
１２６、２２６、３２６・・・押し切り面、１１７、１
２７、２２７、３２７・・・押し切り逃げ面。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者佐藤英信神奈川県川崎市川崎区駅前本町25番地１東芝マイクロエレクトロニクス株式会社内Ｆターム(参考） 4F202 AH37 CA12 CB01 CB17 CK83 CP01 CP04 4F206 AH37 JA02 JB17 JL02 JM16 JQ04 JQ81 5F061 AA01 BA01 CA21 DA01 DA06 DA08

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】上金型及び下金型から構成され、リード
フレームと半導体素子が収納される少なくとも１つのキ
ャビティと、前記キャビティの周辺に形成され、前記リ
ードフレームを押圧する押し切り面と、この押し切り面
を介して前記キャビティを囲むように形成された押し切
り逃げ面と、前記キャビティ及び押し切り逃げ面間を通
気し前記押し切り面に形成されたエアベントとを具備
し、前記押し切り逃げ面には空気抜き手段を有する溝が
形成されていることを特徴とする樹脂封止金型。
【請求項２】前記空気抜き手段は、前記押し切り逃げ
面の所定の位置に形成された少なくとも１つの排気口で
あることを特徴とする請求項１に記載の樹脂封止金型。
【請求項３】前記排気口は、前記キャビティの前記エ
アベントが形成されている辺に近接し、このエアベント
と対向していることを特徴とする請求項２に記載の樹脂
封止金型。
【請求項４】前記溝は、前記上金型及び下金型のいず
れか一方もしくは双方に形成されることを特徴とする請
求項１乃至請求項３のいずれかにに記載の樹脂封止金
型。
【請求項５】前記溝は、前記キャビティを囲むように
形成配置されていることを特徴とする請求項１乃至請求
項４のいずれかに記載の樹脂封止金型。
【請求項６】前記空気抜き手段は、前記エアベントに
近接した位置に形成され、前記溝は、前記エアベントに
近接した位置に形成されていることを特徴とする請求項
１乃至請求項４のいずれかに記載の樹脂封止金型。
【請求項７】上金型及び下金型から構成された少なく
とも１つのキャビティと、前記キャビティの周辺に形成
され、リードフレームを押圧する押し切り面と、この押
し切り面を介して前記キャビティを囲むように形成され
た押し切り逃げ面と、前記キャビティ及び押し切り逃げ
面間を通気し前記押し切り面に形成されたエアベント
と、前記押し切り逃げ面に形成され、空気抜き手段を有
する溝とを具備する樹脂封止金型に半導体素子が搭載さ
れたリードフレームを前記キャビティに収納する工程
と、前記上金型及び下金型を押圧して前記キャビティを
密閉する工程と、前記密閉状態のキャビティを真空もし
くは減圧状態にする工程と、前記真空もしくは減圧状態
のキャビティ外部から流動樹脂を供給し前記リードフレ
ームと半導体素子を樹脂封止する工程とを具備し、前記
キャビティ内の残留エアや溶融した樹脂から発生するガ
スを前記エアベント及び前記溝を介して前記空気抜き手
段から外部へ排出させることを特徴とする半導体装置の
製造方法。