JPS61279137A - 樹脂封止半導体装置の製造方法 - Google Patents
樹脂封止半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS61279137A JPS61279137A JP12099985A JP12099985A JPS61279137A JP S61279137 A JPS61279137 A JP S61279137A JP 12099985 A JP12099985 A JP 12099985A JP 12099985 A JP12099985 A JP 12099985A JP S61279137 A JPS61279137 A JP S61279137A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- resin
- pin
- insulating
- hole
- Prior art date
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- Pending
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- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明は、半導体素体を金属基板上に固定し、半導体素
体を被覆し、基板の端子部を露出させて樹脂封止する半
導体装置の製造方法に関する。
体を被覆し、基板の端子部を露出させて樹脂封止する半
導体装置の製造方法に関する。
樹脂封止半導体装置においては、金属基板上に支持され
た半導体素体への水分等の侵入を阻止するため端子部を
露出させる以外には基板の半導体索体支持面はもちろん
、裏面側を樹脂層で被覆する。そのため、トランスファ
成形時に基板をモールド型内で浮かせる必要がある。こ
のため、第２図に示すように半導体素体１を支持した金
属基板２のリード部３以外を囲むトランスファ金型４と
基板２下面の間に絶縁部品５を挿入し、上面をピン６で
押さえてモールドする。しかし基板２の下面上の樹脂層
の厚さは、放熱性能の確保のために約０．５ ｍと薄い
ため、封止後絶縁部品５が樹脂層から脱落し、基板２の
下面の一部が露出するという欠点があり、実用性に乏し
かった。
た半導体素体への水分等の侵入を阻止するため端子部を
露出させる以外には基板の半導体索体支持面はもちろん
、裏面側を樹脂層で被覆する。そのため、トランスファ
成形時に基板をモールド型内で浮かせる必要がある。こ
のため、第２図に示すように半導体素体１を支持した金
属基板２のリード部３以外を囲むトランスファ金型４と
基板２下面の間に絶縁部品５を挿入し、上面をピン６で
押さえてモールドする。しかし基板２の下面上の樹脂層
の厚さは、放熱性能の確保のために約０．５ ｍと薄い
ため、封止後絶縁部品５が樹脂層から脱落し、基板２の
下面の一部が露出するという欠点があり、実用性に乏し
かった。
本発明は、上述の欠点を除去し、樹脂成形時に金型内の
所定の位置に絶縁部品によって固定し、かつ絶縁部品を
封止樹脂および基板と良好に付着させることができる半
導体装置の製造方法に関する。
所定の位置に絶縁部品によって固定し、かつ絶縁部品を
封止樹脂および基板と良好に付着させることができる半
導体装置の製造方法に関する。
本発明は、半導体装置の封止樹脂成形時に基板と金型面
間に絶縁部材を挿入して基板を金型の空洞内に固定する
際、軸方向に垂直に最大断面積を有する底部と断面一様
でない頭部とからなる絶縁部材を用い、この絶縁部材の
底部を基板と金型面間に挿入し、頭部を基板と貫通ずる
断面一様でない穴の中に挿入することにより上記の目的
を達成する。
間に絶縁部材を挿入して基板を金型の空洞内に固定する
際、軸方向に垂直に最大断面積を有する底部と断面一様
でない頭部とからなる絶縁部材を用い、この絶縁部材の
底部を基板と金型面間に挿入し、頭部を基板と貫通ずる
断面一様でない穴の中に挿入することにより上記の目的
を達成する。
第１図は本発明の一実施例における封止樹脂成形時の断
面を示し、第２図と共通部分には同一の符号が付されて
いる。この場合、基板２に皿穴状の貫通孔７を有し、こ
の貫通孔７に絶縁ピン８の頭部が挿入されている。絶縁
ピン８は第３図に示すような形状を示し、径の大きな底
部８１とその上の鼓状の頭部８２よりなる。この絶縁ピ
ン８の頭部８２を第４図に示すように基板２の貫通孔７
に挿入し、基板の上面をピン６で押さえて絶縁ピン８の
底面を金型４の面にら接触させる。このようにして金型
４の空洞内に樹脂を注入すれば、絶縁ピン８と貫通孔７
の断面の変化する空隙を満たす樹脂によめ絶縁ピン８は
基板８およびそれを包囲する樹脂層に固定され脱落する
ことはない。また絶縁ピンは傾斜面を有する形状になっ
ているので樹脂との接触面が大きく、その間の付着強度
が向上する。 第５図は絶縁ピン８の他の実施例を示す。
面を示し、第２図と共通部分には同一の符号が付されて
いる。この場合、基板２に皿穴状の貫通孔７を有し、こ
の貫通孔７に絶縁ピン８の頭部が挿入されている。絶縁
ピン８は第３図に示すような形状を示し、径の大きな底
部８１とその上の鼓状の頭部８２よりなる。この絶縁ピ
ン８の頭部８２を第４図に示すように基板２の貫通孔７
に挿入し、基板の上面をピン６で押さえて絶縁ピン８の
底面を金型４の面にら接触させる。このようにして金型
４の空洞内に樹脂を注入すれば、絶縁ピン８と貫通孔７
の断面の変化する空隙を満たす樹脂によめ絶縁ピン８は
基板８およびそれを包囲する樹脂層に固定され脱落する
ことはない。また絶縁ピンは傾斜面を有する形状になっ
ているので樹脂との接触面が大きく、その間の付着強度
が向上する。 第５図は絶縁ピン８の他の実施例を示す。
本発明によれば、樹脂封止半導体装置の半導体素体を支
持する基板に断面一様でない穴を開け、封止樹脂成形時
にこの穴に絶縁部材の断面一様でない頭部を挿入し、絶
縁部材の底部を金型面に接触させることにより、絶縁ピ
ンを基板および封止樹脂に良好に付着させることができ
、封止絶縁半導体装置の信転層より一層向上させること
ができる。
持する基板に断面一様でない穴を開け、封止樹脂成形時
にこの穴に絶縁部材の断面一様でない頭部を挿入し、絶
縁部材の底部を金型面に接触させることにより、絶縁ピ
ンを基板および封止樹脂に良好に付着させることができ
、封止絶縁半導体装置の信転層より一層向上させること
ができる。
第１図は本発明の一実施例の樹脂成形時における断面図
、第２図は従来の樹脂成形時の断面図、第３図は第１図
に用いられている絶縁ピンの斜視図、第４図は第１図の
実施例における絶縁ピンの基板への挿入状態を示す斜視
図、第５図は別の実施例の絶縁ピンの斜視図である。 １：半導体素体、２：基板、４：金型、７：貫通孔、８
：絶縁ピン、８１：底部、８２：頭部。 第１図 第２図 第３図 第５図 第４図
、第２図は従来の樹脂成形時の断面図、第３図は第１図
に用いられている絶縁ピンの斜視図、第４図は第１図の
実施例における絶縁ピンの基板への挿入状態を示す斜視
図、第５図は別の実施例の絶縁ピンの斜視図である。 １：半導体素体、２：基板、４：金型、７：貫通孔、８
：絶縁ピン、８１：底部、８２：頭部。 第１図 第２図 第３図 第５図 第４図
Claims (1)
- １）半導体素体を支持する基板を金型の空洞内に基板と
金型面間に絶縁部材を挿入して固定する際に、軸方向に
垂直の最大断面積を有する底部と断面一様でない頭部と
からなる絶縁部材を用い、該絶縁部材の底部を基板と金
型面間に挿入し、頭部を基板と貫通する断面一様でない
穴の中に挿入することを特徴とする樹脂封止半導体装置
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12099985A JPS61279137A (ja) | 1985-06-04 | 1985-06-04 | 樹脂封止半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12099985A JPS61279137A (ja) | 1985-06-04 | 1985-06-04 | 樹脂封止半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61279137A true JPS61279137A (ja) | 1986-12-09 |
Family
ID=14800273
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12099985A Pending JPS61279137A (ja) | 1985-06-04 | 1985-06-04 | 樹脂封止半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61279137A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998002920A1 (de) * | 1996-07-16 | 1998-01-22 | Siemens Aktiengesellschaft | Halbleiter-modul |
-
1985
- 1985-06-04 JP JP12099985A patent/JPS61279137A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998002920A1 (de) * | 1996-07-16 | 1998-01-22 | Siemens Aktiengesellschaft | Halbleiter-modul |
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