JPH10144821A - 樹脂パッケージ型半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
樹脂パッケージ型半導体装置およびその製造方法Info
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- JPH10144821A JPH10144821A JP8298284A JP29828496A JPH10144821A JP H10144821 A JPH10144821 A JP H10144821A JP 8298284 A JP8298284 A JP 8298284A JP 29828496 A JP29828496 A JP 29828496A JP H10144821 A JPH10144821 A JP H10144821A
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板に対する取り付け安定性を損なうことな
く、駆動時に生じる熱を放熱板の特性を十分に活かして
基板に放熱することができる樹脂パッケージ型半導体装
置およびその製造方法を提供する。 【解決手段】 樹脂パッケージ型半導体装置２におい
て、半導体チップ２０と、この半導体チップ２０に電気
的に導通させられている複数本の内部リード２１と、上
記半導体チップ２０ないし上記各内部リード２１を包み
込む樹脂パッケージ２２と、上記各内部リード２１に連
続して上記樹脂パッケージ２２の外部に延出する複数本
の外部リード２３と、上記半導体チップ２０から発生す
る熱を外部に放出するために、一部が上記樹脂パッケー
ジ２２の外部に延出するようにして樹脂パッケージ２２
内に組み込まれた放熱板２４と、を備える樹脂パッケー
ジ型半導体装置２であって、上記樹脂パッケージ２２の
表面には、スリット２６および／またはホール２７を形
成した。
く、駆動時に生じる熱を放熱板の特性を十分に活かして
基板に放熱することができる樹脂パッケージ型半導体装
置およびその製造方法を提供する。 【解決手段】 樹脂パッケージ型半導体装置２におい
て、半導体チップ２０と、この半導体チップ２０に電気
的に導通させられている複数本の内部リード２１と、上
記半導体チップ２０ないし上記各内部リード２１を包み
込む樹脂パッケージ２２と、上記各内部リード２１に連
続して上記樹脂パッケージ２２の外部に延出する複数本
の外部リード２３と、上記半導体チップ２０から発生す
る熱を外部に放出するために、一部が上記樹脂パッケー
ジ２２の外部に延出するようにして樹脂パッケージ２２
内に組み込まれた放熱板２４と、を備える樹脂パッケー
ジ型半導体装置２であって、上記樹脂パッケージ２２の
表面には、スリット２６および／またはホール２７を形
成した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本願発明は、樹脂パッケージ
型半導体装置およびその製造方法に関し、特に、放熱板
をその一部がパッケージの外部に露出するように組み込
んだタイプの樹脂パッケージ型半導体装置およびその製
造方法に関する。
型半導体装置およびその製造方法に関し、特に、放熱板
をその一部がパッケージの外部に露出するように組み込
んだタイプの樹脂パッケージ型半導体装置およびその製
造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】たとえば、モータドライブ用パワーＩ
Ｃ、ある種のゲートアレイ、超ＬＳＩのど、駆動時に生
じる発熱量の大きい樹脂パッケージ型半導体装置には、
図１２に示すような樹脂パッケージ１０の外部に一部が
露出するようにして金属放熱板１１を組み込んだものが
ある。
Ｃ、ある種のゲートアレイ、超ＬＳＩのど、駆動時に生
じる発熱量の大きい樹脂パッケージ型半導体装置には、
図１２に示すような樹脂パッケージ１０の外部に一部が
露出するようにして金属放熱板１１を組み込んだものが
ある。
【０００３】この種の半導体装置１は、上記金属放熱板
１１上に担持される半導体チップ１２と、この半導体チ
ップ１２と電気的に導通させられている複数本の内部リ
ード１３と、この内部リード１３に連続して上記樹脂パ
ッケージ１０から延出する複数本の外部リード１４と、
を備えて構成されている。
１１上に担持される半導体チップ１２と、この半導体チ
ップ１２と電気的に導通させられている複数本の内部リ
ード１３と、この内部リード１３に連続して上記樹脂パ
ッケージ１０から延出する複数本の外部リード１４と、
を備えて構成されている。
【０００４】通常、上記半導体装置１は、概ね次の工程
を経て製造される。先ず、金属放熱板１１、内部リード
１３、および外部リード１４を備える所定のリードフレ
ームの上記金属放熱板１１上の所定位置に半導体チップ
１２をボンディングし、この半導体チップ１２の上面に
形成された上面電極１２’と上記内部リード１３の上面
とをワイヤ１５によって結線する。次いで、半導体チッ
プ１２などがボンディングされたリードフレームを各々
キャビティを有する一対の金型間に挟持し、上記一対の
金型のキャビティによって規定される空間内に溶融樹脂
を注入し、硬化させることにより樹脂パッケージングが
行われる。最後に、リードフレームにハンダメッキを行
い、検査工程、標印工程を経た後に、リードフォーミン
グ工程およびリードカット工程処理を施して、個別の半
導体装置１が得られる。
を経て製造される。先ず、金属放熱板１１、内部リード
１３、および外部リード１４を備える所定のリードフレ
ームの上記金属放熱板１１上の所定位置に半導体チップ
１２をボンディングし、この半導体チップ１２の上面に
形成された上面電極１２’と上記内部リード１３の上面
とをワイヤ１５によって結線する。次いで、半導体チッ
プ１２などがボンディングされたリードフレームを各々
キャビティを有する一対の金型間に挟持し、上記一対の
金型のキャビティによって規定される空間内に溶融樹脂
を注入し、硬化させることにより樹脂パッケージングが
行われる。最後に、リードフレームにハンダメッキを行
い、検査工程、標印工程を経た後に、リードフォーミン
グ工程およびリードカット工程処理を施して、個別の半
導体装置１が得られる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記一
対の金型のキャビティによって規定される空間内に溶融
樹脂を注入、硬化させて樹脂パッケージングを行った後
に、硬化した樹脂の温度の低下にともない上記樹脂パッ
ケージ１０が収縮してしまう。このとき、上記金属放熱
板１１もまた同様に収縮してしまう。ところが、上記樹
脂パッケージ１０の収縮率は、上記金属放熱板１１の収
縮率よりも大きいために、上記樹脂パッケージ１０が金
属放熱板１１よりもより収縮しようとする。したがっ
て、図１３に示すように、上記樹脂パッケージ１０と上
記金属放熱板１１との接触部分では、上記樹脂パッケー
ジ１０が上記樹脂パッケージ１０の上部に比べて十分に
収縮することができず、このため、上記樹脂パッケージ
１０の上記接触部分が収縮しようとする力によって上記
金属放熱板１１に応力がかかってしまうため、図１３に
２点鎖線で示したように上記金属放熱板１１は、上記応
力によって反ってしまう。
対の金型のキャビティによって規定される空間内に溶融
樹脂を注入、硬化させて樹脂パッケージングを行った後
に、硬化した樹脂の温度の低下にともない上記樹脂パッ
ケージ１０が収縮してしまう。このとき、上記金属放熱
板１１もまた同様に収縮してしまう。ところが、上記樹
脂パッケージ１０の収縮率は、上記金属放熱板１１の収
縮率よりも大きいために、上記樹脂パッケージ１０が金
属放熱板１１よりもより収縮しようとする。したがっ
て、図１３に示すように、上記樹脂パッケージ１０と上
記金属放熱板１１との接触部分では、上記樹脂パッケー
ジ１０が上記樹脂パッケージ１０の上部に比べて十分に
収縮することができず、このため、上記樹脂パッケージ
１０の上記接触部分が収縮しようとする力によって上記
金属放熱板１１に応力がかかってしまうため、図１３に
２点鎖線で示したように上記金属放熱板１１は、上記応
力によって反ってしまう。
【０００６】また、上記金属放熱板１１が反ってしまっ
た半導体装置１を基板上に実装する場合には、上記金属
放熱板１１と上記基板との接触面積が上記金属放熱板１
１が反らない場合に比べて小さくなってしまい、上記基
板に対して上記半導体装置１を所望の取り付け安定性を
確保して実装することができない。そして、このような
樹脂パッケージ型半導体装置１を基板上に実装した状態
においては、上記金属放熱板１１と上記基板との接触面
積が上記金属放熱板１１が反らない場合に比べて小さい
ために、上記半導体装置１は、上記半導体装置１の駆動
時に生じる熱を上記金属放熱板１１の特性を十分に活か
して上記基板に放熱することができない。
た半導体装置１を基板上に実装する場合には、上記金属
放熱板１１と上記基板との接触面積が上記金属放熱板１
１が反らない場合に比べて小さくなってしまい、上記基
板に対して上記半導体装置１を所望の取り付け安定性を
確保して実装することができない。そして、このような
樹脂パッケージ型半導体装置１を基板上に実装した状態
においては、上記金属放熱板１１と上記基板との接触面
積が上記金属放熱板１１が反らない場合に比べて小さい
ために、上記半導体装置１は、上記半導体装置１の駆動
時に生じる熱を上記金属放熱板１１の特性を十分に活か
して上記基板に放熱することができない。
【０００７】本願発明は、上記した事情のもとで考え出
されたものであって、基板に対する取り付け安定性を損
なうことなく、駆動時に生じる熱を放熱板の特性を十分
に活かして基板に放熱することができる樹脂パッケージ
型半導体装置およびその製造方法を提供することをその
課題とする。
されたものであって、基板に対する取り付け安定性を損
なうことなく、駆動時に生じる熱を放熱板の特性を十分
に活かして基板に放熱することができる樹脂パッケージ
型半導体装置およびその製造方法を提供することをその
課題とする。
【０００８】
【発明の開示】上記の課題を解決するため、本願発明で
は、次の技術的手段を講じている。
は、次の技術的手段を講じている。
【０００９】すなわち、本願発明の第１の側面によれ
ば、半導体チップと、この半導体チップに電気的に導通
させられている複数本の内部リードと、上記半導体チッ
プないし上記各内部リードを包み込む樹脂パッケージ
と、上記各内部リードに連続して上記樹脂パッケージの
外部に延出する複数本の外部リードと、上記半導体チッ
プから発生する熱を外部に放出するために、一部が上記
樹脂パッケージの外部に露出するようにして樹脂パッケ
ージ内に組み込まれた放熱板と、を備える樹脂パッケー
ジ型半導体装置であって、上記樹脂パッケージの表面に
は、スリットおよび／またはホールが形成されているこ
とを特徴とする、樹脂パッケージ型半導体装置が提供さ
れる。
ば、半導体チップと、この半導体チップに電気的に導通
させられている複数本の内部リードと、上記半導体チッ
プないし上記各内部リードを包み込む樹脂パッケージ
と、上記各内部リードに連続して上記樹脂パッケージの
外部に延出する複数本の外部リードと、上記半導体チッ
プから発生する熱を外部に放出するために、一部が上記
樹脂パッケージの外部に露出するようにして樹脂パッケ
ージ内に組み込まれた放熱板と、を備える樹脂パッケー
ジ型半導体装置であって、上記樹脂パッケージの表面に
は、スリットおよび／またはホールが形成されているこ
とを特徴とする、樹脂パッケージ型半導体装置が提供さ
れる。
【００１０】好ましくは、上記スリットは、上記外部リ
ードの延出方向と同方向に複数形成されており、また、
上記スリットを格子状に配して形成することもできる。
ードの延出方向と同方向に複数形成されており、また、
上記スリットを格子状に配して形成することもできる。
【００１１】上記構成によれば、上記樹脂パッケージ型
半導体装置の表面に形成された上記スリットまたはホー
ルは、上記樹脂パッケージ型半導体装置の上記スリット
またはホールが形成されていない場合の一般表面を実質
的に複数の部分分断することとなる。したがって、樹脂
パッケージングの終了後に、樹脂パッケージの温度が低
下して上記樹脂パッケージが収縮する場合、上記スリッ
トまたはホールでの収縮量は、上記一般表面の状態にお
ける収縮量に比べて小さいので、上記樹脂パッケージの
表面の収縮量が一般表面の状態に比べて低減される。し
たがって、表面にスリットおよび／またはホールを形成
することにより、樹脂パッケージの表面全体として収縮
量を従来に比べて格段に小さくすることができ、ひいて
は樹脂パッケージ全体の収縮量を小さくすることができ
る。
半導体装置の表面に形成された上記スリットまたはホー
ルは、上記樹脂パッケージ型半導体装置の上記スリット
またはホールが形成されていない場合の一般表面を実質
的に複数の部分分断することとなる。したがって、樹脂
パッケージングの終了後に、樹脂パッケージの温度が低
下して上記樹脂パッケージが収縮する場合、上記スリッ
トまたはホールでの収縮量は、上記一般表面の状態にお
ける収縮量に比べて小さいので、上記樹脂パッケージの
表面の収縮量が一般表面の状態に比べて低減される。し
たがって、表面にスリットおよび／またはホールを形成
することにより、樹脂パッケージの表面全体として収縮
量を従来に比べて格段に小さくすることができ、ひいて
は樹脂パッケージ全体の収縮量を小さくすることができ
る。
【００１２】このように、上記構成の樹脂パッケージ型
半導体装置では、上記樹脂パッケージの収縮量と、上記
樹脂パッケージに組み込まれた放熱板の収縮量との差を
従来に比べて格段に小さくすることができる。すなわ
ち、樹脂パッケージング終了後における樹脂パッケージ
および放熱板の温度の低下に起因した上記放熱板の反り
を格段に低減することができる。したがって、上記放熱
板の反りの低減により、上記樹脂パッケージ型半導体装
置を基板上に実装する場合の上記放熱板と上記基板との
接触面積を従来に比べて大きくすることができる。すな
わち、上記樹脂パッケージ型半導体装置の上記基板に対
して所望の取付け安定性を確保するととに、上記樹脂パ
ッケージ型半導体装置の駆動時に発する熱を上記放熱板
の特性を十分に活かして上記基板に放熱することができ
る。
半導体装置では、上記樹脂パッケージの収縮量と、上記
樹脂パッケージに組み込まれた放熱板の収縮量との差を
従来に比べて格段に小さくすることができる。すなわ
ち、樹脂パッケージング終了後における樹脂パッケージ
および放熱板の温度の低下に起因した上記放熱板の反り
を格段に低減することができる。したがって、上記放熱
板の反りの低減により、上記樹脂パッケージ型半導体装
置を基板上に実装する場合の上記放熱板と上記基板との
接触面積を従来に比べて大きくすることができる。すな
わち、上記樹脂パッケージ型半導体装置の上記基板に対
して所望の取付け安定性を確保するととに、上記樹脂パ
ッケージ型半導体装置の駆動時に発する熱を上記放熱板
の特性を十分に活かして上記基板に放熱することができ
る。
【００１３】本願発明の第２の側面によれば、半導体チ
ップを担持させたリードフレームに樹脂パッケージング
を施す樹脂パッケージング工程を含む樹脂パッケージ型
半導体装置の製造方法であって、上記樹脂パッケージン
グ工程は、各々キャビティを有する一対の金型を型締め
し、上記各キャビティによって規定される空間内に樹脂
を注入して硬化させることにより行われ、上記工程によ
って樹脂パッケージの表面にスリットおよび／またはホ
ールが形成されるように、上記キャビティによって規定
される空間内に膨出する凸部が形成されている金型を用
いることを特徴とする、樹脂パッケージ型半導体装置の
製造方法が提供される。
ップを担持させたリードフレームに樹脂パッケージング
を施す樹脂パッケージング工程を含む樹脂パッケージ型
半導体装置の製造方法であって、上記樹脂パッケージン
グ工程は、各々キャビティを有する一対の金型を型締め
し、上記各キャビティによって規定される空間内に樹脂
を注入して硬化させることにより行われ、上記工程によ
って樹脂パッケージの表面にスリットおよび／またはホ
ールが形成されるように、上記キャビティによって規定
される空間内に膨出する凸部が形成されている金型を用
いることを特徴とする、樹脂パッケージ型半導体装置の
製造方法が提供される。
【００１４】上記構成によれば、上述した第１の側面に
係る樹脂パッケージ型半導体装置と同様の効果を奏する
樹脂パッケージ型半導体装置を提供することができる。
係る樹脂パッケージ型半導体装置と同様の効果を奏する
樹脂パッケージ型半導体装置を提供することができる。
【００１５】本願発明のその他の特徴および利点は、添
付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より
明らかとなろう。
付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より
明らかとなろう。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本願発明の好ましい実施の
形態を、図面を参照して具体的に説明する。
形態を、図面を参照して具体的に説明する。
【００１７】図１は、本願発明の第１の実施形態に係る
樹脂パッケージ型半導体装置２の全体斜視図であり、図
２は、図１のII−II線に沿う断面図である。また、図３
は、上記樹脂パッケージ型半導体装置２の製造に用いる
リードフレーム３の平面図、図４は、上記リードフレー
ム３に半導体チップ２０およびワイヤ２５をボンディン
グした状態の平面図、図５は、上記樹脂パッケージ型半
導体装置２の樹脂パッケージング工程に用いる金型４に
上記リードフレーム３を挟持した状態の要部断面図であ
る。
樹脂パッケージ型半導体装置２の全体斜視図であり、図
２は、図１のII−II線に沿う断面図である。また、図３
は、上記樹脂パッケージ型半導体装置２の製造に用いる
リードフレーム３の平面図、図４は、上記リードフレー
ム３に半導体チップ２０およびワイヤ２５をボンディン
グした状態の平面図、図５は、上記樹脂パッケージ型半
導体装置２の樹脂パッケージング工程に用いる金型４に
上記リードフレーム３を挟持した状態の要部断面図であ
る。
【００１８】図１および図２に示すように、上記樹脂パ
ッケージ型半導体装置２は、半導体チップ２０と、この
半導体チップ２０に電気的に導通させられている複数本
の内部リード２１と、上記半導体チップ２０ないし上記
各内部リード２１を包み込む樹脂パッケージ２２と、上
記各内部リード２１に連続して上記樹脂パッケージ２２
の外部に延出する複数本の外部リード２３と、上記半導
体チップ２０から発生する熱を外部に放出するために、
一部が上記樹脂パッケージ２２の外部に延出するように
して樹脂パッケージ２２内に組み込まれた放熱板２４
と、を備えて構成されている。
ッケージ型半導体装置２は、半導体チップ２０と、この
半導体チップ２０に電気的に導通させられている複数本
の内部リード２１と、上記半導体チップ２０ないし上記
各内部リード２１を包み込む樹脂パッケージ２２と、上
記各内部リード２１に連続して上記樹脂パッケージ２２
の外部に延出する複数本の外部リード２３と、上記半導
体チップ２０から発生する熱を外部に放出するために、
一部が上記樹脂パッケージ２２の外部に延出するように
して樹脂パッケージ２２内に組み込まれた放熱板２４
と、を備えて構成されている。
【００１９】図２および図３に良く表れているように、
上記放熱板２４は、矩形上のダイパッド２４ａと、上記
樹脂パッケージ型半導体装置２を基板に実装して駆動し
た場合に基板に対して駆動時に発生した熱を放熱する放
熱部２４ｂとを備えている。上記ダイパッド２４ａ上に
は、上記半導体チップ２０がボンディングされ、上記放
熱部２４ｂおよび上記ダイパッッド２４ａの下面は、上
記樹脂パッケージ２２の下面と面一となるように形成さ
れている。
上記放熱板２４は、矩形上のダイパッド２４ａと、上記
樹脂パッケージ型半導体装置２を基板に実装して駆動し
た場合に基板に対して駆動時に発生した熱を放熱する放
熱部２４ｂとを備えている。上記ダイパッド２４ａ上に
は、上記半導体チップ２０がボンディングされ、上記放
熱部２４ｂおよび上記ダイパッッド２４ａの下面は、上
記樹脂パッケージ２２の下面と面一となるように形成さ
れている。
【００２０】図２に示すように、上記半導体チップ２０
の上面には、上面電極２０ａが形成されており、この上
面電極２０ａが上記内部リード２１の上面とワイヤ２５
を介して接続されて電気的に導通するように構成されて
いる。
の上面には、上面電極２０ａが形成されており、この上
面電極２０ａが上記内部リード２１の上面とワイヤ２５
を介して接続されて電気的に導通するように構成されて
いる。
【００２１】上記外部リード２３は、上記内部リード２
１から一体に延出して屈曲形成されており、その先端部
には、上記放熱板２４の下面および上記樹脂パッケージ
２２の下面と面一になるように水平部２３ａが形成され
ている。このように、上記放熱板２４および上記水平部
２３ａを面一に形成することにより、上記樹脂パッケー
ジ型半導体装置２は、基板上に面実装可能となる。
１から一体に延出して屈曲形成されており、その先端部
には、上記放熱板２４の下面および上記樹脂パッケージ
２２の下面と面一になるように水平部２３ａが形成され
ている。このように、上記放熱板２４および上記水平部
２３ａを面一に形成することにより、上記樹脂パッケー
ジ型半導体装置２は、基板上に面実装可能となる。
【００２２】図１に良く表れているように、上記樹脂パ
ッケージ２２には、下方に凹入した溝上のスリット２６
が上記外部リード２３の延出方向と同方向に複数形成さ
れている。
ッケージ２２には、下方に凹入した溝上のスリット２６
が上記外部リード２３の延出方向と同方向に複数形成さ
れている。
【００２３】このように構成された樹脂パッケージ型半
導体装置２においては、上記樹脂パッケージ型半導体装
置２の表面に形成された上記スリット２６が、上記樹脂
パッケージ型半導体装置２の上記スリット２６が形成さ
れていない場合の一般表面を複数の部分２２ａに分断す
ることとなる。したがって、樹脂パッケージングの終了
後に、樹脂パッケージ２２の温度が低下して上記樹脂パ
ッケージ２２が収縮する場合、上記スリット２６での収
縮量は、上記一般表面の状態における収縮量に比べて小
さいので、上記樹脂パッケージ２２の表面の収縮量が一
般表面の状態に比べて低減される。したがって、表面に
スリット２６を形成することにより、樹脂パッケージ２
２の表面全体として収縮量を従来に比べて格段に小さく
することができ、ひいては樹脂パッケージ２２全体の収
縮量を小さくすることができる。
導体装置２においては、上記樹脂パッケージ型半導体装
置２の表面に形成された上記スリット２６が、上記樹脂
パッケージ型半導体装置２の上記スリット２６が形成さ
れていない場合の一般表面を複数の部分２２ａに分断す
ることとなる。したがって、樹脂パッケージングの終了
後に、樹脂パッケージ２２の温度が低下して上記樹脂パ
ッケージ２２が収縮する場合、上記スリット２６での収
縮量は、上記一般表面の状態における収縮量に比べて小
さいので、上記樹脂パッケージ２２の表面の収縮量が一
般表面の状態に比べて低減される。したがって、表面に
スリット２６を形成することにより、樹脂パッケージ２
２の表面全体として収縮量を従来に比べて格段に小さく
することができ、ひいては樹脂パッケージ２２全体の収
縮量を小さくすることができる。
【００２４】このように、上記構成の樹脂パッケージ型
半導体装置２では、上記樹脂パッケージ２２の収縮量
と、上記樹脂パッケージ２２に組み込まれた放熱板２４
の収縮量との差を従来に比べて格段に小さくすることが
できる。すなわち、樹脂パッケージング終了後における
樹脂パッケージ２２および放熱板２４の温度の低下に起
因した上記放熱板２４の反りを格段に低減することがで
きる。したがって、上記放熱板２４の反りの低減によ
り、上記樹脂パッケージ型半導体装置２を基板（図示せ
ず）上に実装する場合の上記放熱板２４と上記基板との
接触面積を従来に比べて大きくすることができる。すな
わち、上記樹脂パッケージ型半導体装置２の上記基板に
対する取付け安定性が向上するととに、上記樹脂パッケ
ージ型半導体装置２の駆動時に発する熱を上記放熱板２
４の特性を十分に活かして上記基板に放熱することがで
きる。
半導体装置２では、上記樹脂パッケージ２２の収縮量
と、上記樹脂パッケージ２２に組み込まれた放熱板２４
の収縮量との差を従来に比べて格段に小さくすることが
できる。すなわち、樹脂パッケージング終了後における
樹脂パッケージ２２および放熱板２４の温度の低下に起
因した上記放熱板２４の反りを格段に低減することがで
きる。したがって、上記放熱板２４の反りの低減によ
り、上記樹脂パッケージ型半導体装置２を基板（図示せ
ず）上に実装する場合の上記放熱板２４と上記基板との
接触面積を従来に比べて大きくすることができる。すな
わち、上記樹脂パッケージ型半導体装置２の上記基板に
対する取付け安定性が向上するととに、上記樹脂パッケ
ージ型半導体装置２の駆動時に発する熱を上記放熱板２
４の特性を十分に活かして上記基板に放熱することがで
きる。
【００２５】次に、上記構成の樹脂パッケージ型半導体
装置２の製造方法を図３、図４および図５を参照しなが
ら説明する。なお、図３は、上記樹脂パッケージ型半導
体装置２の製造に用いるリードフレーム３の平面図、図
４は、上記リードフレーム３に半導体チップ２０および
ワイヤ２５をボンディングした状態の平面図、図５は、
樹脂パッケージング工程で用いられる金型４に上記リー
ドフレーム３を挟持した状態の要部断面図である。
装置２の製造方法を図３、図４および図５を参照しなが
ら説明する。なお、図３は、上記樹脂パッケージ型半導
体装置２の製造に用いるリードフレーム３の平面図、図
４は、上記リードフレーム３に半導体チップ２０および
ワイヤ２５をボンディングした状態の平面図、図５は、
樹脂パッケージング工程で用いられる金型４に上記リー
ドフレーム３を挟持した状態の要部断面図である。
【００２６】便宜上、上記リードフレーム３について図
３を参照しながら説明する。上記リードフレーム３に
は、幅方向両側にサイドフレーム３０および長手方向等
間隔に上記サイドフレーム３０，３０間を掛け渡すよう
に形成されるクロスフレーム３３によって囲まれる矩形
領域内に、上記樹脂パッケージ型半導体装置２の構成部
分となるべき放熱板２４およびリード２１，２３が打ち
抜き形成されている。上記放熱板２４は、ダイパッド２
４ａと放熱部２４ｂとを備えて構成されており、上記放
熱部２４ｂが支持リード３２によって上記サイドフレー
ム３０に支持されている。上記リード２１，２３は、上
記サイドリード間を掛け渡すように形成されるタイバー
３１によって内部リード２１および外部リード２３が形
成されている。
３を参照しながら説明する。上記リードフレーム３に
は、幅方向両側にサイドフレーム３０および長手方向等
間隔に上記サイドフレーム３０，３０間を掛け渡すよう
に形成されるクロスフレーム３３によって囲まれる矩形
領域内に、上記樹脂パッケージ型半導体装置２の構成部
分となるべき放熱板２４およびリード２１，２３が打ち
抜き形成されている。上記放熱板２４は、ダイパッド２
４ａと放熱部２４ｂとを備えて構成されており、上記放
熱部２４ｂが支持リード３２によって上記サイドフレー
ム３０に支持されている。上記リード２１，２３は、上
記サイドリード間を掛け渡すように形成されるタイバー
３１によって内部リード２１および外部リード２３が形
成されている。
【００２７】図４に示すように、このように形成された
リードフレーム３のダイパッド２４ａの上面には半導体
チップ２０がボンディングされ、次いで、上記半導体チ
ップ２０の上面に形成された上面電極２０ａと、これに
対応する内部リード２１と先端部上面とがワイヤ２５に
よって電気的に導通可能に結線される。
リードフレーム３のダイパッド２４ａの上面には半導体
チップ２０がボンディングされ、次いで、上記半導体チ
ップ２０の上面に形成された上面電極２０ａと、これに
対応する内部リード２１と先端部上面とがワイヤ２５に
よって電気的に導通可能に結線される。
【００２８】図５に示すように、続いて、合わせ状態に
おいて上記ダイパッド２４ａおよびこのダイパッド２４
ａにボンディングされた半導体チップ２０を収納可能な
キャビティを形成する上下の金型４Ａ，４Ｂによって図
４に点線で囲む部分をはさみ付けて上下の金型４Ａ，４
Ｂによって形成された空間内に上記半導体チップ２０を
収容する。そして、上記した上下の金型４Ａ，４Ｂの型
締めを行う。
おいて上記ダイパッド２４ａおよびこのダイパッド２４
ａにボンディングされた半導体チップ２０を収納可能な
キャビティを形成する上下の金型４Ａ，４Ｂによって図
４に点線で囲む部分をはさみ付けて上下の金型４Ａ，４
Ｂによって形成された空間内に上記半導体チップ２０を
収容する。そして、上記した上下の金型４Ａ，４Ｂの型
締めを行う。
【００２９】次いで、上記金型４によって形成された空
間内にエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂を溶融状態で注
入し、金型４から与えられる熱によって注入された樹脂
を硬化させ、樹脂パッケージングを行う。最後に、リー
ドフレームにハンダメッキを行い、検査工程、標印工程
を経た後に、必要に応じてリードフォーミング工程およ
びリードカット工程処理を施して、個別の半導体装置２
が得られる。
間内にエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂を溶融状態で注
入し、金型４から与えられる熱によって注入された樹脂
を硬化させ、樹脂パッケージングを行う。最後に、リー
ドフレームにハンダメッキを行い、検査工程、標印工程
を経た後に、必要に応じてリードフォーミング工程およ
びリードカット工程処理を施して、個別の半導体装置２
が得られる。
【００３０】図５に良く表れているように、上記金型４
は、各々キャビティ４ａおよび４ｂが形成された上下の
金型４Ａおよび４Ｂを備えており、上記上金型４Ａに
は、上記各々キャビティ４ａ，４ｂによって規定される
空間内に膨出する凸部４０が形成されている。上記凸部
４０は、上記金型４を上記リードフレーム３挟持して型
締めした状態において、上記外部リード２３の延出方向
と同方向に形成されている。したがって、上記金型４を
用いて樹脂パッケージングを行った場合には、上記樹脂
パッケージ型半導体装置２の樹脂パッケージ２２の上面
に上記外部リード２３の延出方向と同方向にスリット２
６が形成される。
は、各々キャビティ４ａおよび４ｂが形成された上下の
金型４Ａおよび４Ｂを備えており、上記上金型４Ａに
は、上記各々キャビティ４ａ，４ｂによって規定される
空間内に膨出する凸部４０が形成されている。上記凸部
４０は、上記金型４を上記リードフレーム３挟持して型
締めした状態において、上記外部リード２３の延出方向
と同方向に形成されている。したがって、上記金型４を
用いて樹脂パッケージングを行った場合には、上記樹脂
パッケージ型半導体装置２の樹脂パッケージ２２の上面
に上記外部リード２３の延出方向と同方向にスリット２
６が形成される。
【００３１】図６は、本願発明の第２の実施形態に係る
樹脂パッケージ型半導体装置２の全体斜視図であり、図
７は、図６のVII −VII 線に沿う断面図である。
樹脂パッケージ型半導体装置２の全体斜視図であり、図
７は、図６のVII −VII 線に沿う断面図である。
【００３２】本実施形態に係る樹脂パッケージ型半導体
装置２の基本的な構成は、上述した第１の実施形態に係
る樹脂パッケージ型半導体装置２と略同様である。本実
施形態に係る樹脂パッケージ型半導体装置２が第１の実
施形態と異なる点は、上記樹脂パッケージ２２の表面に
形成されたスリット２６の数および配置である。具体的
には、第１の実施形態においては、上記スリット２６
は、上記外部リード２３の延出方向と同方向に形成され
ていたが、本実施形態においては、上記スリット２６
は、上記外部リード２３の延出方向と同方向ばかりでな
く、上記外部リード２３の延出方向の垂直方向にもスリ
ット２６ａが形成されている。
装置２の基本的な構成は、上述した第１の実施形態に係
る樹脂パッケージ型半導体装置２と略同様である。本実
施形態に係る樹脂パッケージ型半導体装置２が第１の実
施形態と異なる点は、上記樹脂パッケージ２２の表面に
形成されたスリット２６の数および配置である。具体的
には、第１の実施形態においては、上記スリット２６
は、上記外部リード２３の延出方向と同方向に形成され
ていたが、本実施形態においては、上記スリット２６
は、上記外部リード２３の延出方向と同方向ばかりでな
く、上記外部リード２３の延出方向の垂直方向にもスリ
ット２６ａが形成されている。
【００３３】このため、上記スリット２６，２６ａが上
記樹脂パッケージ２２の上面に格子上に配されて形成さ
れているので、上記スリット２６，２６ａが上記樹脂パ
ッケージ２２の上面を第１の実施形態に比べてより細分
化して分断面２２ａを形成する。また、上記スリット２
６，２６ａの表面も交差するスリット２６ａ，２６によ
って分断されることとなる。
記樹脂パッケージ２２の上面に格子上に配されて形成さ
れているので、上記スリット２６，２６ａが上記樹脂パ
ッケージ２２の上面を第１の実施形態に比べてより細分
化して分断面２２ａを形成する。また、上記スリット２
６，２６ａの表面も交差するスリット２６ａ，２６によ
って分断されることとなる。
【００３４】したがって、本実施形態のようにスリット
２６、２６ａを形成することにより上記スリットを形成
していない場合の一般表面の部分が第１の実施形態に比
べてより少なくなり、冷却時における上記樹脂パッケー
ジ２２の収縮が制限され、より顕著に上述した第１の実
施形態の効果を奏することができる。
２６、２６ａを形成することにより上記スリットを形成
していない場合の一般表面の部分が第１の実施形態に比
べてより少なくなり、冷却時における上記樹脂パッケー
ジ２２の収縮が制限され、より顕著に上述した第１の実
施形態の効果を奏することができる。
【００３５】図８は、本願発明の第３の実施形態に係る
樹脂パッケージ型半導体装置２の全体斜視図であり、図
９は、図８のIX−IX線に沿う断面図である。
樹脂パッケージ型半導体装置２の全体斜視図であり、図
９は、図８のIX−IX線に沿う断面図である。
【００３６】本実施形態においては、第１および第２の
実施形態とは異なり上記樹脂パッケージ２２の上面に略
半球上のホール２７が複数個形成されている。本実施形
態においても、冷却時における上記樹脂パッケージ２２
の収縮が、上記ホール２７によって制限されるため、上
記第１の実施形態の樹脂パッケージ型半導体装置２と略
同様の効果を奏する。
実施形態とは異なり上記樹脂パッケージ２２の上面に略
半球上のホール２７が複数個形成されている。本実施形
態においても、冷却時における上記樹脂パッケージ２２
の収縮が、上記ホール２７によって制限されるため、上
記第１の実施形態の樹脂パッケージ型半導体装置２と略
同様の効果を奏する。
【００３７】図１０は、本願発明に第４の実施形態に係
る樹脂パッケージ型半導体装置２の断面図である。
る樹脂パッケージ型半導体装置２の断面図である。
【００３８】本実施形態の基本的な構成は、上述した第
１の実施形態に係る樹脂パッケージ型半導体装置２と略
同様である。本実施形態に係る樹脂パッケージ型半導体
装置２が第１の実施形態と異なる点は、外部リード２
３’が屈曲形成されていない点である。すなわち、本実
施形態に係る樹脂パッケージ型半導体装置２は、面実装
型の樹脂パッケージ型半導体２ではなく回路基板に外部
リード２３’を挿入してハンダ付けなどによって回路基
板上に実装する端子挿入型の樹脂パッケージ型半導体２
である。
１の実施形態に係る樹脂パッケージ型半導体装置２と略
同様である。本実施形態に係る樹脂パッケージ型半導体
装置２が第１の実施形態と異なる点は、外部リード２
３’が屈曲形成されていない点である。すなわち、本実
施形態に係る樹脂パッケージ型半導体装置２は、面実装
型の樹脂パッケージ型半導体２ではなく回路基板に外部
リード２３’を挿入してハンダ付けなどによって回路基
板上に実装する端子挿入型の樹脂パッケージ型半導体２
である。
【００３９】本実施形態においても、樹脂パッケージ２
２の表面にスリット２６が形成されているので、上述し
た第１の実施形態の効果を享受することができる。な
お、本実施形態においては、上記樹脂パッケージ２２の
表面に外部リード２３’の延出方向と同方向にスリット
２６が形成されていたが上述した第２および第３の実施
形態と同様にスリットまたはホールを形成するように設
計変更することも可能である。
２の表面にスリット２６が形成されているので、上述し
た第１の実施形態の効果を享受することができる。な
お、本実施形態においては、上記樹脂パッケージ２２の
表面に外部リード２３’の延出方向と同方向にスリット
２６が形成されていたが上述した第２および第３の実施
形態と同様にスリットまたはホールを形成するように設
計変更することも可能である。
【００４０】また、上記スリット２６，２６ａおよびホ
ール２７の形状、数、および配置は上述した実施形態の
形状、数、および配置には限定されず様々に設計変更可
能であり、上記スリット２６，２６’およびホール２７
を組み合わせて上記樹脂パッケージ２２の上面に形成し
てもよいのはいうまでもない。
ール２７の形状、数、および配置は上述した実施形態の
形状、数、および配置には限定されず様々に設計変更可
能であり、上記スリット２６，２６’およびホール２７
を組み合わせて上記樹脂パッケージ２２の上面に形成し
てもよいのはいうまでもない。
【００４１】さらに、上記放熱板２４として貫通孔が形
成されたものを用いることにより、上記放熱板２４と上
記樹脂パッケージ２２との接触面積を小さくするように
設計変更することも可能である。
成されたものを用いることにより、上記放熱板２４と上
記樹脂パッケージ２２との接触面積を小さくするように
設計変更することも可能である。
【００４２】その他、放熱板２４’として、図１１に示
すようなその一部が外部に延出していない放熱板２４’
を採用することもできる。
すようなその一部が外部に延出していない放熱板２４’
を採用することもできる。
【図１】本願発明の第１の実施形態に係る半導体装置の
全体斜視図である。
全体斜視図である。
【図２】図１のII−II線に沿う断面図である。
【図３】本願発明に係る半導体装置の製造に用いるリー
ドフレームの平面図である。
ドフレームの平面図である。
【図４】上記リードフレームに半導体チップおよびワイ
ヤをボンディングした状態の平面図である。
ヤをボンディングした状態の平面図である。
【図５】本願発明に係る半導体装置の樹脂パッケージン
グ工程に用いる金型に上記リードフレームを挟持した状
態の要部断面図である。
グ工程に用いる金型に上記リードフレームを挟持した状
態の要部断面図である。
【図６】本願発明の第２の実施形態に係る半導体装置の
全体斜視図である。
全体斜視図である。
【図７】図６のVII −VII 線に沿う断面図である。
【図８】本願発明の第３の実施形態に係る半導体装置の
全体斜視図である。
全体斜視図である。
【図９】図８のIX−IX線に沿う断面図である。
【図１０】本願発明の第４の実施形態に係る半導体装置
の断面図である。
の断面図である。
【図１１】本願発明に係る樹脂パッケージ型半導体装置
のその他の実施形態を表す断面図である。
のその他の実施形態を表す断面図である。
【図１２】従来例の説明図である。
【図１３】従来例の説明図である。
２ 樹脂パッケージ型半導体装置 ２０ 半導体チップ ２１ 内部リード ２２ 樹脂パッケージ ２３，２３’ 外部リード ２４，２４’ 放熱板 ２６，２６ａ スリット ２７ ホール
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体チップと、この半導体チップに電
気的に導通させられている複数本の内部リードと、上記
半導体チップないし上記各内部リードを包み込む樹脂パ
ッケージと、上記各内部リードに連続して上記樹脂パッ
ケージの外部に延出する複数本の外部リードと、上記半
導体チップから発生する熱を外部に放出するために、一
部が上記樹脂パッケージの外部に露出するようにして樹
脂パッケージ内に組み込まれた放熱板と、を備える樹脂
パッケージ型半導体装置であって、 上記樹脂パッケージの表面には、スリットおよび／また
はホールが形成されていることを特徴とする、樹脂パッ
ケージ型半導体装置。 - 【請求項２】 上記スリットは、上記外部リードの延出
方向と同方向に複数形成されている、請求項１に記載の
樹脂パッケージ型半導体装置。 - 【請求項３】 上記スリットは、格子状に配されて形成
されている、請求項１に記載の樹脂パッケージ型半導体
装置。 - 【請求項４】 半導体チップを担持させたリードフレー
ムに樹脂パッケージングを施す樹脂パッケージング工程
を含む樹脂パッケージ型半導体装置の製造方法であっ
て、 上記樹脂パッケージング工程は、各々キャビティを有す
る一対の金型を型締めし、上記各キャビティによって規
定される空間内に樹脂を注入して硬化させることにより
行われ、 上記工程によって樹脂パッケージの表面にスリットおよ
び／またはホールが形成されるように、上記キャビティ
によって規定される空間内に膨出する凸部が形成されて
いる金型を用いることを特徴とする、樹脂パッケージ型
半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8298284A JPH10144821A (ja) | 1996-11-11 | 1996-11-11 | 樹脂パッケージ型半導体装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8298284A JPH10144821A (ja) | 1996-11-11 | 1996-11-11 | 樹脂パッケージ型半導体装置およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10144821A true JPH10144821A (ja) | 1998-05-29 |
Family
ID=17857649
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8298284A Pending JPH10144821A (ja) | 1996-11-11 | 1996-11-11 | 樹脂パッケージ型半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10144821A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007157801A (ja) * | 2005-12-01 | 2007-06-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体モジュールとその製造方法 |
| JP2015159256A (ja) * | 2014-02-25 | 2015-09-03 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
-
1996
- 1996-11-11 JP JP8298284A patent/JPH10144821A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007157801A (ja) * | 2005-12-01 | 2007-06-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体モジュールとその製造方法 |
| JP2015159256A (ja) * | 2014-02-25 | 2015-09-03 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
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