JPH03222464A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体装置及びその製造方法Info
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- JPH03222464A JPH03222464A JP2016127A JP1612790A JPH03222464A JP H03222464 A JPH03222464 A JP H03222464A JP 2016127 A JP2016127 A JP 2016127A JP 1612790 A JP1612790 A JP 1612790A JP H03222464 A JPH03222464 A JP H03222464A
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- H01L2924/181—Encapsulation
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、リードフレームを用いた半導体装置及びそ
の製造方法に係り、特に放熱性の改良に関する。
の製造方法に係り、特に放熱性の改良に関する。
第１５図は従来のリードフレーム（１）を示す概略平面
図である。リードフレーム（１）は外枠（ｌａ）により
互いに接続されている複数のユニット（１ｂ）を有して
いる。これらのユニット（１ｂ）は、モールド後に切り
離されてそれぞれ個別の半導体装置を形成するものであ
る。第１６図に示すように、各ユニット（１ｂ）は外枠
（ｌａ）に吊りリード（６）により支持されたダイパッ
ド（５）を有している。このダイパッド（５）の周辺に
は多数のインナーリード（３）が配置されている。各イ
ンナーリード（３）はその基端部においてそれぞれアウ
ターリード（４）を介して外枠（１ａ）に接続されてお
り、隣接するアウターリード（４）はタイバー（７）に
より連結されている。
図である。リードフレーム（１）は外枠（ｌａ）により
互いに接続されている複数のユニット（１ｂ）を有して
いる。これらのユニット（１ｂ）は、モールド後に切り
離されてそれぞれ個別の半導体装置を形成するものであ
る。第１６図に示すように、各ユニット（１ｂ）は外枠
（ｌａ）に吊りリード（６）により支持されたダイパッ
ド（５）を有している。このダイパッド（５）の周辺に
は多数のインナーリード（３）が配置されている。各イ
ンナーリード（３）はその基端部においてそれぞれアウ
ターリード（４）を介して外枠（１ａ）に接続されてお
り、隣接するアウターリード（４）はタイバー（７）に
より連結されている。
また、外枠（１ａ）の両側部にはリードフレーム（１）
の位置決めを行うための位置決め孔（２）が形成されて
いる。
の位置決めを行うための位置決め孔（２）が形成されて
いる。
また、隣接するユニット（ｔｂ）間には、モールド樹脂
とリードフレーム（１）の材料との線膨張率の差に起因
するリードフレーム（１）の反りを吸収するためのスリ
ット（１０）が形成されている。
とリードフレーム（１）の材料との線膨張率の差に起因
するリードフレーム（１）の反りを吸収するためのスリ
ット（１０）が形成されている。
このようなリードフレーム（１）を用いて半導体装置を
製造するには、第１７図に示すように、まずリードフレ
ーム（１）のダイパッド（５）上にボンディング剤（１
６）により半導体チップ（１５）をダイボンドし、半導
体チップ（１５）の表面上に形成された各電極パッド（
図示せず）とこれに対応するインナーリード（３）とを
それぞれワイヤ（１７）で接続する。次に、リードフレ
ーム（１）を一対の金型（図示せず）の間にはさみ、第
１６図に（９）で示す箇所に位置する金型のゲートを通
して金型内にモールド樹脂を注入する。これにより、モ
ールドライン（８）の内側を樹脂封止する。その後、ア
ウターリード（４）を外枠（１ｂ）から切り離すと共に
タイバー（７）を切除し、さらにリード加工を施すこと
により第１７図に示すような半導体装置が得られる。こ
こで、（１２）は封止樹脂を示している。
製造するには、第１７図に示すように、まずリードフレ
ーム（１）のダイパッド（５）上にボンディング剤（１
６）により半導体チップ（１５）をダイボンドし、半導
体チップ（１５）の表面上に形成された各電極パッド（
図示せず）とこれに対応するインナーリード（３）とを
それぞれワイヤ（１７）で接続する。次に、リードフレ
ーム（１）を一対の金型（図示せず）の間にはさみ、第
１６図に（９）で示す箇所に位置する金型のゲートを通
して金型内にモールド樹脂を注入する。これにより、モ
ールドライン（８）の内側を樹脂封止する。その後、ア
ウターリード（４）を外枠（１ｂ）から切り離すと共に
タイバー（７）を切除し、さらにリード加工を施すこと
により第１７図に示すような半導体装置が得られる。こ
こで、（１２）は封止樹脂を示している。
半導体チップ（１５）は動作に際して熱を発するが、こ
の熱は半導体チップ（１５）の上面（１５ａ）からは直
接封止樹脂（１２）に伝わり、下面（１５ｂ）からはま
ずダイパッド（５）に伝わった後、このダイパッド（５
）から封止樹脂（１２）に伝導する。そして、封止樹脂
（１２）を介して外部へ放散される。
の熱は半導体チップ（１５）の上面（１５ａ）からは直
接封止樹脂（１２）に伝わり、下面（１５ｂ）からはま
ずダイパッド（５）に伝わった後、このダイパッド（５
）から封止樹脂（１２）に伝導する。そして、封止樹脂
（１２）を介して外部へ放散される。
このような半導体チップからの発熱量は、近年の半導体
チップの集積度の向上及び高速化に伴いますます大きく
なっている。このため、半導体装置の放熱性の向上を図
る必要がある。しかしながら、封止樹脂（１２）は比較
的に熱伝導率が低いために従来の半導体装置では所望の
放熱性を得ることかてきなかった。
チップの集積度の向上及び高速化に伴いますます大きく
なっている。このため、半導体装置の放熱性の向上を図
る必要がある。しかしながら、封止樹脂（１２）は比較
的に熱伝導率が低いために従来の半導体装置では所望の
放熱性を得ることかてきなかった。
封止樹脂（１２）に比べ、金属等から形成されるダイパ
ッド（５）は優れた熱伝導率を有している。そこて、ダ
イパッド（５）の面積を大きくすれは、半導体チップ（
１５）の下面（１５ｂ）からの放熱面積が広がり、放熱
性は向上する。しかしなから、第１６図に示されるよう
に、ダイパッド（５）はインナーリード（３）の先端部
より内側に設けなければならず、タイバード（５）を大
きくとることは困難であつた。
ッド（５）は優れた熱伝導率を有している。そこて、ダ
イパッド（５）の面積を大きくすれは、半導体チップ（
１５）の下面（１５ｂ）からの放熱面積が広がり、放熱
性は向上する。しかしなから、第１６図に示されるよう
に、ダイパッド（５）はインナーリード（３）の先端部
より内側に設けなければならず、タイバード（５）を大
きくとることは困難であつた。
以上のように、従来の半導体装置では放熱性が低いとい
う問題点があった。
う問題点があった。
この発明はこのような問題点を解消するためになされた
もので、放熱性の優れた半導体装置及びその製造方法を
提供することを目的とする。
もので、放熱性の優れた半導体装置及びその製造方法を
提供することを目的とする。
この発明に係る半導体装置は、互いに対向する第１及び
第２の面を有する半導体チップと、半導体チップの第１
の面上に形成された複数の電極と、半導体チップの第２
の面に接合されて半導体チップを支持するダイパッドと
、それぞれ一端部が半導体チップの対応する電極に接続
された複数のリードと、ダイパッドに対向すると共にダ
イパッドより大きな面積を有し且つ少なくとも一つの端
部が複数のリードの一端部と同一面上に位置するヒート
スプレッダ板と、半導体チップ、ダイパッド、複数のリ
ードの一端部及びヒートスプレッダ板を封止する樹脂パ
ッケージ本体とを備えたものである。
第２の面を有する半導体チップと、半導体チップの第１
の面上に形成された複数の電極と、半導体チップの第２
の面に接合されて半導体チップを支持するダイパッドと
、それぞれ一端部が半導体チップの対応する電極に接続
された複数のリードと、ダイパッドに対向すると共にダ
イパッドより大きな面積を有し且つ少なくとも一つの端
部が複数のリードの一端部と同一面上に位置するヒート
スプレッダ板と、半導体チップ、ダイパッド、複数のリ
ードの一端部及びヒートスプレッダ板を封止する樹脂パ
ッケージ本体とを備えたものである。
また、この発明に係る半導体装置の製造方法は、リード
フレームのグイパッド上に半導体チップを搭載し、半導
体チップに形成されている複数の電極とリードフレーム
の複数のインナーリードとをそれぞれ電気的に接続し、
ダイパッドより面積の大きいヒートスプレッダ部を有す
るヒートスプレッダフレームをヒートスプレッダ部がダ
イパッドに対向するようにリードフレームに重ね合わせ
ると共にヒートスプレッダフレームをヒートスプレツタ
部の周辺部においてリードフレームに嵌合し、半導体チ
ップ、ダイパッド、複数のインナーリード及びヒートス
プレッダ部を樹脂封止する方法である。
フレームのグイパッド上に半導体チップを搭載し、半導
体チップに形成されている複数の電極とリードフレーム
の複数のインナーリードとをそれぞれ電気的に接続し、
ダイパッドより面積の大きいヒートスプレッダ部を有す
るヒートスプレッダフレームをヒートスプレッダ部がダ
イパッドに対向するようにリードフレームに重ね合わせ
ると共にヒートスプレッダフレームをヒートスプレツタ
部の周辺部においてリードフレームに嵌合し、半導体チ
ップ、ダイパッド、複数のインナーリード及びヒートス
プレッダ部を樹脂封止する方法である。
この発明に係る半導体装置においては、半導体チップで
発生した熱がダイパッドを介して大きな面積を有するヒ
ートスプレッダ板に伝導し、このビートスプレッダ板か
ら樹脂パッケージ本体を介して半導体装置外部へ放散さ
れる。
発生した熱がダイパッドを介して大きな面積を有するヒ
ートスプレッダ板に伝導し、このビートスプレッダ板か
ら樹脂パッケージ本体を介して半導体装置外部へ放散さ
れる。
また、この発明に係る半導体装置の製造方法にあっては
、ヒートスプレッダ部を有するヒートスプレッダフレー
ムを半導体チップが搭載されたリードフレームに重ね合
わせた状態で半導体チップ及びヒートスプレッダ部等を
樹脂封止する。
、ヒートスプレッダ部を有するヒートスプレッダフレー
ムを半導体チップが搭載されたリードフレームに重ね合
わせた状態で半導体チップ及びヒートスプレッダ部等を
樹脂封止する。
以下、この発明の実施例を添付図面に基づいて説明する
。
。
第１図はこの発明の第１実施例に係る半導体装置を示す
断面図である。半導体装置は互いに対向する第１及び第
２の面（３５ａ）及び（３５ｂ）を備えた半導体チップ
（３５）を有している。この半導体チップ（３５）の第
２の面（３５ｂ）がボンディング剤り３６）によりダイ
パッド（２５）の表面上に接合されている。半導体チッ
プ（３５）の周辺部には複数のインナーリード（２３）
が配列されており、各インナーリード（２３）はそれぞ
れアウターリード（２４）に一体的に接続されている。
断面図である。半導体装置は互いに対向する第１及び第
２の面（３５ａ）及び（３５ｂ）を備えた半導体チップ
（３５）を有している。この半導体チップ（３５）の第
２の面（３５ｂ）がボンディング剤り３６）によりダイ
パッド（２５）の表面上に接合されている。半導体チッ
プ（３５）の周辺部には複数のインナーリード（２３）
が配列されており、各インナーリード（２３）はそれぞ
れアウターリード（２４）に一体的に接続されている。
また、半導体チップ（３５）の第１の面（３５ａ）上に
は複数の電極パッド（３５ｃ）が形成されており、各電
極パッド（３５ｃ）がそれぞれ対応するインナーリート
（２３）にワイヤ（３７）により接続されている。
は複数の電極パッド（３５ｃ）が形成されており、各電
極パッド（３５ｃ）がそれぞれ対応するインナーリート
（２３）にワイヤ（３７）により接続されている。
ダイパッド（２５）の裏面に対向するようにヒートスプ
レッダ板（３３）が配置されている。このヒートスプレ
ッダ板（３３）はダイパッド（２５）より大きな面積を
有している。アウターリード（２４）のみが外部に露出
するように、半導体チップ（３５）、ダイパッド（２５
）、インナーリード（２３）及びヒートスプレッダ板（
３３）が樹脂パッケージ本体となる封止樹脂（３９）に
より封止されている。尚、ヒートスプレッダ板（３３）
の少なくとも一つの端部（３３ａ）は樹脂パッケージ本
体の周縁部において隣接するインナーリード（２３）の
間で且つこれらインナーリード（２３）’と同一面上す
なわち同一高さに位置している。
レッダ板（３３）が配置されている。このヒートスプレ
ッダ板（３３）はダイパッド（２５）より大きな面積を
有している。アウターリード（２４）のみが外部に露出
するように、半導体チップ（３５）、ダイパッド（２５
）、インナーリード（２３）及びヒートスプレッダ板（
３３）が樹脂パッケージ本体となる封止樹脂（３９）に
より封止されている。尚、ヒートスプレッダ板（３３）
の少なくとも一つの端部（３３ａ）は樹脂パッケージ本
体の周縁部において隣接するインナーリード（２３）の
間で且つこれらインナーリード（２３）’と同一面上す
なわち同一高さに位置している。
この半導体装置において、動作時に半導体チップ（３５
）で発生した熱は、半導体チップ（３５）の第１の面（
３５ａ）からは直接封止樹脂り３９）に伝わるが、第２
の面（３５ｂ）からはダイパッド（２５）に伝わった後
、面積の大きいヒートスプレッダ板（３３）に伝わり、
このヒートスプレッダ板（３３）がら封止樹脂（３９）
を介して効率良く半導体装置外部へ放散される。
）で発生した熱は、半導体チップ（３５）の第１の面（
３５ａ）からは直接封止樹脂り３９）に伝わるが、第２
の面（３５ｂ）からはダイパッド（２５）に伝わった後
、面積の大きいヒートスプレッダ板（３３）に伝わり、
このヒートスプレッダ板（３３）がら封止樹脂（３９）
を介して効率良く半導体装置外部へ放散される。
このような半導体装置は以下のようにして製造すること
ができる。まず、第２図に示すようなリードフレーム（
２１）を用意する。リードフレーム（２１）はほぼ矩形
状の開口部（２８）を有し、開口部（２８）の中央に外
枠（２１ａ）に吊りリード（２６）により支持されたダ
イパッド（２５）を有している。開口部（２８）内には
開口部（２８）を形成する四辺からダイパッド（２５）
に向かって張り出した多数のインナーリード（２３）が
配置されている。各インナーリード（２３）はその基端
部においてそれぞれアウターリード（２４）を介して外
枠（２１ａ）に接続されており、隣接するアウターリー
ド（２４）はタイバー（２７）により連結されている。
ができる。まず、第２図に示すようなリードフレーム（
２１）を用意する。リードフレーム（２１）はほぼ矩形
状の開口部（２８）を有し、開口部（２８）の中央に外
枠（２１ａ）に吊りリード（２６）により支持されたダ
イパッド（２５）を有している。開口部（２８）内には
開口部（２８）を形成する四辺からダイパッド（２５）
に向かって張り出した多数のインナーリード（２３）が
配置されている。各インナーリード（２３）はその基端
部においてそれぞれアウターリード（２４）を介して外
枠（２１ａ）に接続されており、隣接するアウターリー
ド（２４）はタイバー（２７）により連結されている。
また、外枠（２１ａ）の両側部にはリードフレーム（２
１）の位置決めを行うための位置決め孔（２２）が形成
されている。
１）の位置決めを行うための位置決め孔（２２）が形成
されている。
さらに、開口部（２８）の四隅のうち三箇所にはインナ
ーリード（２３）が存在しない切り欠き部（２８ａ）が
それぞれ形成されている。四隅のうち残る一箇所には樹
脂モールド時に樹脂を案内するための樹指案内部（２９
）が外枠（２１ａ）から開口部（２８）内に突出して形
成されている。
ーリード（２３）が存在しない切り欠き部（２８ａ）が
それぞれ形成されている。四隅のうち残る一箇所には樹
脂モールド時に樹脂を案内するための樹指案内部（２９
）が外枠（２１ａ）から開口部（２８）内に突出して形
成されている。
また、第３図に示すように、ダイパッド（２５）は吊り
リード（２６）によりインナーリード（２３）より所定
の距離だけ下がった位置に支持されている。
リード（２６）によりインナーリード（２３）より所定
の距離だけ下がった位置に支持されている。
次に、第４図に示すようなヒートスプレッダフレーム（
３１）を用意する。ヒートスプレッダフレーム（３１）
は第２図のリードフレーム（２１）と同し幅を有すると
共に同じ位置に位置決め孔（３２）を有している。また
、ヒートスプレッダフレーム（３１）にはほぼ矩形状の
開口部（３８）が形成され、開口部（３８）の中央部に
その四隅を吊りリード（３４）で外枠（３１ａ）に支持
されたヒートスプレッダ板（ヒートスプレッダ部＞＜３
３）を有している。
３１）を用意する。ヒートスプレッダフレーム（３１）
は第２図のリードフレーム（２１）と同し幅を有すると
共に同じ位置に位置決め孔（３２）を有している。また
、ヒートスプレッダフレーム（３１）にはほぼ矩形状の
開口部（３８）が形成され、開口部（３８）の中央部に
その四隅を吊りリード（３４）で外枠（３１ａ）に支持
されたヒートスプレッダ板（ヒートスプレッダ部＞＜３
３）を有している。
また、第５図に示すように、ビートスプレッダ板（３３
）は吊りリード（３４）により外枠（３１ａ）より所定
距離だけ下がった位置に支持されているが、リードフレ
ーム（２１）の三つの切り欠き部（２８ａ）にそれぞれ
対応する吊りリード（３４）はさらに折り曲げられて外
枠（３１ａ）より上方に突出した突出部（３４ａ）を有
している。
）は吊りリード（３４）により外枠（３１ａ）より所定
距離だけ下がった位置に支持されているが、リードフレ
ーム（２１）の三つの切り欠き部（２８ａ）にそれぞれ
対応する吊りリード（３４）はさらに折り曲げられて外
枠（３１ａ）より上方に突出した突出部（３４ａ）を有
している。
ここで、第１図に示すように、半導体チップ（３５）の
第２の面（３５ｂ）をボンディング剤（３６）によりリ
ードフレーム（２１）のダイパッド（２５）上に接合す
る。次いで、半導体チップ（３５）の第１の面（３５ａ
）上に形成されている複数の電極パッド（３５ｃ）をそ
れぞれ対応するリードフレーム（２１）のインナーリー
ド（２３）にワイヤ（３７）により接続する。
第２の面（３５ｂ）をボンディング剤（３６）によりリ
ードフレーム（２１）のダイパッド（２５）上に接合す
る。次いで、半導体チップ（３５）の第１の面（３５ａ
）上に形成されている複数の電極パッド（３５ｃ）をそ
れぞれ対応するリードフレーム（２１）のインナーリー
ド（２３）にワイヤ（３７）により接続する。
その後、第６図に示すように、リードフレーム（２１）
とヒートスプレッダフレーム（３１）とを重ね合わせる
。このとき、ヒートスプレッダフレーム（３１）のビー
トスプレッダ板（３３）がリードフレーム（２１）のグ
イパッド（２５）に対向すると共にヒートスプレッダフ
レーム（３１）の三箇所の吊りリード（３４）の突出部
（３４ａ）がそれぞれリードフレーム（２１）の切り欠
き部（２８ａ）に嵌合する。これにより、突出部（３４
ａ）はリードフレーム（２１）と同一面上すなわち同一
高さに位置する。この状態のリードフレーム（２１）及
びヒートスプレッダフレーム（３１）の平面図及び底面
図をそれぞれ第７図及び第８図に示す。
とヒートスプレッダフレーム（３１）とを重ね合わせる
。このとき、ヒートスプレッダフレーム（３１）のビー
トスプレッダ板（３３）がリードフレーム（２１）のグ
イパッド（２５）に対向すると共にヒートスプレッダフ
レーム（３１）の三箇所の吊りリード（３４）の突出部
（３４ａ）がそれぞれリードフレーム（２１）の切り欠
き部（２８ａ）に嵌合する。これにより、突出部（３４
ａ）はリードフレーム（２１）と同一面上すなわち同一
高さに位置する。この状態のリードフレーム（２１）及
びヒートスプレッダフレーム（３１）の平面図及び底面
図をそれぞれ第７図及び第８図に示す。
尚、第６図及び第７図においては、半導体チップ（３５
）が省略されている。第７図に示されるように、ヒート
スプレッダフレーム（３１）のヒートスプレツタ板（３
３）はリードフレーム（２１）のダイパッド（２５）よ
り大きく、インナーリード（２３）の下部にまで及んで
いる。また、第８図に示されるように、ヒートスプレッ
ダフレーム（３１）の開口部（３８）はリードフレーム
（２１）のアウターリード（２４）までが含まれる大き
さを有している。
）が省略されている。第７図に示されるように、ヒート
スプレッダフレーム（３１）のヒートスプレツタ板（３
３）はリードフレーム（２１）のダイパッド（２５）よ
り大きく、インナーリード（２３）の下部にまで及んで
いる。また、第８図に示されるように、ヒートスプレッ
ダフレーム（３１）の開口部（３８）はリードフレーム
（２１）のアウターリード（２４）までが含まれる大き
さを有している。
このようにして重ね合わせられたリードフレーム（２１
）及びヒートスプレッダフレーム（３１）を、第９図の
ように、封止用金型を構成する上金型（１８ａ）及び下
金型（１８ｂ）の間に位置させて型締めする。
）及びヒートスプレッダフレーム（３１）を、第９図の
ように、封止用金型を構成する上金型（１８ａ）及び下
金型（１８ｂ）の間に位置させて型締めする。
このとき、ヒートスプレッダフレーム（３１）のヒート
スプレッダ板（３３）が下金型（１８ｂ）のキャビティ
ハーフ（１８ｃｌ）内に収容される。また、下金型（１
８ｂ）のキャビティハーフ（１８ｄ）の周縁部には上金
型（１８ａ）に向かって突出した型締め部（１９）が形
成されているが、この型締め部（１９）がリードフレー
ム（２１）の切り欠き部（２８ｇ）に嵌合しているヒー
トスプレッダフレーム（３１）の吊りリード（３４）の
突出部（３４ａ）に当接する。さらに、上金型（１８ａ
）には樹脂注入用のゲート（２０）が形成されており、
このゲー） （２０）が第７図に一点鎖線で示す箇所（
４０）に位置している。すなわち、ゲート（２０）はリ
ードフレーム（２１）の樹脂案内部（２９）上に位置す
る。
スプレッダ板（３３）が下金型（１８ｂ）のキャビティ
ハーフ（１８ｃｌ）内に収容される。また、下金型（１
８ｂ）のキャビティハーフ（１８ｄ）の周縁部には上金
型（１８ａ）に向かって突出した型締め部（１９）が形
成されているが、この型締め部（１９）がリードフレー
ム（２１）の切り欠き部（２８ｇ）に嵌合しているヒー
トスプレッダフレーム（３１）の吊りリード（３４）の
突出部（３４ａ）に当接する。さらに、上金型（１８ａ
）には樹脂注入用のゲート（２０）が形成されており、
このゲー） （２０）が第７図に一点鎖線で示す箇所（
４０）に位置している。すなわち、ゲート（２０）はリ
ードフレーム（２１）の樹脂案内部（２９）上に位置す
る。
この状態でゲー） ＜２０）を介して熔融樹脂を上金型
（１８ａ）のキャビティハーフ（１８ｃ）及び下金型（
１８ｂ）のキャビティハーフ（１８ｄ）により形成され
るキャビティ内に注入し、樹脂を硬化させる。これによ
り、第７図に示すモールドライン（３０）の内側が樹脂
封止され、第１０図に示すような半製品が作成される。
（１８ａ）のキャビティハーフ（１８ｃ）及び下金型（
１８ｂ）のキャビティハーフ（１８ｄ）により形成され
るキャビティ内に注入し、樹脂を硬化させる。これによ
り、第７図に示すモールドライン（３０）の内側が樹脂
封止され、第１０図に示すような半製品が作成される。
その後、図示しない加工用金型により、ヒートスプレッ
ダフレーム（３１）の吊りリード（３４）を突出部（３
４ａ）で切断し、リードフレーム（２１）のアウターリ
ード（２４）を外枠（２１ａ）から切り離すと共にタイ
バー（２７）を切除し、さらにアウターリード（２４）
を曲げ加工することにより、第１図に示した半導体装置
が得られる。尚、切断されたヒートスプレツダフレーム
（３１）の吊りリード（’３４）の突出部（３４ａ）が
第１図のヒートスプレッダ板（３３）の端部（３３ａ）
を形成する。
ダフレーム（３１）の吊りリード（３４）を突出部（３
４ａ）で切断し、リードフレーム（２１）のアウターリ
ード（２４）を外枠（２１ａ）から切り離すと共にタイ
バー（２７）を切除し、さらにアウターリード（２４）
を曲げ加工することにより、第１図に示した半導体装置
が得られる。尚、切断されたヒートスプレツダフレーム
（３１）の吊りリード（’３４）の突出部（３４ａ）が
第１図のヒートスプレッダ板（３３）の端部（３３ａ）
を形成する。
上述したように、ヒートスプレッダフレーム（３１）の
吊りリード（３４）の突出部（３４ａ）がリードフレー
ム（２１）の切り欠き部（２８ａ）内に嵌合され、突出
部（３４ａ）とり−トフレーム（２１）とが同一面上に
位置した状態で加工用金型により切断及び曲げ加工を行
うので、単に二枚のフレームを重ねてこれらを切断する
場合と異なり、−枚のフレームを切断し得る強度の加工
用金型を用いれば十分である。
吊りリード（３４）の突出部（３４ａ）がリードフレー
ム（２１）の切り欠き部（２８ａ）内に嵌合され、突出
部（３４ａ）とり−トフレーム（２１）とが同一面上に
位置した状態で加工用金型により切断及び曲げ加工を行
うので、単に二枚のフレームを重ねてこれらを切断する
場合と異なり、−枚のフレームを切断し得る強度の加工
用金型を用いれば十分である。
すなわち、加工用金型の寿命を損なうことはない。
尚、リードフレーム（２１）及びヒートスプレッダフレ
ーム（３１）の材質としては、Ｃｕ系、Ｆｅ系等の各種
材料を用いることができ、双方のフレームが同系の材料
てもあるいは異なった材料でも構わない。
ーム（３１）の材質としては、Ｃｕ系、Ｆｅ系等の各種
材料を用いることができ、双方のフレームが同系の材料
てもあるいは異なった材料でも構わない。
ただし、ヒートスプレッダフレーム（３１）は熱伝導の
優れた材質から形成することが望ましく、この点で特に
Ｃｕ系フレームは適している。
優れた材質から形成することが望ましく、この点で特に
Ｃｕ系フレームは適している。
また、半導体チップ（３５）として第２の面（３５ｂ）
の電位を固定しなくてもよいチップを用いた場合には、
ダイパッド（２５）とヒートスプレッダ板（３３）とを
接触させることができ、これにより放熱性がさらに向上
する。
の電位を固定しなくてもよいチップを用いた場合には、
ダイパッド（２５）とヒートスプレッダ板（３３）とを
接触させることができ、これにより放熱性がさらに向上
する。
尚、上記第１実施例においては、第２図に示したように
リードフレーム（２１）の開口部（２８）の四隅にイン
ナーリード（２３）を配置せず、これにより切り欠き部
（２８ａ）を設けた。しかしながら、第１１図に示す第
２実施例のリードフレーム（４１）のように、開口部（
４８）の四隅にインナーリード（４３）を配しながらも
切り欠き部（４８ａ）を形成することもできる。尚、−
点鎖線（４９）はモールドラインを示している。
リードフレーム（２１）の開口部（２８）の四隅にイン
ナーリード（２３）を配置せず、これにより切り欠き部
（２８ａ）を設けた。しかしながら、第１１図に示す第
２実施例のリードフレーム（４１）のように、開口部（
４８）の四隅にインナーリード（４３）を配しながらも
切り欠き部（４８ａ）を形成することもできる。尚、−
点鎖線（４９）はモールドラインを示している。
また、第１２図及び第１３図にそれぞれ第３実施例にお
けるリードフレーム（５１）及びヒートスプレッダフレ
ーム（６１）を示す。このリードフレーム（５１）では
、はぼ矩形状の開口部（５８）を形成する四辺の各中央
部に位置するインナーリード（５３）を二本ずつ切り欠
いて、これにより切り欠き部（５８ａ）を形成している
。従って、第１３図に示すように、ヒートスプレッダフ
レーム（６１）はリードフレーム（５１）の切り欠き部
（５８ａ）に対応した位置にそれぞれ吊りリード（６４
）を有し、これら吊りリード（６４）によりヒートスプ
レツタ板（６３）を支持している。
けるリードフレーム（５１）及びヒートスプレッダフレ
ーム（６１）を示す。このリードフレーム（５１）では
、はぼ矩形状の開口部（５８）を形成する四辺の各中央
部に位置するインナーリード（５３）を二本ずつ切り欠
いて、これにより切り欠き部（５８ａ）を形成している
。従って、第１３図に示すように、ヒートスプレッダフ
レーム（６１）はリードフレーム（５１）の切り欠き部
（５８ａ）に対応した位置にそれぞれ吊りリード（６４
）を有し、これら吊りリード（６４）によりヒートスプ
レツタ板（６３）を支持している。
第１・１区に示すように各吊りリード（６４）には突出
部（６４ａ）が形成され、これら突出部（６４ａ）はそ
れぞれリードフレーム（５１）の対応する切り欠き部（
５８ａ）に嵌合する。このようにしてリードフレーム（
５１）とヒートスプレッダフレーム（６１）とを重ね合
わせた状態で上金型（７１）及び下金型（７２）により
型締めし、樹脂封止を行う。
部（６４ａ）が形成され、これら突出部（６４ａ）はそ
れぞれリードフレーム（５１）の対応する切り欠き部（
５８ａ）に嵌合する。このようにしてリードフレーム（
５１）とヒートスプレッダフレーム（６１）とを重ね合
わせた状態で上金型（７１）及び下金型（７２）により
型締めし、樹脂封止を行う。
これにより、第１実施例と同様に放熱性の優れた半導体
装置が製造される。
装置が製造される。
尚、上記の各実施例ではトランスファーモールド法によ
り樹脂封止を行ったが、これに限るものではなく、例え
ばボッティング法を用いることもできる。
り樹脂封止を行ったが、これに限るものではなく、例え
ばボッティング法を用いることもできる。
以上説明したように、この発明に係る半導体装置は、互
いに対向する第１及び第２の面を有する半導体チップと
、半導体チップの第１の面上に形成された複数の電極と
、半導体チップの第２の面に接合されて半導体チップを
支持するダイパッドと、それぞれ一端部が半導体チップ
の対応する電極に接続された複数のリードと、ダイパッ
ドに対向すると共にダイパッドより大きな面積を有し且
つ少なくとも一つの端部が複数のリードの一端部と同一
面上に位置するヒートスプレッダ板と、半導体チップ、
ダイパッド、複数のリードの一端部及びヒートスプレッ
ダ板を封止する樹脂パッケージ本体とを備えているので
、放熱性の向上を図ることがてきる。
いに対向する第１及び第２の面を有する半導体チップと
、半導体チップの第１の面上に形成された複数の電極と
、半導体チップの第２の面に接合されて半導体チップを
支持するダイパッドと、それぞれ一端部が半導体チップ
の対応する電極に接続された複数のリードと、ダイパッ
ドに対向すると共にダイパッドより大きな面積を有し且
つ少なくとも一つの端部が複数のリードの一端部と同一
面上に位置するヒートスプレッダ板と、半導体チップ、
ダイパッド、複数のリードの一端部及びヒートスプレッ
ダ板を封止する樹脂パッケージ本体とを備えているので
、放熱性の向上を図ることがてきる。
また、この発明に係る半導体装置の製造方法にあっては
、リードフレームのグイパッド上に半導体チップを搭載
し、半導体チップに形成されている複数の電極とリード
フレームの複数のインナーリードとをそれぞれ電気的に
接続し、ダイパッドより面積の大きいヒートスプレッダ
部を有するヒートスプレッダフレームをヒートスプレッ
ダ部がダイパッドに対向するようにリードフレームに重
ね合わせると共にヒートスプレッダフレームをヒートス
プレッダ部の周辺部においてリードフレームに嵌合し、
半導体チップ、ダイパッド、複数のインナーリード及び
ヒートスプレッダ部を樹脂封止するのて、放熱性の優れ
た半導体装置を容易に製造することができる。
、リードフレームのグイパッド上に半導体チップを搭載
し、半導体チップに形成されている複数の電極とリード
フレームの複数のインナーリードとをそれぞれ電気的に
接続し、ダイパッドより面積の大きいヒートスプレッダ
部を有するヒートスプレッダフレームをヒートスプレッ
ダ部がダイパッドに対向するようにリードフレームに重
ね合わせると共にヒートスプレッダフレームをヒートス
プレッダ部の周辺部においてリードフレームに嵌合し、
半導体チップ、ダイパッド、複数のインナーリード及び
ヒートスプレッダ部を樹脂封止するのて、放熱性の優れ
た半導体装置を容易に製造することができる。
第１図はこの発明の第１実施例に係る半導体装置を示す
断面図、第２図は第１実施例に用いられるリードフレー
ムを示す平面図、第３図は第２図の１−１線断面図、第
４図は第１実施例に用いられるビー１〜スプレツタフレ
ームを示す平面図、第５図は第４図の■−■線断面図、
第６図ないし第８図はそれぞれ第２図のリードフレーム
と第４図のヒートスプレッダフレームとを重ね合わせた
状態を示す断面図、平面図及び底面図、第９図及び第１
０図はそれぞれ第１実施例に係る半導体装置を製造する
方法を示す工程図、第１１図は第２実施例に用いられる
リードフレームを示す平面図、第１２図及び第１３図は
それぞれ第３実施例に用いられるリードフレーム及びヒ
ートスプレッダフレームを示す平面図、第１４図は第３
実施例に係る半導体装置を製造する方法を示す断面図、
第１５図は従来のリードフレームを示す平面図、第１６
図は第１５図の部分拡大図、第１７図は従来の半導体装
置を示す断面図である。 図において、（２１Ｌ（４１）及び（５１）はリードフ
レーム、（２３）、（４３）及び（５３）はインナーリ
ード、（２４）はアウターリード、（２５）はダイパッ
ド、（２８ａ）、（４８ａ）及び（５８ａ）は切り欠き
部、（３１）及び（６１）はヒートスプレッダフレーム
、（３３）及び（６３）はヒートスプレッダ板、（３４
）及び（６４）は吊りリード、（３４ａ）及び（６４ａ
）は突出部、（３５）は半導体チップ、（３５ａ）は第
１の面、（３５ｂ）は第２の面、（３５ｃ）は電極パッ
ド、（３７）はワイヤ、（３９）は封止樹脂である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
断面図、第２図は第１実施例に用いられるリードフレー
ムを示す平面図、第３図は第２図の１−１線断面図、第
４図は第１実施例に用いられるビー１〜スプレツタフレ
ームを示す平面図、第５図は第４図の■−■線断面図、
第６図ないし第８図はそれぞれ第２図のリードフレーム
と第４図のヒートスプレッダフレームとを重ね合わせた
状態を示す断面図、平面図及び底面図、第９図及び第１
０図はそれぞれ第１実施例に係る半導体装置を製造する
方法を示す工程図、第１１図は第２実施例に用いられる
リードフレームを示す平面図、第１２図及び第１３図は
それぞれ第３実施例に用いられるリードフレーム及びヒ
ートスプレッダフレームを示す平面図、第１４図は第３
実施例に係る半導体装置を製造する方法を示す断面図、
第１５図は従来のリードフレームを示す平面図、第１６
図は第１５図の部分拡大図、第１７図は従来の半導体装
置を示す断面図である。 図において、（２１Ｌ（４１）及び（５１）はリードフ
レーム、（２３）、（４３）及び（５３）はインナーリ
ード、（２４）はアウターリード、（２５）はダイパッ
ド、（２８ａ）、（４８ａ）及び（５８ａ）は切り欠き
部、（３１）及び（６１）はヒートスプレッダフレーム
、（３３）及び（６３）はヒートスプレッダ板、（３４
）及び（６４）は吊りリード、（３４ａ）及び（６４ａ
）は突出部、（３５）は半導体チップ、（３５ａ）は第
１の面、（３５ｂ）は第２の面、（３５ｃ）は電極パッ
ド、（３７）はワイヤ、（３９）は封止樹脂である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (2)
- （１）互いに対向する第１及び第２の面を有する半導体
チップと、 前記半導体チップの第１の面上に形成された複数の電極
と、 前記半導体チップの第２の面に接合されて前記半導体チ
ップを支持するダイパッドと、 それぞれ一端部が前記半導体チップの対応する電極に接
続された複数のリードと、 前記ダイパッドに対向すると共に前記ダイパッドより大
きな面積を有し且つ少なくとも一つの端部が前記複数の
リードの一端部と同一面上に位置するヒートスプレッダ
板と、 前記半導体チップ、前記ダイパッド、前記複数のリード
の一端部及び前記ヒートスプレッダ板を封止する樹脂パ
ッケージ本体と を備えたことを特徴とする半導体装置。 - （２）リードフレームのダイパッド上に半導体チップを
搭載し、 前記半導体チップに形成されている複数の電極と前記リ
ードフレームの複数のインナーリードとをそれぞれ電気
的に接続し、 前記ダイパッドより面積の大きいヒートスプレッダ部を
有するヒートスプレッダフレームを前記ヒートスプレッ
ダ部が前記ダイパッドに対向するように前記リードフレ
ームに重ね合わせると共に前記ヒートスプレッダフレー
ムを前記ヒートスプレッダ部の周辺部において前記リー
ドフレームに嵌合し、 前記半導体チップ、前記ダイパッド、前記複数のインナ
ーリード及び前記ヒートスプレッダ部を樹脂封止する ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2016127A JP2517691B2 (ja) | 1990-01-29 | 1990-01-29 | 半導体装置及びその製造方法 |
| US08/062,567 US5334872A (en) | 1990-01-29 | 1993-05-18 | Encapsulated semiconductor device having a hanging heat spreading plate electrically insulated from the die pad |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2016127A JP2517691B2 (ja) | 1990-01-29 | 1990-01-29 | 半導体装置及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03222464A true JPH03222464A (ja) | 1991-10-01 |
| JP2517691B2 JP2517691B2 (ja) | 1996-07-24 |
Family
ID=11907837
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2016127A Expired - Lifetime JP2517691B2 (ja) | 1990-01-29 | 1990-01-29 | 半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2517691B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5583371A (en) * | 1994-10-12 | 1996-12-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Resin-sealed semiconductor device capable of improving in heat radiation characteristics of resin-sealed semiconductor elements |
| US5594282A (en) * | 1993-12-16 | 1997-01-14 | Seiko Epson Corporation | Resin sealing type semiconductor device and method of making the same |
| US5633529A (en) * | 1994-07-13 | 1997-05-27 | Seiko Epson Corporation | Resin sealing type semiconductor device and method of making the same |
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| US5777380A (en) * | 1995-03-17 | 1998-07-07 | Seiko Epson Corporation | Resin sealing type semiconductor device having thin portions formed on the leads |
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|---|---|---|---|---|
| JPS49102657U (ja) * | 1972-12-25 | 1974-09-04 | ||
| JPS56146263A (en) * | 1980-04-16 | 1981-11-13 | Nec Corp | Manufacture of semiconductor device |
-
1990
- 1990-01-29 JP JP2016127A patent/JP2517691B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
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| US5891759A (en) * | 1993-12-16 | 1999-04-06 | Seiko Epson Corporation | Method of making a multiple heat sink resin sealing type semiconductor device |
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| US5801435A (en) * | 1995-02-27 | 1998-09-01 | Seiko Epson Corporation | Resin sealing type semiconductor device and method of making the same |
| US5777380A (en) * | 1995-03-17 | 1998-07-07 | Seiko Epson Corporation | Resin sealing type semiconductor device having thin portions formed on the leads |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2517691B2 (ja) | 1996-07-24 |
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