JP2521021Y2 - モジユールタイプledのモールド構造 - Google Patents

モジユールタイプledのモールド構造

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JP2521021Y2 JP1990109011U JP10901190U JP2521021Y2 JP 2521021 Y2 JP2521021 Y2 JP 2521021Y2 JP 1990109011 U JP1990109011 U JP 1990109011U JP 10901190 U JP10901190 U JP 10901190U JP 2521021 Y2 JP2521021 Y2 JP 2521021Y2
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Description

【考案の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本考案はLEDチップを絶縁基板上に実装したモジュー
ルタイプLEDのモールド構造に関する。
[従来の技術] 近年、車輛用灯具、例えばハイマウントストップラン
プ、ストップランプ、テールランプ等の光源としては、
発熱量が一般の電球に比べて著しく少ないことから多数
のLEDチップを絶縁基板上に実装してなるモジュールタ
イプLEDを用いたものが知られている。第7図〜第9図
はこのようなモジュールタイプLEDの従来例を示すもの
で、このモジュールタイプLEDは表面が絶縁処理された
金属やエンジニアリングプラスチック等からなら絶縁基
板1上に複数個の光学反射用凹部2を適当間隔をおいて
設けると共に所定の電気回路を形成する導電パターン3
を印刷形成し、前記凹部2内の導電パターン3上にLED
チップ4を銀ペーストでボンディングすると共にLEDチ
ップ4と隣接する導電パターン3とを金線5等によって
ワイヤボンディングすることによりLEDチップ4を導電
パターン3を介して直列接続し、さらにその後、LEDチ
ップ4とその周縁部を透明な熱硬化性樹脂6によって凸
レンズ状にモールドして構成したものである。
なお、7は樹脂モールドする際の樹脂注入用孔、3a、
3bは導電パターン3の外部電極取出し部である。
[考案が解決しようとする課題] しかしながら、このような従来のモジュールタイプLE
Dのモールド構造においては、導電パターン3の外部電
極取出し部3a、3bが、絶縁基板1のモールド面に形成さ
れているため、樹脂6によるLEDチップ4のモールド時
に外部電極取出し部3a、3bに対応するモールド用金型と
絶縁基板1との間に隙間があると、溶融樹脂がこの隙間
に侵入して外部電極取出し3a、3bの表面を覆いそのまま
硬化しまうと、電極の取出しができなくなるという問題
があった。
したがって、本考案は上記したような従来の問題点に
鑑みてなされたもので、その目的とするところは、比較
的簡単な構成でモールド樹脂が外部電極取出し部を覆い
電極取り出しができなくなるのを防止するようにしたモ
ジュールタイプLEDのモールド構造を提供することにあ
る。
[課題を解決するための手段] 本考案は上記目的を達成するため、絶縁基板上に導電
パターンを形成し、その上にLEDチップを実装してワイ
ヤボンディングし、前記LEDチップおよび導電パターン
を透明樹脂によってモールドしたモジュールタイプLED
のモールド構造において、前記絶縁基板に連続した同一
平面からなるモールド面および非モールド面と、この非
モールド面と段差面を介して連続する導電パターン取出
し面を設け、前記導電パターンの前記透明樹脂から外部
に突出する外部電極取出し部を前記非モールド面および
段差面を経て前記導電パターン取出し面にまで延在させ
たものである。
[作用] 本考案において、導電パターンの外部電極取出し部は
非モールド面および段差面を経て導電パターン取出し面
にまで延在しているので、モールド時に外部電極取出し
部が透明樹脂によって覆われることはない。
[実施例] 以下、本考案を図面に示す実施例に基づいて詳細に説
明する。
第1図は本考案に係るモジュールタイプLEDのモール
ド構造の一実施例を示す第2図のI-I線断面図、第2図
は平面図、第3図は正面図、第4図は第3図のIV-IV線
断面図である。これらの図において、絶縁基板1は幅方
向中心線を通る面内での断面形状が凸形とされることに
より、中央部1aが両端部1b、1cより一段高く形成されて
両端部寄りに段差面11a、11bを有している。中央部1aの
上面はモールド面12と非モールド面12aを形成し、モー
ルド面12の両側に非モールド面12aが設けられている。
このモールド面12に形成されている導電パターン3のう
ち両端に設けられている導電パターン3a、3bは、外部電
極取り出し部を形成するもので、その一端部がモールド
樹脂6によって覆われ、他端部がモールド面12より前記
非モールド面12aおよび段差面11a、11bを経て各端部1
b、1cの上面13にまでそれぞれ延在されている。このた
め、各端部1b、1cの上面13は、導電パターン取出し面を
形成している。
他の構成は第7図〜第9図に示した従来構造と同様で
ある。
第5図は上記構成からなるモジュールタイプLEDにお
けるモールド樹脂6のモールド方法を示す断面図であ
る。14はモールド用金型であり、その開口部に絶縁基板
1の両端部が嵌合密接している。モールドに際しては、
溶融樹脂を樹脂注入用孔7より絶縁基板1とモールド用
金型14との間に形成された空間15内に注入して固化すれ
ばよい。この時、絶縁基板1の非モールド面12aとモー
ルド用金型14との間に僅かな隙間があると、空間15内に
注入された溶融樹脂はこの隙間に侵入して外部電極取出
し部3a、3bの一部を覆うが、これらの外部電極取出し部
3a、3bの他端部はモールド面12および非モールド面12a
と同一面になく、各端部1b、1cの上面、すなわち導電パ
ターン取出し面13にまで延在されているので、樹脂の付
着を防止される。
かくしてこのような構成からなるモジュールタイプLE
Dのモールド構造にあっては、絶縁基板1に連続した同
一平面からなるモールド面12および非モールド面12a
と、この非モールド面12aと段差面11a、11bを介して連
続する導電パターン取出し面13を設け、導電パターン3
の外部電極取出し部3a、3bを前記非モールド面12aおよ
び段差面11a、11bを経て前記導電パターン取出し面13に
まで延在させているので、モールド時の樹脂6の付着を
確実に防止し得るものである。
第6図は本考案の他の実施例を示す断面図である。こ
の実施例は絶縁基板1を平板状に形成し、LEDチップ4
が設けられる基板上面の両端部を非モールド面12aと
し、この非モールド面12aに電極取出し用孔20をそれぞ
れ貫通形成し、これらの孔20の内面および絶縁基板1の
裏面側開口部周縁にまで外部電極取出し部3a、3bを延長
形成したものである。つまり、基板裏面側を外部電極取
出し面13とし、孔20の内周面を段差面としたものであ
る。
このような構成においても上記実施例と同様の効果が
得られるものである。
[考案の効果] 以上説明したように本考案に係るモジュールタイプLE
Dのモールド構造は、絶縁基板上に導電パターンを形成
し、その上にLEDチップを実装してワイヤボンディング
し、前記LEDチップおよび導電パターンを透明樹脂によ
ってモールドしたモジュールタイプLEDのモールド構造
において、前記絶縁基板に連続した同一平面からなるモ
ールド面および非モールド面と、この非モールド面と段
差面を介して連続する導電パターン取出し面を設け、前
記導電パターンの前記透明樹脂から外部に突出する外部
電極取出し部を前記非モールド面および段差面を経て前
記導電パターン取出し面にまで延在させたので、樹脂に
よりLEDチップをモールドする際、外部電極取出し部に
樹脂が付着して電極の取出しができなくなるのを確実に
防止することができ、その実用的効果は大である。
【図面の簡単な説明】
第1図は本考案に係るモジュールタイプLEDのモールド
構造の一実施例を示す第2図のI-I線断面図、第2図は
平面図、第3図は正面図、第4図は第3図のIV-IV線断
面図、第5図はモールド樹脂のモールド方法を示す断面
図、第6図は本考案の他の実施例を示す断面図、第7図
は従来のモジュールタイプLEDのモールド構造を示す第
8図のVII-VII線断面図、第8図は平面図、第9図は第
8図のIX-IX線断面図である。 1……絶縁基板、2……光学反射用凹部、3……導電パ
ターン、4……LEDチップ、5……金線、6……モール
ド樹脂、7……樹脂注入用孔、11a、11b……段差面、12
……モールド面、12a……非モールド面、13……外部電
極取出し面、14……モールド用金型、20……電極取出し
用孔。

Claims (1)

    (57)【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】絶縁基板上に導電パターンを形成し、その
    上にLEDチップを実装してワイヤボンディングし、前記L
    EDチップおよび導電パターンを透明樹脂によってモール
    ドしたモジュールタイプLEDのモールド構造において、
    前記絶縁基板に連続した同一平面からなるモールド面お
    よび非モールド面と、この非モールド面と段差面を介し
    て連続する導電パターン取出し面を設け、前記導電パタ
    ーンの前記透明樹脂から外部に突出する外部電極取出し
    部を前記非モールド面および段差面を経て前記導電パタ
    ーン取出し面にまで延在させたことを特徴とするモジュ
    ールタイプLEDのモールド構造。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP6704182B2 (ja) * 2016-03-24 2020-06-03 パナソニックIpマネジメント株式会社 照明装置

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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JPS5257730A (en) * 1975-11-06 1977-05-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd Light source for information reading element

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008072102A (ja) * 2006-08-21 2008-03-27 Cree Inc 液体注入モールド法による半導体発光デバイスパッケージの形成方法、及びモールドされた半導体発光デバイスリボン

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