JPH0525257Y2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0525257Y2 JPH0525257Y2 JP1989001018U JP101889U JPH0525257Y2 JP H0525257 Y2 JPH0525257 Y2 JP H0525257Y2 JP 1989001018 U JP1989001018 U JP 1989001018U JP 101889 U JP101889 U JP 101889U JP H0525257 Y2 JPH0525257 Y2 JP H0525257Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reflector
- lead frame
- led chip
- led
- reflective surface
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 18
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 18
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 4
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 2
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4911—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain
- H01L2224/49113—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain the connectors connecting different bonding areas on the semiconductor or solid-state body to a common bonding area outside the body, e.g. converging wires
Description
【考案の詳細な説明】
＜産業上の利用分野＞
本考案は、反射器の底部にLEDチツプが配置
され、LEDチツプと反射面とが光透過性樹脂に
よりモールドされた構造のLED表示素子に関す
る。
され、LEDチツプと反射面とが光透過性樹脂に
よりモールドされた構造のLED表示素子に関す
る。
＜従来の技術＞
第７図はこの種のLED表示素子の構造を示し
ている。図において、１０１は反射器、１０２は
LEDチツプ、１０３，１０４，１０５はリード
フレーム、１０６は透明樹脂、１０７は金線であ
る。
ている。図において、１０１は反射器、１０２は
LEDチツプ、１０３，１０４，１０５はリード
フレーム、１０６は透明樹脂、１０７は金線であ
る。
２個のLEDチツプ１０２がカツプ状の反射器
１０１の底面部に搭載されている。反射器１０１
は、LEDチツプ１０２の横方向の発光を図中上
方向へ反射し、上方向の輝度を高める役目をも
つ。反射器１０１は、リードフレーム１０４と一
体的に形成されている。LEDチツプ１０２、反
射器１０１を含むリードフレーム１０４、両側の
リードフレーム１０３，１０５、金線１０７は、
透明樹脂１０６によりモールドされている。透明
樹脂１０６は、その頭部が球面状であり、レンズ
としての機能を果たす。
１０１の底面部に搭載されている。反射器１０１
は、LEDチツプ１０２の横方向の発光を図中上
方向へ反射し、上方向の輝度を高める役目をも
つ。反射器１０１は、リードフレーム１０４と一
体的に形成されている。LEDチツプ１０２、反
射器１０１を含むリードフレーム１０４、両側の
リードフレーム１０３，１０５、金線１０７は、
透明樹脂１０６によりモールドされている。透明
樹脂１０６は、その頭部が球面状であり、レンズ
としての機能を果たす。
反射器１０１はリードフレーム１０４の端部に
連続して形成されているが、このような反射器が
連続したリードフレームを作成する方法として、
従来、金属板をプレス加工により所望の形状に打
抜き、その先端部分を第８図に示すようにヘツダ
ー１０８で押圧することにより、第９図に示すよ
うなカツプ状に成形し、その後、カツプの内面に
銀メツキなどにより反射面を形成する。
連続して形成されているが、このような反射器が
連続したリードフレームを作成する方法として、
従来、金属板をプレス加工により所望の形状に打
抜き、その先端部分を第８図に示すようにヘツダ
ー１０８で押圧することにより、第９図に示すよ
うなカツプ状に成形し、その後、カツプの内面に
銀メツキなどにより反射面を形成する。
＜考案が解決しようとする課題＞
しかしながら、上記方法においては下記のよう
な問題があつた。
な問題があつた。
一般にLED表示素子は小さく、しかもリード
フレームの形状が複雑であることから、金属板か
らプレス打抜き加工によつて所望の形状を得る場
合、板厚が厚くなると加工ができない。従来、加
工が可能な板厚は、0.5mm程度が限度であつた。
フレームの形状が複雑であることから、金属板か
らプレス打抜き加工によつて所望の形状を得る場
合、板厚が厚くなると加工ができない。従来、加
工が可能な板厚は、0.5mm程度が限度であつた。
このようにリードフレームの板厚が薄いため、
その先端をヘツダー加工によつてカツプ状に成形
するのは容易ではなく、大きなカツプを成形する
ことができない。したがつて、カツプの底面部に
多くのLEDチツプを搭載することができず、
LED表示素子の輝度が低いという問題があつた。
その先端をヘツダー加工によつてカツプ状に成形
するのは容易ではなく、大きなカツプを成形する
ことができない。したがつて、カツプの底面部に
多くのLEDチツプを搭載することができず、
LED表示素子の輝度が低いという問題があつた。
また、カツプの内面はLED発光の反射面とし
て作用するが、この反射面の広さ、深さあるいは
曲面率を適切に定めることにより、正面への光の
取り出し効率を高めることができる。しかし、大
きなカツプが得られないため、これらを任意に選
択することができないという問題があつた。
て作用するが、この反射面の広さ、深さあるいは
曲面率を適切に定めることにより、正面への光の
取り出し効率を高めることができる。しかし、大
きなカツプが得られないため、これらを任意に選
択することができないという問題があつた。
本考案は上記事情に鑑みてなされたものであ
り、その目的は、任意の大きさ及び形状の反射器
をリードフレームと一体的に形成できるようにし
たLED表示素子を提供することである。
り、その目的は、任意の大きさ及び形状の反射器
をリードフレームと一体的に形成できるようにし
たLED表示素子を提供することである。
＜課題を解決するための手段＞
上記目的を達成するために、本考案は、反射器
の底面部にLEDチツプが搭載され、反射器、
LEDチツプ及びLEDチツプへの給電端子である
リードフレームが透明樹脂によりモールドされた
構造のLED表示素子において、上記反射器はカ
ツプ状の反射面及びリードフレームの端部が嵌合
する孔を有し、上記孔に嵌合したリードフレーム
が反射面の底に露出し、この反射面の底のリード
フレームの上にLEDチツプが搭載された構造で
あることを特徴としている。
の底面部にLEDチツプが搭載され、反射器、
LEDチツプ及びLEDチツプへの給電端子である
リードフレームが透明樹脂によりモールドされた
構造のLED表示素子において、上記反射器はカ
ツプ状の反射面及びリードフレームの端部が嵌合
する孔を有し、上記孔に嵌合したリードフレーム
が反射面の底に露出し、この反射面の底のリード
フレームの上にLEDチツプが搭載された構造で
あることを特徴としている。
＜作用＞
本考案においては、反射器は樹脂成形によつて
作成されたものであり、さらにその反射器の孔に
リードフレームが嵌合することによつて反射器と
リードフレームが一体化されている。したがつ
て、リードフレームの厚さ等によつて反射器の大
きさが制限されることがなく、反射器を従来より
大きくすることができる。
作成されたものであり、さらにその反射器の孔に
リードフレームが嵌合することによつて反射器と
リードフレームが一体化されている。したがつ
て、リードフレームの厚さ等によつて反射器の大
きさが制限されることがなく、反射器を従来より
大きくすることができる。
＜実施例＞
第１図は本実施例のLED表示素子を正面から
見た構造、第２図は同じく側面から見た構造、第
３図は同じく上面から見た構造をそれぞれ示して
いる。図において、１は反射器、２，３，４はリ
ードフレーム、５はLEDチツプ、６は金線、７
は透明樹脂である。
見た構造、第２図は同じく側面から見た構造、第
３図は同じく上面から見た構造をそれぞれ示して
いる。図において、１は反射器、２，３，４はリ
ードフレーム、５はLEDチツプ、６は金線、７
は透明樹脂である。
反射器１は、金型を用いた樹脂成形によつて作
成されたものであり、その上面中央部に凹面の反
射面１ａが形成されており、その側面には両側に
貫通する孔１ｂ，１ｃ，１ｄが形成されている。
この孔１ｂ，１ｃ，１ｄにリードフレーム２，
３，４がそれぞれ嵌合している。カツプ状の反射
面１ａの底部分は中央の孔１ｃに開口しており、
したがつて、反射面１ａの底部分はリードフレー
ム３が露出している。４個のLEDチツプ５は、
この反射面１ａの底部分のリードフレーム３上に
搭載されている。反射面１ａの両側に孔１ｅ，１
ｆが形成されており、この孔１ｅ，１ｆは孔１
ｂ，１ｄとそれぞれ連通している。したがつて、
孔１ｅ，１ｆにはリードフレーム２，４が露出し
ている。このリードフレーム２，４の露出した部
分とLEDチツプ５とが金線６により電気的に接
続されている。
成されたものであり、その上面中央部に凹面の反
射面１ａが形成されており、その側面には両側に
貫通する孔１ｂ，１ｃ，１ｄが形成されている。
この孔１ｂ，１ｃ，１ｄにリードフレーム２，
３，４がそれぞれ嵌合している。カツプ状の反射
面１ａの底部分は中央の孔１ｃに開口しており、
したがつて、反射面１ａの底部分はリードフレー
ム３が露出している。４個のLEDチツプ５は、
この反射面１ａの底部分のリードフレーム３上に
搭載されている。反射面１ａの両側に孔１ｅ，１
ｆが形成されており、この孔１ｅ，１ｆは孔１
ｂ，１ｄとそれぞれ連通している。したがつて、
孔１ｅ，１ｆにはリードフレーム２，４が露出し
ている。このリードフレーム２，４の露出した部
分とLEDチツプ５とが金線６により電気的に接
続されている。
以上の反射器１、リードフレーム２，３，４、
LEDチツプ５並びに金線６は、透明樹脂７によ
りモールドされている。透明樹脂７の上面は球面
であり、この透明樹脂７はレンズの役割を果た
す。
LEDチツプ５並びに金線６は、透明樹脂７によ
りモールドされている。透明樹脂７の上面は球面
であり、この透明樹脂７はレンズの役割を果た
す。
このLED表示素子は、反射器１ａにてLEDチ
ツプ５からの横方向の光束を全反射し、反射光を
透明樹脂７の頭部へ集光させ、さらに、透明樹脂
７のレンズ作用によつてLED表示素子主軸面で
の発光輝度を増加させている。
ツプ５からの横方向の光束を全反射し、反射光を
透明樹脂７の頭部へ集光させ、さらに、透明樹脂
７のレンズ作用によつてLED表示素子主軸面で
の発光輝度を増加させている。
第４図と第５図はリードフレームの正面と側面
の構造を示している。このリードフレーム２，
３，４は、銅合金板からプレス打抜き法により製
造される段階までは従来と同様である。しかし、
その先端にカツプを形成するのではなく、単純に
直角方向に折り曲げるだけである。そして、第６
図に示すように、リードフレーム２，３，４の折
り曲げた部分２ａ，３ａ，４ａを反射器１の孔１
ｂ，１ｃ，１ｄに挿入嵌合することにより、リー
ドフレーム２，３，４と反射器１を一体化する。
また、リードフレーム３の折曲部分３ａはLED
チツプ５を搭載するためのベースとして利用さ
れ、リードフレーム２，４の折曲部分２ａ，４ａ
はワイヤボンデイングの極として利用される。
の構造を示している。このリードフレーム２，
３，４は、銅合金板からプレス打抜き法により製
造される段階までは従来と同様である。しかし、
その先端にカツプを形成するのではなく、単純に
直角方向に折り曲げるだけである。そして、第６
図に示すように、リードフレーム２，３，４の折
り曲げた部分２ａ，３ａ，４ａを反射器１の孔１
ｂ，１ｃ，１ｄに挿入嵌合することにより、リー
ドフレーム２，３，４と反射器１を一体化する。
また、リードフレーム３の折曲部分３ａはLED
チツプ５を搭載するためのベースとして利用さ
れ、リードフレーム２，４の折曲部分２ａ，４ａ
はワイヤボンデイングの極として利用される。
反射器１は、上述したように樹脂成形によつて
作成される。したがつて、その大きさや形状は任
意のものが作成できる。リードフレーム３の折曲
部分３ａの面積が大きく、且つ、反射面１ａが大
きいと、この反射面１ａの底面に多くのLEDチ
ツプを配置できることになる。また、反射面の広
さ、深さあるいは曲面率等を任意に定めることも
できる。反射器１の樹脂材料としては、白色のも
のがその機能上好ましく、また、LEDの発熱を
考慮すると、耐熱性をもつものが好ましい。
作成される。したがつて、その大きさや形状は任
意のものが作成できる。リードフレーム３の折曲
部分３ａの面積が大きく、且つ、反射面１ａが大
きいと、この反射面１ａの底面に多くのLEDチ
ツプを配置できることになる。また、反射面の広
さ、深さあるいは曲面率等を任意に定めることも
できる。反射器１の樹脂材料としては、白色のも
のがその機能上好ましく、また、LEDの発熱を
考慮すると、耐熱性をもつものが好ましい。
＜考案の効果＞
以上説明したように本考案においては、反射器
を樹脂成形によつて作成し、リードフレームと反
射器とを嵌合によつて一体化するようにしたの
で、反射器をリードフレームの厚さとは無関係に
大きくすることができる。したがつて、反射器の
底面に多くのLEDを配置することができ、LED
表示素子の輝度を高めることができる。また、任
意の形状の反射器を作成できるので、反射面の広
さ、深さ、曲面率を適切に定めることにより、光
取り出し効率を高めることができる。さらに、薄
いリードフレームからヘツダー加工によつてカツ
プを形成するといつた従来の困難な加工ではな
く、リードフレームの単純な加工のみですむの
で、作業の能率が向上する。さらに、反射器が絶
縁体であるため、ワイヤボンデイングの際に金線
が反射器に接触することを気にしないで作業を行
うことができ、作業の能率が向上する。
を樹脂成形によつて作成し、リードフレームと反
射器とを嵌合によつて一体化するようにしたの
で、反射器をリードフレームの厚さとは無関係に
大きくすることができる。したがつて、反射器の
底面に多くのLEDを配置することができ、LED
表示素子の輝度を高めることができる。また、任
意の形状の反射器を作成できるので、反射面の広
さ、深さ、曲面率を適切に定めることにより、光
取り出し効率を高めることができる。さらに、薄
いリードフレームからヘツダー加工によつてカツ
プを形成するといつた従来の困難な加工ではな
く、リードフレームの単純な加工のみですむの
で、作業の能率が向上する。さらに、反射器が絶
縁体であるため、ワイヤボンデイングの際に金線
が反射器に接触することを気にしないで作業を行
うことができ、作業の能率が向上する。
第１図は本考案実施例の正面構造を示す図、第
２図は本考案実施例の側面構造を示す図、第３図
は本考案実施例の上面構造を示す図、第４図は本
考案実施例のリードフレームの正面構造を示す
図、第５図は本考案実施例のリードフレームの側
面構造を示す図、第６図は本考案実施例の製造方
法を説明する図、第７図は従来例の斜視構造を示
す図、第８図と第９図は従来例の製造方法を説明
する図である。 １……反射器、２，３，４……リードフレー
ム、５……LEDチツプ、６……金線、７……透
明樹脂。
２図は本考案実施例の側面構造を示す図、第３図
は本考案実施例の上面構造を示す図、第４図は本
考案実施例のリードフレームの正面構造を示す
図、第５図は本考案実施例のリードフレームの側
面構造を示す図、第６図は本考案実施例の製造方
法を説明する図、第７図は従来例の斜視構造を示
す図、第８図と第９図は従来例の製造方法を説明
する図である。 １……反射器、２，３，４……リードフレー
ム、５……LEDチツプ、６……金線、７……透
明樹脂。
Claims (1)
- 反射器の底面部にLEDチツプが搭載され、反
射器、LEDチツプ及びLEDチツプへの給電端子
であるリードフレームが透明樹脂によりモールド
された構造のLED表示素子において、上記反射
器はカツプ状の反射面及びリードフレームの端部
が嵌合する孔を有し、上記孔に嵌合したリードフ
レームが反射面の底に露出し、この反射面の底の
リードフレームの上にLEDチツプが搭載された
構造であることを特徴とするLED表示素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1989001018U JPH0525257Y2 (ja) | 1989-01-09 | 1989-01-09 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1989001018U JPH0525257Y2 (ja) | 1989-01-09 | 1989-01-09 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0292955U JPH0292955U (ja) | 1990-07-24 |
| JPH0525257Y2 true JPH0525257Y2 (ja) | 1993-06-25 |
Family
ID=31200539
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1989001018U Expired - Lifetime JPH0525257Y2 (ja) | 1989-01-09 | 1989-01-09 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0525257Y2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4703903B2 (ja) * | 2001-07-17 | 2011-06-15 | ローム株式会社 | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
| JP2005101662A (ja) * | 2004-12-24 | 2005-04-14 | Sanyo Electric Co Ltd | 発光ダイオードランプ |
| JP3754445B2 (ja) * | 2004-12-24 | 2006-03-15 | 三洋電機株式会社 | 発光ダイオードランプ |
-
1989
- 1989-01-09 JP JP1989001018U patent/JPH0525257Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0292955U (ja) | 1990-07-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4341951B2 (ja) | 発光ダイオード及びそのパッケージ構造 | |
| CN1258252C (zh) | 半导体激光器件 | |
| US4529907A (en) | Light emitting display device | |
| US20090289274A1 (en) | Package structure of light emitting diode and method of manufacturing the same | |
| US6864567B2 (en) | Base of LED | |
| JP2001332769A (ja) | 発光ダイオード照明具 | |
| JPH0525257Y2 (ja) | ||
| US7619260B2 (en) | Light-emitting diode and method for its production | |
| WO2007013774A1 (en) | Light emitting device package structure, method of manufacturing the light emitting device package structure, and method of manufacturing light emitting device adopting the same | |
| JP2003163379A (ja) | Ｌｅｄ発光装置 | |
| JPH06177427A (ja) | 発光ダイオードランプ | |
| JPH0525256Y2 (ja) | ||
| JPH09237514A (ja) | 背面照明装置 | |
| JPH0525255Y2 (ja) | ||
| JPH0639467Y2 (ja) | Ｌｅｄ表示素子 | |
| JPH05136463A (ja) | Ｌｅｄ用リードフレーム | |
| JP3571450B2 (ja) | リードフレームの製法および発光素子の製法 | |
| JPS63200550A (ja) | リ−ドフレ−ム | |
| US6495860B1 (en) | Light emitting diode and manufacturing process thereof with blank | |
| JPH06216412A (ja) | Ｌｅｄの製造方法 | |
| JP2007116078A (ja) | 発光素子の外囲器 | |
| US20050242708A1 (en) | LED device with a vertical leadframe that is configured for surface mounting | |
| JPH0685328A (ja) | 表面実装型ｌｅｄの製造方法 | |
| JPS59767Y2 (ja) | 発光素子のリ−ドフレ−ム | |
| JPH0126118Y2 (ja) |