JP2001308241A - 樹脂封止形リードフレーム組立体 - Google Patents
樹脂封止形リードフレーム組立体Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 接着剤を使用せずに樹脂封止形リードフレー
ム組立体のリードフレーム組立体とヒートシンクとを樹
脂封止体により固着する。 【解決手段】 樹脂封止形リードフレーム組立体（４
２）のヒートシンク（２２）は、金属板（２８）と、金
属板（２８）の一方の主面に形成された非接着性の絶縁
膜（２９）とを有する。金属板（２８）の側面に形成さ
れた溝部（２８ａ）に係合する突入部（４１ａ）を樹脂
封止体（４１）に形成して、リードフレーム組立体（２
１）とヒートシンク（２２）とを一体に保持する。非接
着性の絶縁膜（２９）を使用するため、ヒートシンク
（２２）と支持板（２３）とは絶縁膜（２９）を介して
電気的に分離され、接着剤及び接着剤を塗布する工程を
省略することができる。
ム組立体のリードフレーム組立体とヒートシンクとを樹
脂封止体により固着する。 【解決手段】 樹脂封止形リードフレーム組立体（４
２）のヒートシンク（２２）は、金属板（２８）と、金
属板（２８）の一方の主面に形成された非接着性の絶縁
膜（２９）とを有する。金属板（２８）の側面に形成さ
れた溝部（２８ａ）に係合する突入部（４１ａ）を樹脂
封止体（４１）に形成して、リードフレーム組立体（２
１）とヒートシンク（２２）とを一体に保持する。非接
着性の絶縁膜（２９）を使用するため、ヒートシンク
（２２）と支持板（２３）とは絶縁膜（２９）を介して
電気的に分離され、接着剤及び接着剤を塗布する工程を
省略することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、リードフレーム組
立体、特に接着剤を使用せずにリードフレームとヒート
シンクとを一体に構成した樹脂封止形リードフレーム組
立体に属する。
立体、特に接着剤を使用せずにリードフレームとヒート
シンクとを一体に構成した樹脂封止形リードフレーム組
立体に属する。
【０００２】
【従来の技術】ヒートシンク（放熱板）を備え且つ樹脂
封止体の両側から外部リードが突出した樹脂封止形リー
ドフレーム組立体は公知である。図７に示すように、こ
の樹脂封止形リードフレーム組立体（１０）は、リード
フレーム（３）と、リードフレーム（３）に固着され且
つ放熱板となるヒートシンク（６）とを備えている。リ
ードフレーム（３）は、支持板（１）と、支持板（１）
の両端部に配置された外部リード（２）と、支持板
（１）の一方の主面上に固着された半導体素子（４）
と、半導体素子（４）と外部リード（２）との間を連結
するリード細線（５）とを備えている。リードフレーム
（３）とは別体のヒートシンク（６）は、支持板（１）
の他方の主面に絶縁性の接着剤（８）を介して接着さ
れ、支持板（１）、半導体素子（４）、リード細線
（５）、外部リード（２）の内側端部並びにヒートシン
ク（６）の上面及び側面は、樹脂封止体（７）により被
覆される。ヒートシンク（６）の底面は樹脂封止体
（７）から露出する。図示しないが、実際のリードフレ
ーム（３）では支持板（１）の両端に支持板（１）に連
結されていない複数の非連結外部リードを有する。
封止体の両側から外部リードが突出した樹脂封止形リー
ドフレーム組立体は公知である。図７に示すように、こ
の樹脂封止形リードフレーム組立体（１０）は、リード
フレーム（３）と、リードフレーム（３）に固着され且
つ放熱板となるヒートシンク（６）とを備えている。リ
ードフレーム（３）は、支持板（１）と、支持板（１）
の両端部に配置された外部リード（２）と、支持板
（１）の一方の主面上に固着された半導体素子（４）
と、半導体素子（４）と外部リード（２）との間を連結
するリード細線（５）とを備えている。リードフレーム
（３）とは別体のヒートシンク（６）は、支持板（１）
の他方の主面に絶縁性の接着剤（８）を介して接着さ
れ、支持板（１）、半導体素子（４）、リード細線
（５）、外部リード（２）の内側端部並びにヒートシン
ク（６）の上面及び側面は、樹脂封止体（７）により被
覆される。ヒートシンク（６）の底面は樹脂封止体
（７）から露出する。図示しないが、実際のリードフレ
ーム（３）では支持板（１）の両端に支持板（１）に連
結されていない複数の非連結外部リードを有する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】この種の樹脂封止形半
導体装置を製造する際に、リードフレーム（３）の支持
板（１）上に半導体素子（４）を固着した後、半導体素
子（４）と外部リード（２）とをリード細線（５）で接
続したリードフレーム組立体（１０）とヒートシンク
（６）とを用意し、リードフレーム組立体（１０）の支
持板（１）の下面に接着剤（８）を介してヒートシンク
（６）を固着する。この場合、リードフレーム（３）の
支持板（１）にヒートシンク（６）を固着した後に半導
体素子（４）の固着とリード細線（５）の接続を行って
もよい。次に、リードフレーム組立体（１０）を成形金
型に配置して周知のトランスファモールド方法によって
樹脂封止体（７）を形成する。しかし、上記の製造方法
では、リードフレーム（３）とヒートシンク（６）との
固着に手間がかかり、生産性の点で問題があった。
導体装置を製造する際に、リードフレーム（３）の支持
板（１）上に半導体素子（４）を固着した後、半導体素
子（４）と外部リード（２）とをリード細線（５）で接
続したリードフレーム組立体（１０）とヒートシンク
（６）とを用意し、リードフレーム組立体（１０）の支
持板（１）の下面に接着剤（８）を介してヒートシンク
（６）を固着する。この場合、リードフレーム（３）の
支持板（１）にヒートシンク（６）を固着した後に半導
体素子（４）の固着とリード細線（５）の接続を行って
もよい。次に、リードフレーム組立体（１０）を成形金
型に配置して周知のトランスファモールド方法によって
樹脂封止体（７）を形成する。しかし、上記の製造方法
では、リードフレーム（３）とヒートシンク（６）との
固着に手間がかかり、生産性の点で問題があった。
【０００４】本発明は、接着剤を使用せずにリードフレ
ーム組立体とヒートシンクとを樹脂封止体により固着す
る樹脂封止形リードフレーム組立体を提供することを目
的とする。
ーム組立体とヒートシンクとを樹脂封止体により固着す
る樹脂封止形リードフレーム組立体を提供することを目
的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明による樹脂封止形
リードフレーム組立体は、リードフレーム組立体（２
１）と、リードフレーム組立体（２１）に隣接して配置
されるヒートシンク（２２）と、リードフレーム組立体
（２１）及びヒートシンク（２２）を包囲する樹脂封止
体（４１）とを備えている。リードフレーム組立体（２
１）は、支持板（２３）と、支持板（２３）の両端に並
列された複数本の外部リード（２４）とを有するリード
フレーム（２５）と、支持板（２３）の一方の主面に固
着された半導体素子（２６）又は回路基板と、半導体素
子（２６）又は回路基板の電極と外部リード（２４）と
を電気的に接続するリード細線（２７）とを備えてい
る。ヒートシンク（２２）は、金属板（２８）と、金属
板（２８）の一方の主面に形成された非接着性の絶縁膜
（２９）とを有する。金属板（２８）の側面に形成され
た溝部（２８ａ）に係合する突入部（４１ａ）を樹脂封
止体（４１）に形成して、リードフレーム組立体（２
１）とヒートシンク（２２）とを一体に保持する。非接
着性の絶縁膜（２９）を介してヒートシンク（２２）と
支持板（２３）とを電気的に分離すると共に、接着剤及
び接着剤を塗布する工程を省略することができる。
リードフレーム組立体は、リードフレーム組立体（２
１）と、リードフレーム組立体（２１）に隣接して配置
されるヒートシンク（２２）と、リードフレーム組立体
（２１）及びヒートシンク（２２）を包囲する樹脂封止
体（４１）とを備えている。リードフレーム組立体（２
１）は、支持板（２３）と、支持板（２３）の両端に並
列された複数本の外部リード（２４）とを有するリード
フレーム（２５）と、支持板（２３）の一方の主面に固
着された半導体素子（２６）又は回路基板と、半導体素
子（２６）又は回路基板の電極と外部リード（２４）と
を電気的に接続するリード細線（２７）とを備えてい
る。ヒートシンク（２２）は、金属板（２８）と、金属
板（２８）の一方の主面に形成された非接着性の絶縁膜
（２９）とを有する。金属板（２８）の側面に形成され
た溝部（２８ａ）に係合する突入部（４１ａ）を樹脂封
止体（４１）に形成して、リードフレーム組立体（２
１）とヒートシンク（２２）とを一体に保持する。非接
着性の絶縁膜（２９）を介してヒートシンク（２２）と
支持板（２３）とを電気的に分離すると共に、接着剤及
び接着剤を塗布する工程を省略することができる。
【０００６】本発明の実施の形態では、樹脂封止体（４
１）を形成する下型（３２）に形成された吸引孔（３
９）に連絡する真空吸着装置（４０）の真空吸引力を用
いて支持板（２３）を下型（３２）の凹部（３４）の底
面側に吸着する貫通孔（３０）を金属板（２８）の厚さ
方向に連続して形成する。金属板（２８）は、成形金型
（３３）の下型（３２）に形成された突起（３４ａ）に
嵌合する窪み（２８ｂ）を有する。絶縁膜（２９）は、
上型（３１）と下型（３２）との型締めの際に潰される
可撓性でもよい。
１）を形成する下型（３２）に形成された吸引孔（３
９）に連絡する真空吸着装置（４０）の真空吸引力を用
いて支持板（２３）を下型（３２）の凹部（３４）の底
面側に吸着する貫通孔（３０）を金属板（２８）の厚さ
方向に連続して形成する。金属板（２８）は、成形金型
（３３）の下型（３２）に形成された突起（３４ａ）に
嵌合する窪み（２８ｂ）を有する。絶縁膜（２９）は、
上型（３１）と下型（３２）との型締めの際に潰される
可撓性でもよい。
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明による樹脂封止形リードフ
レーム組立体の実施の形態を図１〜図６について説明す
る。
レーム組立体の実施の形態を図１〜図６について説明す
る。
【０００８】図１に示すように、本発明による樹脂封止
形リードフレーム組立体（４２）は、リードフレーム組
立体（２１）と、リードフレーム組立体（２１）に隣接
して配置されるヒートシンク（２２）と、リードフレー
ム組立体（２１）及びヒートシンク（２２）を包囲する
樹脂封止体（４１）とを備えている。リードフレーム組
立体（２１）は、支持板（２３）と、支持板（２３）の
両端に並列された複数本の外部リード（２４）とを有す
るリードフレーム（２５）と、支持板（２３）の一方の
主面に固着された半導体素子（２６）と、半導体素子
（２６）の電極と外部リード（２４）とを電気的に接続
するリード細線（２７）とを備えている。半導体素子
（２６）を支持板（２３）上に固着する代わりに、回路
基板又は半導体素子を備えた回路基板を支持板（２３）
上に固着してもよい。図１では、支持板（２３）の両端
に連結された連結外部リード（２４）のみ図示するが、
実際のリードフレーム（２５）では支持板（２３）の両
端に支持板（２３）に連結されていない複数の非連結外
部リードを有する。
形リードフレーム組立体（４２）は、リードフレーム組
立体（２１）と、リードフレーム組立体（２１）に隣接
して配置されるヒートシンク（２２）と、リードフレー
ム組立体（２１）及びヒートシンク（２２）を包囲する
樹脂封止体（４１）とを備えている。リードフレーム組
立体（２１）は、支持板（２３）と、支持板（２３）の
両端に並列された複数本の外部リード（２４）とを有す
るリードフレーム（２５）と、支持板（２３）の一方の
主面に固着された半導体素子（２６）と、半導体素子
（２６）の電極と外部リード（２４）とを電気的に接続
するリード細線（２７）とを備えている。半導体素子
（２６）を支持板（２３）上に固着する代わりに、回路
基板又は半導体素子を備えた回路基板を支持板（２３）
上に固着してもよい。図１では、支持板（２３）の両端
に連結された連結外部リード（２４）のみ図示するが、
実際のリードフレーム（２５）では支持板（２３）の両
端に支持板（２３）に連結されていない複数の非連結外
部リードを有する。
【０００９】ヒートシンク（２２）は、金属板（２８）
と、金属板（２８）の一方の主面に形成された非接着性
の絶縁膜（２９）とを有する。絶縁膜（２９）と金属板
（２８）は厚さ方向に連続する貫通孔（３０）を備えて
いる。金属板（２８）の側面に形成された溝部（２８
ａ）に係合する突入部（４１ａ）を樹脂封止体（４１）
に形成して、リードフレーム組立体（２１）とヒートシ
ンク（２２）とを一体に保持する。非接着性の絶縁膜
（２９）を使用するため、ヒートシンク（２２）と支持
板（２３）とは絶縁膜（２９）を介して電気的に分離さ
れ、接着剤及び接着剤を塗布する工程を省略することが
できる。
と、金属板（２８）の一方の主面に形成された非接着性
の絶縁膜（２９）とを有する。絶縁膜（２９）と金属板
（２８）は厚さ方向に連続する貫通孔（３０）を備えて
いる。金属板（２８）の側面に形成された溝部（２８
ａ）に係合する突入部（４１ａ）を樹脂封止体（４１）
に形成して、リードフレーム組立体（２１）とヒートシ
ンク（２２）とを一体に保持する。非接着性の絶縁膜
（２９）を使用するため、ヒートシンク（２２）と支持
板（２３）とは絶縁膜（２９）を介して電気的に分離さ
れ、接着剤及び接着剤を塗布する工程を省略することが
できる。
【００１０】本発明による樹脂封止形リードフレーム組
立体（４２）を製造する際に、まず、図２に示すリード
フレーム組立体（２１）及び図３に示すヒートシンク
（２２）を準備する。リードフレーム組立体（２１）
は、図７に示す従来のリードフレーム組立体（１０）と
同様に、支持板（２３）と、支持板（２３）の両端に並
列された複数本の外部リード（２４）とを有するリード
フレーム（２５）と、支持板（２３）の一方の主面に固
着された半導体素子（２６）又は回路基板と、半導体素
子（２６）又は回路基板の電極と外部リード（２４）と
を電気的に接続するリード細線（２７）とを備えてい
る。半導体素子（２６）又は回路基板は支持板（２３）
の一方の主面に半田又は接着剤を介して固着され、リー
ド細線（２７）は周知のワイヤボンディング法によって
半導体素子（２６）又は回路基板の電極と外部リード
（２４）とに接続される。本実施の形態では、支持板
（２３）は外部リード（２４）より肉厚に形成した例を
示すが、両者を同一の厚みとしてもよい。支持板（２
３）及び外部リード（２４）を含むリードフレーム（２
５）は周知のプレス加工によって一体成形される。
立体（４２）を製造する際に、まず、図２に示すリード
フレーム組立体（２１）及び図３に示すヒートシンク
（２２）を準備する。リードフレーム組立体（２１）
は、図７に示す従来のリードフレーム組立体（１０）と
同様に、支持板（２３）と、支持板（２３）の両端に並
列された複数本の外部リード（２４）とを有するリード
フレーム（２５）と、支持板（２３）の一方の主面に固
着された半導体素子（２６）又は回路基板と、半導体素
子（２６）又は回路基板の電極と外部リード（２４）と
を電気的に接続するリード細線（２７）とを備えてい
る。半導体素子（２６）又は回路基板は支持板（２３）
の一方の主面に半田又は接着剤を介して固着され、リー
ド細線（２７）は周知のワイヤボンディング法によって
半導体素子（２６）又は回路基板の電極と外部リード
（２４）とに接続される。本実施の形態では、支持板
（２３）は外部リード（２４）より肉厚に形成した例を
示すが、両者を同一の厚みとしてもよい。支持板（２
３）及び外部リード（２４）を含むリードフレーム（２
５）は周知のプレス加工によって一体成形される。
【００１１】ヒートシンク（２２）は、金属板（２８）
と、金属板（２８）の一方の主面に形成された絶縁膜
（２９）とを有し、厚さ方向に連続する貫通孔（３０）
が絶縁膜（２９）と金属板（２８）に形成されている。
絶縁膜（２９）を形成したヒートシンク（２２）はポン
チ加工により貫通孔（３０）が形成される。絶縁膜（２
９）は、絶縁性樹脂を金属板（２８）上に塗布又は噴霧
して形成される。
と、金属板（２８）の一方の主面に形成された絶縁膜
（２９）とを有し、厚さ方向に連続する貫通孔（３０）
が絶縁膜（２９）と金属板（２８）に形成されている。
絶縁膜（２９）を形成したヒートシンク（２２）はポン
チ加工により貫通孔（３０）が形成される。絶縁膜（２
９）は、絶縁性樹脂を金属板（２８）上に塗布又は噴霧
して形成される。
【００１２】次に、図４に示すように、上型（３１）と
下型（３２）とから構成される成形金型（３３）を用意
する。成形金型（３３）の上型（３１）と下型（３２）
のうち、一方は可動型であり、他方は固定型である。上
型（３１）と下型（３２）とを閉じると、上型（３１）
の凹部（３４）と下型（３２）の凹部（３５）とによっ
て樹脂封止体（４１）（図１）の外形に合致するキャビ
ティ（成形空所）（３６）が形成される。下型（３２）
には、ランナ（３７）及びゲート（樹脂注入口）（３
８）が設けられ、ランナ（３７）及びゲート（３８）を
通じてキャビティ（３６）内に流動化した樹脂が注入さ
れる。下型（３２）に形成された吸引孔（３９）を通じ
てキャビティ（３６）は真空吸着装置（４０）に接続さ
れる。
下型（３２）とから構成される成形金型（３３）を用意
する。成形金型（３３）の上型（３１）と下型（３２）
のうち、一方は可動型であり、他方は固定型である。上
型（３１）と下型（３２）とを閉じると、上型（３１）
の凹部（３４）と下型（３２）の凹部（３５）とによっ
て樹脂封止体（４１）（図１）の外形に合致するキャビ
ティ（成形空所）（３６）が形成される。下型（３２）
には、ランナ（３７）及びゲート（樹脂注入口）（３
８）が設けられ、ランナ（３７）及びゲート（３８）を
通じてキャビティ（３６）内に流動化した樹脂が注入さ
れる。下型（３２）に形成された吸引孔（３９）を通じ
てキャビティ（３６）は真空吸着装置（４０）に接続さ
れる。
【００１３】次に、トランスファモールド方法によって
樹脂封止体（４１）を形成するため、図４に示すよう
に、成形金型（３３）の下型（３２）の凹部（３４）に
ヒートシンク（２２）を配置すると共に、絶縁膜（２
９）を介してヒートシンク（２２）の上にリードフレー
ム組立体（２１）を重ねて配置する。このとき、ヒート
シンク（２２）の他方の主面（２２ｂ）を下型（３２）
の凹部（３４）の底面に当接させ且つ貫通孔（３０）を
下型（３２）の吸引孔（３９）の延長上に位置させてヒ
ートシンク（２２）と支持板（２３）を配置する。同時
に、支持板（２３）の下面（２３ａ）をヒートシンク
（２２）の一方の主面（２２ａ）に当接させ且つ支持板
（２３）によって貫通孔（３０）を閉塞してリードフレ
ーム組立体（２１）を配置する。
樹脂封止体（４１）を形成するため、図４に示すよう
に、成形金型（３３）の下型（３２）の凹部（３４）に
ヒートシンク（２２）を配置すると共に、絶縁膜（２
９）を介してヒートシンク（２２）の上にリードフレー
ム組立体（２１）を重ねて配置する。このとき、ヒート
シンク（２２）の他方の主面（２２ｂ）を下型（３２）
の凹部（３４）の底面に当接させ且つ貫通孔（３０）を
下型（３２）の吸引孔（３９）の延長上に位置させてヒ
ートシンク（２２）と支持板（２３）を配置する。同時
に、支持板（２３）の下面（２３ａ）をヒートシンク
（２２）の一方の主面（２２ａ）に当接させ且つ支持板
（２３）によって貫通孔（３０）を閉塞してリードフレ
ーム組立体（２１）を配置する。
【００１４】続いて、下型（３２）に形成された吸引孔
（３９）に連絡する真空吸着装置（４０）の真空吸引力
を用いて支持板（２３）を下型（３２）の凹部（３４）
の底面側に吸着する。真空吸着装置（４０）の真空吸引
力を用いて貫通孔（３０）を通じて支持板（２３）を下
型（３２）の凹部（３４）の底面側に吸着するため、樹
脂封止体（４１）を形成するときに支持板（２３）を所
定の位置に保持でき、下型（３２）の凹部（３４）の底
面にヒートシンク（２２）とリードフレーム組立体（２
１）とが順次積層された状態で固定される。成形金型
（３３）の上型（３１）と下型（３２）とを型締めした
後、リードフレーム組立体（２１）を吸着した状態で、
上型（３１）の凹部（３５）と下型（３２）の凹部（３
４）とによって形成したキャビティ（３６）内にゲート
（３８）を通じてランナ（３７）から流動性を有する樹
脂をキャビティ（３６）内に押圧注入する。ヒートシン
ク（２２）の側面に形成された溝部（２８ａ）はキャビ
ティ（３６）内に開放しているので、キャビティ（３
６）内に注入された流動化した樹脂は溝部（２８ａ）内
にも充填される。
（３９）に連絡する真空吸着装置（４０）の真空吸引力
を用いて支持板（２３）を下型（３２）の凹部（３４）
の底面側に吸着する。真空吸着装置（４０）の真空吸引
力を用いて貫通孔（３０）を通じて支持板（２３）を下
型（３２）の凹部（３４）の底面側に吸着するため、樹
脂封止体（４１）を形成するときに支持板（２３）を所
定の位置に保持でき、下型（３２）の凹部（３４）の底
面にヒートシンク（２２）とリードフレーム組立体（２
１）とが順次積層された状態で固定される。成形金型
（３３）の上型（３１）と下型（３２）とを型締めした
後、リードフレーム組立体（２１）を吸着した状態で、
上型（３１）の凹部（３５）と下型（３２）の凹部（３
４）とによって形成したキャビティ（３６）内にゲート
（３８）を通じてランナ（３７）から流動性を有する樹
脂をキャビティ（３６）内に押圧注入する。ヒートシン
ク（２２）の側面に形成された溝部（２８ａ）はキャビ
ティ（３６）内に開放しているので、キャビティ（３
６）内に注入された流動化した樹脂は溝部（２８ａ）内
にも充填される。
【００１５】樹脂が硬化して樹脂封止体（４１）が形成
された後、成形金型（３３）を離型して、成形金型（３
３）のキャビティ（３６）からリードフレーム組立体
（２１）を取り出す。この結果、リードフレーム組立体
（２１）とヒートシンク（２２）と樹脂封止体（４１）
とから構成され、ヒートシンク（２２）と支持板（２
３）との間に接着剤が介在せずにヒートシンク（２２）
と支持板（２３）とが樹脂封止体（４１）によって固定
され、ヒートシンク（２２）と支持板（２３）とは絶縁
膜（２９）を介して電気的に分離される図１に示す樹脂
封止形リードフレーム組立体（４２）が得られる。絶縁
性及び耐湿性をより改善するため、ヒートシンク（２
２）の貫通孔（３０）の中に絶縁性の樹脂（４３）を充
填するとよい。
された後、成形金型（３３）を離型して、成形金型（３
３）のキャビティ（３６）からリードフレーム組立体
（２１）を取り出す。この結果、リードフレーム組立体
（２１）とヒートシンク（２２）と樹脂封止体（４１）
とから構成され、ヒートシンク（２２）と支持板（２
３）との間に接着剤が介在せずにヒートシンク（２２）
と支持板（２３）とが樹脂封止体（４１）によって固定
され、ヒートシンク（２２）と支持板（２３）とは絶縁
膜（２９）を介して電気的に分離される図１に示す樹脂
封止形リードフレーム組立体（４２）が得られる。絶縁
性及び耐湿性をより改善するため、ヒートシンク（２
２）の貫通孔（３０）の中に絶縁性の樹脂（４３）を充
填するとよい。
【００１６】次に、本発明による樹脂封止形リードフレ
ーム組立体の他の製造方法に関する実施の形態を図５及
び図６につい説明する。
ーム組立体の他の製造方法に関する実施の形態を図５及
び図６につい説明する。
【００１７】図５に示すように、他方の主面に窪み（２
８ｂ）を形成した金属板（２８）の一方の主面に絶縁膜
（２９）を前記と同様な方法で形成したヒートシンク
（２２）を準備する。金属板（２８）の窪み（２８ｂ）
は、成形金型（３３）の下型（３２）に形成された突起
（３４ａ）に嵌合する。金属板（２８）の他方の主面に
非対称位置に形成された１個又は複数の窪み（２８ｂ）
を凹部（３４）内の突起（３４ａ）に嵌合することによ
り、ヒートシンク（２２）を下型（３２）の凹部（３
４）内で所定の位置に配置できる。これにより、成形金
型（３３）に対する金属板（２８）の誤装着を防止する
ことができる。次に、成形金型（３３）の下型（３２）
の凹部（３４）にヒートシンク（２２）を配置して、凹
部（３４）内で突出する突起（３４ａ）を金属板（２
８）の窪み（２８ｂ）に嵌合すると共に、ヒートシンク
（２２）の上にリードフレーム組立体（２１）を順次重
ねて配置する。その後、成形金型（３３）の上型（３
１）と下型（３２）とを型締めして上型（３１）と下型
（３２）との型締め力により支持板（２３）をヒートシ
ンク（２２）に対して押圧しながら、上型（３１）の凹
部（３４）と下型（３２）の凹部（３５）とによって形
成されたキャビティ（３６）内に流動化した樹脂を注入
し、樹脂封止形リードフレーム組立体（４２）を製造し
てもよい。
８ｂ）を形成した金属板（２８）の一方の主面に絶縁膜
（２９）を前記と同様な方法で形成したヒートシンク
（２２）を準備する。金属板（２８）の窪み（２８ｂ）
は、成形金型（３３）の下型（３２）に形成された突起
（３４ａ）に嵌合する。金属板（２８）の他方の主面に
非対称位置に形成された１個又は複数の窪み（２８ｂ）
を凹部（３４）内の突起（３４ａ）に嵌合することによ
り、ヒートシンク（２２）を下型（３２）の凹部（３
４）内で所定の位置に配置できる。これにより、成形金
型（３３）に対する金属板（２８）の誤装着を防止する
ことができる。次に、成形金型（３３）の下型（３２）
の凹部（３４）にヒートシンク（２２）を配置して、凹
部（３４）内で突出する突起（３４ａ）を金属板（２
８）の窪み（２８ｂ）に嵌合すると共に、ヒートシンク
（２２）の上にリードフレーム組立体（２１）を順次重
ねて配置する。その後、成形金型（３３）の上型（３
１）と下型（３２）とを型締めして上型（３１）と下型
（３２）との型締め力により支持板（２３）をヒートシ
ンク（２２）に対して押圧しながら、上型（３１）の凹
部（３４）と下型（３２）の凹部（３５）とによって形
成されたキャビティ（３６）内に流動化した樹脂を注入
し、樹脂封止形リードフレーム組立体（４２）を製造し
てもよい。
【００１８】この実施の形態では、ヒートシンク（２
２）を所定の位置に保持するため、下型（３２）の凹部
（３４）の高さはヒートシンク（２２）及び支持板（２
３）の合計高さより小さい。成形金型（３３）の上型
（３１）と下型（３２）とを型締めして上型（３１）と
下型（３２）との型締め力により支持板（２３）をヒー
トシンク（２２）に対して押圧したとき、可撓性の絶縁
膜（２９）が潰されて上型（３１）と下型（３２）とを
型締めできる。
２）を所定の位置に保持するため、下型（３２）の凹部
（３４）の高さはヒートシンク（２２）及び支持板（２
３）の合計高さより小さい。成形金型（３３）の上型
（３１）と下型（３２）とを型締めして上型（３１）と
下型（３２）との型締め力により支持板（２３）をヒー
トシンク（２２）に対して押圧したとき、可撓性の絶縁
膜（２９）が潰されて上型（３１）と下型（３２）とを
型締めできる。
【００１９】
【発明の効果】本発明では、トランスファモールド工程
前にリードフレーム組立体とヒートシンクとを予め固着
する必要がないため、樹脂封止形リードフレーム組立体
の製造工程を簡単化し生産性を向上することができる。
前にリードフレーム組立体とヒートシンクとを予め固着
する必要がないため、樹脂封止形リードフレーム組立体
の製造工程を簡単化し生産性を向上することができる。
【図１】 本発明による樹脂封止形リードフレーム組立
体の断面図
体の断面図
【図２】 図１に示す樹脂封止形リードフレーム組立体
の製造に使用するリードフレーム組立体の断面図
の製造に使用するリードフレーム組立体の断面図
【図３】 図１に示す樹脂封止形リードフレーム組立体
の製造に使用するヒートシンクの断面図
の製造に使用するヒートシンクの断面図
【図４】 図１に示す樹脂封止形リードフレーム組立体
を成形型に装着した状態を示す断面図
を成形型に装着した状態を示す断面図
【図５】 本発明による他の実施の形態に使用するヒー
トシンクの断面図
トシンクの断面図
【図６】 本発明による他の実施の形態を示す樹脂封止
形リードフレーム組立体を成形型に装着した状態を示す
断面図
形リードフレーム組立体を成形型に装着した状態を示す
断面図
【図７】 従来の樹脂封止形リードフレーム組立体の断
面図
面図
（２１）・・リードフレーム組立体、 （２２）・・ヒ
ートシンク、 （２２ａ）・・一方の主面、 （２２
ｂ）・・他方の主面、 （２３）・・支持板、（２３
ａ）・・下面、 （２４）・・外部リード、 （２５）
・・リードフレーム、 （２６）・・半導体素子、
（２７）・・リード細線、 （２８）・・金属板、
（２８ａ）・・溝部、 （２８ｂ）・・窪み、 （２
９）・・絶縁膜、（３０）・・貫通孔、 （３１）・・
上型、 （３２）・・下型、 （３３）・・成形金型、
（３４）・・凹部、 （３４ａ）・・突起、 （３
５）・・凹部、 （３９）・・吸引孔、 （４０）・・
真空吸着装置、 （４１）・・樹脂封止体、 （４２）
・・樹脂封止形リードフレーム組立体、 （４３）・・
樹脂、
ートシンク、 （２２ａ）・・一方の主面、 （２２
ｂ）・・他方の主面、 （２３）・・支持板、（２３
ａ）・・下面、 （２４）・・外部リード、 （２５）
・・リードフレーム、 （２６）・・半導体素子、
（２７）・・リード細線、 （２８）・・金属板、
（２８ａ）・・溝部、 （２８ｂ）・・窪み、 （２
９）・・絶縁膜、（３０）・・貫通孔、 （３１）・・
上型、 （３２）・・下型、 （３３）・・成形金型、
（３４）・・凹部、 （３４ａ）・・突起、 （３
５）・・凹部、 （３９）・・吸引孔、 （４０）・・
真空吸着装置、 （４１）・・樹脂封止体、 （４２）
・・樹脂封止形リードフレーム組立体、 （４３）・・
樹脂、
Claims (4)
- 【請求項１】 リードフレーム組立体と、該リードフレ
ーム組立体に隣接して配置されるヒートシンクと、前記
リードフレーム組立体及びヒートシンクを包囲する樹脂
封止体とを備え、 前記リードフレーム組立体は、支持板と、該支持板の両
端に並列された複数本の外部リードとを有するリードフ
レームと、前記支持板の一方の主面に固着された半導体
素子又は回路基板と、該半導体素子又は回路基板の電極
と前記外部リードとを電気的に接続するリード細線とを
備え、 前記ヒートシンクは、金属板と、該金属板の一方の主面
に形成された非接着性の絶縁膜とを有する樹脂封止形リ
ードフレーム組立体において、 前記金属板の側面に形成された溝部に係合する突入部を
前記樹脂封止体に形成して、前記リードフレーム組立体
とヒートシンクとを一体に保持することを特徴とする樹
脂封止形リードフレーム組立体。 - 【請求項２】 前記樹脂封止体を形成する下型に形成さ
れた吸引孔に連絡する真空吸着装置の真空吸引力を用い
て支持板を前記下型の凹部の底面側に吸着する貫通孔を
前記金属板の厚さ方向に連続して形成した請求項１に記
載の樹脂封止形リードフレーム組立体。 - 【請求項３】 前記金属板は、成形金型の下型に形成さ
れた突起に嵌合する窪みを有する請求項１に記載の樹脂
封止形リードフレーム組立体。 - 【請求項４】 前記絶縁膜は可撓性である請求項１に記
載の樹脂封止形リードフレーム組立体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001103027A JP2001308241A (ja) | 2001-04-02 | 2001-04-02 | 樹脂封止形リードフレーム組立体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001103027A JP2001308241A (ja) | 2001-04-02 | 2001-04-02 | 樹脂封止形リードフレーム組立体 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23050298A Division JP2000058575A (ja) | 1998-08-17 | 1998-08-17 | 樹脂封止形リードフレーム組立体及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001308241A true JP2001308241A (ja) | 2001-11-02 |
Family
ID=18956145
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001103027A Pending JP2001308241A (ja) | 2001-04-02 | 2001-04-02 | 樹脂封止形リードフレーム組立体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001308241A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100758761B1 (ko) | 2005-03-10 | 2007-09-14 | 산요덴키가부시키가이샤 | 회로 장치 및 그 제조 방법 |
| WO2008021220A2 (en) | 2006-08-11 | 2008-02-21 | Vishay General Semiconductor Llc | Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device having improved heat dissipation capabilities |
| US7529093B2 (en) | 2004-11-26 | 2009-05-05 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Circuit device |
| JP2009176825A (ja) * | 2008-01-22 | 2009-08-06 | Asmo Co Ltd | 樹脂封止型半導体装置 |
| JP2009290182A (ja) * | 2008-05-30 | 2009-12-10 | Powertech Technology Inc | リードフレームパッケージ構造とその製造方法 |
| CN104973560A (zh) * | 2014-04-04 | 2015-10-14 | 阿尔卑斯电气株式会社 | 电子部件 |
| KR101730994B1 (ko) * | 2014-04-04 | 2017-04-27 | 알프스 덴키 가부시키가이샤 | 전자 부품 |
| JPWO2020246456A1 (ja) * | 2019-06-03 | 2021-10-21 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置および電力変換装置 |
-
2001
- 2001-04-02 JP JP2001103027A patent/JP2001308241A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7529093B2 (en) | 2004-11-26 | 2009-05-05 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Circuit device |
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| EP2057665A4 (en) * | 2006-08-11 | 2016-01-06 | Vishay Gen Semiconductor Llc | SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING IMPROVED THERMAL DISSIPATION CAPABILITIES |
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| KR101730994B1 (ko) * | 2014-04-04 | 2017-04-27 | 알프스 덴키 가부시키가이샤 | 전자 부품 |
| KR101730997B1 (ko) * | 2014-04-04 | 2017-04-27 | 알프스 덴키 가부시키가이샤 | 전자 부품 |
| JPWO2020246456A1 (ja) * | 2019-06-03 | 2021-10-21 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置および電力変換装置 |
| JP7162739B2 (ja) | 2019-06-03 | 2022-10-28 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置および電力変換装置 |
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Legal Events
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Effective date: 20040331 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20041018 |