JPH1034699A - Sonパッケージの樹脂封止方法及び樹脂封止装置 - Google Patents

Sonパッケージの樹脂封止方法及び樹脂封止装置

Info

Publication number
JPH1034699A
JPH1034699A JP8193492A JP19349296A JPH1034699A JP H1034699 A JPH1034699 A JP H1034699A JP 8193492 A JP8193492 A JP 8193492A JP 19349296 A JP19349296 A JP 19349296A JP H1034699 A JPH1034699 A JP H1034699A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
mold
cavity
resin
semiconductor chip
molded product
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP8193492A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3129660B2 (ja
Inventor
Fumio Miyajima
文夫 宮島
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Apic Yamada Corp
Original Assignee
Apic Yamada Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Apic Yamada Corp filed Critical Apic Yamada Corp
Priority to JP08193492A priority Critical patent/JP3129660B2/ja
Priority to US08/898,832 priority patent/US6048483A/en
Publication of JPH1034699A publication Critical patent/JPH1034699A/ja
Priority to US09/313,997 priority patent/US6224360B1/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3129660B2 publication Critical patent/JP3129660B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29CSHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C45/00Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
    • B29C45/14Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles
    • B29C45/14639Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components
    • B29C45/14655Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components connected to or mounted on a carrier, e.g. lead frame
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29CSHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C45/00Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
    • B29C45/14Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles
    • B29C45/14639Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components
    • B29C45/14655Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components connected to or mounted on a carrier, e.g. lead frame
    • B29C2045/14663Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components connected to or mounted on a carrier, e.g. lead frame the mould cavity walls being lined with a film, e.g. release film
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/4826Connecting between the body and an opposite side of the item with respect to the body

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
  • Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 樹脂ばりのない成形精度の高いSONパッケ
ージを容易に樹脂成形可能とする。 【解決手段】 半導体チップ10のチップ面内で半導体
チップの電極と電気的に接続されてリード14の一端側
が接合され、該リードの他端側が実装基板等への接続部
として前記チップ面を封止する封止樹脂の外面に露出し
て形成されたSONパッケージの樹脂封止方法におい
て、前記リード14に半導体チップ10が接合された被
成形品をセットするキャビティ凹部が設けられた金型を
使用し、該金型の前記キャビティ凹部を含む金型面を所
要の柔軟性および耐熱性を有するリリースフィルム32
で被覆した状態で、前記被成形品を前記キャビティ凹部
にセットし、前記金型と組み合わせる他方の金型の金型
面もリリースフィルム32で被覆して、前記被成形品を
クランプし、キャビティ内に樹脂を充填して樹脂封止す
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はSON(Small Outline
Non Lead) パッケージの樹脂封止方法及び樹脂封止装置
に関する。
【0002】
【従来の技術】SONパッケージは半導体チップと略同
サイズに形成したいわゆるチップサイズパッケージの一
つである。図7、8はSONパッケージの断面図及び底
面図を示す。図7で10は半導体チップ、12はダイパ
ッド、14は半導体チップ10と実装基板とを電気的に
接続するためのリードである。リード14は半導体チッ
プ10の中央部で半導体チップ10に接合され、接合部
分の表面は半導体チップ10の電極とワイヤボンディン
グによって電気的に接続するボンディング14aとして
形成される。ボンディング部14aの外側部分はチップ
面から若干浮き上がりチップ面と平行に延出して実装基
板に接続する接続部14bとして形成されている。
【0003】接続部14bは半導体チップ10のチップ
面内に配置され、パッケージ全体が略チップサイズに形
成されている。16は半導体チップ10の電極とリード
14とを電気的に接続するボンディングワイヤである。
18は半導体チップ10のリード14との接合面を封止
する封止樹脂である。封止樹脂18は半導体チップ10
とリード14とのワイヤボンディング部分をを封止する
とともに、リード14の接続部14bを所定位置で支持
する作用を有する。
【0004】リード14の接続部14bは実装基板とは
んだ等で接続するため封止樹脂18の外面に露出する。
図7、8に示す例では、接続部14bは封止樹脂18の
外面で対向する2辺の各々で一定間隔で平行に配置され
ている。接続部14bは実装基板の接続部にはんだ付け
等で接続できるよう平坦面に形成されている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】上記のようなSONパ
ッケージの製造工程で、半導体チップ10とリード14
との接合面を樹脂封止する場合、通常のトランスファモ
ールド法によるとするとリード14の表面に樹脂ばりが
生じたりするため、通常のトランスファモールド法が使
用できず、従来はポッティング法によって樹脂封止して
いる。SONパッケージではチップ面に平行に多数本の
リード14が配置されるから、パッケージを縦型に配置
してポッティング樹脂を流し込む方法がとられる。
【0006】しかしながら、ポッティング法は樹脂が硬
化するまでに時間がかかり、量産性が悪いという問題が
あり、また、ポッィングの際にエアを巻き込みやすく、
これによってボイドが発生しやすくなるという問題、ま
た樹脂と半導体チップ10との密着性が必ずしも十分で
はないという問題、またポッティングによる場合は金型
を用いる樹脂封止方法にくらべて樹脂の成形精度が低い
という問題点があった。パッケージ内に生じたボイドは
キュア時の熱によってクラックを発生する原因になった
り、実装後に外部環境の温度上昇、温度降下が繰り返し
作用することによってパッケージが破壊されたり、配線
パターンが短絡したりするといった問題の原因となる。
【0007】本発明はこれらの問題点を解消すべくなさ
れたものであり、その目的とするところは、樹脂ばりを
生じたりさせずに確実に樹脂封止することができ、SO
Nパッケージを容易に量産可能とするとともに、信頼性
の高いSONパッケージとして提供することができるS
ONパッケージの樹脂封止方法及び樹脂封止装置を提供
しようとするものである。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するため次の構成を備える。すなわち、半導体チップの
チップ面内で半導体チップの電極と電気的に接続されて
リードの一端側が接合され、該リードの他端側が実装基
板等への接続部として前記チップ面を封止する封止樹脂
の外面に露出して形成されたSONパッケージの樹脂封
止方法において、前記リードに半導体チップが接合され
た被成形品をセットするキャビティ凹部が設けられた金
型を使用し、該金型の前記キャビティ凹部を含む金型面
を所要の柔軟性および耐熱性を有するリリースフィルム
で被覆した状態で、前記被成形品を前記キャビティ凹部
にセットし、前記金型と組み合わせる他方の金型の金型
面もリリースフィルムで被覆して、前記被成形品をクラ
ンプし、キャビティ内に樹脂を充填して樹脂封止するこ
とを特徴とする。また、前記被成形品を収納するキャビ
ティ凹部の平面部分の大きさを可変とし、キャビティ凹
部に被成形品をセットする際には前記平面部分を半導体
チップの外形寸法よりも大きく設定し、キャビティ凹部
に被成形品をセットした後、被成形品の外形寸法に合わ
せて前記平面部分の大きさを縮小して前記被成形品を側
面からクランプして樹脂封止することを特徴とする。ま
た、キャビティ凹部の4つの側面を構成する金型部分の
うち、ゲートが設けられた金型部分を固定型とし、のこ
りの金型部分を可動型として前記キャビティ凹部の平面
部分の大きさを可変としたことを特徴とする。
【0009】また、半導体チップのチップ面内で半導体
チップの電極と電気的に接続されてリードの一端側が接
合され、該リードの他端側が実装基板等への接続部とし
て前記チップ面を封止する封止樹脂の外面に露出して形
成されたSONパッケージの樹脂封止装置において、前
記SONパッケージを形成する被成形品をクランプして
キャビティ内に樹脂を充填すべく、前記被成形品を収納
するキャビティ凹部を設けた金型を設け、該金型の前記
キャビティ凹部を含む上型および下型の金型面に所要の
柔軟性及び耐熱性を有するリリースフィルムをエア吸着
により吸着支持する吸着支持手段を設けたことを特徴と
する。また、前記吸着支持手段が、金型のクランプ面に
開口する吸着孔と、キャビティ凹部の内底面で開口する
キャビティ吸着孔と、これら吸着孔およびキャビティ吸
着孔に連絡するエア機構から成ることを特徴とする。ま
た、被成形品をセットするキャビティ凹部の平面部分の
大きさを可変にすべく、キャビティ凹部を形成した金型
を該キャビティ凹部を構成する分割型に設け、分割型に
移動手段により移動可能とする可動型を設けたことを特
徴とする。また、キャビティに樹脂を充填する際に被成
形品の半導体チップをキャビティの内底面に押接する可
動ピンを設けたことを特徴とする。
【0010】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施形態に
ついて説明する。図1は樹脂封止で使用するSONパッ
ケージのリードフレーム20の平面図である。図では、
リードフレーム20に搭載する半導体チップ10の配置
位置、ダイパッド12、樹脂封止範囲、樹脂封止時のゲ
ート位置をあわせて示している。リード14はリードフ
レーム20に幅方向に設けたサポートバー22に一端が
支持され、一対のサポートバー22の各々から中央側に
向けてその先端が延出する。
【0011】半導体チップ10はリード14のボンディ
ング部14aと位置合わせしてリード14の下面に接合
した後、各々のボンディング部14aと半導体チップ1
0の電極とをワイヤボンディングする。ワイヤボンディ
ング後のリードフレーム20は樹脂封止するが、本実施
形態ではリリースフィルムを用いる樹脂封止方法により
樹脂封止することを特徴とする。図2は半導体チップ1
0を搭載したリードフレーム20を樹脂封止する樹脂封
止装置の主要部の構成を示す断面図である。30はリー
ドフレーム20に半導体チップ10を搭載した被成形品
である。図3、4は被成形品30を樹脂封止する状態を
拡大して示す。
【0012】図2は中心線の左半部に被成形品30を上
型40と下型42でクランプしてキャビティに樹脂を充
填する前の状態、中心線の右半部にキャビティに樹脂を
充填した状態を示す。50はモールド用の樹脂を供給す
るポット、52はプランジャである。被成形品30を樹
脂封止するためのキャビティ凹部は、下型42でポット
50を挟む両側に配置される。
【0013】60はキャビティ凹部の内底面でスリット
状に開口するキャビティ吸着孔である。キャビティ吸着
孔60は図のように、背面側でベース44に形成したエ
ア流路に連絡し、エア流路が外部エア機構に連絡する。
62はリリースフィルム32を金型のクランプ面でエア
吸着して支持する吸着孔である。吸着孔62もベース4
4に設けたエア流路を経由して外部エア機構に連絡す
る。
【0014】リリースフィルム32は、まず、吸着孔6
2により金型のクランプ面にエア吸着され、次いでキャ
ビティ吸着孔60からエア吸引されてキャビティ凹部の
内面にならって吸着支持される。なお、実施形態では上
型40にはリードフレーム20をセットするためリード
フレーム20の厚さ分のわずかな凹部のみが設けられて
いる。
【0015】図2、図3、4はエア吸着によってリリー
スフィルム32がキャビティ凹部の内面に吸着支持され
ている状態である。リリースフィルム32は上型40と
下型42の各々に1枚ずつ供給され、それぞれの金型面
を被覆する。上型40では吸着孔62とキャビティ吸着
孔60によってリリースフィルム32は平坦状に吸着支
持され、下型42ではキャビティ凹部の形状にならって
吸着支持される。
【0016】本実施形態の樹脂封止操作で使用するリリ
ースフィルム32はエア吸引によって容易にキャビティ
凹部の内面形状にならって吸着支持される柔軟性を有
し、金型の加熱温度に耐えられるものである。また、リ
リースフィルム32は樹脂封止後に金型と容易に離型で
き、モールド樹脂と容易に剥離できるものである必要が
ある。このような特性を有するものとしては、FEPフ
ィルム、フッ素含浸ガラスクロス、PETフィルム、E
TFEフィルム、ポリ塩化ビニリジン等がある。
【0017】上記のようにリリースフィルム32を用い
て樹脂封止する理由の一つは、上型40と下型42の金
型面(樹脂封止面)にじかにモールド樹脂を付着させず
に樹脂封止できるようにするためである。本実施形態で
はさらに、ポット50の内面部分についても樹脂が付着
しないようにするためにラッピングフィルムで樹脂を密
封したラッピング樹脂54をポット50に供給して樹脂
封止するようにしている。
【0018】図5にラッピング樹脂54の外形形状を示
す。実施形態のラッピング樹脂54はスティック状に成
形した樹脂54aをラッピングフィルムで密封したもの
で、樹脂54aの上端からラッピングフィルム54bが
所定幅で側方に延出し、端面形状がT形となっている。
ラッピングフィルム54bが延出する部分はラッピング
フィルムを2枚合わせにしてシールした部分であるが、
樹脂封止時の樹脂圧によって剥離可能に形成されてい
る。ポット50にラッピング樹脂54をセットした状態
で、図2に示すように、ラッピング樹脂54の延出片が
被成形品30の側縁部分まで延出する。これにより、ポ
ット50からキャビティに向けて樹脂を圧送した際に樹
脂路部分でも樹脂が金型に付着しないようになる。
【0019】図3はリリースフィルム32を介して上型
40と下型42とで被成形品30をクランプした状態で
ある。被成形品30を樹脂封止する際には、まず上型4
0と下型42の金型面位置まで各々リリースフィルム3
2を送入し、上型40と下型42の吸着孔62で金型面
にエア吸着した後、キャビティ吸着孔60からエア吸引
してキャビティ凹部を形成した後、被成形品30をキャ
ビティ凹部に位置合わせしてセットする。次いで、上型
40と下型42で被成形品をクランプし、ポット50か
らキャビティに樹脂を充填する。
【0020】図3は金型に被成形品30をセットし、上
型40と下型42で被成形品32をクランプした状態で
ある。図はリード14の端面側からキャビティ部分を見
た断面図である。リード14が多数本並設され先端がチ
ップ面に向けて折曲している。46はキャビティに樹脂
を充填するためのゲートである。図1に示すように、ゲ
ート46は多数本並設されたリード14の側方に接続
し、リード14の側面からキャビティに樹脂が充填され
るよう配置されている。図1ではキャビティの側縁の一
部にゲート46を接続して樹脂を充填しているが、前記
ラッピング樹脂54の延出片の側縁をキャビティの側縁
部分に一致させることによりキャビティの一辺全体から
キャビティに樹脂を充填することも可能である。
【0021】被成形品30は上型40と下型42とでク
ランプしてキャビティに樹脂を充填した際に、ダイパッ
ド12の裏面やリード14の接続部14aの外面に樹脂
ばりが生じないようにしなければならない。クランプ時
に被成形品30に接するリリースフィルム32はフィル
ム自体の柔軟性により、被成形品30をいためずに確実
にクランプする作用をなす。SONパッケージのように
リード14がチップ面から浮いたものであってもリリー
スフィルムを用いる樹脂封止方法によれば確実に被成形
品30を保持することが可能である。
【0022】SONパッケージは半導体チップ10が露
出したままの状態で樹脂封止するから、半導体チップ1
0に損傷を与えないようにしなければならず、またパッ
ケージの側面部分での成形精度が要求され、ダイパッド
12の裏面やリード14の外面に樹脂ばりを生じさせな
いようにしなければならないことから、本実施形態で
は、被成形品30をセットする下型42に被成形品30
を側面方向からクランプする機構を設けることと、被成
形品30を下型42のキャビティ面に押さえつけるよう
にする押さえ機構を設けたことを特徴とする。
【0023】被成形品30の側面をクランプする機構と
して、本実施形態では図6に示すように、キャビティ凹
部48を構成する下型42を分割型とし、分割型を可動
にした。すなわち、図6で42a、42b、42c、4
2dはキャビティ凹部48を構成する分割型で、42a
が固定型、42b、42c、42dが可動型である。可
動型42b、42c、42dは下型42に被成形品30
をセットする際に、半導体チップ30の外形寸法よりも
若干後退した位置に配置され、キャビティ凹部48に半
導体チップ30をセットした後、半導体チップ10の側
面部分をクランプする位置まで前進して被成形品30を
4つの側面でクランプ支持する。可動型42b、42
c、42dの移動はカム等を用いた移動手段による。
【0024】ゲート46は固定型42aに設けられ、被
成形品30を上型40と下型42とでクランプした後、
ゲート46からキャビティ内に樹脂を充填して樹脂封止
する。被成形品30を下型42にセットする際に可動型
42b、42c、42dを後退させておくことにより、
キャビティ凹部48に被成形品30をセットする操作が
容易になり、セット時に半導体チップ10を損傷させる
ことがなくなる。また、セット時に若干位置ずれしても
可動型42b、42c、42dによるクランプ操作によ
って位置ずれを補正することができるという利点もあ
る。可動型42b、42c、42dの開き量は適宜設定
すればよいが、実施形態では最終のクランプ位置よりも
0.5mm程度開くようにした。
【0025】図4は被成形品30を下型42のキャビテ
ィ面に押さえつけるようにする押さえ機構として、上型
40に可動ピン49を設けた構成を示す。図では中心線
の左半部に下型42に被成形品30をセットした状態、
右半部に被成形品30を上型40と下型42とでクラン
プした状態を示す。可動ピン49は被成形品30をクラ
ンプした際に半導体チップ10のコーナー部の上面に当
接し、図4の中心線の右半部に示すように可動ピン49
で半導体チップ10を押さえた状態でキャビティ内に樹
脂を充填する。
【0026】可動ピン49で半導体チップ10を押さえ
てキャビティ内に樹脂を充填する場合、可動ピン49は
半導体チップ10が浮き上がらない程度までキャビティ
内に樹脂が充填されたタイミングで、キャビティ内から
上型40内に引き込み、最終的にキャビティ全体に樹脂
を充填する。可動ピン49を引き込むタイミングは樹脂
の注入時間で判断してもよいし、光電センサ、圧力セン
サを金型内にセットして検知してもよい。可動ピン49
はリリースフィルム32で被覆されているから、可動ピ
ン49を引き込むことにより可動ピン49の跡ができず
に樹脂封止される。リリースフィルム32はきわめて収
縮性に優れるから可動ピン49を引き込むことにより上
型40のキャビティ内面と同じ平坦面に容易に戻ること
ができる。
【0027】このように可動ピン49で被成形品30を
キャビティ凹部48の内底面に押圧しながら樹脂封止す
る方法は、半導体チップ10の裏面すなわちダイパッド
12の外面に樹脂を侵入させることなく樹脂モールドで
きるようにする方法として有効である。なお、前述した
ように、本実施形態では柔軟性を有するリリースフィル
ム32でダイパッド12を押さえるようにするから、こ
の点からもダイパッド12の裏面側に樹脂が侵入するこ
とを防止している。
【0028】本実施形態の樹脂封止装置は、上述したよ
うに、被成形品30を収納するキャビティ凹部48を構
成する下型42を分割型とし、これによって被成形品3
0の側面部分のクランプが確実にできるようにしたこ
と、また被成形品30の厚さ方向にはリリースフィルム
32を介して被成形品30をクランプするようにしてい
るから、樹脂ばりを生じさせずに確実に樹脂封止するこ
とが可能になる。リード14の接続部14aについても
接続部14aの外面をリリースフィルム32によって被
覆することにより、接続部14aの外面に樹脂ばりを生
じさせずに樹脂封止することが可能になる。
【0029】本実施形態の樹脂封止方法のように、SO
Nパッケージの樹脂封止に、リリースフィルムを用いた
樹脂封止方法を適用すれば、ポッティング方法によるよ
りも樹脂封止に要する時間を短縮することができ、容易
に量産することが可能になる。また、樹脂封止金型を使
用して樹脂封止することから、パッケージの成形精度を
好適に向上させることが可能になる。また、ポッティン
グ法にくらべてパッケージ内でのボイド発生を好適に抑
えることができ、これによって信頼性の高いSONパッ
ケージとして提供することが可能になる。
【0030】
【発明の効果】本発明に係るSONパッケージの樹脂封
止方法及び樹脂封止装置によれば、上述したように、樹
脂ばりのない、成形精度の高いSONパッケージを容易
に得ることができる。また、ボイド等のない信頼性の高
いSONパッケージを得ることが可能である。また、量
産性に優れ、SONパッケージの製造コストを有効に引
き下げることが可能になる等の著効を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図1】SONパッケージを形成するリードフレームの
平面図である。
【図2】SONパッケージを形成するリードフレームを
樹脂封止する樹脂封止装置の断面図である。
【図3】被成形品を上型と下型でクランプした状態の断
面図である。
【図4】上型に設けた可動ピンにより被成形品を押さえ
る方法を示す説明図である。
【図5】ラッピング樹脂の斜視図である。
【図6】下型の分割型の配置を示す平面図および断面図
である。
【図7】SONパッケージの断面図である。
【図8】SONパッケージの底面図である。
【符号の説明】
10 半導体チップ 12 ダイパッド 14 リード 14a ボンディング部 14b 接続部 16 ボンディングワイヤ 18 封止樹脂 20 リードフレーム 30 被成形品 32 リリースフィルム 40 上型 42 下型 42a 固定型 42b、42c、42d 可動型 46 ゲート 48 キャビティ凹部 49 可動ピン 50 ポット 54 ラッピング樹脂 60 キャビティ吸着孔 62 吸着孔

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半導体チップのチップ面内で半導体チッ
    プの電極と電気的に接続されてリードの一端側が接合さ
    れ、該リードの他端側が実装基板等への接続部として前
    記チップ面を封止する封止樹脂の外面に露出して形成さ
    れたSONパッケージの樹脂封止方法において、 前記リードに半導体チップが接合された被成形品をセッ
    トするキャビティ凹部が設けられた金型を使用し、 該金型の前記キャビティ凹部を含む金型面を所要の柔軟
    性および耐熱性を有するリリースフィルムで被覆した状
    態で、前記被成形品を前記キャビティ凹部にセットし、 前記金型と組み合わせる他方の金型の金型面もリリース
    フィルムで被覆して、前記被成形品をクランプし、キャ
    ビティ内に樹脂を充填して樹脂封止することを特徴とす
    るSONパッケージの樹脂封止方法。
  2. 【請求項2】 被成形品を収納するキャビティ凹部の平
    面部分の大きさを可変とし、キャビティ凹部に被成形品
    をセットする際には前記平面部分を半導体チップの外形
    寸法よりも大きく設定し、 キャビティ凹部に被成形品をセットした後、被成形品の
    外形寸法に合わせて前記平面部分の大きさを縮小して前
    記被成形品を側面からクランプして樹脂封止することを
    特徴とする請求項1記載のSONパッケージの樹脂封止
    方法。
  3. 【請求項3】 キャビティ凹部の4つの側面を構成する
    金型部分のうち、ゲートが設けられた金型部分を固定型
    とし、のこりの金型部分を可動型として前記キャビティ
    凹部の平面部分の大きさを可変としたことを特徴とする
    請求項2記載のSONパッケージの樹脂封止方法。
  4. 【請求項4】 半導体チップのチップ面内で半導体チッ
    プの電極と電気的に接続されてリードの一端側が接合さ
    れ、該リードの他端側が実装基板等への接続部として前
    記チップ面を封止する封止樹脂の外面に露出して形成さ
    れたSONパッケージの樹脂封止装置において、 前記SONパッケージを形成する被成形品をクランプし
    てキャビティ内に樹脂を充填すべく、前記被成形品を収
    納するキャビティ凹部を設けた金型を設け、 該金型の前記キャビティ凹部を含む上型および下型の金
    型面に所要の柔軟性及び耐熱性を有するリリースフィル
    ムをエア吸着により吸着支持する吸着支持手段を設けた
    ことを特徴とするSONパッケージの樹脂封止装置。
  5. 【請求項5】 吸着支持手段が、金型のクランプ面に開
    口する吸着孔と、キャビティ凹部の内底面で開口するキ
    ャビティ吸着孔と、これら吸着孔およびキャビティ吸着
    孔に連絡するエア機構から成ることを特徴とする請求項
    4記載のSONパッケージの樹脂封止装置。
  6. 【請求項6】 被成形品をセットするキャビティ凹部の
    平面部分の大きさを可変にすべく、キャビティ凹部を形
    成した金型を該キャビティ凹部を構成する分割型に設
    け、分割型に移動手段により移動可能とする可動型を設
    けたことを特徴とする請求項4または5記載のSONパ
    ッケージの樹脂封止装置。
  7. 【請求項7】 キャビティに樹脂を充填する際に被成形
    品の半導体チップをキャビティの内底面に押接する可動
    ピンを設けたことを特徴とする請求項4、5または6記
    載のSONパッケージの樹脂封止装置。
JP08193492A 1996-07-23 1996-07-23 Sonパッケージの樹脂封止方法及び樹脂封止装置 Expired - Lifetime JP3129660B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP08193492A JP3129660B2 (ja) 1996-07-23 1996-07-23 Sonパッケージの樹脂封止方法及び樹脂封止装置
US08/898,832 US6048483A (en) 1996-07-23 1997-07-23 Resin sealing method for chip-size packages
US09/313,997 US6224360B1 (en) 1996-07-23 1999-05-19 Resin sealing device for chip-size packages

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP08193492A JP3129660B2 (ja) 1996-07-23 1996-07-23 Sonパッケージの樹脂封止方法及び樹脂封止装置

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000281162A Division JP3886327B2 (ja) 2000-09-18 2000-09-18 半導体装置の樹脂封止方法及び樹脂封止装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH1034699A true JPH1034699A (ja) 1998-02-10
JP3129660B2 JP3129660B2 (ja) 2001-01-31

Family

ID=16308949

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP08193492A Expired - Lifetime JP3129660B2 (ja) 1996-07-23 1996-07-23 Sonパッケージの樹脂封止方法及び樹脂封止装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3129660B2 (ja)

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1113490A2 (en) * 1999-12-27 2001-07-04 Nitto Denko Corporation Resin sealing method for semiconductors and release film used therefor
US6344162B1 (en) * 1998-07-10 2002-02-05 Apic Yamada Corporation Method of manufacturing semiconductor devices and resin molding machine
WO2003028086A1 (en) * 2001-09-26 2003-04-03 European Semiconductor Assembly (Eurasem) B.V. Method for encapsulating a chip and/or other article
SG98399A1 (en) * 1999-05-27 2003-09-19 Nec Electronics Corp Mold assembly and method for encapsulating semiconductor device
US6670220B2 (en) 2000-08-31 2003-12-30 Hitachi, Ltd. Semiconductor device and manufacture method of that
US7405107B2 (en) 2004-11-19 2008-07-29 Denso Corporation Semiconductor device, method and apparatus for fabricating the same
JP2010050488A (ja) * 2009-11-30 2010-03-04 Panasonic Corp 半導体装置およびその製造方法
JP2010093285A (ja) * 2003-02-28 2010-04-22 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置の製造方法
JP2010234641A (ja) * 2009-03-31 2010-10-21 Honda Motor Co Ltd インサート成形方法及び装置
JP2015208868A (ja) * 2014-04-24 2015-11-24 アピックヤマダ株式会社 樹脂モールド装置及び樹脂モールド方法並びにモールド成形品

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6344162B1 (en) * 1998-07-10 2002-02-05 Apic Yamada Corporation Method of manufacturing semiconductor devices and resin molding machine
SG98399A1 (en) * 1999-05-27 2003-09-19 Nec Electronics Corp Mold assembly and method for encapsulating semiconductor device
EP1113490A2 (en) * 1999-12-27 2001-07-04 Nitto Denko Corporation Resin sealing method for semiconductors and release film used therefor
EP1113490A3 (en) * 1999-12-27 2004-01-02 Nitto Denko Corporation Resin sealing method for semiconductors and release film used therefor
KR100829278B1 (ko) * 2000-08-31 2008-05-13 엘피다 메모리 가부시키가이샤 반도체장치 및 그 제조방법
US6670220B2 (en) 2000-08-31 2003-12-30 Hitachi, Ltd. Semiconductor device and manufacture method of that
US7205175B2 (en) 2001-09-26 2007-04-17 Elmos Advanced Packaging B.V. Method for encapsulating a chip and/or other article
WO2003028086A1 (en) * 2001-09-26 2003-04-03 European Semiconductor Assembly (Eurasem) B.V. Method for encapsulating a chip and/or other article
JP2010093285A (ja) * 2003-02-28 2010-04-22 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置の製造方法
US7405107B2 (en) 2004-11-19 2008-07-29 Denso Corporation Semiconductor device, method and apparatus for fabricating the same
JP2010234641A (ja) * 2009-03-31 2010-10-21 Honda Motor Co Ltd インサート成形方法及び装置
JP2010050488A (ja) * 2009-11-30 2010-03-04 Panasonic Corp 半導体装置およびその製造方法
JP2015208868A (ja) * 2014-04-24 2015-11-24 アピックヤマダ株式会社 樹脂モールド装置及び樹脂モールド方法並びにモールド成形品

Also Published As

Publication number Publication date
JP3129660B2 (ja) 2001-01-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6224360B1 (en) Resin sealing device for chip-size packages
US5200366A (en) Semiconductor device, its fabrication method and molding apparatus used therefor
JP3246848B2 (ja) 汎用ゲート位置樹脂モールド装置および樹脂モールド方法
JP3194917B2 (ja) 樹脂封止方法
JPH11260856A (ja) 半導体装置及びその製造方法並びに半導体装置の実装構造
KR100417182B1 (ko) 수지몰드방법, 몰드성형용금형 및 배선기재
JP3129660B2 (ja) Sonパッケージの樹脂封止方法及び樹脂封止装置
US6969918B1 (en) System for fabricating semiconductor components using mold cavities having runners configured to minimize venting
JPH05267555A (ja) 半導体装置およびその製造方法並びにそれに使用されるリードフレームおよびその製造方法
JP3139981B2 (ja) チップサイズパッケージの樹脂封止方法及び樹脂封止装置
CN110828432A (zh) 功率半导体模块
JP3886327B2 (ja) 半導体装置の樹脂封止方法及び樹脂封止装置
JPH09121015A (ja) 半導体装置
JP3226244B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置
JP2005085832A (ja) 樹脂モールド装置
JP3473231B2 (ja) ベアチップの封止方法および封止装置
JPH11186481A (ja) リードフレーム
JPH0936155A (ja) 半導体装置の製造方法
JP3590118B2 (ja) 樹脂モールド方法及び樹脂モールド装置
JPH01102947A (ja) 樹脂封止型半導体デバイスおよびリードフレーム
CN210866170U (zh) 功率半导体模块
JP2596606B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法
JPH05218508A (ja) 光半導体装置の製造方法
JP2005081695A (ja) 樹脂成形用金型
KR20050091566A (ko) 반도체 패키지 제조용 양면 몰드

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121117

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121117

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121117

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131117

Year of fee payment: 13

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term