KR101730997B1 - 전자 부품 - Google Patents

Abstract

인서트 성형법에 의해 형성되는 개구부의 내부에 노출되는 금속 도체의 표면을 절연할 수 있는 전자 부품을 제공한다.
금형(20)의 내부에서, 금속 도체의 판부(11)가 지지 돌출체(21)로 지지된 상태로, 용융 수지가 사출되어 기체(3)의 바닥벽부(3a)가 형성된다. 그 때문에, 성형 후에는 바닥벽부(3a)에 개구부(3d)가 형성된다. 개구부(3d)의 내부에 노출되는 판부(11)의 표면(11a)은 절연 수지층(31)으로 덮인다. 따라서 개구부(3d)의 내부에 수분 등이 침입해도, 판부(11)와 전기적으로 단락되는 것을 방지할 수 있다.

Description

전자 부품{ELECTRONIC COMPONENT}

본 발명은, 하우징 등을 구성하는 합성 수지제의 기체(基體)에 금속 도체가 인서트되어 있는 전자 부품에 관한 것이다.

전자 부품의 하우징이나 케이스에는, 금속 도체가 매설된 합성 수지제의 기체가 사용되는 경우가 많고, 이 종류의 기체는 소위 인서트 성형법으로 제조된다.

특허문헌 1에 기재된 전자 부품에서는, 금속 단자가 인서트 성형으로 매설된 덮개체와, 하우징으로 수납실이 형성되어 있다. 이 덮개체를 제조하는 인서트 성형 공정에서는, 단자가 금형 내에서 누름 핀으로 눌러진 상태로, 금형 내에 수지가 사출 성형되어, 수지압에 의해 금형 내에서 단자의 위치가 어긋나는 것이 방지되어 있다. 이 성형 공정에서는, 성형 후의 덮개체에, 상기 누름 핀의 형상에 대응한 핀 구멍이 형성된다.

일본 공개특허 특개평10-55906호 공보

특허문헌 1에 기재되어 있는 바와 같이 인서트 성형으로 제조된 덮개체에서는, 상기 핀 구멍의 내부에 금속 단자의 일부가 노출된 상태가 된다. 그 때문에, 수분이 핀 구멍에 들어가면, 수분이 단자에 접촉하여 누전될 우려가 있고, 복수의 핀 구멍에 동시에 수분이 들어가는 경우가 있으면, 금속 단자 사이가 단락될 가능성이 있다. 특히, 미소한 치수의 전자 부품에서는, 작은 양의 수분이 부착되었을 때에도, 그 수분이 복수의 핀 구멍에 동시에 들어가 상기 단락의 문제가 발생하기 쉽다.

상기 단락을 방지하는 대책으로서, 덮개체 등이 성형된 후에, 상기 핀 구멍의 내부에 접착제 등의 절연성 수지를 충전하여 단자의 표면을 절연하는 것도 생각해 볼 수 있지만, 이 대책에서는, 절연성 수지를 충전하는 작업 공정이 증가하게 된다. 또 미소한 전자 부품에서는 핀 구멍의 개구 치수가 매우 작아지기 때문에, 핀 구멍에 절연성 수지를 충전하는 작업이 곤란하다.

본 발명은 상기 종래의 과제를 해결하는 것이고, 소위 인서트 성형 공정으로 형성되는 개구부의 내부의 금속 도체를 절연할 수 있는 전자 부품을 제공하는 것을 목적으로 하고 있다.

본 발명은, 합성 수지제의 기체의 내부에 금속 도체가 매설되어 있는 전자 부품에 있어서,

상기 기체에는, 상기 금속 도체의 표면까지 도달하도록 개구부가 형성되어 있고, 상기 개구부의 내부에 노출되는 상기 금속 도체의 표면이 절연 수지층으로 덮여 있는 것을 특징으로 하는 것이다.

본 발명에서의 상기 기체는 인서트 성형되어 있고, 상기 금속 도체를 금형 내에 지지하는 지지 돌출체에 의해 상기 개구부가 형성되어 있는 것이다.

본 발명의 전자 부품은, 금속 도체의 표면에 절연 수지층이 형성되어 있기 때문에, 개구부의 내부에 노출되는 금속 도체의 표면을 절연할 수 있다. 또 기체가 성형된 후에, 개구부에 접착제 등의 절연 재료를 공급하는 작업이 불필요해진다.

본 발명의 전자 부품은, 상기 절연 수지층이 형성되어 있는 금속 도체의 표면이 활성화 처리되어 있는 것이 바람직하다.

상기 구성에서는, 절연 수지층이 금속 도체의 표면에 강고하게 고착된 것이 된다.

본 발명은, 상기 절연 수지층은, 상기 개구부에 노출되어 있는 부분으로부터, 기체로 덮이는 주위 영역까지 연속해서 형성되어 있는 것이 바람직하다.

개구부의 내부에 노출되는 금속 도체의 표면에 형성된 절연 수지층이, 그 주위에 연속해서 연장되고, 주위 부분에서 기체와 금속 도체의 사이에 두어진 구조로 함으로써, 개구부의 내부에 형성되어 있는 절연성 수지층에 박리 등이 생기기 어려워진다.

본 발명은, 상기 개구부는, 상기 절연 수지층 측에 위치하고 있는 내단(內端)으로부터, 상기 기체의 외부를 향해 단면적이 점점 커지는 부분을 갖고 있는 것이 바람직하다.

상기 구성에서는, 인서트 성형으로 금속 도체에 닿는 지지 돌출체의 선부(先部)에 에지부가 없어져, 이 에지부에서 절연 수지층이 손상을 받는 경우가 생기기 어려워진다.

본 발명은, 인서트 성형 공정에 의해, 기체에 개구부가 형성되고, 그 내부에 금속 도체가 노출되는 구조가 되었다고 해도, 금속 도체의 표면을 절연함으로써, 금속 도체가 수분 등에 의해 단락되는 것을 방지할 수 있다. 또 기체가 성형된 후에, 개구부에 접착제 등의 절연 재료를 공급하는 작업이 불필요해진다.

도 1은 본 발명의 제조 방법으로 제조되는 전자 부품의 일례를 나타내는 사시도이다.
도 2는 도 1에 나타내는 전자 부품을 Ⅱ-Ⅱ선으로 절단한 단면도이다.
도 3은 도 2의 일부를 나타내는 확대 단면도이다.
도 4는 도 3의 Ⅳ부의 부분 확대 단면도이다.
도 5는 도 3의 Ⅴ부의 부분 확대 단면도이다.
도 6은 도 3의 Ⅵ부의 부분 확대 단면도이다.
도 7은 접착 수지층의 열처리 시의 성질을 나타내는 선도(線圖)이다.
도 8은 금속 도체와 기체의 접합부를 나타내는 단면 사진이다.

도 1과 도 2에 나타내는 전자 부품(1)은, 하우징(2)을 갖고 있다. 하우징(2)은 기체(3)와 덮개체(4)로 구성되어 있다. 덮개체(4)는 휨 변형할 수 있는 합성 수지 재료로 형성되어 있다. 기체(3)는 합성 수지에 의해 형성되고 바닥벽부(3a)와 4개의 측벽부(3b)를 갖고 있다. 기체(3)는 측벽부(3b)의 상단(上端)으로 둘러싸인 개구부를 갖고 있고, 이 개구부가 덮개체(4)로 폐쇄되어, 하우징(2)의 내부에 밀폐 공간인 수납 공간(5)이 형성되어 있다. 하우징(2)은 미소한 구조이고, 정육면체 또는 직육면체이며, 1변의 최대값이 5㎜ 이하, 나아가서는 2㎜ 이하로 형성된다.

하우징(2)의 수납 공간(5)의 내부에 검지 소자(6)가 수납되어 있다. 검지 소자(6)는 MEMS(Micro Electro Mechanical Systems) 소자이고, 실리콘 기판을 주체로 하여 구성되어 있다. 검지 소자(6)는 힘 센서이고, 외부의 압력으로 변형부가 휘며, 그 휨량이 전하의 변화에 의해 검출되는 것이다. 덮개체(4)가 가요성의 수지 재료로 형성되어 있기 때문에, 외부의 압력에 따라 덮개체(4)가 변형되고, 그때의 수납 공간(5)의 내부 압력의 변화가 검지 소자(6)로 검지된다. 따라서, 수납 공간(5)은 외부 공기로부터 차단된 기밀 공간인 것이 필요하다.

도 1과 도 2 및 도 3에 나타내는 바와 같이, 기체(3)의 바닥벽부(3a)의 내부에 4장의 금속 도체(10)가 소위 인서트 성형법에 의해 매설되어 고정되어 있다.

도 2와 도 3에 나타내는 바와 같이, 각각의 금속 도체(10)는, 제 1 판부(11)와 제 2 판부(12)를 갖고 있다. 제 1 판부(11)는, 바닥벽부(3a)의 바닥면(3c)과 평행하게 연장되어 있고, 제 2 판부(12)는, 제 1 판부(11)로부터 대략 직각으로 절곡되며, 바닥면(3c)과 수직하게 상향으로 연장되어 있다. 제 1 판부(11)와 제 2 판부(12)의 경계가 굴곡부(15)이다. 금속 도체(10)에는, 제 1 판부(11)에 연속하는 외부 단자부(14)와, 제 2 판부(12)에 연속하는 내부 단자부(13)가 일체로 형성되어 있다. 내부 단자부(13)는 제 2 판부(12)로부터 대략 직각으로 절곡되고, 바닥면(3c)과 대략 평행하게 연장되어 있다.

금속 도체(10)는, 제 1 판부(11)와 제 2 판부(12)가, 기체(3)의 바닥벽부(3a)의 내부에 매설되어 있다. 외부 단자부(14)는, 기체(3)의 측방으로 돌출되어 있다. 내부 단자부(13)는, 그 상측 표면(13b)이 수납 공간(5) 내에 노출된 상태로 그 이외의 부분이 바닥벽부(3a)에 매설되어 있다. 수납 공간(5)의 내부에서는, 4장의 금속 도체(10)의 내부 단자부(13)의 상측 표면(13b)이 노출되어 있다. 검지 소자(6)에는 4개소에 전극이 형성되어 있고, 각각의 전극과 각각의 내부 단자부(13)가 일대일의 관계로 땜납 필렛(fillet)(7)에 의해 접속되어 있다.

도 2와 도 3에 나타내는 바와 같이, 기체(3)의 바닥벽부(3a)에서는, 바닥면(3c)으로부터 제 1 판부(11)의 하측 표면(11a)에 걸쳐 제 1 개구부(3d)가 개구되어 있고, 바닥면(3c)으로부터 내부 단자부(13)의 하측 표면(13a)에 걸쳐 제 2 개구부(3e)가 개구되어 있다.

기체(3)를 제조하는 인서트 형성 공정에서는, 도 5와 도 6에 일부가 나타내어져 있는 금형(20)의 내부에 금속 도체(10)가 설치된다. 이때, 도 5에 나타내는 바와 같이, 제 1 판부(11)가 금형(20) 내에 설치된 지지 돌출체(21)로 지지되고, 도 6에 나타내는 바와 같이, 내부 단자부(13)가 지지 돌출체(22)로 지지된 상태로, 금형(20)의 내부에 용융 수지가 사출된다. 금속 도체(10)가, 지지 돌출체(21, 22)로 지지됨으로써, 금형(20)의 캐비티(cavity) 내에서 금속 도체(10)를 정확하게 위치 결정하여, 기체(3)의 사출 성형을 행할 수 있다.

금형(20) 내에 사출된 용융 수지가 냉각되어 고체화하면, 지지 돌출체(21, 22)가 금형(20) 내에서 후퇴하여 바닥벽부(3a)로부터 발출(拔出)되고, 또한 금형(20)이 분리되어 성형 후의 기체(3)가 취출된다. 기체(3)는, 지지 돌출체(21)가 발출된 장소에 제 1 개구부(3d)가 형성되고, 지지 돌출체(22)가 발출된 장소에 제 2 개구부(3e)가 형성된다.

도 5에 나타내는 지지 돌출체(21)는, 금속 도체(10)에 닿는 선단부(先端部)(21a)의 주위에 경사면(테이퍼면)이 형성되고, 선단부에 직각 단면의 에지가 형성되지 않도록 되어 있다. 마찬가지로, 도 5에 나타내는 지지 돌출체(22)의 선단부(22a)에도 주위에 경사면이 형성되어 있다. 상기 선단부(21a, 22a)의 주위의 경사면은, 단면에서 보았을 때에 볼록 곡선이어도 되고, 직선 형상으로 경사져 있는 것이어도 된다. 이 지지 돌출체(21, 22)를 사용함으로써, 제 1 개구부(3d)와 제 2 개구부(3e)는, 모두, 절연 수지층(31) 측에 위치하는 구멍의 내단에서 단면적이 최소가 되고, 기체(3)의 바닥면(3c)의 개구단을 향해 단면적이 점점 커지는 개구 형상이 된다.

도 3에 나타내는 바와 같이, 금속 도체(10)는, 장소에 따라 표면 처리의 조건이 상이하다. 그 조건의 차이에 따라, 금속 도체(10)를 구간 (ⅰ), (ⅱ), (ⅲ), (ⅳ)로 나눌 수 있다.

도 3에 나타내는 구간 (ⅰ)에서는, 제 1 판부(11)의 하측 표면(11a) 및 제 2 판부(12)의 좌측 표면(12a)과, 내부 단자부(13)의 하측 표면(13a)에 동일한 표면 처리가 실시되어 있다.

도 4, 도 5, 도 6은, 도 3의 Ⅳ부, Ⅴ부, Ⅵ부를 확대하여 나타내고 있다. 이들 각 도면에 나타내어져 있는 바와 같이, 구간 (ⅰ)에서는, 제 1 판부(11)의 하측 표면(11a) 및 제 2 판부(12)의 좌측 표면(12a)과, 내부 단자부(13)의 하측 표면(13a)에, 절연 수지층(31)이 형성되고, 절연 수지층(31) 상에 접착 수지층(32)이 형성된다. 도 4와 도 5에 나타내는 바와 같이, 구간 (ⅱ)에서는, 제 1 판부(11)의 상측 표면(11b)과, 제 2 판부(12)의 우측 표면(12b)에 접착 수지층(32)이 형성된다.

구간 (ⅰ)에 있어서는, 금속 도체(10)의 표면(11a, 12a, 13a)과 상기 절연 수지층(31)의 밀착성을 높일 필요가 있고, 구간 (ⅱ)에서는, 금속 도체(10)의 표면(11b, 12b)과 상기 접착 수지층(32)의 밀착성을 높일 필요가 있다. 그 때문에, 구간 (ⅰ)에 있어서의 표면(11a, 12a, 13a)과, 구간 (ⅱ)에 있어서의 표면(11b, 12b)에 대하여, 상기 수지층(31, 32)을 형성하기 전의 공정에서 활성화 처리가 실시된다.

실시형태에서의 금속 도체(10)는 인청동판의 양쪽 표면에 은 도금이 실시되어 있고, 또한 은 도금의 표면에, 불소계의 황화 방지제나 방청제 등의 각종 보호제가 도포되어 있다. 상기 활성화 처리로서는, 금속 도체(10)를 형성하는 금속판재의 표면에 진공 자외광이 조사된다. 진공 자외광의 광원으로서는, 크세논 가스를 봉입한 엑시머 UV 램프(파장 172㎚) 등이 적합하게 이용된다. 진공 자외광은 대기 중에서의 감쇠가 크기 때문에, 금속 도체(10)와 램프의 거리는 수 ㎜에서 수십 ㎜로 근접시켜 조사한다. 진공 자외광이 조사되면, 저(低)파장의 자외광으로 금속 도체(10) 표면의 유기물의 결합이 절단되고, 또, 램프와 금속 도체(10) 사이의 공기 중의 산소가 분해되어 오존이 형성되는 등 하여, 표면의 상기 보호제가 제거된다. 이와 함께, 금속 도체(10)의 표면의 극성화가 촉진되어 표면 자유 에너지가 높아져서 젖음성이 향상된다.

상기 절연 수지층(31)과 접착 수지층(32)의 성형 공정에서는, 서로 친화성이 있는 수지 재료가 선택되어 사용된다. 또, 절연 수지층(31)이 형성된 후에, 그 표면에 진공 자외광을 조사하고, 절연 수지층(31)의 표면 자유 에너지를 높인 후에, 그 위에 접착 수지층(32)을 형성함으로써, 절연 수지층(31)과 접착 수지층(32)의 밀착성을 높일 수 있다.

접착 수지층(32)은, 기체(3)를 구성하는 합성 수지와 상용성을 갖는 것이고, 접착 수지층(32)과 기체(3)를 구성하는 합성 수지는 동계(同系)의 것이 선택되어 사용된다. 실시형태에서는, 기체(3)를 구성하는 합성 수지가 폴리아미드계이고, 소위 엔지니어 플라스틱의 1종인 나일론 9T가 사용되어 있다. 접착 수지층(32)은, 2액 혼합 타입의 접착용 수지를 이용하여 형성된다. 실시형태에서의 접착용 수지는, 나일론계의 주제(主劑)와 이소시아네이트계의 경화제가 혼합되어 폴리아미드가 형성되고, 열처리에 의해 가교 반응을 생기게 한다.

도 7에는, 나일론계의 상기 접착용 수지의 온도 상승과 상태 변화의 관계가 나타내어져 있다. 가로축은 가열 온도이고, 세로축은 열 변화를 나타내며, 세로축의 플러스 측은 발열 반응을 나타내고, 마이너스 측은 흡열 반응을 나타내고 있다.

도 7에 나타내는 (a)의 범위는, 접착용 수지를 건조시키고 있는 과정이고, 접착용 수지는 소위 핫멜트 상태이다. 109℃ 부근까지 가열되어 용제가 증발하면, (b)의 범위에 들어가서 건조 상태가 되고, 온도 상승과 함께 가교 반응이 개시된다. 또한 온도가 150℃ 또는 160℃를 넘어서 (c)의 범위가 되면, 3차원 가교가 촉진되어 수(水)불용성이 된다.

상기 접착 수지층(32)은, 접착용 수지를, 금속 도체(10)를 구성하는 금속판재의 표면에 도포하고, 도 7에 있어서 (b)로 나타내는 범위의 온도 조건으로 가열한 상태로 사용된다. 즉 110℃∼150℃ 또는 110℃∼160℃의 가열 조건으로 접착용 수지가 건조된 상태이며, 완전한 가교 상태가 되어 있지 않은 가(假)경화 상태 즉 부분 가교 상태로 사용된다. 인서트 성형법에서는, 금형 내에 사출되는 용융 수지와 접촉함으로써 접착 수지층(32)이 가열되어 용융하고, 접착 수지층(32)과 기체(3)를 형성하는 합성 수지가 상용 상태가 된다. 따라서, 성형 후의 기체(3)는 금속 도체(10)와 고착된다.

상술과 같이, 상기 절연 수지층(31)과 접착 수지층(32)은, 서로 친화성이 있고 밀착성이 좋은 수지 재료로 형성된다. 실시형태에서는, 절연 수지층(31)이 우레탄 수지로 형성되고, 경화제로 이소시아네이트가 사용된다. 접착 수지층(32)을 형성하고 있는 나일론 수지와 우레탄 수지는, 화학적 구조가 근사한 것이 주지이고, 또한 절연 수지층(31)과 접착 수지층(32)으로 동일한 이소시아네이트계의 경화제를 사용하고 있다. 절연 수지층(31)과 접착 수지층(32)으로서 상기 수지를 선택함으로써 수지층 사이의 밀착성이 좋아진다.

절연 수지층(31)은, 접착 수지층(32)과 같은 가경화 상태가 아니고, 3차원 가교가 촉진되어 대략 불용성이 된 상태로 형성된다. 즉, 상기 접착 수지층(32)은 가교의 정도가 낮은 가경화의 상태로 형성되지만, 절연 수지층(31)은, 접착 수지층(32)보다 3차원 가교가 촉진된 것이 사용된다. 그 때문에, 절연 수지층(31)은 접착 수지층(32)보다 높은 온도로 가열 처리되어 사용된다. 절연 수지층(31)의 가열 처리 온도는, 예를 들면 180℃ 이상이 바람직하다. 인서트 성형법에서는, 상기와 같이 접착 수지층(32)이 기체(3)를 구성하는 합성 수지와 상용 상태가 되지만, 절연 수지층(31)은, 기체(3)를 구성하는 합성 수지와 완전한 상용 상태는 되기 어려워, 절연 수지층(31)으로서, 금속 도체(10)의 표면에 남게 된다.

도 8은, 금속 도체(10)가 인서트된 기체(3)의 일부 단면을 촬영한 전자 현미경 사진이다. 금속 도체(10)는, 표면을 진공 자외광 조사로 활성화 처리한 후에 절연 수지층(31)을 형성하고, 또한 절연 수지층(31)의 표면을 진공 자외광 조사로 활성화시켜 접착 수지층(32)을 형성한 것이다. 이 사진은 50,000배이다. 도 8에서는, 10이 금속 도체, 10a가 도금층이다. 도금층(10a)의 표면에 절연 수지층(31)이 밀착되고, 또한 접착 수지층(32)이 기체(3)의 합성 수지와 상용 상태가 되어 있는 구조가 나타내어져 있다.

인서트 성형 후의 기체(3)에서는, 금속 도체(10)의 제 1 판부(11)의 2개의 표면(11a, 11b)에 형성된 접착 수지층(32)이, 기체(3)를 구성하는 합성 수지와 상용 상태가 되어 있고, 제 2 판부(12)의 2개의 표면(12a, 12b)에 형성된 접착 수지층(32)이, 기체(3)를 구성하는 합성 수지와 상용 상태가 되어 있다. 그 때문에, 금속 도체(10)와 기체(3)의 바닥벽부(3a)의 밀착부에 간극이 형성되기 어려워져, 도 2에 나타내는 하우징(2)의 내부의 수납 공간(5)의 기밀성을 높일 수 있다. 그 결과, 상기 간극으로부터 수납 공간(5)의 내부에 수분이나 플럭스 등의 용제나 그 밖의 액체가 침투할 가능성을 저하시킬 수 있다.

금속 도체(10)에서는, 제 1 판부(11)와 제 2 판부(12)의 경계의 굴곡부(15)의 양면에도 접착 수지층(32)이 형성되어 있기 때문에, 이 굴곡부(15)에 있어서도, 금속 도체(10)와 기체(3)를 구성하고 있는 합성 수지를 강고하게 고착시킬 수 있다.

굴곡부(15)를 갖는 금속 도체(10)를 이용한 인서트 성형법에서는, 굴곡부(15)의 주위에서 용융 수지의 흐름이 나빠지기 때문에, 수지가 냉각되어 고체화할 때에, 굴곡부(15)의 주위에 싱크 마크(sink mark)라고 불리는 변형이 발생되기 쉬워진다. 또 바닥벽부(3a)가 얇으면, 굴곡부(15)가 매설되어 있는 부분에서 수지 강도가 저하되기 쉽다. 그러나, 굴곡부(15)를 사이에 두는 양측에 위치하는 제 1 판부(11)와 제 2 판부(12)의 양면에 접착 수지층(32)이 설치되고, 또한 굴곡부(15)의 표면에도 접착 수지층(32)이 설치되어 있기 때문에, 굴곡부(15)를 포함하는 영역에서 금속 도체(10)와 기체(3)가 강고하게 고착되도록 되어, 싱크 마크의 문제나 강도 저하의 문제가 생기기 어려워진다.

도 4에 나타내는 바와 같이, 기체(3)로부터 외부 단자부(14)가 돌출되어 있는 부분에서는, 제 1 판부(11)의 2개의 표면(11a, 11b)에 형성된 접착 수지층(32)이 기체(3)를 구성하는 수지와 상용 상태가 되어, 제 1 판부(11)와 기체(3)가 강고하게 고착되어 있다. 따라서, 외부 단자부(14)의 돌출 기부(基部)에 있어서, 금속 도체(10)와 기체(3)의 사이에 간극이 형성되지 않아, 수납 공간(5)의 기밀성을 높은 상태로 유지할 수 있다. 또한, 외부 단자부(14)의 돌출 기부의 주위에서의 기체(3)의 강도를 높일 수도 있다.

금속 도체(10)는, 2개의 표면에 절연 수지층(31)과 접착 수지층(32)이 형성된 금속판재(이른바 후프 기재)로부터 절단되기 때문에, 금속 도체(10)는, 하측을 향하는 표면(11a, 12a, 13a)에 절연 수지층(31)과 접착 수지층(32)이 형성되고, 상측을 향하는 표면(11b, 12b)에 접착 수지층(32)이 형성되지만, 절단 가공 시의 절단면이 되는 측면(판 두께가 나타내어지는 측면)은, 어느 수지층도 형성되지 않는다. 다만, 인서트 성형 공정에서, 금속 도체(10)가 가열되기 때문에, 판부(11)의 2개 표면(11a, 11b)과 판부(12)의 2개의 표면(12a, 12b) 및 판부(13)의 표면(13a)에 형성되어 있는 접착 수지층(32)이 가열되어 용융 상태가 되고, 사출 성형 시의 용융 수지의 압력에 의해 용융 상태가 된 접착 수지(32)의 일부가 금속 도체(10)의 측면으로 돌아 들어간다. 이에 따라, 금속 도체(10)의 측면과 기체(3)의 바닥벽부(3a)의 사이에서, 적어도 일부에 접착 수지층(32)이 존재하게 되고, 금속 도체(10)의 측면과 바닥벽부(3a)의 사이에 간극이 형성되기 어려워져, 하우징(2)의 내부의 수납 공간(5)의 기밀성을 높일 수 있다.

도 3에 나타내는 구간 (ⅲ)에서는, 내부 단자부(13)의 하측 표면(13a)이 접착 수지층(32)에 의해 기체(3)를 구성하는 합성 수지에 고착시켜져 있다. 한편, 도 6에도 나타내는 바와 같이, 내부 단자부(13)의 상측 표면(13b)은 바닥벽부(3a)로부터 노출되어 있다. 이 상측 표면(13b)에는 절연 수지층(31)이나 접착 수지층(32)이 형성되어 있지 않고, 진공 자외광을 사용한 상기 활성화 처리가 실시되어 있지 않은 상태이며, 은 도금이 황화 방지제 등의 보호제로 덮인 그대로이다.

구간 (ⅳ)에서는, 외부 단자부(14)가 기체(3)의 측방으로 돌출되어 있지만, 외부 단자부(14)의 상측 표면(14b)과 하측 표면(14a)에도, 절연 수지층(31)이나 접착 수지층(32)이 형성되어 있지 않고, 진공 자외광을 사용한 상기 활성화 처리도 실시되어 있지 않다. 따라서, 표면(14a, 14b)은, 은 도금이 황화 방지제 등의 보호제로 덮인 그대로이다.

따라서, 내부 단자부(13)의 상측 표면(13b)과, 외부 단자부(14)의 하측 표면(14a) 및 상측 표면(14b)은, 은 도금이 부식되기 어려운 상태를 유지할 수 있다.

도 5와 도 6에 나타내는 바와 같이, 기체(3)를 인서트 성형하는 공정에서는, 금형 내에 있어서, 제 1 판부(11)의 하측 표면(11a)이 지지 돌출체(21)에 맞닿아서 지지되고, 내부 단자부(13)의 하측 표면(13a)도 지지 돌출체(22)에 맞닿아서 지지된 상태로, 금형 및 지지 돌출체(21, 22)가 가열된다. 이때, 지지 돌출체(21, 22)가 맞닿아 있는 부분에서, 가경화 상태의 접착 수지층(32)이 용융되고, 지지 돌출체(21, 22)가 맞닿는 부분에서 접착 수지층(32)이 제거된다. 또, 접착 수지층(32)은, 도 7에 나타내는 (b)의 범위에서 가열 처리되어 있고, (a)의 범위의 핫멜트 상태에 비해 점착성이 저하되어 있다. 그 때문에, 용융된 접착 수지층(32)은, 지지 돌출체(21, 22)의 선단면 등에 부착되기 어렵다.

한편, 절연 수지층(31)은 3차원 가교 상태로 형성되어 있기 때문에, 금형 온도에 의해 용해되지 않고, 지지 돌출체(21, 22)가 맞닿는 부분에 있어서도, 금속 도체(10)의 표면이 절연 수지층(31)으로 덮인 상태로 유지된다.

도 5와 도 6에 나타내는 바와 같이, 절연 수지층(31)은, 개구부(3d, 3e)의 내부에 노출되지만, 이 절연층(31)은, 개구부(3d, 3e)보다 외측으로 넓혀져 있고, 개구부(3d, 3e)보다 외주 측에서는, 절연 수지층(31)이 금속 도체(10)와 기체(3)의 사이에 두어진 상태이다. 따라서, 개구부(3d, 3e)의 내단에 노출되는 금속 도체(10)의 표면을 개구 직경의 전역에 걸쳐 절연할 수 있다. 또, 개구부(3d, 3e)의 내부에 형성된 절연 수지층(31)의 박리도 생기기 어렵다.

또, 지지 돌출체(21, 22)의 선단부(21a, 22a)의 주위에는 경사면이 형성되어, 에지가 형성되어 있지 않으므로, 지지 돌출체(21, 22)의 선단에서 절연 수지층(31)이 손상을 받는 경우도 생기기 어렵다.

인서트 성형 후의 기체(3)에서는, 도 2와 도 3에 나타내는 바와 같이, 기체(3)의 바닥벽부(3a)에 바닥면(3c)으로부터 금속 도체(10)에 통과하는 개구부(3d, 3e)가 복수 개소에 형성된다. 도 5와 도 6에 나타내는 바와 같이, 개구부(3d, 3e)의 주위에서는, 접착 수지층(32)과 기체(3)를 구성하는 수지가 상용 상태가 되고나서 경화되기 때문에, 개구부(3d, 3e)의 주위의 전체 둘레에 있어서, 금속 도체(10)와 기체(3)가 밀착되어 고착된다. 그 때문에, 이 주위 부분에 간극이 형성되지 않게 되어, 수납 공간(5) 내의 기밀성을 더욱 높일 수 있다.

또, 바닥벽부(3a)의 바닥면(3c)에 개구되는 개구부(3d, 3e)의 내부에 금속 도체(10)가 노출되지만, 도 5와 도 6에 나타내는 바와 같이, 개구부(3d, 3e)의 내부에서, 금속 도체(10)의 표면이 절연 수지층(31)으로 덮여 있기 때문에, 금속 도체(10)의 절연이 유지되어 있다.

하우징(2)은 1변이 5㎜ 이하 나아가서는 2㎜ 이하의 미소한 정육면체 또는 직육면체이기 때문에, 기체(3)의 바닥면(3c)에 액체(플럭스 등의 용제도 포함함)가 부착되는 경우가 있으면, 액체가 복수 개소의 개구부(3d, 3e)에 동시에 들어가기 쉬워진다. 그러나, 개구부(3d, 3e)의 바닥부에 나타내어져 있는 금속 도체(10)의 표면이 절연 수지층(31)으로 덮여, 절연되어 있기 때문에, 액체에 의해 금속 도체(10)끼리가 단락하는 것을 방지할 수 있다.

또한, 상기 실시형태에서는, 기체(3)를 구성하는 합성 수지를 나일론 9T, 접착 수지층(32)을 구성하는 접착용 수지를 나일론 수지, 절연 수지층(31)을 형성하는 수지를 우레탄 수지로서 설명했지만, 이들 수지는 서로 상용성이나 친화성이 있으면 상기 조합에 한정되지 않는다. 예를 들면 우레탄계-우레탄계, 아크릴계-아크릴계, 올레핀계-올레핀계, 에폭시계-에폭시계, 이소시아네이트계-이소시아네이트계 등의 동일계의 재료 외에, 에폭시계-우레탄계, 우레탄계-이소시아네이트계, 에폭시계-이소시아네이트계 등의 조합이 가능하다. 또, 극성화를 촉진하는 활성화 처리는, 진공 자외광의 조사에 한정되는 것은 아니고, 플라즈마 처리, UV 오존 처리, 코로나 처리, 화성 처리, 화염 처리, 가열 처리, 양극 산화 처리 등이어도 된다.

1: 전자 부품 2: 하우징
3: 기체 3a: 바닥벽부
3d, 3e: 개구부 5: 수납 공간
6: 검지 소자 10: 금속 도체
11: 제 1 판부 11a: 하측 표면
11b: 상측 표면 12: 제 2 판부
12a: 좌측 표면 12b: 우측 표면
13: 내부 단자부 13a: 하측 표면
13b: 상측 표면 14: 외부 단자부
15: 굴곡부 20: 금형
21, 22: 지지 돌출체 31: 절연 수지층
32: 접착 수지층

Claims (7)

1. 합성 수지제의 기체의 내부에 금속 도체가 매설되어 있는 전자 부품에 있어서,
   상기 기체에는, 상기 금속 도체의 표면까지 도달하도록 개구부가 형성되어 있고, 상기 금속 도체의 상기 개구부와 대향하는 측의 표면이 절연 수지층으로 덮여 있음과 함께, 상기 절연 수지층이 상기 금속 도체와 상기 기체의 사이에 끼워지도록 상기 금속 도체의 상기 기체와 대향하는 측의 표면이 상기 절연 수지층으로 덮여 있고,
   상기 개구부는, 상기 절연 수지층 측에 위치하고 있는 내단으로부터, 상기 기체의 외부를 향해 단면적이 점점 커지는 부분을 갖고 있는 것을 특징으로 하는 전자 부품.
2. 제 1 항에 있어서,
   상기 절연 수지층이 형성되어 있는 상기 금속 도체의 표면은 진공 자외광 조사 처리에 의해 활성화 처리되어 있는 전자 부품.
3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
   상기 절연 수지층은, 상기 개구부에 노출되어 있는 부분으로부터, 상기 기체로 덮이는 주위 영역까지 연속해서 형성되어 있는 전자 부품.
   
   
   
   
   
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