JP2003243437A - ウェーハレベルパッケージの空気パッドハンダ接合構造及びその製造方法 - Google Patents
ウェーハレベルパッケージの空気パッドハンダ接合構造及びその製造方法Info
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Abstract
性が向上したウェーハレベルパッケージ及びその製造方
法が要求される。 【解決手段】 本発明はウェーハレベルパッケージのハ
ンダ接合構造において、所定の基底層に形成された空気
層と、前記空気層の上部に形成された接続パッドとから
なり、前記空気層の一部が側面に前記接続パッドを超過
して露出された領域を含むことを特徴とする空気パッド
ハンダ接合構造である。
Description
関し、より詳細には、ハンダ接合の信頼性を向上させた
ウェーハレベルパッケージ(wafer level
package;WLP)及びその製造方法に関する。
向に応じて、半導体素子のパッケージング(packa
ging)技術も新しい要求に直面している。すなわ
ち、より信頼性が優れ、価格に比べて効率性が高く、サ
イズが小さくて、性能が優れたパッケージを開発するた
めの努力が持続的になされている。パッケージング技術
が直面している問題は、例えば、電気信号伝達遅延の減
少、全体構成要素面積の縮小、入出力端子の配置領域拡
大などに関するものである。
ーハレベルパッケージが開発された。ウェーハレベルパ
ッケージは、入出力端子がチップの縁部に配置された従
来のリードフレーム型パッケージとは異なって、入出力
端子がチップ表面全体に分布することが特徴である。一
般に、ウェーハレベルパッケージは、入出力端子として
ハンダボール(solder ball)を使用する。
入出力端子を表面全体にわたって分布させると、集積回
路と入出力端子との間の信号配線長さを縮めることがで
きる。信号配線は、一般的に高い静電容量を有するか
ら、信号配線長さの縮小は、電気的性能の向上をもたら
す。また、ハンダボールを用いて印刷回路基板のような
基板にウェーハレベルパッケージを実装する場合、基板
において占めるパッケージの実装面積がチップサイズ程
度にすぎない。これは、リードフレームサイズ程度の実
装面積を占める従来のパッケージに比べて、一層パッケ
ージサイズが減少したものである。
接続パッド20を有する半導体チップ10は、ハンダボ
ール40によって印刷回路基板50に実装される。しか
しながら、このような接合方式は、金属製ハンダボール
40の弾性が非常に小さいという短所を有する。図1に
おいて、接続パッド20とハンダボール40との間の接
合部は、ハッチング領域30で表示される。この領域3
0は、ハンダボール40と同じ物質よりなるが、チップ
10と印刷回路基板50との間の異なるサイズ変化から
誘発されるクラックまたは非弾性ストレスを説明するた
めに、別個の要素として図示された。
来のハンダ接合構造において熱サイクルの段階、すなわ
ち加熱段階と冷却段階中に、熱膨張と収縮の結果でハン
ダ接合構造に作用する力と垂直変位を示す。
作動と関連して現れる熱的変化のため、例えばシリコン
よりなるチップ10とエポキシ−ガラス(epoxy−
glass)よりなる印刷回路基板50との間の熱膨張
係数の差異によって、ハンダボールの接合部30に機械
的ストレスを招く。すなわち、熱が加えられた場合、チ
ップ10と基板50とが異なる割合で膨脹しながら、図
1bに示したように、ひずみを誘発する。一方、熱が除
去された場合には、図1cに示したように、チップ10
と基板50が異なる割合で収縮する。異なる割合で発生
する膨脹と収縮は、堅固な接合、すなわちハンダボール
40に変形力として作用するようになる。このような膨
脹/収縮の差異は、チップのサイズが大きい場合、チッ
プの縁部がチップの中央より大きく膨脹するので、より
一層明確に現れる。
合の片方面に変位が発生することによって、ハンダボー
ル40と接合部30にトルクが生じる。一般的にハンダ
溶融点以下での反復的な膨脹と収縮は、接合部30に変
形力を加え、図1cに参照番号32で表示したように、
パッド20からの分離またはクラックを発生させ、ハン
ダ接合部の信頼性に損傷を与える。
回路基板との間の相互接続信頼性が向上したウェーハレ
ベルパッケージ及びその製造方法が要求される。本発明
の目的は、ハンダ接合信頼性が優れたウェーハレベルパ
ッケージを提供することにある。本発明の他の目的は、
製造費用が節減されるウェーハレベルパッケージの製造
方法を提供することにある。
配置された各々の入出力端子(例えば、ハンダボール)
が、その下部に空気パッドを備えるという点にある。空
気パッドは、次のような一連の過程を経て製造される。
まず、所定の基底層(例えば、絶縁層)に不規則な形態
のキャビティをエッチングして形成した後、キャビティ
内に可溶性(soluble)物質よりなる仮支持物を
蒸着する。仮支持物上に金属接続パッドを蒸着し、金属
接続パッドの一部がキャビティの領域を越えて基底層の
一部と重なるようにした後、仮支持物を除去して、金属
接続パッドの下部に空気緩衝領域が生ずるようにする。
仮支持物が除去された後の金属接続パッドは、基底層の
一部によって支持される。
接続パッドを超過するように形成された構造を有すると
いう点にある。すなわち、金属接続パッドの周囲は、
1)金属接続パッドの形成に必要な可溶性の仮支持物を
除去し、2)金属接続パッドが基底層に当接しないよう
に、自由に熱的運動と振動運動をすることができるに充
分な空間が確保される。
ハレベルパッケージの弾性接合構造は、金属接続パッド
と、金属接続パッド下部の空気層とを含む。特に、空気
層の一部は、側面に金属接続パッドを超過し、金属接続
パッドは、周辺支持部の上部に延長して接するようにな
る。また、周辺支持部中の一部は、金属接続パッドとチ
ップ回路とを電気的に連結するための配線パターンを支
持する。
形成されることが好ましい。絶縁層は、金属接続パッド
を支持するために、突出部を有する。突出部の一部は、
金属接続パッドに電気的に連結される配線パターンを支
持する。また、弾性接合構造は、第2絶縁層をさらに含
むことができる。第2絶縁層を介して金属接続パッドの
一部が露出され、露出された部分に保護層が形成され
る。
弾性接合構造の製造方法は、集積回路基板上に空気キャ
ビティを形成する段階と、除去可能な物質で空気キャビ
ティを充填して、仮支持物を形成する段階と、仮支持物
上に金属層を形成する段階と、空気キャビティの一部が
側面に金属接続パッドを超過するように、金属層をパタ
ーニングして、金属接続パッドを形成する段階と、空気
キャビティから仮支持物を除去する段階と、金属接続パ
ッド上にハンダボールを形成する段階とで構成される。
の前に平坦化されることが好ましい。このような平坦化
段階は、エッチ−バック(etch−back)工程ま
たは化学的機械的研磨(CMP)工程を使用して進行さ
れることが好ましい。仮支持物をなす物質は、単量体物
質、重合体物質、弾性体物質よりなる群から選択された
物質、例えば、B−ステージ−エイブル(B−stag
e−able)物質である。この物質は、湿式エッチン
グ化学溶液で溶解させて除去することができる。
工程でパターニングして形成することが好ましい。ま
た、金属接続パッドの形成段階後、金属接続パッドの一
部が露出されるように、金属接続パッド上に第2絶縁層
を蒸着することができる。また、金属接続パッド上に、
保護層が無電解メッキ工程で蒸着されることができ、保
護層は、金またはニッケルで形成されることができる。
誘電率の物質を使用すれば、パッド全体の静電容量が減
少し、電気信号伝達速度が向上する。また、金属接続パ
ッド周辺の制限された地点だけで、パッドを支持する構
造で構成することによって、ハンダ接合構造は、チップ
と印刷回路基板との間の異なる長さ変化による機械的ス
トレスを吸収することができる。
の詳細な説明から当業者にとって自明になるだろう。
弾性空気パッド構造は、入出力用金属接続パッドとその
下部の集積回路基板との間に低誘電静電容量を提供す
る。通常的な非弾性空気パッド構造は、縁部全体が隣接
層によって密封され支持される。このような構造は、2
つの電極板(すなわち、接続パッドと集積回路基板)間
の有機物質またはシリコン類の誘電物質を低誘電率の空
気に代替させることによって、ただノードの静電容量を
減少させるために用いられる。しかし、本発明の空気パ
ッド構造は、接続パッドの周辺に最小限の支持点/電気
接点を提供するために、空気媒介体による低い静電容量
を有するだけでなく、縦方向や横方向に最大限の熱的移
動及び/または機械的移動を接続パッドに附与する。こ
のように最小限の接点は、弾性接合を提供して、ハンダ
接合部の機械的ストレスを減少させることができる。
所望の接続パッドのサイズより大きく、幾つかの周辺支
持部を有する不規則な形態のキャビティを、集積回路基
板に形成し、2)単量体物質、重合体物質、弾性体物質
のような可溶性物質をキャビティ内に充填し、3)可溶
性物質を硬化した後、可溶性物質と周辺支持部上に金属
パッド層を蒸着し、4)周辺支持部によって支持され、
電気的に接触する金属パッド層下に空気層が形成される
ように、可溶性物質を溶解させて除去する。
明の実施例を詳しく説明する。図面において、同じ参照
番号は同じ構成要素を示す。
0の形成段階前後の空気キャビティ120を示す平面図
である。図2aの平面図は、絶縁層110に形成された
空気キャビティ120を図示している。空気キャビティ
120の深さは、いかなる環境的機械的条件でも金属接
続パッド(図2bの130)の屈曲が空気キャビティ1
20の底面と当接しない程度に十分に深い。空気キャビ
ティ120は、絶縁層110の突出した支持部112が
後続工程で形成されるべき金属接続パッド(図2bの1
30)を支持することができる形態を有する。支持部1
12は、大抵、3つまたは4つ形成されることが好まし
く、少なくとも対向する2つの支持部112は必ず必要
である。はんだ付け過程で、垂直方向に最大限の流動性
が要求される場合には、ただ2つの支持部のみ使用する
ことによって、ハンダボールのはんだ付け過程で金属接
続パッドに振動力を附与する。他の実施例の場合、サイ
ズ面でのウェーハレベルパッケージング技術の長所をそ
のまま生かしながら、接続弾性力と信頼性のために、外
部接続手段としてワイヤーを使用することができる。
ィ120上に金属接続パッド110が形成された後の空
気パッド構造を示す。すなわち、本明細書において、
「空気パッド構造」は、便宜上空気キャビティ120と
金属接続パッド110との結合体を示す意味として用い
られる。図2a及び図2bの平面図から明らかなよう
に、空気キャビティ120は、支持部112を除いて金
属接続パッド130より大きい。これにより、金属接続
パッド110の一部が支持部112と当接せずに、浮き
上がっていながら、下部の空気層側に制限的でも自由に
垂直振動することができる。また、空気キャビティ12
0は、空気キャビティ120のエッジ部と金属接続パッ
ド130のエッジ部との間に露出領域を提供し、これを
介して溶解液が供給され、可溶性の仮支持物が除去され
ることができる。
続経路として使用するために、配線パターン140が絶
縁層110上に形成され、1つ以上の支持部112にお
いて金属接続パッド130と連結される。すなわち、配
線パターン140は、金属接続パッド130と集積回路
との間を電気的に連結する。配線パターン140と金属
接続パッド130との間の総接触面積は、配線パターン
140の電流運搬断面と同一でなければならないので、
図2bに示されるように、配線パターン140と金属接
続パッド130の連結地点142で配線パターン140
の幅が広くなる。一方、金属接続パッド130は、楕円
形または矩形の形態を有し、長軸がウェーハレベルパッ
ケージの中心側に向けるように形成されることが、ハン
ダ接合特性の観点から好ましい。
沿って切断した断面図であり、図3bは、B−B′線に
沿って切断した断面図である。図2は、空気パッド構造
だけを示し、図3は、空気パッドを含むハンダ接合構造
を示している。図3a及び図3bを参照すれば、チップ
の集積回路を保護するために、第1絶縁層110が形成
される。第1絶縁層110は、チップを覆っているシリ
コン酸化膜、シリコン窒化膜、シリコン酸化窒化膜など
のような公知のパッシベーション層12と銀(Ag)ま
たは銅(Cu)などで形成される公知の配線及び接続パ
ターン間の熱膨張係数の差異から、そして機械的損傷か
らチップの集積回路を保護するために、パッシベーショ
ン層12と配線及び接続パターンの間に介在される。す
なわち、第1絶縁層110は、応力緩衝層として機能
し、電気信号応答特性を向上させる。第1絶縁層110
は、厚さが2〜50μm程度のポリイミド物質(誘電
率:2.8)で形成されることが好ましい。
130と配線パターン(図2bの140)が形成され
る。金属接続パッド130と配線パターンは、銀(A
g)または銅(Cu)のような金属よりなる。金属接続
パッド130と配線パターンは、スパッタリング、真空
蒸着(evaporation)、電解メッキ、無電解
メッキなどのように通常的な方法、またはこれら方法の
組合により形成される。メッキ方法を使用する場合、金
属接続パッド130を形成する前、シード(seed)
金属層132を形成する。配線パターンの厚さは、通常
的なウェーハ製造工程で形成される配線パターンの厚さ
より厚いように約15〜50μmが好ましい。
0μmのポリイミド物質で第2絶縁層160を形成する
ことが好ましい。第2絶縁層160は、ハンダボール4
0の側面を機械的に保護し、ハンダボール40の接合不
良を防止し、チップに加えられる機械的損傷を減少させ
るだけでなく、電気的特性を向上させる。第2絶縁層1
60をなす物質は、外部環境からチップを保護すること
ができる機械的化学的特性を考慮して選択することが好
ましい。
接続パッド130には、ニッケル(Ni)または金(A
u)のような金属が電解メッキまたは無電解メッキさ
れ、耐食性保護層134が形成される。ハンダボール4
0は、保護層134が形成された金属接続パッド130
上に形成される。
ッドハンダ接合構造の製造方法を示す工程断面図であ
り、図2aと図2bのB−B′線に沿って切断した断面
図に該当する。図4には、空気キャビティ120と金属
接続パッド130間の露出領域、すなわち仮支持物が除
去される通路が図示されていないが、露出領域もやはり
本発明の構成要素として含まれる。
に形成された公知のパッシベーション層12を示す。パ
ッシベーション層12は、通常的なウェーハ製造方法で
形成される。次いで、図4bに示されるように、パッシ
ベーション層12上にポリイミド物質を塗布した後、軟
化(soft−cure)、露光、現像して、第1絶縁
層110を形成する。引続き、第1絶縁層110をエッ
チングして、空気キャビティ120と支持部(図2aの
112)を形成した後、第1絶縁層110を硬化(ha
rd−cure)する。
テージ−エイブル(stage−able)ポリマー1
22をスピン−コーティング(spin−coatin
g)方法によって形成する。B−ステージ−エイブルポ
リマー122は、パッシベーション層だけでなく、第1
絶縁層110の上部をも覆う。その後、図4dに示され
るように、B−ステージ−エイブルポリマー122の表
面を均一にすると同時に、空気キャビティ内部にのみ残
存するように、エッチ−バックまたは化学的機械的研磨
工程を用いてB−ステージ−エイブルポリマー122を
平坦化させる。次いで、図4eに示されように、結果物
の全面にシード金属層132をスパッタリングした後、
シード金属層132上にフォトレジスト150を塗布
し、図4fに示されるように、フォトレジスト150を
パターニングする。
属層132の露出された部分に金属をメッキし、フォト
レジスト150を除去すれば、図4gに示されるよう
に、金属接続パッド130が形成される。次いで、金属
接続パッド130をマスクとして、図4hに示されるよ
うに、金属接続パッド130の外部に露出したシード金
属層132をエッチングで除去する。
に、空気キャビティ120を満たしているB−ステージ
−エイブルポリマー122を除去する。前述したよう
に、金属接続パッド130を形成するために、仮支持物
の役目をするB−ステージ−エイブルポリマー122
は、空気キャビティ120の隅と金属接続パッド130
の隅との間にある露出された領域を介して除去される。
B−ステージ−エイブルポリマー122の除去方法で
は、湿式エッチング化学溶液を用いた溶解方法が好まし
い。引続き、図4jに示されるように、金属接続パッド
130の側面を支持するために、第2絶縁層160を形
成する。第2絶縁層160を介して露出された金属接続
パッド130の表面は、無電解メッキ方法を用いてニッ
ケル(Ni)や金(Au)とのような耐食性保護層13
4でメッキされる。最後に、図4kに示されるように、
金属接続パッド130の上部にハンダボール40を形成
する。
仮支持物を構成する可溶性物質として、B−ステージ−
エイブルポリマーを使用したが、ポリシロキサン(po
lysiloxane)のような他の物質に代替するこ
とができる。
は、金属接続パッド130下部に開放された空気層が形
成された空気パッド構造を含む。これにより、ウェーハ
レベルパッケージの信頼性及び電気的特性を向上させる
ことができる。
00の第2実施例を示す。この実施例の金属接続パッド
230は、楕円に近い形態を有する。そして、金属接続
パッド230から突出した2つの金属突出部236が第
1絶縁層110の支持部に支持される。一方、図5b
は、本発明による空気パッド構造300の第3実施例を
示す。この実施例において、金属接続パッド330は、
ほぼ円形に近い形態を有する。図5の2つの実施例にお
いて、金属接続パッド230、330の金属突出部23
6は、第1絶縁層110の支持部と接触し、空気キャビ
ティ120上に浮き上がっている金属接続パッド23
0、330が支持されるようにするものであるが、ハン
ダボールが直接形成される部分ではない。
ハレベルパッケージの電気的性能及び相互接続の信頼性
を向上させるために、ハンダ接合用金属接続パッドの下
部に空気層を含む空気パッド構造を提供する。金属接続
パッドの下部に、空気のように誘電率が低い物質を使用
することによって、パッド静電容量が減少し、電気信号
伝達速度が向上する。さらに、金属接続パッド周辺が最
小限の支持部だけにより支持される構造であるから、チ
ップと印刷回路基板との間の異なる長さ変化による機械
的ストレスを最大限吸収することができる。したがっ
て、本発明のウェーハレベルパッケージは、相互接続信
頼性が優れ、製造費用が節減されるという効果がある。
ることなく、他の種々の形態で実施することができる。
前述の実施例は、あくまでも、本発明の技術内容を明ら
かにするものであって、そのような具体例のみに限定し
て狭義に解釈されるべきものではなく、本発明の精神と
特許請求の範囲内で、いろいろと変更して実施すること
ができるものである。
おける熱サイクルの段階、すなわち加熱段階と冷却段階
中に、熱膨張及び熱収縮によるハンダ接合構造の変化を
示す断面図。
おける熱サイクルの段階、すなわち加熱段階と冷却段階
中に、熱膨張及び熱収縮によるハンダ接合構造の変化を
示す断面図。
構造を示す平面図。
構造を示す平面図。
断した空気パッドハンダ接合構造の断面図。
断した空気パッドハンダ接合構造の断面図。
ハンダ接合構造の製造方法を示す工程断面図。
ハンダ接合構造の製造方法を示す工程断面図。
ハンダ接合構造の製造方法を示す工程断面図。
ハンダ接合構造の製造方法を示す工程断面図。
ハンダ接合構造の製造方法を示す工程断面図。
ハンダ接合構造の製造方法を示す工程断面図。
ハンダ接合構造の製造方法を示す工程断面図。
ハンダ接合構造の製造方法を示す工程断面図。
ハンダ接合構造の製造方法を示す工程断面図。
ハンダ接合構造の製造方法を示す工程断面図。
ハンダ接合構造の製造方法を示す工程断面図。
を示す平面図。
を示す平面図。
Claims (20)
- 【請求項1】 ウェーハレベルパッケージのハンダ接合
構造において、所定の基底層に形成された空気層と、前
記空気層の上部に形成された接続パッドとからなり、前
記空気層の一部が側面に前記接続パッドを超過して露出
された領域を含むことを特徴とする空気パッドハンダ接
合構造。 - 【請求項2】 前記基底層は、前記接続パッドを支持す
る複数個の周辺支持部を含み、前記空気層は、前記基底
層が前記周辺支持部を含むようにする幾何学的形態から
なることを特徴とする請求項1に記載の空気パッドハン
ダ接合構造。 - 【請求項3】 前記複数個の周辺支持部のうち少なくと
も1つは、前記接続パッドと電気的に連結された配線パ
ターンを支持することを特徴とする請求項2に記載の空
気パッドハンダ接合構造。 - 【請求項4】 前記基底層は、集積回路基板上に形成さ
れた絶縁層であることを特徴とする請求項1に記載の空
気パッドハンダ接合構造。 - 【請求項5】 前記絶縁層は、前記接続パッドを支持す
るための突出部を含むことを特徴とする請求項4に記載
の空気パッドハンダ接合構造。 - 【請求項6】 前記突出部中の1つは、前記接続パッド
と電気的に連結された配線パターンを支持することを特
徴とする請求項5に記載の空気パッドハンダ接合構造。 - 【請求項7】 前記接続パッドの一部を露出させる第2
絶縁層をさらに含むことを特徴とする請求項4に記載の
空気パッドハンダ接合構造。 - 【請求項8】 前記接続パッドの露出された一部に形成
された保護層をさらに含むことを特徴とする請求項7に
記載の空気パッドハンダ接合構造。 - 【請求項9】 ウェーハレベルパッケージのハンダ接合
構造の製造方法において、 集積回路基板上に空気キャビティを形成する段階と、 除去可能な物質で前記空気キャビティを満たし、仮支持
物を形成する段階と、 前記仮支持物上に金属層を形成する段階と、 前記空気キャビティの一部が側面に接続パッドを超過す
るように、前記金属層をパターニングして、前記接続パ
ッドを形成する段階と、 前記空気キャビティから前記仮支持物を除去して、空気
層を形成する段階と、 前記接続パッドの上部にハンダボールを形成する段階
と、を含むことを特徴とする空気パッドハンダ接合構造
の製造方法。 - 【請求項10】 前記仮支持物は、前記金属層の形成段
階の前に平坦化されることを特徴とする請求項9に記載
の空気パッドハンダ接合構造の製造方法。 - 【請求項11】 前記仮支持物の平坦化は、エッチ−バ
ック工程または化学的機械的研磨工程のいずれか1つに
より行われることを特徴とする請求項10に記載の空気
パッドハンダ接合構造の製造方法。 - 【請求項12】 前記仮支持物を形成する前記除去可能
な物質は、単量体物質、重合体物質及び弾性体物質より
なる群から選択された物質であることを特徴とする請求
項9に記載の空気パッドハンダ接合構造の製造方法。 - 【請求項13】 前記仮支持物を形成する前記除去可能
な物質は、B−ステージ−エイブル(B−stage−
able)物質であることを特徴とする請求項9に記載
の空気パッドハンダ接合構造の製造方法。 - 【請求項14】 前記空気キャビティは、前記集積回路
基板上に絶縁層を蒸着しパターニングする段階により形
成されることを特徴とする請求項9に記載の空気パッド
ハンダ接合構造の製造方法。 - 【請求項15】 前記仮支持物の除去段階は、湿式エッ
チング化学溶液を用いた溶解方法により行われることを
特徴とする請求項14に記載の空気パッドハンダ接合構
造の製造方法。 - 【請求項16】 前記接続パッドの形成段階の後、前記
接続パッドの一部が露出するように、前記接続パッド上
に絶縁層が形成されることを特徴とする請求項9に記載
の空気パッドハンダ接合構造の製造方法。 - 【請求項17】 前記接続パッドの形成段階の後、前記
接続パッド上に保護層が形成されることを特徴とする請
求項9に記載の空気パッドハンダ接合構造の製造方法。 - 【請求項18】 前記保護層は、無電解メッキ工程によ
り形成されることを特徴とする請求項17に記載の空気
パッドハンダ接合構造の製造方法。 - 【請求項19】 前記保護層は、金属から形成されるこ
とを特徴とする請求項18に記載の空気パッドハンダ接
合構造の製造方法。 - 【請求項20】 前記金属は、金とニッケルよりなる群
から選択されることを特徴とする請求項19に記載の空
気パッドハンダ接合構造の製造方法。
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