JPH02209739A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH02209739A JPH02209739A JP3076689A JP3076689A JPH02209739A JP H02209739 A JPH02209739 A JP H02209739A JP 3076689 A JP3076689 A JP 3076689A JP 3076689 A JP3076689 A JP 3076689A JP H02209739 A JPH02209739 A JP H02209739A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead frame
- box
- semiconductor element
- molded body
- resin molded
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 52
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 23
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 81
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 81
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 claims abstract description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 26
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 20
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 12
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 abstract description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract 2
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 abstract 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 11
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 11
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 8
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 4
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 4
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 3
- 238000005422 blasting Methods 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 3
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 3
- XQUPVDVFXZDTLT-UHFFFAOYSA-N 1-[4-[[4-(2,5-dioxopyrrol-1-yl)phenyl]methyl]phenyl]pyrrole-2,5-dione Chemical compound O=C1C=CC(=O)N1C(C=C1)=CC=C1CC1=CC=C(N2C(C=CC2=O)=O)C=C1 XQUPVDVFXZDTLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N Abietic-Saeure Natural products C12CCC(C(C)C)=CC2=CCC2C1(C)CCCC2(C)C(O)=O RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N Rosin Natural products O(C/C=C/c1ccccc1)[C@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H](O)[C@@H](CO)O1 KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N 0.000 description 2
- XSTXAVWGXDQKEL-UHFFFAOYSA-N Trichloroethylene Chemical group ClC=C(Cl)Cl XSTXAVWGXDQKEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 2
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920003192 poly(bis maleimide) Polymers 0.000 description 2
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N trans-cinnamyl beta-D-glucopyranoside Natural products OC1C(O)C(O)C(CO)OC1OCC=CC1=CC=CC=C1 KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000282326 Felis catus Species 0.000 description 1
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 1
- 230000001680 brushing effect Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- -1 curing accelerators Substances 0.000 description 1
- 229920006332 epoxy adhesive Polymers 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-M hexanoate Chemical compound CCCCCC([O-])=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 1
- AFEQENGXSMURHA-UHFFFAOYSA-N oxiran-2-ylmethanamine Chemical compound NCC1CO1 AFEQENGXSMURHA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 1
- 229920006380 polyphenylene oxide Polymers 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 1
- 239000013464 silicone adhesive Substances 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
Landscapes
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の技術分野
本発明は、半導体装置の製造方法に関し、さらに詳しく
は、樹脂モールド部を損傷させずにリードフレーム上に
発生する樹脂のフラッシュバリを除去して、リードフレ
ームと半導体素子との電気的接続を良好にする気密封止
式半導体装置の製造方法に関する。
は、樹脂モールド部を損傷させずにリードフレーム上に
発生する樹脂のフラッシュバリを除去して、リードフレ
ームと半導体素子との電気的接続を良好にする気密封止
式半導体装置の製造方法に関する。
発明の技術的背景
箱型中空樹脂成形体、リードフレーム、半導体チップ、
ボンディングワイヤーおよび蓋材からなる気密封止式の
半導体装置の製造方法において、従来、箱型中空樹脂成
形体を成形する際には、リードフレームを金型内に埋込
んだ後、この金型内で樹脂を射出成形やトランスファー
成形することにより、リードフレームと箱型中空樹脂成
形体とを一体化する、いわゆるインサート成形を行なう
のが一般的である。
ボンディングワイヤーおよび蓋材からなる気密封止式の
半導体装置の製造方法において、従来、箱型中空樹脂成
形体を成形する際には、リードフレームを金型内に埋込
んだ後、この金型内で樹脂を射出成形やトランスファー
成形することにより、リードフレームと箱型中空樹脂成
形体とを一体化する、いわゆるインサート成形を行なう
のが一般的である。
しかしながら、このようなインサート成形では、リード
フレームの表面に樹脂のフラッシュバリが発生するため
、リードフレームと半導体素子との電気的接続が容易に
行なうことができないという問題点があった。
フレームの表面に樹脂のフラッシュバリが発生するため
、リードフレームと半導体素子との電気的接続が容易に
行なうことができないという問題点があった。
この問題点を解消するために、従来、あらかじめリード
フレーム上に半導体素子を電気的に接続した後、樹脂成
形する方法が一般に採用されている。
フレーム上に半導体素子を電気的に接続した後、樹脂成
形する方法が一般に採用されている。
しかしながら、この方法では、成形時に半導体素子が高
熱および衝撃を受けるため、半導体素子の機能が損われ
易いという問題点があった。
熱および衝撃を受けるため、半導体素子の機能が損われ
易いという問題点があった。
また、上記フラッシュバリを除去してリードフレームと
半導体素子との電気的接続を容易にする方法が試みられ
ている。たとえば砥粒を用いてフラッシュバリを除去す
るブラスト方法、薬品を用いてフラッシュバリを溶解剥
離する方法、液体を高圧噴射してフラッシュバリを除去
する方法(特開昭80−1502033号公報)がある
。
半導体素子との電気的接続を容易にする方法が試みられ
ている。たとえば砥粒を用いてフラッシュバリを除去す
るブラスト方法、薬品を用いてフラッシュバリを溶解剥
離する方法、液体を高圧噴射してフラッシュバリを除去
する方法(特開昭80−1502033号公報)がある
。
しかしながら、上記ブラスト方法では、樹脂モールド部
の表面が損傷するため、樹脂モールド部分の表面をマス
キングしなければならず、製造工程が複雑になるという
問題点があった。また、薬品を用いる方法では、フラッ
シュバリを剥離させることは可能であっても、完全にフ
ラッシュバリを取除くことができず、さらにブラッシン
グなどを行なう必要があるため、樹脂モールド部の表面
が損傷し、上記ブラスト法と同様の問題点があった。ま
た、液体を高圧噴射する方法では、リードフレームの表
裏面に付着しているフラッシュバリを除去しなければな
らないため、噴射ノズルを2個具備する複雑な構造を有
する高圧液体噴射装置を必要とするという問題点があっ
た。
の表面が損傷するため、樹脂モールド部分の表面をマス
キングしなければならず、製造工程が複雑になるという
問題点があった。また、薬品を用いる方法では、フラッ
シュバリを剥離させることは可能であっても、完全にフ
ラッシュバリを取除くことができず、さらにブラッシン
グなどを行なう必要があるため、樹脂モールド部の表面
が損傷し、上記ブラスト法と同様の問題点があった。ま
た、液体を高圧噴射する方法では、リードフレームの表
裏面に付着しているフラッシュバリを除去しなければな
らないため、噴射ノズルを2個具備する複雑な構造を有
する高圧液体噴射装置を必要とするという問題点があっ
た。
発明の目的
本発明は、上記のような問題点を解決しようとするもの
であって、樹脂モールド部を損傷させずにリードフレー
ム上に発生する樹脂のフラッシュバリを完全に除去して
、リードフレームと半導体素子との電気的接続を良好に
した半導体装置の製造方法を提供することを目的として
いる。
であって、樹脂モールド部を損傷させずにリードフレー
ム上に発生する樹脂のフラッシュバリを完全に除去して
、リードフレームと半導体素子との電気的接続を良好に
した半導体装置の製造方法を提供することを目的として
いる。
発明の概要
本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体素子、リ
ードフレーム、および該半導体素子の電極とリードフレ
ームとを電気的に接続するボンディングワイヤーを具備
し、かつ、該半導体素子が収容される凹部を有する箱型
樹脂成形体と、該箱型樹脂成形体の凹部全体を密閉する
蓋材とを具備する半導体装置を製造するに際して、リー
ドフレームにおける箱型樹脂成形体の成形用金型との接
触予定部分に、箱型樹脂成形体の樹脂成形温度に耐える
マスキングテープを貼着し、このリードフレームを金型
内に設置した状態で金型内に樹脂を射出成形して、リー
ドフレームと一体となった箱型樹脂成形体を得る工程と
、前工程で得られたリードフレーム付箱型樹脂成形体の
リードフレーム上の前記マスキングテープを除去する工
程と、 リードフレームのアイランドに半導体素子をダイボンデ
ィングした後、該半導体素子の電極とリードフレームの
内部リードとをワイヤーボンディングする工程と、 前記箱型樹脂成形体の凹部に蓋材を接着して箱型樹脂成
形体の凹部全体を密閉する工程とからなることを特徴と
している。
ードフレーム、および該半導体素子の電極とリードフレ
ームとを電気的に接続するボンディングワイヤーを具備
し、かつ、該半導体素子が収容される凹部を有する箱型
樹脂成形体と、該箱型樹脂成形体の凹部全体を密閉する
蓋材とを具備する半導体装置を製造するに際して、リー
ドフレームにおける箱型樹脂成形体の成形用金型との接
触予定部分に、箱型樹脂成形体の樹脂成形温度に耐える
マスキングテープを貼着し、このリードフレームを金型
内に設置した状態で金型内に樹脂を射出成形して、リー
ドフレームと一体となった箱型樹脂成形体を得る工程と
、前工程で得られたリードフレーム付箱型樹脂成形体の
リードフレーム上の前記マスキングテープを除去する工
程と、 リードフレームのアイランドに半導体素子をダイボンデ
ィングした後、該半導体素子の電極とリードフレームの
内部リードとをワイヤーボンディングする工程と、 前記箱型樹脂成形体の凹部に蓋材を接着して箱型樹脂成
形体の凹部全体を密閉する工程とからなることを特徴と
している。
発明の詳細な説明
以下、本発明に係る半導体装置の製造方法を図に基づい
て具体的に説明する。
て具体的に説明する。
第1図は、本発明に係る半導体装置の製造方法における
一工程概略図であり、第2図は、本発明に係る製造方法
により得られる半導体装置の構成を表わす概略図である
。
一工程概略図であり、第2図は、本発明に係る製造方法
により得られる半導体装置の構成を表わす概略図である
。
まず、本発明に係る半導体装置の製造方法の第1工程で
は、リードフレーム2が一体となった箱型樹脂成形体1
をインサート成形法によって得る。
は、リードフレーム2が一体となった箱型樹脂成形体1
をインサート成形法によって得る。
その際に本発明では、第1図に示すように、リードフレ
ーム2を箱型樹脂成形体1の成形用金型3内に設置する
前に、リードフレーム2における金型3との接触予定部
分2a、2bおよび2Cに、箱型樹脂成形体1の樹脂成
形温度に耐えるマスキングテープ4を貼着し、その後、
該リードフレーム2を金型3内に設置して樹脂を注入し
、射出成形する。
ーム2を箱型樹脂成形体1の成形用金型3内に設置する
前に、リードフレーム2における金型3との接触予定部
分2a、2bおよび2Cに、箱型樹脂成形体1の樹脂成
形温度に耐えるマスキングテープ4を貼着し、その後、
該リードフレーム2を金型3内に設置して樹脂を注入し
、射出成形する。
本発明で用いられるマスキングテープ4としては、具体
的には、箱型樹脂成形体1の樹脂成形温度100〜25
0℃で溶融しない材料、たとえば銅、アルミニウム等の
金属材料、ポリイミド、ポリエステル、ポリアミド、テ
フロン等のプラスチック材料からなるテープの裏面に、
アクリル系接着剤、シリコーン系接着剤などの感圧接着
剤がコーティングされている粘着テープが挙げられる。
的には、箱型樹脂成形体1の樹脂成形温度100〜25
0℃で溶融しない材料、たとえば銅、アルミニウム等の
金属材料、ポリイミド、ポリエステル、ポリアミド、テ
フロン等のプラスチック材料からなるテープの裏面に、
アクリル系接着剤、シリコーン系接着剤などの感圧接着
剤がコーティングされている粘着テープが挙げられる。
本発明で用いられるマスキングテープ4の厚みは、通常
10〜100μm1好ましくは20〜50μmである。
10〜100μm1好ましくは20〜50μmである。
また、本発明においては、上記のようなマスキングテー
プの他、箱型樹脂成形体1の樹脂成形温度100〜25
0℃で溶融しない材料からなるテープの裏面、またはリ
ードフレーム2における前記接触予定部分2a、2bお
よび2Cに、箱型樹脂成形体1を溶解することのない溶
媒に可溶な接着剤を塗布した後、該テープで前記接触予
定部分2a、2bおよび2Cをマスキングすることがで
きる。この際に用いられる接着剤としては、具体的には
、ポリスルホン(PS)、ポリエーテルスルホン、ポリ
エーテルエーテルケトン、ポリフェニレンオキシド、ポ
リビニルアルコール、アクリル系樹脂、セルロース誘導
体などの熱可塑性樹脂、エポキシ系樹脂、ポリイミド系
樹脂、フェノール系樹脂などの熱硬化性樹脂、またはこ
れら熱硬化性樹脂の予備硬化物さらにロジンおよびその
誘導体などが挙げられる。中でも、セルロース誘導体、
エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂ロジン誘導体が好ま
しい。
プの他、箱型樹脂成形体1の樹脂成形温度100〜25
0℃で溶融しない材料からなるテープの裏面、またはリ
ードフレーム2における前記接触予定部分2a、2bお
よび2Cに、箱型樹脂成形体1を溶解することのない溶
媒に可溶な接着剤を塗布した後、該テープで前記接触予
定部分2a、2bおよび2Cをマスキングすることがで
きる。この際に用いられる接着剤としては、具体的には
、ポリスルホン(PS)、ポリエーテルスルホン、ポリ
エーテルエーテルケトン、ポリフェニレンオキシド、ポ
リビニルアルコール、アクリル系樹脂、セルロース誘導
体などの熱可塑性樹脂、エポキシ系樹脂、ポリイミド系
樹脂、フェノール系樹脂などの熱硬化性樹脂、またはこ
れら熱硬化性樹脂の予備硬化物さらにロジンおよびその
誘導体などが挙げられる。中でも、セルロース誘導体、
エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂ロジン誘導体が好ま
しい。
本発明における箱型樹脂成形体1を構成す、る樹脂とし
ては、リードフレーム2との密着性の良い熱硬化性樹脂
が用いられ、具体的には、ビスフェノールA型、ノボラ
ック型、グリシジルアミン型などのエポキシ系樹脂、ポ
リアミノビスマレイミド、ポリピロメリットイミドなど
のイミド系樹脂が用いられ、硬化剤、硬化促進剤、充填
剤なども含む。
ては、リードフレーム2との密着性の良い熱硬化性樹脂
が用いられ、具体的には、ビスフェノールA型、ノボラ
ック型、グリシジルアミン型などのエポキシ系樹脂、ポ
リアミノビスマレイミド、ポリピロメリットイミドなど
のイミド系樹脂が用いられ、硬化剤、硬化促進剤、充填
剤なども含む。
本発明において、上記インサート成形の条件は、使用す
る樹脂によっても異なるが、通常、圧力10〜500k
g/cat、温度100〜250℃の条件で加圧加熱を
行なう。
る樹脂によっても異なるが、通常、圧力10〜500k
g/cat、温度100〜250℃の条件で加圧加熱を
行なう。
次に、本発明に係る製造方法の第2工程では、前工程で
得られたリードフレーム付箱型樹脂成形体1のリードフ
レーム2上のマスキングテープ4を除去する。本発明に
おいて、マスキングテープ4として粘着テープを用いる
場合には、この粘着テープを剥ぎ取る。また、上述のマ
スキングの際に、箱型樹脂成形体1を溶解することのな
い溶媒に可溶な接着剤を用いるマスキング方法を採る場
合には、前工程で得られたリードフレーム付箱型樹脂成
形体1を、前記溶媒に浸してリードフレーム2とマスキ
ングテープ4との間に介在している接着剤を溶解してマ
スキングテープ4を除去する。
得られたリードフレーム付箱型樹脂成形体1のリードフ
レーム2上のマスキングテープ4を除去する。本発明に
おいて、マスキングテープ4として粘着テープを用いる
場合には、この粘着テープを剥ぎ取る。また、上述のマ
スキングの際に、箱型樹脂成形体1を溶解することのな
い溶媒に可溶な接着剤を用いるマスキング方法を採る場
合には、前工程で得られたリードフレーム付箱型樹脂成
形体1を、前記溶媒に浸してリードフレーム2とマスキ
ングテープ4との間に介在している接着剤を溶解してマ
スキングテープ4を除去する。
本発明においては、インサート成形して得られる箱型樹
脂成形体1を溶解することなく、リードフレーム2とマ
スキングテープ4との間に介在している接着剤を溶解す
る溶媒が用いられる。溶媒の具体例としては、トルエン
、キシレン、酢酸エチル、酢酸ブチル、アセトン、メチ
ルエチルケトン、メチレンクロライド、メチルセロソル
ブ、トリクロルエチレン、ジメチルホルムアミド、N−
メチルピロリドンなどが挙げられる。実際には、これら
の溶媒の中から、箱型樹脂成形体を構成する樹脂の種類
および接着剤の種類に応じて適当なものが選ばれる。た
とえば、箱型樹脂成形体を構成する樹脂がポリアミノビ
スマレイミドで接着剤がポリスルホンの場合は、メチル
エチルケトンやトリクロルエチレンなどの溶媒などが適
当である。
脂成形体1を溶解することなく、リードフレーム2とマ
スキングテープ4との間に介在している接着剤を溶解す
る溶媒が用いられる。溶媒の具体例としては、トルエン
、キシレン、酢酸エチル、酢酸ブチル、アセトン、メチ
ルエチルケトン、メチレンクロライド、メチルセロソル
ブ、トリクロルエチレン、ジメチルホルムアミド、N−
メチルピロリドンなどが挙げられる。実際には、これら
の溶媒の中から、箱型樹脂成形体を構成する樹脂の種類
および接着剤の種類に応じて適当なものが選ばれる。た
とえば、箱型樹脂成形体を構成する樹脂がポリアミノビ
スマレイミドで接着剤がポリスルホンの場合は、メチル
エチルケトンやトリクロルエチレンなどの溶媒などが適
当である。
本発明においては、インサート成形して箱型樹脂成形体
1を製造する際に発生する樹脂のフラッシュバリは、あ
らかじめリードフレーム2上に貼着されているマスキン
グテープ4の上に載ることになるか、あるいはこのマス
キングテープ4がシール材の役目をして、パリ発生を押
えるため、このリードフレーム2上のマスキングテープ
4を除去すれば、樹脂モールド部を損傷させずにフラッ
シュバリを除去することができる。
1を製造する際に発生する樹脂のフラッシュバリは、あ
らかじめリードフレーム2上に貼着されているマスキン
グテープ4の上に載ることになるか、あるいはこのマス
キングテープ4がシール材の役目をして、パリ発生を押
えるため、このリードフレーム2上のマスキングテープ
4を除去すれば、樹脂モールド部を損傷させずにフラッ
シュバリを除去することができる。
次に、本発明に係る製造方法の第3工程では、第2図に
示すように、リードフレームのアイランド2aに半導体
素子5をダイボンディングした後、該半導体素子5の電
極とリードフレームの内部リード2bとをワイヤーボン
ディングする。
示すように、リードフレームのアイランド2aに半導体
素子5をダイボンディングした後、該半導体素子5の電
極とリードフレームの内部リード2bとをワイヤーボン
ディングする。
上記ダイボンディングによりリードフレームのアイラン
ド2aと半導体素子5とが電気的に接続され、また上記
ワイヤーボンディングにより半導体素子5の電極とリー
ドフレームの内部リード2bとが金線、アルミニウム線
などからなるポンデイグワイヤー6を介して電気的に接
続される。
ド2aと半導体素子5とが電気的に接続され、また上記
ワイヤーボンディングにより半導体素子5の電極とリー
ドフレームの内部リード2bとが金線、アルミニウム線
などからなるポンデイグワイヤー6を介して電気的に接
続される。
本発明においては、上記電気的接続を箱型樹脂成形体1
を成形した後に行なっているため、従来のように、箱型
樹脂成形体1の成形時に半導体素子5が高熱および衝撃
を受けることはなく、したかって半導体素子5はその本
来の機能を保持することができる。
を成形した後に行なっているため、従来のように、箱型
樹脂成形体1の成形時に半導体素子5が高熱および衝撃
を受けることはなく、したかって半導体素子5はその本
来の機能を保持することができる。
最後に、本発明に係る製造方法の第4工程では、前記箱
型樹脂成形体1の凹部に蓋材7を接着して箱型樹脂成形
体1の凹部全体を密閉する。
型樹脂成形体1の凹部に蓋材7を接着して箱型樹脂成形
体1の凹部全体を密閉する。
本発明で用いられる蓋材7は、特に限定されず、従来公
知の蓋材を用いることができ、具体的には、石英ガラス
板、サファイア板、透明アルミナ板、透明プラスチック
板などの透明蓋材、着色ガラス板、アルミナ等のセラミ
ックス板、着色プラスチック板などの不透明蓋材が挙げ
られる。
知の蓋材を用いることができ、具体的には、石英ガラス
板、サファイア板、透明アルミナ板、透明プラスチック
板などの透明蓋材、着色ガラス板、アルミナ等のセラミ
ックス板、着色プラスチック板などの不透明蓋材が挙げ
られる。
本発明において、上記のような蓋材7を箱型樹脂成形体
1に接着する際に用いられる接着剤としては、エポキシ
系接着剤、イミド系接着剤、アクリル系接着剤などが挙
げられる。
1に接着する際に用いられる接着剤としては、エポキシ
系接着剤、イミド系接着剤、アクリル系接着剤などが挙
げられる。
発明の効果
本発明に係る製造方法によれば、
リードフレームにおける箱型樹脂成形体の成形用金型と
の接触予定部分に、箱型樹脂成形体の樹脂成形温度に耐
えるマスキングテープを貼着し、このリードフレームを
金型内に設置した状態で金型内に樹脂を射出成形して、
リードフレームと一体となった箱型樹脂成形体を得る工
程と、前工程で得られたリードフレーム付箱型樹脂成形
体のリードフレーム上の前記マスキングテープを除去す
る工程とを経て、半導体素子とリードフレームのアイラ
ンドとの間および半導体素子の電極とリードフレームの
内部リードとの間を電気的に接続して半導体装置を製造
するので、樹脂モールド部を損傷させることなくリード
フレーム上に発生する樹脂のフラッシュバリを容易に除
去するか発生を押えるかして、リードフレームと半導体
素子との電気的接続を良好にすることができるという効
果がある。
の接触予定部分に、箱型樹脂成形体の樹脂成形温度に耐
えるマスキングテープを貼着し、このリードフレームを
金型内に設置した状態で金型内に樹脂を射出成形して、
リードフレームと一体となった箱型樹脂成形体を得る工
程と、前工程で得られたリードフレーム付箱型樹脂成形
体のリードフレーム上の前記マスキングテープを除去す
る工程とを経て、半導体素子とリードフレームのアイラ
ンドとの間および半導体素子の電極とリードフレームの
内部リードとの間を電気的に接続して半導体装置を製造
するので、樹脂モールド部を損傷させることなくリード
フレーム上に発生する樹脂のフラッシュバリを容易に除
去するか発生を押えるかして、リードフレームと半導体
素子との電気的接続を良好にすることができるという効
果がある。
また、本発明に係る製造方法によれば、マスキングテー
プの貼着および除去を短時間で行なうことができるので
、樹脂のフラッシュバリの除去処理が簡単であるという
効果がある。
プの貼着および除去を短時間で行なうことができるので
、樹脂のフラッシュバリの除去処理が簡単であるという
効果がある。
第1図は、本発明に係る半導体装置の製造方法における
一工程概略図であり、第2図は、本発明に係る製造方法
により得られる半導体装置の構成を表わす概略図である
。 1・・・箱型樹脂成形体 2・・・リードフレーム 2a・・・接触予定部分 ゛(リードフレームのアイランド) 2b・・・接触予定部分 (リードフレームの内部リード) 2C・・・接触予定部分 (リードフレームの外部リード) 3・・・金型 4・・・マスキングテープ 5・・・半導体素子 6・・・ボンディングワイヤー 7・・・蓋材 代理人 弁理士 鈴 木 俊一部
一工程概略図であり、第2図は、本発明に係る製造方法
により得られる半導体装置の構成を表わす概略図である
。 1・・・箱型樹脂成形体 2・・・リードフレーム 2a・・・接触予定部分 ゛(リードフレームのアイランド) 2b・・・接触予定部分 (リードフレームの内部リード) 2C・・・接触予定部分 (リードフレームの外部リード) 3・・・金型 4・・・マスキングテープ 5・・・半導体素子 6・・・ボンディングワイヤー 7・・・蓋材 代理人 弁理士 鈴 木 俊一部
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)半導体素子、リードフレーム、および該半導体素子
の電極とリードフレームとを電気的に接続するボンディ
ングワイヤーを具備し、かつ、該半導体素子が収容され
る凹部を有する箱型樹脂成形体と、該箱型樹脂成形体の
凹部全体を密閉する蓋材とを具備する半導体装置を製造
するに際して、リードフレームにおける箱型樹脂成形体
の成形用金型との接触予定部分に、箱型樹脂成形体の樹
脂成形温度に耐えるマスキングテープを貼着し、このリ
ードフレームを金型内に設置した状態で金型内に樹脂を
射出成形して、リードフレームと一体となった箱型樹脂
成形体を得る工程と、 前工程で得られたリードフレーム付箱型樹脂成形体のリ
ードフレーム上の前記マスキングテープを除去する工程
と、 リードフレームのアイランドに半導体素子をダイボンデ
ィングした後、該半導体素子の電極とリードフレームの
内部リードとをワイヤーボンディングする工程と、 前記箱型樹脂成形体の凹部に蓋材を接着して箱型樹脂成
形体の凹部全体を密閉する工程とからなることを特徴と
する半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3076689A JPH02209739A (ja) | 1989-02-09 | 1989-02-09 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3076689A JPH02209739A (ja) | 1989-02-09 | 1989-02-09 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02209739A true JPH02209739A (ja) | 1990-08-21 |
Family
ID=12312807
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3076689A Pending JPH02209739A (ja) | 1989-02-09 | 1989-02-09 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02209739A (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2684802A1 (fr) * | 1991-12-04 | 1993-06-11 | Gemplus Card Int | Procede de moulage de micromodules de circuits integres. |
WO1998035382A1 (en) * | 1997-02-10 | 1998-08-13 | Matsushita Electronics Corporation | Resin sealed semiconductor device and method for manufacturing the same |
US6126885A (en) * | 1997-06-27 | 2000-10-03 | Matsushita Electronics Corporation | Method for manufacturing resin-molded semiconductor device |
JP2005039195A (ja) * | 2003-06-26 | 2005-02-10 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | レンズ付き発光素子の製造方法 |
JP2006121278A (ja) * | 2004-10-20 | 2006-05-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | アンテナ装置及びこれを用いた通信システム |
DE102006010150A1 (de) * | 2005-09-22 | 2007-03-29 | Lite-On Technology Co. | Optisches Modul mit einer Linse, die ohne Kontaktierung eines Reflektors geformt ist, und Verfahren zur Herstellung desselben |
JP4551552B2 (ja) * | 2000-10-24 | 2010-09-29 | 米沢電線株式会社 | 複合回路基板 |
-
1989
- 1989-02-09 JP JP3076689A patent/JPH02209739A/ja active Pending
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2684802A1 (fr) * | 1991-12-04 | 1993-06-11 | Gemplus Card Int | Procede de moulage de micromodules de circuits integres. |
WO1998035382A1 (en) * | 1997-02-10 | 1998-08-13 | Matsushita Electronics Corporation | Resin sealed semiconductor device and method for manufacturing the same |
US6291274B1 (en) | 1997-02-10 | 2001-09-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Resin molded semiconductor device and method for manufacturing the same |
US6126885A (en) * | 1997-06-27 | 2000-10-03 | Matsushita Electronics Corporation | Method for manufacturing resin-molded semiconductor device |
US6258314B1 (en) | 1997-06-27 | 2001-07-10 | Matsushita Electronics Corporation | Method for manufacturing resin-molded semiconductor device |
JP4551552B2 (ja) * | 2000-10-24 | 2010-09-29 | 米沢電線株式会社 | 複合回路基板 |
JP2005039195A (ja) * | 2003-06-26 | 2005-02-10 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | レンズ付き発光素子の製造方法 |
JP2006121278A (ja) * | 2004-10-20 | 2006-05-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | アンテナ装置及びこれを用いた通信システム |
JP4631388B2 (ja) * | 2004-10-20 | 2011-02-16 | パナソニック株式会社 | アンテナ装置及びこれを用いた通信システム |
DE102006010150A1 (de) * | 2005-09-22 | 2007-03-29 | Lite-On Technology Co. | Optisches Modul mit einer Linse, die ohne Kontaktierung eines Reflektors geformt ist, und Verfahren zur Herstellung desselben |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR920008249B1 (ko) | 반도체장치의 제조방법 | |
JP3744927B2 (ja) | カプセル化電子部品、特に集積回路の製造方法 | |
JPH02209739A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH0729927A (ja) | 半導体集積回路装置の製造方法 | |
JP3112022B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH0251260A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2810309B2 (ja) | 半導体装置用箱型樹脂成形体の製造方法 | |
JP2662015B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH04199661A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH02222552A (ja) | 箱型樹脂成形体成形用金型およびこの金型を用いた半導体装置の製造方法 | |
JPH02222551A (ja) | 箱型樹脂成形体成形用金型およびこの金型を用いた半導体装置の製造方法 | |
JP2000200927A (ja) | 電子部品の製造方法 | |
JPS6214698Y2 (ja) | ||
JPH0653570A (ja) | 弾性表面波デバイスの製造方法 | |
JP3390507B2 (ja) | 半導体素子の封止方法及び封止装置 | |
JP4011178B2 (ja) | 半導体装置の製造方法、それに使用する樹脂基板及びテープ | |
JPS58166745A (ja) | チツプキヤリヤのシ−ル方法 | |
JPH0251259A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP2006093365A (ja) | 回路基板モジュール化方法 | |
JPH0442547A (ja) | プリント基板への部品搭載方法 | |
JPH03119817A (ja) | 電子部品及びその製造方法 | |
JP2002057265A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JPH0360137A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH01117348A (ja) | 半導体パッケージの製造方法 | |
JPH0425052A (ja) | 樹脂封止型半導体集積回路装置 |