JPH0360137A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH0360137A JPH0360137A JP1194076A JP19407689A JPH0360137A JP H0360137 A JPH0360137 A JP H0360137A JP 1194076 A JP1194076 A JP 1194076A JP 19407689 A JP19407689 A JP 19407689A JP H0360137 A JPH0360137 A JP H0360137A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
Landscapes
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は半導体装置に係り、特に固体撮像素子やＥＰＲ
ＯＭ等の樹脂成分以外に外部に露出する構成部材を有す
る半導体装置の製造方法に関する。
ＯＭ等の樹脂成分以外に外部に露出する構成部材を有す
る半導体装置の製造方法に関する。
［従来の技術］
樹脂成分以外に外部に露出する構成部材を有する半導体
装置としては、特開昭５４−８７１８５号公報に記載さ
れている。この装置の樹脂成形品では、リードフレーム
のアウタリード部とワイヤボンディング部が外部に露出
する。この成形品を従来行われている成形方法でリード
フレームを金型に設置し、樹脂注入をするとパリが発生
した。
装置としては、特開昭５４−８７１８５号公報に記載さ
れている。この装置の樹脂成形品では、リードフレーム
のアウタリード部とワイヤボンディング部が外部に露出
する。この成形品を従来行われている成形方法でリード
フレームを金型に設置し、樹脂注入をするとパリが発生
した。
アウタリード部のパリは〜型締めの圧力のため少く、ま
たリードフレーム切断工程で除去できる。
たリードフレーム切断工程で除去できる。
しかし、ワイヤボンディング部は、リードフレームの片
面が金型表面に接触する設置状態であり。
面が金型表面に接触する設置状態であり。
型締めの圧力が働らかず、リードフレームのバネ力のみ
で金型表面に接しているため、樹脂注入の圧力で厚いパ
リが発生する。
で金型表面に接しているため、樹脂注入の圧力で厚いパ
リが発生する。
［発明が解決しようとする課題］
上記従来技術は、パリ除去の点について配慮がされてい
なかった。サンドブラスト等でパリ除去を行うがパリが
厚く硬い場合、多大な時間を要するという問題、構成部
材を損傷するためワイヤボンディングが不完全になると
いう問題があった。
なかった。サンドブラスト等でパリ除去を行うがパリが
厚く硬い場合、多大な時間を要するという問題、構成部
材を損傷するためワイヤボンディングが不完全になると
いう問題があった。
本発明の目的は、構成部材上のパリ発生を抑え上記問題
を解決する製造方法を提供することにある。
を解決する製造方法を提供することにある。
［課題を解決するための手段］
上記目的は、成形金型に接する構成部材と成形金型面と
の間に有機成分を含む中間層を設置し、樹脂成形するこ
とにより、達成される。
の間に有機成分を含む中間層を設置し、樹脂成形するこ
とにより、達成される。
［作用］
構成部材と金型表面に中間層を設置することにより構成
部材及び金型表面は各々中間層と接することになる。そ
の接触面の密着力が樹脂成型時の接触面に侵入しようと
する樹脂の応力より高くなるためパリ発生がなくなる。
部材及び金型表面は各々中間層と接することになる。そ
の接触面の密着力が樹脂成型時の接触面に侵入しようと
する樹脂の応力より高くなるためパリ発生がなくなる。
有機成分を含む中間層が硬すぎると金型表面または部材
との密着性が低くなるため、中間層は弾性体かゲル状で
あることが必要である。
との密着性が低くなるため、中間層は弾性体かゲル状で
あることが必要である。
中間層の設置は、金型表面に接着、粘着させる方法、構
成部材に接着、粘着させる方法がある。
成部材に接着、粘着させる方法がある。
金型表面に接着、粘着させる場合、繰返し成形にもつた
め成形工程により変質、変形がないよう耐熱性、接着性
が優れた材質が好ましい、構成部材に接着、粘着させる
場合、中間層は構成部材に残るため、溶剤洗浄等で簡単
に脱離する粘着性物質が好ましい。
め成形工程により変質、変形がないよう耐熱性、接着性
が優れた材質が好ましい、構成部材に接着、粘着させる
場合、中間層は構成部材に残るため、溶剤洗浄等で簡単
に脱離する粘着性物質が好ましい。
これらの中間層の設置は、液状物質の塗布、硬化又は溶
剤に溶解した液の塗布、乾燥または硬化するか、シート
状にした弾性体、ゲル状物質を所定の位置に貼付して行
なわれる。
剤に溶解した液の塗布、乾燥または硬化するか、シート
状にした弾性体、ゲル状物質を所定の位置に貼付して行
なわれる。
弾性体としては天然ゴム、合成ゴムが用いられ耐熱性、
接着性に優れたシリコーン系、エポキシ系が好ましい、
金型表面と構成部材との密着性を高くするには、弾性体
の硬さはＪＩＳ−Ａで３０以下が好ましい、ゲル状物質
としては、適当な圧力で構成部材、金型表面と接着し、
離型の際片面を汚染することのない粘着性をもつものが
好ましい、それらは天然ゴム、アクリル系ゴムなど合成
ゴムまたはそれらに粘着付与剤を添加したものが用いら
れる。弾性体、ゲル状物質に、機械的強度が上げるため
、無機酸化物を添加してもよい。
接着性に優れたシリコーン系、エポキシ系が好ましい、
金型表面と構成部材との密着性を高くするには、弾性体
の硬さはＪＩＳ−Ａで３０以下が好ましい、ゲル状物質
としては、適当な圧力で構成部材、金型表面と接着し、
離型の際片面を汚染することのない粘着性をもつものが
好ましい、それらは天然ゴム、アクリル系ゴムなど合成
ゴムまたはそれらに粘着付与剤を添加したものが用いら
れる。弾性体、ゲル状物質に、機械的強度が上げるため
、無機酸化物を添加してもよい。
このように金型表面または構成部材に形成された中間層
の露出面を、残りの面に接触させ圧力をかけ、その弾性
または接着性によって密着性を高めることにより、成形
時のパリ発生が防止できる。
の露出面を、残りの面に接触させ圧力をかけ、その弾性
または接着性によって密着性を高めることにより、成形
時のパリ発生が防止できる。
［実施例］
実施例上
本発明の一実施例を第１，２図により説明する。
Ｆ ｅ −Ｎ ｉ合金からなるリードフレーム上のワイ
ヤボンディング部２以外をマスクしてアクリル系ゴム１
５ｗｔ％、ｌ、１，１． トリクロロエタン８５ｗｔ
％からなる溶液を噴！ｌ塗布し、室温放置３Ｏｎ＋ｉｎ
で溶剤を除去して、ワイヤボンディング部上に厚さ２０
０μｍのゲル状のアクリル系ゴム層３を形成する。この
リードフレームを成型金型４に設置する。リードフレー
ム上のアクリル系ゴム３は、型締めの際金型表面５に接
触し、リードフレームのバネ力により金型表面５に接着
する。
ヤボンディング部２以外をマスクしてアクリル系ゴム１
５ｗｔ％、ｌ、１，１． トリクロロエタン８５ｗｔ
％からなる溶液を噴！ｌ塗布し、室温放置３Ｏｎ＋ｉｎ
で溶剤を除去して、ワイヤボンディング部上に厚さ２０
０μｍのゲル状のアクリル系ゴム層３を形成する。この
リードフレームを成型金型４に設置する。リードフレー
ム上のアクリル系ゴム３は、型締めの際金型表面５に接
触し、リードフレームのバネ力により金型表面５に接着
する。
同様にして片面に厚さ１００μｍのアクリル系ゴム、Ｉ
！６を形成したＦ ｅ−Ｎ ｉ合金からなる金属板７を
圧力をかけて金型表面８に接着する。これに二酸化硅素
を含むエポキシ系樹脂を金型キャビティに流入、充填す
る。アクリル系ゴムは成形品のリードフレーム２、金属
板７上に残り、金型表面５．８には付着されない。この
成形品をケトン系溶剤で洗浄して、アクリル系ゴムを除
去し、乾燥する。
！６を形成したＦ ｅ−Ｎ ｉ合金からなる金属板７を
圧力をかけて金型表面８に接着する。これに二酸化硅素
を含むエポキシ系樹脂を金型キャビティに流入、充填す
る。アクリル系ゴムは成形品のリードフレーム２、金属
板７上に残り、金型表面５．８には付着されない。この
成形品をケトン系溶剤で洗浄して、アクリル系ゴムを除
去し、乾燥する。
この成形品に固体撮像素子９を接着剤１０で設置し、Ａ
Ｑ線１１をボンディングし、ガラスからなる窓材１２を
接着剤（３で設置してリードフレームの切断、折曲げを
して、固体撮像装置を得た。
Ｑ線１１をボンディングし、ガラスからなる窓材１２を
接着剤（３で設置してリードフレームの切断、折曲げを
して、固体撮像装置を得た。
実施例２
第３図に他実施例を示す実施例１と同様にしてアクリル
系ゴムＮ１４，１５を形成したリードフレーム１６と構
成基板１７を戊型金型工８に設置し、エポキシ系樹脂で
成形し、実施例↓と同様にして固体撮像装置を得た。
系ゴムＮ１４，１５を形成したリードフレーム１６と構
成基板１７を戊型金型工８に設置し、エポキシ系樹脂で
成形し、実施例↓と同様にして固体撮像装置を得た。
実施例３
第４図に他実施例を示すＥＰＲＯＭ素子１９、透明樹脂
２０、ガラス２１を設置したリードフレームを成型金型
に設置する。ガラス面が接触する金型表面には厚さ２Ｑ
ＱＡＬｍのシリコーン系ゴム（硬さＪＩＳ−Ａ、１５）
が形成されている。これをエポキシ系樹脂で成形し、リ
ードフレームの切断、折曲げをしてＥＰＲＯＭ装置を得
た。
２０、ガラス２１を設置したリードフレームを成型金型
に設置する。ガラス面が接触する金型表面には厚さ２Ｑ
ＱＡＬｍのシリコーン系ゴム（硬さＪＩＳ−Ａ、１５）
が形成されている。これをエポキシ系樹脂で成形し、リ
ードフレームの切断、折曲げをしてＥＰＲＯＭ装置を得
た。
［発明の効果］
本発明によれば、成形時のパリ発生を防止できるため半
導体装置の製造が容易になる。
導体装置の製造が容易になる。
第１．第２図は本発明の第１の実施例を示す断面図、第
３図は本発明の第２の実施例を示す断面図、第４図は本
発明の第３の実施例を示す断面図である。 符号の説明 １．２，１８，２２・・・リードフレーム、３，６゜１
４．１５，２４・・・有機成分からなる中間層、４．１
６．２３・・・金型、９，１９・・・半導体素子。 第 ８２１ 蔦５０ 第２図 第４図
３図は本発明の第２の実施例を示す断面図、第４図は本
発明の第３の実施例を示す断面図である。 符号の説明 １．２，１８，２２・・・リードフレーム、３，６゜１
４．１５，２４・・・有機成分からなる中間層、４．１
６．２３・・・金型、９，１９・・・半導体素子。 第 ８２１ 蔦５０ 第２図 第４図
Claims (1)
- １、成形用樹脂成分以外の構成部材が表面に露出する半
導体装置において、該構成部材と成型金型との間に有機
成分を含む中間層を設置し、樹脂成形を行うことを特徴
とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1194076A JPH0360137A (ja) | 1989-07-28 | 1989-07-28 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1194076A JPH0360137A (ja) | 1989-07-28 | 1989-07-28 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0360137A true JPH0360137A (ja) | 1991-03-15 |
Family
ID=16318560
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1194076A Pending JPH0360137A (ja) | 1989-07-28 | 1989-07-28 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0360137A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0582705A1 (en) * | 1992-03-02 | 1994-02-16 | Motorola, Inc. | Molded ring integrated circuit package |
-
1989
- 1989-07-28 JP JP1194076A patent/JPH0360137A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0582705A1 (en) * | 1992-03-02 | 1994-02-16 | Motorola, Inc. | Molded ring integrated circuit package |
| EP0582705A4 (en) * | 1992-03-02 | 1995-02-22 | Motorola Inc | RING ENVELOPED SEMICONDUCTOR PACK. |
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