JP2019024084A5 - - Google Patents

Description

上記目的を達成するために本開示は、
半導体素子（１０）と、
半導体素子と電気的に接続された電子部品（２０、３０）と、
半導体素子と電子部品とを電気的に接続している接続部材（５１〜５５）と、
一面（Ｓ１）と一面の反対面（Ｓ２）とを有し、半導体素子の表面である半導体表面（Ｓ１１）と電子部品の表面である部品表面（Ｓ２１、Ｓ３１）とが一面側に露出した状態で、半導体素子と電子部品と接続部材とを一体的に保持している封止樹脂部（４０〜４５）と、を備え、
電子部品は、半導体素子と電気的に接続された回路素子（２０）と、回路素子と封止樹脂部の外部に設けられた外部素子とを電気的に接続するための外部接続端子（３０）とを含んでおり、部品表面として、少なくとも外部接続端子の表面である端子表面（Ｓ３１）が封止樹脂部から露出しており、
回路素子は、接続部材（５３、５４）を介して、半導体素子と外部接続端子とに積層した状態で実装され、封止樹脂部で覆われており、
半導体素子の半導体表面と外部接続端子の端子表面とが一面側に露出していることを特徴とする。

Claims (10)

1. 半導体素子（１０）と、
   前記半導体素子と電気的に接続された電子部品（２０、３０）と、
   前記半導体素子と前記電子部品とを電気的に接続している接続部材（５１〜５５）と、
   一面（Ｓ１）と前記一面の反対面（Ｓ２）とを有し、前記半導体素子の表面である半導体表面（Ｓ１１）と前記電子部品の表面である部品表面（Ｓ２１、Ｓ３１）とが前記一面側に露出した状態で、前記半導体素子と前記電子部品と前記接続部材とを一体的に保持している封止樹脂部（４０〜４５）と、を備え、
   前記電子部品は、前記半導体素子と電気的に接続された回路素子（２０）と、前記回路素子と前記封止樹脂部の外部に設けられた外部素子とを電気的に接続するための外部接続端子（３０）とを含んでおり、前記部品表面として、少なくとも前記外部接続端子の表面である端子表面（Ｓ３１）が前記封止樹脂部から露出しており、
   前記回路素子は、前記接続部材（５３、５４）を介して、前記半導体素子と前記外部接続端子とに積層した状態で実装され、前記封止樹脂部で覆われており、
   前記半導体素子の前記半導体表面と前記外部接続端子の前記端子表面とが前記一面側に露出している半導体装置。
2. 前記封止樹脂部（４１）は、前記一面から前記半導体表面及び前記部品表面に達する位置まで窪んだ凹部（４１ａ）が設けられている請求項１に記載の半導体装置。
3. 半導体素子（１０）と、
   前記半導体素子と電気的に接続された電子部品（２０、３０）と、
   前記半導体素子と前記電子部品とを電気的に接続している接続部材（５１〜５５）と、
   一面（Ｓ１）と前記一面の反対面（Ｓ２）とを有し、前記半導体素子の表面である半導体表面（Ｓ１１）と前記電子部品の表面である部品表面（Ｓ２１、Ｓ３１）とが前記一面側に露出した状態で、前記半導体素子と前記電子部品と前記接続部材とを一体的に保持している封止樹脂部（４０〜４５）と、を備え、
   前記封止樹脂部（４１）は、前記一面から前記半導体表面及び前記部品表面に達する位置まで窪んだ凹部（４１ａ）が設けられている半導体装置。
4. 前記電子部品は、前記半導体素子と電気的に接続された回路素子（２０）と、前記回路素子と前記封止樹脂部の外部に設けられた外部素子とを電気的に接続するための外部接続端子（３０）とを含んでおり、前記部品表面として、少なくとも前記外部接続端子の表面である端子表面（Ｓ３１）が前記封止樹脂部から露出している請求項３に記載の半導体装置。
5. 前記封止樹脂部は、前記一面と前記反対面に連なる側面を有しており、
   前記半導体素子は、物理量に応じた電気信号を出力するセンサ素子であり物理量を検出するセンシング部を有し、前記センシング部を含む一部が前記側面から突出して設けられている請求項４に記載の半導体装置。
6. 前記半導体素子と前記回路素子と前記外部接続端子は、前記一面に平行な方向に並んで配置されており、
   前記封止樹脂部は、前記回路素子における前記一面側と前記反対面側に設けられており、前記回路素子を外部に露出させることなく前記回路素子を覆っている請求項１、２、４のいずれか一項に記載の半導体装置。
7. 前記封止樹脂部は、前記一面と前記反対面に連なる側面を有しており、
   前記外部接続端子は、一部が前記側面から突出して設けられている請求項１、２、４乃至６のいずれか一項に記載の半導体装置。
8. 前記半導体素子と前記封止樹脂部との間には、前記封止樹脂部よりも線膨張率もしくは弾性率が小さい応力緩和部材（６０）が設けられている請求項１乃至７のいずれか一項に記載の半導体装置。
9. 半導体素子（１０）と、
   前記半導体素子と電気的に接続された電子部品（２０、３１）と、
   前記半導体素子と前記電子部品とを電気的に接続している接続部材（５１）と、
   前記半導体素子の表面である半導体表面（Ｓ１１）と対向する面である一面（Ｓ１）と、前記半導体表面の反対面である半導体裏面（Ｓ１２）と対向する面であり、前記一面の反対の面である反対面（Ｓ２）とを有し、前記半導体表面の一部を前記一面側に露出した状態で、前記半導体素子と前記電子部品と前記接続部材とを一体的に保持している封止樹脂部（４６）と、
   前記半導体素子と前記封止樹脂部との間に設けられた、前記封止樹脂部よりも線膨張率もしくは弾性率が小さい応力緩和部材（６０）と、を備えている半導体装置の製造方法であって、
   接着フィルム（２１０）が設けられた支持体（３４）上に、前記半導体表面の一部が前記接着フィルムに接するように前記半導体素子を配置するとともに、前記半導体素子と前記電子部品とを前記接続部材を介して電気的に接続する実装工程と、
   前記実装工程後に、前記封止樹脂部よりも線膨張率もしくは弾性率が小さい応力緩和部材（６０）を前記半導体素子における前記接着フィルムが接していない部位に塗布する塗布工程と、
   前記塗布工程後に、前記封止樹脂部にて、前記半導体素子と前記電子部品と前記接続部材に加えて、前記応力緩和部材を一体的に封止して封止構造体を製造する封止工程と、
   前記封止工程後に、前記封止構造体から前記接着フィルムを剥離して、前記封止構造体と前記支持体とを分離させる剥離工程と、を備え、
   前記封止工程では、前記封止樹脂部を設ける際に、前記封止樹脂部における前記半導体表面側に設けられた部位から前記半導体素子へ印加される応力と、前記封止樹脂部における前記半導体裏面側に設けられた部位から前記半導体素子へ印加される応力とが同等になるように、前記半導体表面と前記一面との間隔と、前記半導体裏面と前記反対面との間隔とが設定された前記封止構造体を製造する半導体装置の製造方法。
10. 前記封止工程では、前記封止樹脂部を設ける際に、前記半導体表面と前記一面との間隔と、前記半導体裏面と前記反対面との間隔とが等しくなるように前記封止構造体を製造する請求項９に記載の半導体装置の製造方法。