JP6283131B1 - 電子デバイス及び電子デバイスの製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
[電子デバイス100の概要]
図1は、第1の実施形態に係る電子デバイス100の外観図である。図1(a)は、電子デバイス100の下面(第1面)を示している。図1(b)は、電子デバイス100の上面(第2面)を示している。図1(c)は、電子デバイス100の上面に電子部品10が実装された状態を示す側面視図である。電子デバイス100は、例えばSON(Small Outline Non-leaded package)又はQFN(Quad-flat no-leads)タイプのパッケージ構造を有している。
図2は、電子デバイス100の内部構成について説明するための図である。図2(a)は、電子デバイス100の上面側から内部を透視した構成の模式図である。図2(b)は、電子デバイス100のA−A線断面図である。図2に示すように、電子デバイス100は、ダイパッド4と、半導体チップ5と、ボンディングワイヤ6とを有している。
図3は、電子デバイス100を製造する過程で使用されるリードフレーム20の外形を示す図である。図3に示すように、複数の端子2が形成される複数の端子領域2Xは水平クロスバー21に接続されている。また、ダイパッド領域4aは、吊りリード4Xを介して、垂直クロスバー22に接続されている。以下の説明において、水平クロスバー21及び垂直クロスバー22を外周部と称する場合がある。図3における破線Lは、ダイシング工程において切断される位置を示している。破線Lの位置でリードフレーム20が切断されることにより、図2(a)に示すように、端子2とダイパッド4とが電気的に絶縁された状態になる。
図5は、第2の実施形態に係る電子デバイス200の内部構成について説明するための図である。図5(a)は、電子デバイス200の上面側から内部を透視した構成の模式図である。図5(b)は、電子デバイス200のA−A線断面図である。図5(a)は、図2(a)と実質的に同一である。
図6は、第3の実施形態に係る電子デバイス300の内部構成について説明するための図である。図6(a)は、電子デバイス300の上面側から内部を透視した構成の模式図である。図6(b)は、電子デバイス300のA−A線断面図である。
図7は、第4の実施形態に係る電子デバイス400の内部構成について説明するための図である。図7(a)は、電子デバイス400の上面側から内部を透視した構成の模式図である。図7(b)は、電子デバイス400のA−A線断面図である。図7(a)は、図6(a)と実質的に同一である。
図8は、第5の実施形態に係る電子デバイス500の内部構成について説明するための図である。図8(a)は、電子デバイス500の上面側から内部を透視した構成の模式図である。図8(b)は、電子デバイス500のA−A線断面図である。
図9は、第6の実施形態に係る電子デバイス600の内部構成について説明するための図である。図9(a)は、電子デバイス600の上面側から内部を透視した構成の模式図である。図9(b)は、電子デバイス600のA−A線断面図である。
図10は、第7の実施形態に係る電子デバイス700の内部構成について説明するための図である。図10(a)は、電子デバイス700の上面側から内部を透視した構成の模式図である。図10(b)は、電子デバイス700のA−A線断面図である。図10(c)は、電子デバイス700に電子部品10が実装された状態を示す側面視図である。図10(d)は、電子デバイス700の下面図である。
図11は、第8の実施形態に係る電子デバイス800の内部構成について説明するための図である。図11(a)は、電子デバイス800の上面側から内部を透視した構成の模式図である。図11(b)は、電子デバイス800のA−A線断面図である。
図12は、第9の実施形態に係る電子デバイス900の内部構成について説明するための図である。図12(a)は、電子デバイス900の上面側から内部を透視した構成の模式図である。図12(b)は、電子デバイス900のA−A線断面図である。
図13は、第10の実施形態に係る電子デバイス1000の内部構成について説明するための図である。図13(a)は、電子デバイス1000の上面側から内部を透視した構成の模式図である。図13(b)は、電子デバイス1000のA−A線断面図である。
図14は、第11の実施形態に係る電子デバイス1100の内部構成について説明するための図である。図14(a)は、電子デバイス1100の上面側から内部を透視した構成の模式図である。図14(b)は、電子デバイス1100のA−A線断面図である。
図15は、第12の実施形態に係る電子デバイス1200の内部構成について説明するための図である。図15(a)は、電子デバイス1200の上面側から内部を透視した構成の模式図である。図15(b)は、電子デバイス1200のA−A線断面図である。
図17は、図2に示した電子デバイス100の放熱性を確認する実験結果を示す図である。図17においては、銅ポスト3を有する電子デバイス100と銅ポストを有しない電子デバイス2000とを比較した結果を示している。
電子デバイス100及び電子デバイス2000のそれぞれの上面に載置したインダクタに通電した状態でのインダクタの表面温度を測定した。具体的には、電子デバイス100及び電子デバイス2000に内蔵する半導体チップ5には通電せず、電子デバイス100及び電子デバイス2000の上面にインダクタ(TDK株式会社製TFM252012_4R7)を実装した状態で、電子デバイス100を実装したプリント基板のパターン及び銅線を介して、インダクタに電流を流した。インダクタに流す電流を0[mA]から1600[mA]まで変化させた場合のインダクタの表面温度の変化を測定した。
図17の横軸は、インダクタに流した電流値を示しており、縦軸はインダクタの表面温度を示している。実線は、銅ポスト3を有する電子デバイス100の表面温度の変化を示しており、破線は、銅ポストを有しない電子デバイス2000の表面温度の変化を示している。
以上説明したように、本実施形態に係る電子デバイスは、半導体チップ5と電気的に結合した、パッケージ1の下に露出する複数の端子2と、パッケージ1の下面から上面まで貫通し、断面積が端子2の面積よりも大きい銅ポスト3を有する。銅ポスト3の断面積が大きいことにより、従来のスルーホールにより基板を貫通させる構成や、端子2と同程度の断面積の銅ポスト3を用いる構成に比べて、電気抵抗が小さくなる。電子デバイスがこのような構成を有することにより、電気抵抗による熱の発生量が少なく、放熱性も高くなるので、大電流を流す電子素子を実装できる電子デバイスの小型化を実現することが可能になる。
2 端子
3 銅ポスト
4 ダイパッド
5 半導体チップ
6 ボンディングワイヤ
7 ダイアタッチフィルム
8 片面接着テープ
9 半田バンプ
10 電子部品
20 リードフレーム
21 水平クロスバー
22 垂直クロスバー
30 フィルム
100 電子デバイス
200 電子デバイス
300 電子デバイス
400 電子デバイス
500 電子デバイス
600 電子デバイス
700 電子デバイス
800 電子デバイス
900 電子デバイス
1000 電子デバイス
1100 電子デバイス
1200 電子デバイス
Claims (15)
- 半導体チップと、
前記半導体チップを収容する収容部と、
前記半導体チップと電気的に結合した、前記収容部の長方形の第1面に露出し、かつ前記半導体チップに対して、前記第1面の第1辺側、及び前記第1辺と反対側の第2辺側に設けられた複数の端子と、
前記収容部の前記第1面から、前記第1面と反対側の第2面まで貫通し、前記第1面の方向における断面積が、前記第1面における前記複数の端子の面積よりも大きく、かつ前記半導体チップに対して、前記第1辺と直交する方向の辺の側である第3辺側及び第4辺側に設けられており、電子部品を実装するためのランドとして機能する複数の導電性部材と、
前記収容部の前記第1面に露出し、前記半導体チップが載置される第1板状部材と、
を有し、
前記複数の端子は、前記第1面において前記第1板状部材の周囲に位置している、電子デバイス。 - 前記導電性部材は、前記第3辺側及び前記第4辺側のそれぞれに複数設けられている、
請求項1に記載の電子デバイス。 - 半導体チップと、
前記半導体チップを収容する収容部と、
前記半導体チップと電気的に結合した、前記収容部の長方形の第1面に露出し、かつ前記半導体チップに対して、前記第1面の第1辺側、及び前記第1辺と反対側の第2辺側に設けられた複数の端子と、
前記収容部の前記第1面から、前記第1面と反対側の第2面まで貫通し、前記第1面の方向における断面積が、前記第1面における前記複数の端子の面積よりも大きく、かつ前記半導体チップに対して、前記第1辺と直交する方向の辺の側である第3辺側及び第4辺側に設けられており、電子部品を実装するためのランドとして機能する複数の導電性部材と、
前記導電性部材は、前記第3辺側及び前記第4辺側のそれぞれに複数設けられており、
前記半導体チップを載置する第1領域と、前記第3辺側の複数の導電性部材の間を分離する第2領域と、前記第4辺側の複数の導電性部材の間を分離する第3領域と、を有する、前記複数の端子と同一の材質の第1板状部材をさらに有する、電子デバイス。 - 半導体チップと、
前記半導体チップを収容する収容部と、
前記半導体チップと電気的に結合した、前記収容部の長方形の第1面に露出し、かつ前記半導体チップに対して、前記第1面の第1辺側、及び前記第1辺と反対側の第2辺側に設けられた複数の端子と、
前記収容部の前記第1面から、前記第1面と反対側の第2面まで貫通し、前記第1面の方向における断面積が、前記第1面における前記複数の端子の面積よりも大きく、かつ前記半導体チップに対して、前記第1辺と直交する方向の辺の側である第3辺側及び第4辺側に設けられており、電子部品を実装するためのランドとして機能する複数の導電性部材と、
前記半導体チップを載置する第1領域と、前記複数の端子と複数の前記導電性部材とを分離する第2領域とを有する、前記複数の端子と同一の材質の第1板状部材と、
を有する、電子デバイス。 - 半導体チップと、
前記半導体チップを収容する収容部と、
前記半導体チップと電気的に結合した、前記収容部の長方形の第1面に露出し、かつ前記半導体チップに対して、前記第1面の第1辺側、及び前記第1辺と反対側の第2辺側に設けられた複数の端子と、
前記収容部の前記第1面から、前記第1面と反対側の第2面まで貫通し、前記第1面の方向における断面積が、前記第1面における前記複数の端子の面積よりも大きく、かつ前記半導体チップに対して、前記第1辺と直交する方向の辺の側である第3辺側及び第4辺側に設けられており、電子部品を実装するためのランドとして機能する複数の導電性部材と、
を有し、
前記半導体チップが、前記収容部の前記第1面において露出している、電子デバイス。 - 半導体チップと、
前記半導体チップを収容する収容部と、
前記半導体チップと電気的に結合した、前記収容部の長方形の第1面に露出し、かつ前記半導体チップに対して、前記第1面の第1辺側、及び前記第1辺と反対側の第2辺側に設けられた複数の端子と、
前記収容部の前記第1面から、前記第1面と反対側の第2面まで貫通し、前記第1面の方向における断面積が、前記第1面における前記複数の端子の面積よりも大きく、かつ前記半導体チップに対して、前記第1辺と直交する方向の辺の側である第3辺側及び第4辺側に設けられており、電子部品を実装するためのランドとして機能する複数の導電性部材と、
前記収容部の前記第1面において前記半導体チップを覆うテープと、
を有する、電子デバイス。 - 前記半導体チップと前記少なくとも1つの導電性部材との間を結合するボンディングワイヤをさらに有する、
請求項1から6のいずれか一項に記載の電子デバイス。 - 前記複数の端子と同一の材質の第2板状部材と、
前記第2板状部材に載置され、前記収容部の前記第2面に露出した導電性部材と、
をさらに有する、
請求項1から6のいずれか一項に記載の電子デバイス。 - 前記導電性部材は、前記収容部の側面において露出していない、
請求項1から8のいずれか一項に記載の電子デバイス。 - 前記収容部の第2面において、前記複数の導電性部材に電気的に結合された前記電子部品をさらに有する、
請求項1から9のいずれか一項に記載の電子デバイス。 - 半導体チップを収容する長方形のパッケージを有する電子デバイスの製造方法であって、
接着剤が塗布されたフィルムを準備する工程と、
前記フィルムに、前記半導体チップを固定するダイパッド領域と複数の端子領域とを有するリードフレームを載置する工程と、
前記フィルムに、前記複数の端子領域それぞれの面積よりも大きな断面積の複数の導電性部材を載置する工程と、
前記ダイパッド領域に前記半導体チップを載置する工程と、
前記半導体チップと前記リードフレームにおける複数の端子との間を接続する工程と、
前記半導体チップを覆い、かつ前記複数の導電性部材の一端が露出するように前記パッケージを形成する工程と、
を有し、
前記複数の端子は、前記パッケージの第1辺側、及び前記第1辺と反対側の第2辺側に対応する位置に設けられており、
前記複数の導電性部材を載置する工程において、前記半導体チップが載置される前記ダイパッド領域に対して、前記第1辺と直交する方向の辺の側である第3辺側及び第4辺側に、電子部品を実装するためのランドとして機能する前記複数の導電性部材を載置する電子デバイスの製造方法。 - 接着剤が塗布されたフィルムを準備する工程と、
前記フィルムに、複数の端子領域を有するリードフレームを載置する工程と、
前記フィルムに、前記複数の端子領域それぞれの面積よりも大きな断面積の少なくとも1つの導電性部材を載置する工程と、
前記フィルムに半導体チップを載置する工程と、
前記半導体チップと前記リードフレームにおける複数の端子との間を接続する工程と、
前記半導体チップを覆い、かつ前記少なくとも1つの導電性部材の一端が露出するようにパッケージを形成する工程と、
を有する電子デバイスの製造方法。 - 前記パッケージを形成する工程を実行した後に、前記フィルムを除去する工程をさらに有する、
請求項11又は12に記載の電子デバイスの製造方法。 - 前記複数の導電性部材を載置する工程において、前記リードフレームの外周部の内側に前記複数の導電性部材を載置する、
請求項11に記載の電子デバイスの製造方法。 - 前記パッケージを形成する工程の後に、前記複数の導電性部材と前記リードフレームの外周部との間の位置において、前記リードフレーム及び前記パッケージを切断する工程をさらに有する、
請求項14に記載の電子デバイスの製造方法。
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