WO2007058074A1 - 両面電極パッケージ及びその製造方法 - Google Patents

両面電極パッケージ及びその製造方法 Download PDF

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lead frame
lsi chip
double
front surface
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Masamichi Ishihara
Harufumi Kobayashi
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Oki Electric Industry Co., Ltd.
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    • H01L2924/181—Encapsulation

Definitions

  • Double-sided electrode package and method of manufacturing the same Double-sided electrode package and method of manufacturing the same
  • the present invention relates to a double-sided electrode package having an LSI chip sealed with a mold resin and having electrodes for external connection on both front and back sides, and a method of manufacturing the same.
  • Patent Document 1 Japanese Patent Application Publication No. 2003-249604
  • Patent Document 2 Japanese Patent Application Laid-Open No. 2002-158312
  • the present invention aims to solve such problems and to easily manufacture and supply a two-sided electrode package without requiring a through electrode technology. This makes it possible to manufacture a lead frame type double-sided electrode package and is effective as a package for various sensors (sound, magnetism, pressure, etc.) in addition to the application to conventional mobile phones.
  • the double-sided electrode package of the present invention has an LSI chip sealed with a mold resin, and is provided with electrodes for external connection on both the front surface side and the back surface side. At least back side An LSI chip is bonded onto the die pad of the lead frame with the tar lead portion exposed as the back side electrode, and wiring is performed between the LSI chip and the plurality of inner lead portions of the lead frame. Further, at least a part of the plurality of inner lead parts is integrally formed with a front surface electrode by covering a part of the lead frame, and is connected to the head surface of the front surface electrode.
  • the bump electrode thus formed is configured as an external connection electrode for connecting to another substrate, element or the like. The bump electrode is arranged at a position different from the exposed position of the head of the front surface electrode by rewiring on the mold resin.
  • an LSI chip is bonded on a die pad of a lead frame in which an outer lead portion is exposed as a back side electrode at least on the back side. Wiring is performed between the lead portions, and stud bumps are further connected to the inner lead portions, and the bump electrodes connected to the head surface of the stud bumps are connected to other substrates and elements. It is configured as a surface side electrode. By rewiring this bump electrode on the mold resin, the bump electrode is disposed at a position different from the exposed position of the head of the stud bump.
  • a plurality of lead frames in which the outer lead portion is exposed as the back side electrode are formed simultaneously on at least the back side. At least a part of the front surface electrode is integrally formed by drawing a part of the lead frame.
  • An LSI chip is bonded onto each die pad, and wiring is performed between the LSI chip and a plurality of inner lead portions of the lead frame. After collectively sealing with a mold resin, the head surface of the front surface electrode or the bump electrode connected to it is exposed on the mold resin and connected to another substrate, element, etc. It is configured as an external connection electrode and then cut for singulation.
  • a large number of lead frames in which the outer lead portion is exposed as the back side electrode are formed simultaneously on at least the back side, and the LSI chip is formed on each die pad. And wire between the LSI chip and the inner lead portion of the lead frame. Further, a stud bump is connected to the inner lead portion, and after collectively sealed with a mold resin, cutting for singulation is performed, and a bump electrode connected to the top surface of the stud bump is molded resin. Exposed to other substrates, elements and It is configured as a front side electrode for connection.
  • a double-sided electrode package can be made without forming a through hole, a package for various sensors (sound, magnetism, pressure, etc.) in addition to the application to a conventional mobile phone is provided. Even if it is effective.
  • a double-sided electrode package which can cope with fields which are small in chip size and can not be coped with at wafer level, for example, a package for DSP directly connected to a microphone, a magnetic sensor, a pressure sensor, etc. It is effective for small chip size LSIs. It can be provided at low cost because the usual lead frame technology can be used.
  • FIG. 1 shows a first example of a lead frame type double-sided electrode package, in which (A) shows the front view, (B) shows the reverse view, and (C) shows the lines in (A).
  • the cross-sectional views taken along the line XX ′ are shown respectively.
  • FIG. 2 A drawing for explaining partial drawing processing of the lead frame, (A) shows the press with the mold open, (B) shows the lead frame before drawing processing, (C) Shows a press with the mold closed, and (D) shows the lead frame after drawing in a cross-sectional view.
  • FIG. 3 is a view illustrating a lead frame or an organic substrate in a state of being collectively molded into an island shape.
  • FIG. 4 It is a figure which takes out only one chip and exemplifies rewiring of the mold upper surface.
  • FIG. 5 A diagram showing a second example of the lead frame type double-sided electrode package, wherein (A) is a front view, (B) is a reverse view, and (C) is a line in (A). (D) shows a view of a stud bump alone!
  • the double-sided electrode package of the present invention can be used alone and can be stacked one on another to connect upper and lower It can also be used as one stacked semiconductor device.
  • 1 shows a first example of a lead frame type double-sided electrode package, in which (A) shows a front view, (B) shows a rear view, and (C) shows a line XX in (A). Each of the cross sections cut at Is shown.
  • the illustrated lead frame type double-sided electrode package has a front surface electrode formed by drawing so that a head surface is exposed on the front surface side. The head surface of this front surface electrode functions as an external connection terminal.
  • the LSI chip is bonded on the die pad of the lead frame by a die bonding material such as Ag paste (chip die bonding).
  • a die bonding material such as Ag paste (chip die bonding).
  • the inner lead of the lead frame and the LSI chip are connected by Au wire (wire bond).
  • the outer lead portion for electrically connecting this lead frame to the surrounding circuit is exposed not only on the back surface of the lead frame (back surface outer lead portion) but also on the side surface (side surface outer lead) Department).
  • the front surface electrode is integrally formed with a part of the inner lead portion and the (rear surface or side surface) outer lead portion by partial drawing processing of the lead frame.
  • a part of the lead frame is processed to form a three-dimensionally convex portion, and the double-sided electrode is formed using the convex portion.
  • a large number of lead frames are simultaneously formed by pressing from a metal plate such as Pd-plated Cu alloy (the number of lead frame forces formed simultaneously in a later step is cut into individual pieces) ). At the time of this pressing force, at the same time, the portion corresponding to the front surface electrode can be drawn.
  • FIG. 2 is a view for explaining partial drawing processing of the lead frame, in which (A) shows a press with the mold open, and (B) shows the lead frame before drawing C) shows the press with the mold closed, and (D) shows the lead frame after drawing in a cross-sectional view.
  • one of the molds is formed in a convex portion having a constricted portion such as a cylinder or a quadrangular prism, and the other mold has a shape that conforms to this convex portion.
  • the recessed part of is formed.
  • the drawn portion of the lead frame before drawn as shown in FIG. 2 (B) is inserted between the press with the mold open as shown in FIG. 2 (A). Press as shown in).
  • the lead frame after press processing is illustrated in (D).
  • the dotted-line rectangle virtually shows the final product outer shape, and here, before processing illustrated in (B)
  • the lead frame itself can be, for example, in a known configuration used for a package sealed lead frame type package (generally, QFN: Quad Flat Non-lead package).
  • FIG. 3 exemplifies a lead frame in a state of being collectively molded in an island shape (the same applies to an organic multilayer or single layer substrate described later). At this time, if the head surface of the front surface electrode does not have a face on the mold front surface, grind or polish the top surface of the mold to expose the head surface of the front surface electrode exactly. .
  • the arrangement of the front surface electrode may be used as an external connection electrode
  • the arrangement of the front surface electrode may be rearranged by, for example, inkjet or screen printing in order to bring it to the area arrangement.
  • Copper, silver, gold, etc. are used as the material of the nano metal particles, and these particles are directly drawn by the ink jet method.
  • Nano metal particles are contained in an organic solvent, and this is a method of drawing a desired pattern by an ink jet method used in a printer.
  • circuit pastes can be formed by applying a nanopaste containing nanometal particles in an organic solvent onto the substrate by screen printing and then heating and baking it. .
  • FIG. 4 is a diagram illustrating rewiring on the top surface of the mold by taking out only one chip.
  • an opening can be provided in the protective film on the bump formation portion on the rewiring, and a bump electrode for external connection can be formed here.
  • the formation of the bump electrode can be performed by selectively applying a protective film to portions other than the bump portion by ink jet. This makes it possible to arrange the electrode at a position different from the exposed position of the head of the front surface electrode.
  • the illustrated package does not use bonding wires without using side wiring.
  • double-sided electrode becomes possible by package internal connection.
  • FIG. 5 shows a second example of the lead frame type double-sided electrode package, in which (A) shows the front view, (B) shows the reverse view, and (C) shows the lines in (A). A cross-sectional view taken along the line Y-Y 'is shown, and (D) shows a view of a stud bump alone.
  • the stud bump head surface exposed on the front surface side functions as an external connection terminal.
  • the LSI chip is bonded onto a die pad by a die bonding material such as Ag paste (chip die bonding). Force exemplifying one LSI chip It is also possible to stack a plurality of chips.
  • the inner lead portion of the lead frame and the LSI chip are connected by Au wire (wire bonding).
  • the outer lead portion for electrically connecting this lead frame to the surrounding circuit is exposed not only on the back surface of the lead frame (back surface outer lead portion) but also on the side surface (side surface one lead) Department).
  • the stud bumps are respectively connected to the inner lead portions (a part or all of a plurality of inner leads) of the lead frame.
  • the stud bumps themselves can be formed using a conventionally known technique.
  • Conventionally there has been known a technique in which a projecting bump (a stud bump) is formed on an electrode of a semiconductor chip and this bump is directly bonded to an electrode formed on a mounting substrate.
  • the present invention can form a stud bump using such a technique known per se.
  • a plurality of inner lead portions are provided on the wire bond position of the inner lead portion of the lead frame or in a planarly shifted position so as not to overlap with the wire bond position.
  • the connection of the stud bump to the inner lead portion is made, for example, by using a similar technique as the wire bonding technology to the desired position of the inner lead portion for the stud bump formed in a shape as shown in FIG. 5 (D). It can be glued.
  • the tip of a wire such as gold is heated and melted to form a ball, and then the ball is thermocompression-bonded to the desired position of the inner lead as in the technology known per se. After, it is attached by cutting a wire.
  • leveling is performed by targeting the height of the upper surface of the package.
  • the top surface of the stud bump can be leveled at the same time by grinding or polishing the top surface of the mold after collective mold sealing in the next step.
  • the lead frame is sealed with epoxy resin in order to protect external stress and contamination.
  • the subsequent processing can be performed in the same manner as the first example described with reference to FIG. If necessary, grind or polish the top surface of the mold to properly expose the top surface of the stud bump. And, the placement force of the stud bumps can also be rearranged by ink jet or screen printing in order to bring it to the area arrangement. After applying a protective film on this rewiring, a bump electrode for external connection can be formed here. This makes it possible to place the electrode at a position different from the exposed position of the head of the stud bump. Next, cutting for chip separation is performed, whereby the product is completed.
  • double-sided electrodes can be made by internal connection of the package by devising the bonding wire without using side wiring.

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Abstract

　本発明は、ＬＳＩチップをモールド樹脂により封止すると共に、おもて面側と裏面側の両面に外部接続用の電極を備える。少なくとも裏面側にアウターリード部を裏面側電極として露出させたリードフレームのダイパッド上にＬＳＩチップを接着して、該ＬＳＩチップとリードフレームの複数のインナーリード部の間で配線を行う。この複数のインナーリード部の少なくとも一部には、さらに、リードフレームの一部を加工することによりおもて面電極を一体に形成し、そのおもて面電極の頭部面或いはそれに接続されたバンプ電極を他の基板、素子等と接続するための外部接続用電極として構成する。

Description

明 細 書
両面電極パッケージ及びその製造方法
技術分野
[0001] 本発明は、 LSIチップをモールド榭脂により封止して、おもて (表）面側と裏面側の 両面に外部接続用の電極を備える両面電極パッケージ及びその製造方法に関する 背景技術
[0002] LSIチップの高集積ィ匕に伴い、ノ ッケージサイズの縮小化も強く要求されており、 様々な実装パッケージ構造が提案されている。近年、半導体ベアチップに貫通電極 を形成して積層しょうとする開発が盛んに行われている。一方、リアルサイズの両面 電極パッケージもこれから製品化される可能性が高い。いずれの技術においても、従 来の両面電極パッケージは常に貫通電極構造を必要としているが（特許文献 1,特 許文献 2参照）、現在の貫通孔の絶縁方法は、高温で処理されるため半導体の実装 プロセスへの適用は困難であった。このように、半導体基板への貫通孔の形成とその 絶縁方法にはまだ課題が残されて ヽて、貫通電極を必要とせずに配線することが望 まれる。
特許文献 1：特開 2003— 249604号公報
特許文献 2：特開 2002— 158312号公報
発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0003] 本発明は、係る問題点を解決して、貫通電極技術を必要とすること無ぐ容易に両 面電極パッケージを製造し、供給することを目的としている。これによつて、リードフレ ームタイプ両面電極パッケージの製造を可能にして、従来の携帯電話への応用以外 に各種センサー (音、磁気、圧力、等)用パッケージとしても有効となる。
課題を解決するための手段
[0004] 本発明の両面電極パッケージは、 LSIチップをモールド榭脂により封止すると共に 、おもて面側と裏面側の両面に外部接続用の電極を備える。少なくとも裏面側にァゥ ターリード部を裏面側電極として露出させたリードフレームのダイパッド上に LSIチッ プを接着して、該 LSIチップとリードフレームの複数のインナーリード部の間で配線を 行う。この複数のインナーリード部の少なくとも一部には、さらに、リードフレームの一 部をカ卩ェすることによりおもて面電極を一体に形成し、そのおもて面電極の頭部面に 接続されたバンプ電極を他の基板、素子等と接続するための外部接続用電極として 構成する。このバンプ電極は、モールド榭脂上で再配線することにより、おもて面電 極の頭部露出位置と異なったところに配置する。
[0005] また、本発明の両面電極パッケージは、少なくとも裏面側にアウターリード部を裏面 側電極として露出させたリードフレームのダイパッド上に LSIチップを接着して、該 LS Iチップとリードフレームのインナーリード部の間で配線を行い、このインナーリード部 には、さらに、スタッドバンプを接続し、そのスタッドバンプ頭部面に接続されたバンプ 電極を他の基板、素子と接続するためのおもて面側電極として構成する。このバンプ 電極はモールド榭脂上で再配線することにより、スタッドバンプの頭部露出位置と異 なったところにバンプ電極を配置する。
[0006] また、本発明の両面電極パッケージの製造方法は、少なくとも裏面側にアウターリ 一ド部を裏面側電極として露出させたリードフレームを多数個同時に形成し、このリ ードフレームの複数のインナーリード部の少なくとも一部には、リードフレームの一部 を絞り加工することによりおもて面電極を一体に形成する。それぞれのダイパッド上に LSIチップを接着して、該 LSIチップとリードフレームの複数のインナーリード部の間 で配線を行う。モールド榭脂により一括封止した後、おもて面電極の頭部面或いはそ れに接続されたバンプ電極をモールド榭脂上に露出させて、他の基板、素子等と接 続するための外部接続用電極として構成し、その後、個片化のための切断を行う。
[0007] また、本発明の両面電極パッケージの製造方法は、少なくとも裏面側にアウターリ 一ド部を裏面側電極として露出させたリードフレームを多数個同時に形成し、それぞ れのダイパッド上に LSIチップを接着して、該 LSIチップとリードフレームのインナーリ ード部の間で配線を行う。このインナーリード部には、さらに、スタッドバンプを接続し 、モールド榭脂により一括封止した後、個片化のための切断を行い、スタッドバンプ 頭部面に接続されたバンプ電極をモールド榭脂上に露出させて、他の基板、素子と 接続するためのおもて面側電極として構成する。
発明の効果
[0008] 本発明によれば、貫通孔を形成しなくても両面電極パッケージが可能となるため、 従来の携帯電話への応用以外に各種センサー (音、磁気、圧力、等)用パッケージと しても有効となる。
[0009] 本発明によれば、チップサイズが小さくウェハレベルでは対応できない分野にも対 応可能な両面電極パッケージを提供して、例えばマイク直結の DSP用パッケージや 磁気センサー、圧力センサーなど処理プロセッサーのチップサイズが小さい LSIに有 効となる。通常のリードフレーム技術が使えるので安 、コストで提供可能となる。
図面の簡単な説明
[0010] [図 1]リードフレームタイプ両面電極パッケージの第 1の例を示し、（A)はおもて面図 を、（B)は裏面図を、（C)は、（A)中のライン X—X'で切断した断面図をそれぞれ示 している。
[図 2]リードフレームの一部絞り加工を説明する図であり、 (A)は金型が開いている状 態のプレス機を、（B)は絞り加工前のリードフレームを、（C)は金型が閉じている状態 のプレス機を、 (D)は絞り加工後のリードフレームをそれぞれ断面図で示している。
[図 3]島形状に一括モールドした状態のリードフレーム或いは有機基板を例示する図 である。
[図 4] 1個のチップのみを取り出してモールド上面の再配線を例示する図である。
[図 5]リードフレームタイプ両面電極パッケージの第 2の例を示す図であり、 (A)はお もて面図を、（B)は裏面図を、（C)は、（A)中のライン Y—Y'で切断した断面図を、 ( D)はスタッドバンプ単独の図をそれぞれ示して!/、る。
発明を実施するための最良の形態
[0011] 以下、本発明の両面電極パッケージについて、例示に基づき説明する力 本発明 の両面電極パッケージは、単独で使用することができるだけでなぐ積層して上下に 位置するものを相互に接続して 1つの積層型半導体装置として使用することもできる 。図 1は、リードフレームタイプ両面電極パッケージの第 1の例を示し、（A)はおもて 面図を、（B)は裏面図を、（C)は、（A)中のライン X—X'で切断した断面図をそれぞ れ示している。例示のリードフレームタイプ両面電極パッケージは、おもて面側に頭 部面が露出するように絞り加工により形成したおもて面電極を有して 、る。このおもて 面電極の頭部面が、外部への接続端子として機能する。
[0012] 図 1 (C)の断面図に示されるように、 LSIチップは、リードフレームのダイパッド上に Agペースト等によるダイボンド材により接着されている（チップダイボンド)。 1個の LS Iチップを例示したが、複数のチップを積層することも可能である。リードフレームのィ ンナーリード部と、 LSIチップは、 Auワイヤーにより接続される（ワイヤーボンド)。この リードフレームを周囲の回路と電気的に接続するためのアウターリード部は、その先 端断面が、リードフレーム裏面だけでなく（裏面アウターリード部）、側面にも露出して いる（側面アウターリード部)。
[0013] おもて面電極は、リードフレームの一部絞り加工により、インナーリード部及び (裏面 或いは側面)アウターリード部の一部と一体に形成される。このように、図示の例は、リ ードフレームの一部を加工し、三次元的に凸部を形成し、その凸部を利用して両面 電極を形成する。リードフレームは、例えば、 Pdメツキした Cu合金のような金属板から 、プレス加工により、多数個同時に形成される（後の工程で、この多数個同時に形成 されたリードフレーム力 各個片に切断される）。このプレス力卩ェの際に、同時に、お もて面電極に相当する部分を絞り加工することができる。或いは、通常にリードフレー ムをプレスカ卩ェした後に、一部絞り加工をすることもできる。
[0014] 図 2は、リードフレームの一部絞り加工を説明する図であり、（A)は金型が開いてい る状態のプレス機を、（B)は絞り加工前のリードフレームを、（C)は金型が閉じている 状態のプレス機を、 (D)は絞り加工後のリードフレームをそれぞれ断面図で示してい る。図 2 (A)に示すように、一方の金型は、円柱或いは四角柱形などの絞り部形状を 有する凸部に形成され、かつ、他方の金型には、この凸部に合致する形状の凹部が 形成される。
[0015] 図 2 (B)に例示したような絞り加工前のリードフレームの絞り加工部を、 (A)に示す ように金型が開いた状態のプレス機の間に挿入して、（C)に示すようにプレスする。 プレス加工後のリードフレームを、（D)に例示している。なお、（B)及び（D)において 、点線矩形は、最終製品外形を仮想的に示しており、ここで (B)に例示した加工前の リードフレーム自体は、例えば、一括封止リードフレーム型パッケージ（一般的には Q FN : Quad Flat Non-leadパッケージ）に用いられるような公知の構成にすることができ る。
[0016] 図 1 (C)に示すように、ワイヤーボンドをした後に、リードフレームを外界からの応力 、汚染力 守るためにエポキシ榭脂により封止される。図 3は、島形状に一括モール ドした状態のリードフレーム (後述する有機多層または単層基板の場合も同様)を例 示している。このときおもて面電極の頭部面がモールドおもて面にきちんと顔が出な い場合は、モールド上面の研削または研磨を行い、おもて面電極の頭部面をきちん と露出させる。
[0017] おもて面電極の配置のままを外部接続電極として利用してもよいが、おもて面電極 の配置から、例えばエリア配置に持っていくためにインクジェットあるいはスクリーン印 刷で再配置をすることもできる。このために、まず、モールドおもて面の上で、おもて 面電極の頭部面に接続される再配線をナノ金属粒子を用いてインクジェット（ある!/ヽ はスクリーン印刷)で実施する。ナノ金属粒子の材料としては銅、銀、金等を用い、こ れらの微粒子をインクジェット方式で直接描画する。有機溶媒中にナノ金属粒子が含 有されており、それをプリンターで実用されているインクジェット法で所望のパターン を描く方法である。スクリーン印刷法の場合は、有機溶媒中にナノ金属粒子を含有さ せたナノペーストを、基板上にスクリーン印刷法で塗布した後、加熱焼成することによ り、回路配線を形成することができる。
[0018] 図 4は、 1個のチップのみを取り出してモールド上面の再配線を例示する図である。
さら〖こ、この再配線の上に、保護膜を塗布した後、再配線上のバンプ形成部上の保 護膜に開口を設け、ここに、外部接続用のバンプ電極を形成することができる。また は、バンプ電極の形成は、インクジェットにより保護膜をバンプ部以外に選択的に塗 布することによって、行うことができる。これによつて、おもて面電極の頭部露出位置と 異なったところに電極を配置することが可能となる。
[0019] つぎに、チップ個片化のための切断が行われる。金属板から、多数個同時に形成 されたリードフレーム力 各個片に切断されることによって、製品として完成する。
[0020] このように、例示のパッケージは、側面配線を使わなくてもボンディングワイヤーを 工夫することにより、パッケージ内部接続で両面電極が可能となる。
[0021] 図 5は、リードフレームタイプ両面電極パッケージの第 2の例を示し、（A)はおもて 面図を、（B)は裏面図を、（C)は、（A)中のライン Y—Y'で切断した断面図を、 (D) はスタッドバンプ単独の図をそれぞれ示して 、る。例示のリードフレームタイプ両面電 極パッケージは、おもて面側に露出するスタッドバンプ頭部面が、外部への接続端子 として機能する。
[0022] 図 5 (C)の断面図に示されるように、 LSIチップは、ダイパッド上に Agペースト等に よるダイボンド材により接着されて ヽる（チップダイボンド)。 1個の LSIチップを例示し た力 複数のチップを積層することも可能である。リードフレームのインナーリード部と 、 LSIチップは、 Auワイヤーにより接続される（ワイヤーボンド)。このリードフレームを 周囲の回路と電気的に接続するためのアウターリード部は、その先端断面が、リード フレーム裏面だけでなく（裏面アウターリード部）、側面にも露出している (側面ァウタ 一リード部)。
[0023] スタッドバンプが、リードフレームのインナーリード部（複数個のインナーリードの内 の一部或いは全て）にそれぞれ接続される。スタッドバンプ自体は、従来公知の技術 を用いて形成することができる。従来より、半導体チップの電極に突起状のバンプ (ス タッドバンプ)を形成し、このバンプを実装基板に形成された電極に直接接合する技 術が知られている。本発明は、このようなそれ自体公知の技術を用いて、スタッドバン プを形成することができる。
[0024] 図示したように、リードフレームのインナーリード部のワイヤーボンド位置の上に、或 いはワイヤーボンド位置とは重ならないように平面的には位置をずらせて、インナーリ ード部に複数個のスタッドバンプを接続し、そのスタッドバンプを介して、他の基板、 素子等と接続する。スタッドバンプのインナーリード部への接続は、例えば、図 5 (D) に示すような形状に予め形成されたスタッドバンプを、インナーリード部の所望位置 に、ワイヤーボンド技術と同様な技術を用いて接着することができる。或いは、それ自 体公知の技術のように、例えば、金等のワイヤーの先端を加熱溶融してボールを形 成した後、インナーリード部の所望位置にそのボールを超音波併用熱圧着し、その 後、ワイヤーを切断することによって装着される。 [0025] スタッドバンプ接続後、ノ ッケージ上面の高さを狙ってレべリングを行う。或いは、次 工程の一括モールド封止後にモールド上面の研削または研磨を行うことにより、同時 に、スタッドバンプの上面のレべリングを行うこともできる。
[0026] ワイヤーボンドをし、かつ、スタッドバンプを接続してレべリングした後に、リードフレ ームを外界からの応力、汚染力 守るためにエポキシ榭脂により封止される。この後 の処理は、図 1を参照して説明した第 1の例と同様に行うことができる。必要があれば 、モールド上面の研削または研磨を行 、スタッドバンプの上面をきちんと露出させる。 そして、スタッドバンプの配置力もエリア配置に持っていくためにインクジェットあるい はスクリーン印刷で再配置をすることもできる。この再配線の上に、保護膜を塗布した 後、ここに、外部接続用のバンプ電極を形成することができる。これによつて、スタッド バンプの頭部露出位置と異なったところに電極を配置することが可能となる。つぎに 、チップ個片化のための切断が行われ、これによつて、製品として完成する。
[0027] このように、例示のパッケージは、側面配線を使わなくてもボンディングワイヤーを 工夫することにより、パッケージ内部接続で両面電極が可能となる。

Claims

請求の範囲
[1] LSIチップをモールド榭脂により封止すると共に、おもて面側と裏面側の両面に外部 接続用の電極を備える両面電極パッケージにおいて、
少なくとも裏面側にアウターリード部を裏面側電極として露出させたリードフレーム のダイパッド上に LSIチップを接着して、該 LSIチップとリードフレームの複数のイン ナーリード部の間で配線を行 、、
前記複数のインナーリード部の少なくとも一部には、さらに、リードフレームの一部を 加工することによりおもて面電極を一体に形成し、そのおもて面電極の頭部面に接続 されたバンプ電極を他の基板、素子と接続するための外部接続用電極として構成し 前記バンプ電極は、前記モールド榭脂上で再配線することにより、おもて面電極の 頭部露出位置と異なったところに配置した、
ことを特徴とする両面電極パッケージ。
[2] LSIチップをモールド榭脂により封止すると共に、おもて面側と裏面側の両面に外部 接続用の電極を備える両面電極パッケージにおいて、
少なくとも裏面側にアウターリード部を裏面側電極として露出させたリードフレーム のダイパッド上に LSIチップを接着して、該 LSIチップとリードフレームのインナーリー ド部の間で配線を行い、
前記インナーリード部には、さらに、スタッドバンプを接続し、そのスタッドバンプ頭 部面に接続されたバンプ電極を他の基板、素子と接続するためのおもて面側電極と して構成し、
前記バンプ電極は前記モールド榭脂上で再配線することにより、スタッドバンプの 頭部露出位置と異なったところに前記バンプ電極を配置した、
ことを特徴とする両面電極パッケージ。
[3] LSIチップをモールド榭脂により封止すると共に、おもて面側と裏面側の両面に外部 接続用の電極を備える両面電極パッケージの製造方法において、
少なくとも裏面側にアウターリード部を裏面側電極として露出させたリードフレーム を多数個同時に形成し、 前記リードフレームの複数のインナーリード部の少なくとも一部には、リードフレーム の一部を絞り加工することによりおもて面電極を一体に形成し、
それぞれのダイパッド上に LSIチップを接着して、該 LSIチップとリードフレームの複 数のインナーリード部の間で配線を行 、、
モールド榭脂により一括封止し、
おもて面電極の頭部面に接続されたバンプ電極をモールド榭脂上に露出させて、 他の基板、素子と接続するための外部接続用電極として構成した後、個片化のため の切断を行う、
ことを特徴とする両面電極パッケージの製造方法。
LSIチップをモールド榭脂により封止すると共に、おもて面側と裏面側の両面に外部 接続用の電極を備える両面電極パッケージの製造方法において、
少なくとも裏面側にアウターリード部を裏面側電極として露出させたリードフレーム を多数個同時に形成し、
それぞれのダイパッド上に LSIチップを接着して、該 LSIチップとリードフレームのィ ンナーリード部の間で配線を行 、、
前記インナーリード部には、さらに、スタッドバンプを接続し、
モールド榭脂により一括封止した後、個片化のための切断を行い、
スタッドバンプ頭部面に接続されたバンプ電極をモールド榭脂上に露出させて、他 の基板、素子と接続するためのおもて面側電極として構成した、
ことを特徴とする両面電極パッケージの製造方法。
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