JP2021027116A - 半導体装置 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 248
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 357
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 187
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 187
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 125
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 123
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 66
- 235000014676 Phragmites communis Nutrition 0.000 claims description 10
- 238000013459 approach Methods 0.000 claims description 4
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 claims description 4
- 238000005304 joining Methods 0.000 claims description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 111
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 53
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 53
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 34
- 238000000034 method Methods 0.000 description 27
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 23
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 23
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 23
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 20
- 230000008569 process Effects 0.000 description 19
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 15
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 15
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 11
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 4
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 4
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 4
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-AKLPVKDBSA-N lead-210 Chemical compound [210Pb] WABPQHHGFIMREM-AKLPVKDBSA-N 0.000 description 1
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 238000007665 sagging Methods 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/06—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
- H01L2224/0601—Structure
- H01L2224/0603—Bonding areas having different sizes, e.g. different heights or widths
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L2224/30—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of a plurality of layer connectors
- H01L2224/301—Disposition
- H01L2224/3012—Layout
- H01L2224/30179—Corner adaptations, i.e. disposition of the layer connectors at the corners of the semiconductor or solid-state body
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
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- H01L2224/4911—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain
- H01L2224/49111—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain the connectors connecting two common bonding areas, e.g. Litz or braid wires
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
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- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4911—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain
- H01L2224/49112—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain the connectors connecting a common bonding area on the semiconductor or solid-state body to different bonding areas outside the body, e.g. diverging wires
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- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4911—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain
- H01L2224/49113—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain the connectors connecting different bonding areas on the semiconductor or solid-state body to a common bonding area outside the body, e.g. converging wires
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- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
- H01L2224/83192—Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on another item or body to be connected to the semiconductor or solid-state body
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- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/8336—Bonding interfaces of the semiconductor or solid state body
- H01L2224/83365—Shape, e.g. interlocking features
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- H01L2224/922—Connecting different surfaces of the semiconductor or solid-state body with connectors of different types
- H01L2224/9222—Sequential connecting processes
- H01L2224/92242—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector
- H01L2224/92247—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector the second connecting process involving a wire connector
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Abstract
【課題】厚さの確保と、強度、高導電性および高熱伝導性の確保とを両立できる焼結金属接合材を備えた半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置Ａ１０は、ｚ方向において互いに反対側を向く素子主面６ａおよび素子裏面６ｂと、前記素子裏面６ｂに配置された金属層６４とを有する半導体素子６と、前記半導体素子６が搭載される搭載部１１０と、多孔質の焼結金属を含み、かつ、前記金属層６４と前記搭載部１１０とを接合する焼結金属接合材７５とを備えている。前記焼結金属接合材７５は、前記金属層６４に接する第１接合材７５１と、前記第１接合材７５１に接する第２接合材７５２とを備えている。【選択図】図５
Description
本開示は、半導体素子を搭載した半導体装置に関する。
ダイボンド材として、はんだに代えて焼成型金属接着ペーストを用いた半導体装置が開発されている。たとえば、特許文献１には、ダイボンド材として銀粒子焼結体を含む焼結銀接合材を用いた半導体装置が開示されている。当該半導体装置は、リードフレーム、半導体素子、焼結銀接合材、および封止樹脂硬化物を備えている。半導体素子は、焼結銀接合材によって、リードフレームの一部であるヒートブロックに接合されている。
焼結銀接合材は、銀粒子を含むペーストをヒートブロックに塗布し、当該ペースト上に半導体素子を載置して焼結処理を行うことで形成される。焼結処理により、粒子径が小さい銀粒子が溶融して銀粒子が焼結されることで、金属結合された多孔質の焼結銀の層が、焼結銀接合材として形成される。銀粒子を含むペーストには、熱可塑性樹脂をスペーサとして含むものと、含まないものとがある。スペーサを含まないペーストは、厚く塗布することが難しいので、当該ペーストによって形成された焼結銀接合材は厚さが薄くなる。この場合、応力の吸収が不十分となるので、焼結銀接合材にクラックが発生する可能性がある。一方、スペーサを含むペーストは、厚く塗布することができ、焼結銀接合材を厚く形成することができる。また、スペーサを含むことで低弾性化されるので、応力を十分吸収することができる。しかし、焼結銀接合材に含まれる銀同士の結合の総量が少ないので、強度が弱く、導電性および熱伝導性が低くなる。つまり、従来の焼結銀接合材の場合、厚さの確保と、強度、高導電性および高熱伝導性の確保との両立が難しかった。このような不都合は、焼結銀に限られず、焼結銅などの他の焼結金属の場合にも生じる。
本開示は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、厚さの確保と、強度、高導電性および高熱伝導性の確保とを両立できる焼結金属接合材を備えた半導体装置を提供することをその課題とする。
本開示によって提供される半導体装置は、厚さ方向において互いに反対側を向く素子主面および素子裏面と、前記素子裏面に配置された金属層とを有する半導体素子と、前記半導体素子が搭載される搭載部と、多孔質の焼結金属を含み、かつ、前記金属層と前記搭載部とを接合する焼結金属接合材とを備えており、前記焼結金属接合材は、前記金属層に接する第１接合材と、前記第１接合材に接する第２接合材とを備えている。
本開示によると、焼結金属接合材は、金属層に接する第１接合材と、第１接合材に接する第２接合材とを備えている。これにより、焼結金属接合材は、厚さの確保と、高導電性および高熱伝導性の確保とを両立することができる。
本開示のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。
以下、本開示の好ましい実施の形態を、添付図面を参照して具体的に説明する。
〔第１実施形態〕
図１〜図６に基づき、本開示の第１実施形態にかかる半導体装置Ａ１０について説明する。半導体装置Ａ１０は、複数のリード１〜５、半導体素子６、ボンディングワイヤ７１〜７４、焼結金属接合材７５、めっき層７９、および封止樹脂８を備えている。
図１〜図６に基づき、本開示の第１実施形態にかかる半導体装置Ａ１０について説明する。半導体装置Ａ１０は、複数のリード１〜５、半導体素子６、ボンディングワイヤ７１〜７４、焼結金属接合材７５、めっき層７９、および封止樹脂８を備えている。
図１は、半導体装置Ａ１０を示す斜視図である。図２は、半導体装置Ａ１０を示す平面図である。図２においては、理解の便宜上、封止樹脂８を透過して、封止樹脂８の外形を想像線（二点鎖線）で示している。図３は、半導体装置Ａ１０を示す平面図である。図３においては、封止樹脂８に加えて、半導体素子６およびボンディングワイヤ７１〜７４も透過している。図４は、半導体装置Ａ１０を示す底面図である。図５は、図２のＶ−Ｖ線に沿う断面図である。図６は、半導体装置Ａ１０の要部拡大断面写真である。
これらの図に示す半導体装置Ａ１０は、様々な機器の回路基板に表面実装される装置である。半導体装置Ａ１０の厚さ方向視の形状は矩形状である。説明の便宜上、半導体装置Ａ１０の厚さ方向をｚ方向とし、ｚ方向に直交する半導体装置Ａ１０の一方の辺に沿う方向（図２における左右方向）をｘ方向、ｚ方向およびｘ方向に直交する方向（図２における上下方向）をｙ方向とする。半導体装置Ａ１０の大きさは特に限定されない。
複数のリード１〜５は、半導体素子６を支持するとともに、半導体素子６と導通している。リード１〜５は、金属からなり、好ましくはＣｕおよびＮｉのいずれか、またはこれらの合金や４２アロイなどからなる。本実施形態においては、リード１〜５が、Ｃｕからなる場合を例に説明する。リード１〜５の厚さは、たとえば０．０８〜０．５ｍｍであり、本実施形態においては０．５ｍｍ程度である。リード１〜５は、たとえば、金属板にエッチング加工を施すことで形成されている。なお、リード１〜５は、金属板に打ち抜き加工や折り曲げ加工等を施すことにより形成されてもよい。以降の説明においては、第１リード１、第２リード２、第３リード３、第４リード４、および第５リード５と記載する。なお、まとめて示す場合は、リード１〜５と記載する。
図２に示すように、第１リード１は、半導体装置Ａ１０のｙ方向の中央より一方側（図２においては下側）寄りに配置され、ｘ方向の全体に広がっている。第２リード２と第３リード３とは、ｙ方向において、第１リード１を挟んで互いに反対側に、それぞれ第１リード１から離間して配置されている。第２リード２は、ｙ方向の一方側の端部であり、かつ、ｘ方向の一方側（図２においては左側）の端部に配置されている。第３リード３は、ｙ方向の他方側（図２においては上側）の端部に配置され、ｘ方向の全体に広がっている。第４リード４と第５リード５とは、ｙ方向において、第１リード１に対して第２リード２と同じ側（図２においては下側）に、それぞれ第１リード１から離間して配置されている。また、第２リード２、第５リード５および第４リード４は、互いに離間して、この順でｘ方向に並んで配置されている。第１リード１は、ｚ方向視寸法が、他のリード２〜５に比べて大きい。リード２〜５のｘ方向の寸法は、第３リード３が最大であり、第２リード２、第４リード４、第５リード５の順に小さくなっている。また、第３リード３の第１リード１からの離間距離は、第２リード２、第５リード５および第４リード４の第１リード１からの離間距離より大きい。
第１リード１は、搭載部１１０および連結部１２０を備えている。
搭載部１１０は、ｚ方向視において第１リード１の中央に位置し、ｚ方向視略矩形状である。搭載部１１０は、搭載部主面１１１、搭載部裏面１１２および搭載部裏面側凹部１１３を有する。搭載部主面１１１および搭載部裏面１１２は、ｚ方向において互いに反対側を向いている。搭載部主面１１１は、図５の上方を向く面である。搭載部主面１１１は、半導体素子６が搭載される面である。搭載部裏面１１２は、図５の下方を向く面である。搭載部裏面１１２は、封止樹脂８から露出して、裏面端子になる。搭載部裏面側凹部１１３は、搭載部１１０の一部が搭載部裏面１１２からｚ方向に凹んだ部分である。搭載部１１０のうち搭載部裏面側凹部１１３が位置する部分の厚さ（ｚ方向の寸法）は、搭載部裏面１１２が位置する部分の厚さの半分程度である。搭載部裏面側凹部１１３は、たとえばハーフエッチング処理により形成される。
連結部１２０は、搭載部１１０に繋がっており、ｚ方向視矩形状である。連結部１２０は、搭載部１１０のｘ方向の一方端面に２個配置されている。また、連結部１２０は、搭載部１１０のｘ方向の他方端面にも２個配置されている。つまり、連結部１２０は、合計４個配置されている。各連結部１２０は、連結部主面１２１、連結部裏面１２２、および連結部端面１２３を有する。連結部主面１２１および連結部裏面１２２は、ｚ方向において互いに反対側を向いている。連結部主面１２１は、図５の上方を向く面である。連結部主面１２１と搭載部主面１１１とは、面一になっている。連結部裏面１２２は、図５の下方を向く面である。連結部１２０の厚さ（ｚ方向の寸法）は、搭載部１１０のうち搭載部裏面側凹部１１３が位置する部分の厚さと同程度である。連結部１２０は、たとえばハーフエッチング処理により形成される。連結部端面１２３は、連結部主面１２１および連結部裏面１２２を繋ぐ面であり、ｘ方向外側を向いている。連結部端面１２３は、封止樹脂８から露出している（図１参照）。
第２リード２は、ｚ方向視において、半導体装置Ａ１０の角部（図２においては左下の角部）に配置され、ワイヤボンディング部２１０、端子部２２０および連結部２３０を備えている。
ワイヤボンディング部２１０は、ｚ方向視において、ｘ方向に長い矩形状である。ワイヤボンディング部２１０は、ワイヤボンディング部主面２１１、ワイヤボンディング部裏面２１２およびワイヤボンディング部裏面側凹部２１３を有する。ワイヤボンディング部主面２１１およびワイヤボンディング部裏面２１２は、ｚ方向において互いに反対側を向いている。ワイヤボンディング部主面２１１は、図５の上方を向く面である。ワイヤボンディング部主面２１１は、ボンディングワイヤ７１がボンディングされる面である。ワイヤボンディング部裏面２１２は、図５の下方を向く面である。ワイヤボンディング部裏面２１２は、封止樹脂８から露出して、裏面端子になる。ワイヤボンディング部裏面側凹部２１３は、ワイヤボンディング部２１０の一部がワイヤボンディング部裏面２１２からｚ方向に凹んだ部分である。ワイヤボンディング部２１０のうちワイヤボンディング部裏面側凹部２１３が位置する部分の厚さ（ｚ方向の寸法）は、ワイヤボンディング部裏面２１２が位置する部分の厚さの半分程度である。ワイヤボンディング部裏面側凹部２１３は、たとえばハーフエッチング処理により形成される。
端子部２２０は、ワイヤボンディング部２１０に繋がっており、ｚ方向視矩形状である。端子部２２０は、ワイヤボンディング部２１０のｙ方向の一方端面（半導体装置Ａ１０の外側を向く端面）にｘ方向に２個並んで配置されている。端子部２２０は、端子部主面２２１、端子部裏面２２２、および端子部端面２２３を有する。端子部主面２２１および端子部裏面２２２は、ｚ方向において互いに反対側を向いている。端子部主面２２１は、図５の上方を向く面である。端子部主面２２１とワイヤボンディング部主面２１１とは、面一になっている。端子部裏面２２２は、図５の下方を向く面である。端子部裏面２２２とワイヤボンディング部裏面２１２とは、面一になっている。端子部端面２２３は、端子部主面２２１および端子部裏面２２２を繋ぐ面であり、ｙ方向外側を向いている。ワイヤボンディング部裏面２１２、端子部裏面２２２および端子部端面２２３は、封止樹脂８から露出して繋がっており、端子になる。
連結部２３０は、ワイヤボンディング部２１０のｘ方向外側（図２において左側）に繋がって配置されている。連結部２３０の厚さ（ｚ方向の寸法）は、ワイヤボンディング部裏面側凹部２１３が位置するワイヤボンディング部２１０の厚さと同程度である。連結部２３０は、たとえばハーフエッチング処理により形成される。連結部２３０は、連結部主面２３１、連結部裏面２３２、および連結部端面２３３を有する。連結部主面２３１および連結部裏面２３２は、ｚ方向において互いに反対側を向いている。連結部主面２３１は、図５の上方を向く面である。連結部主面２３１とワイヤボンディング部主面２１１とは、面一になっている。したがって、ワイヤボンディング部主面２１１、端子部主面２２１および連結部主面２３１は、面一の一体となった面になっている（図２参照）。連結部裏面２３２は、図５の下方を向く面である。連結部端面２３３は、連結部主面２３１および連結部裏面２３２を繋ぐ面のうち、ｘ方向を向く面であり、封止樹脂８から露出する面である。
第３リード３は、ｚ方向視において、半導体装置Ａ１０のｙ方向の他方側（図２においては上側）の端部に配置され、ｘ方向の全体に広がっており、ワイヤボンディング部３１０、端子部３２０、および連結部３３０を備えている。
ワイヤボンディング部３１０は、ｚ方向視において、ｘ方向に長い矩形状である。ワイヤボンディング部３１０は、ワイヤボンディング部主面３１１、ワイヤボンディング部裏面３１２、およびワイヤボンディング部裏面側凹部３１３を有する。ワイヤボンディング部主面３１１およびワイヤボンディング部裏面３１２は、ｚ方向において互いに反対側を向いている。ワイヤボンディング部主面３１１は、図５の上方を向く面である。ワイヤボンディング部主面３１１は、ボンディングワイヤ７２がボンディングされる面である。ワイヤボンディング部裏面３１２は、図５の下方を向く面である。ワイヤボンディング部裏面３１２は、封止樹脂８から露出して、裏面端子になる。ワイヤボンディング部裏面側凹部３１３は、ワイヤボンディング部３１０の一部がワイヤボンディング部裏面３１２からｚ方向に凹んだ部分である。ワイヤボンディング部３１０のうちワイヤボンディング部裏面側凹部３１３が位置する部分の厚さ（ｚ方向の寸法）は、ワイヤボンディング部裏面３１２が位置する部分の厚さの半分程度である。ワイヤボンディング部裏面側凹部３１３は、たとえばハーフエッチング処理により形成される。
端子部３２０は、ワイヤボンディング部３１０に繋がっており、ｚ方向視矩形状である。端子部３２０は、ワイヤボンディング部３１０のｙ方向の一方端面（半導体装置Ａ１０の外側を向く端面）にｘ方向に４個並んで配置されている。端子部３２０は、端子部主面３２１、端子部裏面３２２、および端子部端面３２３を有する。端子部主面３２１および端子部裏面３２２は、ｚ方向において互いに反対側を向いている。端子部主面３２１は、図５の上方を向く面である。端子部主面３２１とワイヤボンディング部主面３１１とは、面一になっている。端子部裏面３２２は、図５の下方を向く面である。端子部裏面３２２とワイヤボンディング部裏面３１２とは、面一になっている。端子部端面３２３は、端子部主面３２１および端子部裏面３２２を繋ぐ面であり、ｙ方向外側を向いている。ワイヤボンディング部裏面３１２、端子部裏面３２２および端子部端面３２３は、封止樹脂８から露出して繋がっており、端子になる。
連結部３３０は、２個備えられており、ワイヤボンディング部３１０のｘ方向両端部にそれぞれ繋がって配置されている。連結部３３０の厚さ（ｚ方向の寸法）は、ワイヤボンディング部裏面側凹部３１３が位置するワイヤボンディング部３１０の厚さと同程度である。連結部３３０は、たとえばハーフエッチング処理により形成される。連結部３３０は、連結部主面３３１、連結部裏面３３２、および連結部端面３３３を有する。連結部主面３３１および連結部裏面３３２は、ｚ方向において互いに反対側を向いている。連結部主面３３１は、図５の上方を向く面である。連結部主面３３１とワイヤボンディング部主面３１１とは、面一になっている。したがって、ワイヤボンディング部主面３１１、端子部主面３２１および連結部主面３３１は、面一の一体となった面になっている（図２参照）。連結部裏面３３２は、図５の下方を向く面である。連結部端面３３３は、連結部主面３３１および連結部裏面３３２を繋ぐ面のうち、ｘ方向を向く面であり、封止樹脂８から露出する面である。
第４リード４は、ｚ方向視において、半導体装置Ａ１０の角部（図２においては右下の角部）に配置され、ワイヤボンディング部４１０、端子部４２０および連結部４３０を備えている。
ワイヤボンディング部４１０は、ｚ方向視において、ｘ方向に長い矩形状である。ワイヤボンディング部４１０は、ワイヤボンディング部主面４１１、ワイヤボンディング部裏面４１２およびワイヤボンディング部裏面側凹部４１３を有する。ワイヤボンディング部主面４１１およびワイヤボンディング部裏面４１２は、ｚ方向において互いに反対側を向いている。ワイヤボンディング部主面４１１は、図５の上方を向く面である。ワイヤボンディング部主面４１１は、ボンディングワイヤ７３がボンディングされる面である。ワイヤボンディング部裏面４１２は、図５の下方を向く面である。ワイヤボンディング部裏面４１２は、封止樹脂８から露出して、裏面端子になる。ワイヤボンディング部裏面側凹部４１３は、ワイヤボンディング部４１０の一部がワイヤボンディング部裏面４１２からｚ方向に凹んだ部分である。ワイヤボンディング部４１０のうちワイヤボンディング部裏面側凹部４１３が位置する部分の厚さ（ｚ方向の寸法）は、ワイヤボンディング部裏面４１２が位置する部分の厚さの半分程度である。ワイヤボンディング部裏面側凹部４１３は、たとえばハーフエッチング処理により形成される。
端子部４２０は、ワイヤボンディング部４１０に繋がっており、ｚ方向視矩形状である。端子部４２０は、ワイヤボンディング部４１０のｙ方向の一方端面（半導体装置Ａ１０の外側を向く端面）に配置されている。端子部４２０は、端子部主面４２１、端子部裏面４２２、および端子部端面４２３を有する。端子部主面４２１および端子部裏面４２２は、ｚ方向において互いに反対側を向いている。端子部主面４２１は、図５の上方を向く面である。端子部主面４２１とワイヤボンディング部主面４１１とは、面一になっている。端子部裏面４２２は、図５の下方を向く面である。端子部裏面４２２とワイヤボンディング部裏面４１２とは、面一になっている。端子部端面４２３は、端子部主面４２１および端子部裏面４２２を繋ぐ面であり、ｙ方向外側を向いている。ワイヤボンディング部裏面４１２、端子部裏面４２２および端子部端面４２３は、封止樹脂８から露出して繋がっており、端子になる。
連結部４３０は、ワイヤボンディング部４１０のｘ方向外側（図２において右側）に繋がって配置されている。連結部４３０の厚さ（ｚ方向の寸法）は、ワイヤボンディング部裏面側凹部４１３が位置するワイヤボンディング部４１０の厚さと同程度である。連結部４３０は、たとえばハーフエッチング処理により形成される。連結部４３０は、連結部主面４３１、連結部裏面４３２、および連結部端面４３３を有する。連結部主面４３１および連結部裏面４３２は、ｚ方向において互いに反対側を向いている。連結部主面４３１は、図５の上方を向く面である。連結部主面４３１とワイヤボンディング部主面４１１とは、面一になっている。したがって、ワイヤボンディング部主面４１１、端子部主面４２１および連結部主面４３１は、面一の一体となった面になっている（図２参照）。連結部裏面４３２は、図５の下方を向く面である。連結部端面４３３は、連結部主面４３１および連結部裏面４３２を繋ぐ面のうち、ｘ方向を向く面であり、封止樹脂８から露出する面である。
第５リード５は、ｚ方向視において、半導体装置Ａ１０のｙ方向の一方側（図２においては下側）の端部の、第２リード２と第４リード４との間に配置され、ワイヤボンディング部５１０および端子部５２０を備えている。
ワイヤボンディング部５１０は、ｚ方向視において、ｘ方向に長い矩形状である。ワイヤボンディング部５１０は、ワイヤボンディング部主面５１１、ワイヤボンディング部裏面５１２およびワイヤボンディング部裏面側凹部５１３を有する。ワイヤボンディング部主面５１１およびワイヤボンディング部裏面５１２は、ｚ方向において互いに反対側を向いている。ワイヤボンディング部主面５１１は、図５の上方を向く面である。ワイヤボンディング部主面５１１は、ボンディングワイヤ７４がボンディングされる面である。ワイヤボンディング部裏面５１２は、図５の下方を向く面である。ワイヤボンディング部裏面５１２は、封止樹脂８から露出して、裏面端子になる。ワイヤボンディング部裏面側凹部５１３は、ワイヤボンディング部５１０の一部がワイヤボンディング部裏面５１２からｚ方向に凹んだ部分である。ワイヤボンディング部５１０のうちワイヤボンディング部裏面側凹部５１３が位置する部分の厚さ（ｚ方向の寸法）は、ワイヤボンディング部裏面５１２が位置する部分の厚さの半分程度である。ワイヤボンディング部裏面側凹部５１３は、たとえばハーフエッチング処理により形成される。
端子部５２０は、ワイヤボンディング部５１０に繋がっており、ｚ方向視矩形状である。端子部５２０は、ワイヤボンディング部５１０のｙ方向の一方端面（半導体装置Ａ１０の外側を向く端面）に配置されている。端子部５２０は、端子部主面５２１、端子部裏面５２２、および端子部端面５２３を有する。端子部主面５２１および端子部裏面５２２は、ｚ方向において互いに反対側を向いている。端子部主面５２１は、図５の上方を向く面である。端子部主面５２１とワイヤボンディング部主面５１１とは、面一になっている。端子部裏面５２２は、図５の下方を向く面である。端子部裏面５２２とワイヤボンディング部裏面５１２とは、面一になっている。端子部端面５２３は、端子部主面５２１および端子部裏面５２２を繋ぐ面であり、ｙ方向外側を向いている。ワイヤボンディング部裏面５１２、端子部裏面５２２および端子部端面５２３は、封止樹脂８から露出して繋がっており、端子になる。
めっき層７９は、第１リード１の搭載部主面１１１に接して形成されている。図２および図３に示すように、めっき層７９は、搭載部主面１１１のうち、半導体素子６が搭載される部分を覆っている。本実施形態においては、めっき層７９は、ｚ方向視において長矩形状であり、搭載部主面１１１のｘ方向中央で、かつ、ｙ方向中央に配置されている。なお、めっき層７９は、少なくとも半導体素子６を搭載する部分を覆っていればよく、その他の部分も覆っていてもよい。つまり、めっき層７９は、搭載部主面１１１の全面を覆っていてもよいし、搭載部裏面１１２にも形成されていてもよい。また、めっき層７９は、第１リード１の全体を覆っていてもよい。めっき層７９は、たとえばＡｇを含有する。なお、めっき層７９の材料は限定されない。
半導体素子６は、半導体装置Ａ１０の電気的機能を発揮する要素である。本実施形態では、半導体素子６は、トランジスタである。なお、トランジスタの種類および内部構造は限定されない。また、半導体素子６は、他の半導体素子であってもよく、たとえばダイオードや、サイリスタ、コントロールＩＣなどのＩＣチップであってもよい。本実施形態では、半導体素子６はＨＥＭＴ（High Electron Mobility Transistor：高電子移動度トランジスタ）であって、素子本体６０、第１電極６１、第２電極６２、第３電極６３、および金属層６４を備えている。
素子本体６０は、半導体材料よりなる。本実施形態においては、当該半導体材料はシリコンである。素子本体６０は、直方体であり、素子主面６ａ、素子裏面６ｂ、および素子側面６ｃを備えている。図５に示すように、素子主面６ａおよび素子裏面６ｂは、ｚ方向において互いに反対側を向いている。素子主面６ａは、図５の上方を向く面である。素子裏面６ｂは、図５の下方を向く面である。素子側面６ｃは、素子主面６ａおよび素子裏面６ｂに繋がる面であり、ｘ方向またはｙ方向を向いている。
第１電極６１、第２電極６２、および第３電極６３は、たとえばＣｕ，Ｎｉ，Ａｌ，Ａｕなどのめっき層からなり、図２に示すように、素子主面６ａに配置されている。なお、第１電極６１、第２電極６２、および第３電極６３の配置のレイアウトは限定されない。第１電極６１は、ソース電極として機能する。第２電極６２は、ドレイン電極として機能する。第３電極６３は、ゲート電極として機能する。
金属層６４は、図５に示すように、素子裏面６ｂに配置されている。本実施形態では、金属層６４は、素子裏面６ｂの全体を覆っている。なお、金属層６４は、素子裏面６ｂの一部にのみ形成されていてもよい。ただし、焼結金属接合材７５に接する面積を大きくするために、金属層６４は、素子裏面６ｂの全面を覆うことが望ましい。金属層６４の材料は、焼結金属接合材７５と金属結合する金属であればよく、たとえばＡｇ，Ａｕ，Ｃｕ，Ｎｉなどが考えられる。なお、金属層６４の材料は、これらに限定されず、他の金属であってもよいし、合金であってもよい。本実施形態では、金属層６４の材料は、Ａｇである。
図２に示すように、半導体素子６は、第１リード１の搭載部主面１１１に形成されためっき層７９上に搭載されている。図５に示すように、半導体素子６は、素子裏面６ｂを搭載部主面１１１に向けて、焼結金属接合材７５を介して、第１リード１の搭載部主面１１１に搭載されている。
焼結金属接合材７５は、半導体素子６と第１リード１との間に介在し、これらを接合する。焼結金属接合材７５は、焼結金属を含んでいる。本実施形態においては、当該焼結金属は、焼結銀である。なお、焼結金属はこれに限られず、焼結銅などであってもよい。焼結金属接合材７５は多孔質であり、多数の微細孔を有する。焼結金属接合材７５は、銀粒子を含むペーストに焼結処理を行って銀粒子を焼結させ、金属結合された多孔質の焼結銀の層として形成される。焼結金属接合材７５は、半導体素子６の素子裏面６ｂに形成された金属層６４に接しており、金属層６４と金属結合している。また、焼結金属接合材７５は、第１リード１の搭載部主面１１１に形成されためっき層７９に接しており、めっき層７９とも金属結合している。これにより、焼結金属接合材７５は、半導体素子６が放出した熱を、効率よく第１リード１に伝達することができる。
焼結金属接合材７５は、図２に示すように、ｚ方向視において、半導体素子６に重なっている。また、焼結金属接合材７５は、図３に示すように、ｚ方向視において、めっき層７９に内包されている。本実施形態では、焼結金属接合材７５のｚ方向に直交する断面は、第１リード１の搭載部主面１１１に近づくほど大きくなり、半導体素子６に近づくほど小さくなっている。つまり、図５に示すように、焼結金属接合材７５のｘ方向視の形状は台形状になっており、図示しないが、焼結金属接合材７５のｙ方向視の形状も台形状になっている。また、本実施形態では、図５に示すように、焼結金属接合材７５は、半導体素子６の素子本体６０の素子側面６ｃの一部も覆っている。本実施形態では、焼結金属接合材７５の厚さ（ｚ方向寸法）は、２０μｍ以上５０μｍ以下であるが、これに限定されない。
図３および図５に示すように、焼結金属接合材７５は、第１接合材７５１および第２接合材７５２を備えている。第１接合材７５１および第２接合材７５２に含まれる焼結金属は、同じ焼結金属であってもよいし、互いに異なる焼結金属であってもよい。本実施形態では、いずれも焼結銀である。図３および図５においては、理解の便宜上、第１接合材７５１に大きな点描を付しており、第２接合材７５２に小さな点描を付している。
第１接合材７５１は、図３に示すように、ｚ方向視において、焼結金属接合材７５の中央に配置されている。また、図５に示すように、第１接合材７５１は、金属層６４およびめっき層７９に接しており、金属層６４およびめっき層７９と金属結合している。本実施形態では、第１接合材７５１における焼結銀の体積比率は、比較的高く、たとえば５０％以上８０％以下である。なお、焼結銀の体積比率はこの範囲に限定されない。また、第１接合材７５１は、スペーサを含んでいない。なお、第１接合材７５１は、少量のスペーサを含んでいてもよい。
図６（ｂ）は、図６(ａ)に示す半導体装置Ａ１０の要部拡大断面写真における領域Ｂの部分をさらに拡大した要部拡大断面写真であり、第１接合材７５１の断面を示している。図６（ｂ）において、切断時のダレにより薄く黒くなっている部分があるが、第１接合材７５１は、多数の微細孔が全体に配置された多孔質の焼結銀であることが解る。
第２接合材７５２は、ｚ方向視において、第１接合材７５１の周囲に配置され、本実施形態では、図３に示すように、焼結金属接合材７５の四隅に配置されている。第２接合材７５２は、第１接合材７５１に接しており、第１接合材７５１と金属結合している。また、図５に示すように、第２接合材７５２は、金属層６４およびめっき層７９に接しており、金属層６４およびめっき層７９と金属結合している。第２接合材７５２における焼結銀の体積比率は、第１接合材７５１における焼結銀の体積比率より低く、本実施形態では、２０％以上５０％以下である。なお、焼結銀の体積比率はこの範囲に限定されない。また、第２接合材７５２は、たとえばアクリル樹脂などからなるスペーサを含んでいる。
なお、スペーサの材料は限定されず、他の熱可塑性樹脂であってもよいし、その他の材料であってもよい。本実施形態では、第２接合材７５２におけるスペーサの体積比率は、０．０１％以上１％以下である。なお、スペーサの体積比率はこの範囲に限定されない。
なお、スペーサの材料は限定されず、他の熱可塑性樹脂であってもよいし、その他の材料であってもよい。本実施形態では、第２接合材７５２におけるスペーサの体積比率は、０．０１％以上１％以下である。なお、スペーサの体積比率はこの範囲に限定されない。
図６（ｃ）は、図６(ａ)に示す半導体装置Ａ１０の要部拡大断面写真における領域Ｃの部分をさらに拡大した要部拡大断面写真であり、第２接合材７５２の断面を示している。図６（ｃ）に示すように、第２接合材７５２は、多数の微細孔が全体に配置された多孔質の焼結銀であり、スペーサが全体に配置されていることが解る。
ボンディングワイヤ７１〜７４は、半導体素子６とリード２〜５とを接続し、これらを導通させるものである。ボンディングワイヤ７１〜７４は、たとえばＣｕ，Ａｕ，Ａｇ，Ａｌなどの金属からなる。なお、ボンディングワイヤ７１〜７４の材料は限定されない。また、ボンディングワイヤ７１〜７４は、たとえば不純物として他の成分（金属、非金属等）を許容範囲内で含んでいてもよい。
複数のボンディングワイヤ７１は、半導体素子６の第１電極６１と、第２リード２のワイヤボンディング部主面２１１とに接続されている。これにより、第２リード２は、半導体素子６の第１電極６１（ソース電極）に電気的に接続されて、ソース端子として機能する。複数のボンディングワイヤ７２は、半導体素子６の第２電極６２と、第３リード３のワイヤボンディング部主面３１１とに接続されている。これにより、第３リード３は、半導体素子６の第２電極６２（ドレイン電極）に電気的に接続されて、ドレイン端子として機能する。ボンディングワイヤ７３は、半導体素子６の第３電極６３と、第４リード４のワイヤボンディング部主面４１１とに接続されている。これにより、第４リード４は、半導体素子６の第３電極６３（ゲート電極）に電気的に接続されて、ゲート端子として機能する。複数のボンディングワイヤ７４は、半導体素子６の第１電極６１と、第５リード５のワイヤボンディング部主面５１１とに接続されている。これにより、第５リード５は、半導体素子６の第１電極６１（ソース電極）に電気的に接続されて、ソースセンス端子として機能する。ソースセンス端子は、第１電極６１（ソース電極）の電位を検出するための端子である。なお、各ボンディングワイヤ７１〜７４の本数は限定されない。また、ボンディングワイヤ７１〜７４に代えて、たとえばＣｕなどの金属板が用いられてもよい。
封止樹脂８は、各リード１〜５の一部ずつ、半導体素子６、焼結金属接合材７５、めっき層７９、およびボンディングワイヤ７１〜７４を覆っている。封止樹脂８は、電気絶縁性を有する熱硬化性の合成樹脂である。本実施形態においては、封止樹脂８は、たとえば黒色のエポキシ樹脂からなる。
封止樹脂８は、樹脂主面８１、樹脂裏面８２および樹脂側面８３を有する。樹脂主面８１と樹脂裏面８２とは、ｚ方向において互いに反対側を向いている。樹脂主面８１は、図５の上方を向く面であり、樹脂裏面８２は、図５の下方を向く面である。樹脂側面８３は、樹脂主面８１および樹脂裏面８２を繋ぐ面であり、ｘ方向またはｙ方向を向いている。
本実施形態においては、第１リード１の連結部端面１２３と、第２リード２の端子部端面２２３および連結部端面２３３と、第３リード３の端子部端面３２３および連結部端面３３３と、第４リード４の端子部端面４２３および連結部端面４３３と、第５リード５の端子部端面５２３とが、封止樹脂８の樹脂側面８３と互いに面一である。また、第１リード１の搭載部裏面１１２と、第２リード２のワイヤボンディング部裏面２１２および端子部裏面２２２と、第３リード３のワイヤボンディング部裏面３１２および端子部裏面３２２と、第４リード４のワイヤボンディング部裏面４１２および端子部裏面４２２と、第５リード５のワイヤボンディング部裏面５１２および端子部裏面５２２とが、封止樹脂８の樹脂裏面８２と互いに面一である。
次に、半導体装置Ａ１０の製造方法の一例について、図７〜図１１を参照して以下に説明する。なお、これらの図は、部分拡大平面図であり、ｘ方向およびｙ方向は、図２と同じ方向を示している。
まず、図７に示すように、リードフレーム９１０を用意する。リードフレーム９１０は、各リード１〜５となる板状の材料である。リードフレーム９１０の主面９１１は、第１リード１の搭載部主面１１１および連結部主面１２１と、第２リード２のワイヤボンディング部主面２１１、端子部主面２２１および連結部主面２３１と、第３リード３のワイヤボンディング部主面３１１、端子部主面３２１および連結部主面３３１と、第４リード４のワイヤボンディング部主面４１１、端子部主面４２１および連結部主面４３１と、第５リード５のワイヤボンディング部主面５１１および端子部主面５２１になる面である。リードフレーム９１０の主面９１１は、面一になっている。図中の比較的密であるハッチングが施された領域は、厚さ（ｚ方向の寸法）が厚い領域である。一方、図中の比較的粗であるハッチングが施された領域は、厚さ（ｚ方向の寸法）が薄い領域である。当該領域は、たとえばハーフエッチング処理により形成される。本実施形態においては、リードフレーム９１０の母材は、Ｃｕからなる。
次いで、図８に示すように、リードフレーム９１０の主面９１１のうち、第１リード１の搭載部主面１１１になる部分の中央に、めっき層７９を形成する。めっき層７９は、たとえば、電解めっきにより形成される。
また、リードフレーム９１０とは別に、半導体素子６を用意する。具体的には、素子本体６０となるウエハに第１電極６１、第２電極６２、第３電極６３、および金属層６４となるめっき処理を施す。当該ウエハは、素子本体６０（半導体素子６）を複数個生成可能なサイズとされる。そして、めっき処理されたウエハをダイシングして、半導体素子６を生成する。
次いで、図９に示すように、めっき層７９に、第２接合材７５２になる焼結銀ペースト９２２を塗布する。焼結銀ペースト９２２は、溶媒中にマイクロサイズあるいはナノサイズの銀粒子を混ぜ合わせたペースト状である。焼結銀ペースト９２２は、たとえばアクリル樹脂などからなるスペーサを含んでいる。焼結銀ペースト９２２は、たとえばディスペンサーを用いて、めっき層７９上の四隅付近に塗布される。なお、焼結銀ペースト９２２は、スクリーン印刷などの他の方法で塗布されてもよい。
次いで、図９に示すように、めっき層７９上の焼結銀ペースト９２２が塗布された領域に囲まれた中央の領域に、第１接合材７５１になる焼結銀ペースト９２１を塗布する。焼結銀ペースト９２１は、溶媒中にマイクロサイズあるいはナノサイズの銀粒子を混ぜ合わせたペースト状である。本実施形態では、焼結銀ペースト９２２は、スペーサを含んでいない。焼結銀ペースト９２１は、たとえばディスペンサーを用いて塗布される。なお、焼結銀ペースト９２１は、スクリーン印刷などの他の方法で塗布されてもよい。また、焼結銀ペースト９２１の塗布工程と、焼結銀ペースト９２２の塗布工程とは、順番が反対であってもよい。
次いで、焼結銀ペースト９２１および焼結銀ペースト９２２を挟むようにして、半導体素子６をめっき層７９上に載置する。半導体素子６は、素子裏面６ｂを搭載部主面１１１に向けて載置される。本実施形態では、半導体素子６は、特に力を加えることなく、焼結銀ペースト９２１および焼結銀ペースト９２２上に載置される。半導体素子６の自重により、図１０に示すように、焼結銀ペースト９２１および焼結銀ペースト９２２は周囲に広がる。焼結銀ペースト９２２は、スペーサが含まれているので、焼結銀ペースト９２１に比べて広がる範囲が狭い。また、焼結銀ペースト９２１は、焼結銀ペースト９２２より広い範囲に広がるが、焼結銀ペースト９２２が存在している部分では、焼結銀ペースト９２２によって堰き止められるので、それ以上広がらず、ある程度の厚さが確保される。
次いで、焼結処理工程を行う。具体的には、焼結銀ペースト９２１および焼結銀ペースト９２２上に半導体素子６を載置した状態を維持したまま、焼結銀ペースト９２１および焼結銀ペースト９２２を、所定の焼結条件で熱処理する。当該焼結条件としては、加圧の有無、加熱時間、加熱温度、環境（雰囲気）などが挙げられる。本実施形態においては、たとえば、無加圧状態で、２００℃で２時間の熱処理を、酸素を含んだ雰囲気中で行う。なお、焼結条件は、上記したものに限定されない。上記熱処理を行うことで、焼結銀ペースト９２１および焼結銀ペースト９２２の溶媒が揮発・消失し、ナノサイズの銀粒子が溶融してマイクロサイズの銀粒子が焼結される。これにより、金属結合された多孔質の焼結銀の層が、焼結金属接合材７５として形成される。焼結処理工程により、焼結銀ペースト９２１は第１接合材７５１になり、焼結銀ペースト９２２は第２接合材７５２になる。第１接合材７５１と第２接合材７５２とは金属結合されており、焼結金属接合材７５は、金属層６４およびめっき層７９とも金属結合している。
次いで、図１１に示すように、ボンディングワイヤ７１〜７４を半導体素子６の各電極６１〜６３とリードフレーム９１０とにボンディングする。ワイヤボンディング工程は、キャピラリを用いたワイヤボンダによって行う。具体的には、まず、ワイヤボンダのキャピラリからワイヤの先端部を突出させ、これを溶解させて、ワイヤの先端部をボール状にする。このボール状の先端部を各電極６１〜６３に押し付ける。次に、キャピラリからワイヤを引き出しつつキャピラリを移動させ、リードフレーム９１０の各リード２〜５になる部分にワイヤを押し付ける。そして、キャピラリのクランパでワイヤを押さえながら、キャピラリを持ち上げ、ワイヤを切断する。これにより、ボンディングワイヤ７１〜７４が形成される。なお、ボンディングワイヤ７１〜７４の形成の順番は限定されない。なお、ワイヤボンディング工程は、ウェッジツールを用いたワイヤボンダによって行ってもよい。また、ボンディングワイヤ７１〜７４によって、ワイヤボンダを変更してもよい。
次いで、樹脂材料を硬化させることにより、リードフレーム９１０の一部、半導体素子６、およびボンディングワイヤ７１〜７４を覆う封止樹脂８（図示略）を形成する。封止樹脂８の形成工程は、たとえば、金型を用いた、周知のトランスファモールド成形により行われる。具体的には、半導体素子６およびボンディングワイヤ７１〜７４をボンディングしたリードフレーム９１０を、金型成形機にセットし、流動化させたエポキシ樹脂を金型内のキャビティに流し込み、モールド成形する。そして、エポキシ樹脂を硬化させ、成形済みのリードフレーム９１０を取り出す。そして、余分な樹脂やバリ取りなどを行う。本実施形態においては、封止樹脂８は、図１１に示された全領域に形成される。
次いで、リードフレーム９１０および封止樹脂８を、切断線９５０に沿って切断する。これにより、半導体装置Ａ１０となる個片が形成される。以上の工程を経ることにより、上述した半導体装置Ａ１０が得られる。
次に、半導体装置Ａ１０の作用効果について説明する。
本実施形態によると、焼結金属接合材７５は、第１接合材７５１および第２接合材７５２を備えている。第２接合材７５２は、ｚ方向視において、焼結金属接合材７５の四隅に配置されており、スペーサを含んでいる。スペーサを含んでいるので、第２接合材７５２は、厚く形成することができる。第１接合材７５１は、ｚ方向視において、焼結金属接合材７５の中央に配置され、スペーサを含んでいない。半導体素子６を載置した際、第１接合材７５１になる焼結銀ペースト９２１は周囲に広がるが、第２接合材７５２になる焼結銀ペースト９２２によって堰き止められることで、ある程度の厚さが確保される。したがって、焼結金属接合材７５は、ある程度の厚さにできるので、応力を吸収して、クラックの発生を抑制することができる。また、第１接合材７５１における焼結銀の体積比率は第２接合材７５２における焼結銀の体積比率より高いので、焼結金属接合材７５を第２接合材７５２のみとした場合と比較して、焼結金属接合材７５に含まれる銀同士の結合の総量を多くすることができる。したがって、強度を強くし、導電性および熱伝導性を高くすることができる。つまり、焼結金属接合材７５は、厚さの確保と、強度、高導電性および高熱伝導性の確保とを両立することができる。
また、本実施形態によると、焼結金属接合材７５は、第１接合材７５１と第２接合材７５２とが金属結合し、金属層６４およびめっき層７９とも金属結合している。したがって、半導体素子６と第１リード１との導電性および熱伝導性を、金属ペーストやはんだペーストを用いて接合した場合と比較して、向上させることができる。
なお、半導体素子６の素子裏面６ｂに形成された金属層６４は、素子本体６０の内部で、第１電極６１、第２電極６２、および第３電極６３のいずれかに接続されていてもよい。この場合、金属層６４は裏面電極として機能する。たとえば、第１電極６１が金属層６４に接続している場合、金属層６４は、裏面のソース電極として機能する。金属層６４は、焼結金属接合材７５によって第１リード１に接合されているので、第１リード１はソース端子として機能する。
〔第１変形例〕
図１２および図１３は、半導体装置Ａ１０の第１変形例である半導体装置Ａ１１を示している。これらの図において、先述した半導体装置Ａ１０と同一または類似の要素には同一の符号を付して、重複する説明を省略する。図１２は、半導体装置Ａ１１を示す平面図であり、図３に対応する図である。図１２においては、封止樹脂８、半導体素子６およびボンディングワイヤ７１〜７４を透過して、封止樹脂８の外形を想像線（二点鎖線）で示している。図１３は、半導体装置Ａ１１の製造方法の一例の工程を示す部分拡大平面図であり、図９に対応する図である。
図１２および図１３は、半導体装置Ａ１０の第１変形例である半導体装置Ａ１１を示している。これらの図において、先述した半導体装置Ａ１０と同一または類似の要素には同一の符号を付して、重複する説明を省略する。図１２は、半導体装置Ａ１１を示す平面図であり、図３に対応する図である。図１２においては、封止樹脂８、半導体素子６およびボンディングワイヤ７１〜７４を透過して、封止樹脂８の外形を想像線（二点鎖線）で示している。図１３は、半導体装置Ａ１１の製造方法の一例の工程を示す部分拡大平面図であり、図９に対応する図である。
半導体装置Ａ１１は、ｚ方向視における、第１接合材７５１および第２接合材７５２の形状が、半導体装置Ａ１０と異なる。
第１接合材７５１は、図１３に示すように、ｚ方向視において、焼結金属接合材７５の中央に配置されている。第２接合材７５２は、ｚ方向視において、第１接合材７５１の周囲を囲むように配置され、第１接合材７５１に接して金属結合している。
第１接合材７５１および第２接合材７５２は、製造工程において、図１３に示すように、焼結銀ペースト９２１および焼結銀ペースト９２２を塗布することで形成される。具体的には、まず、焼結銀ペースト９２２を、めっき層７９の周縁に沿った環形状に塗布する。次いで、めっき層７９上の焼結銀ペースト９２２が塗布された領域に囲まれた中央の領域に、焼結銀ペースト９２１を塗布する。なお、焼結銀ペースト９２１の塗布工程と、焼結銀ペースト９２２の塗布工程とは、順番が反対であってもよい。
本変形例によると、スペーサを含んでいる第２接合材７５２が、ｚ方向視において焼結金属接合材７５の外周に配置されており、焼結銀の体積比率が高い第１接合材７５１が、ｚ方向視において焼結金属接合材７５の中央に配置されている。したがって、本変形例においても、第１実施形態と同様の効果を奏することができる。
なお、第１接合材７５１および第２接合材７５２の形状は限定されず、第２接合材７５２がｚ方向視において、第１接合材７５１の周囲に配置されていればよい。
〔第２実施形態〕
図１４〜図２０に基づき、本開示の第２実施形態にかかる半導体装置Ａ２０について説明する。これらの図において、先述した半導体装置Ａ１０と同一または類似の要素には同一の符号を付して、重複する説明を省略する。図１４は、半導体装置Ａ２０を示す断面図であり、図５に対応する図である。図１５（ａ）は、半導体装置Ａ２０の要部拡大断面写真である。図１５（ｂ）は、図１５(ａ)に示す半導体装置Ａ２０の要部拡大断面写真における領域Ｂの部分をさらに拡大した要部拡大断面写真であり、焼結金属接合材７５の断面を示している。
図１４〜図２０に基づき、本開示の第２実施形態にかかる半導体装置Ａ２０について説明する。これらの図において、先述した半導体装置Ａ１０と同一または類似の要素には同一の符号を付して、重複する説明を省略する。図１４は、半導体装置Ａ２０を示す断面図であり、図５に対応する図である。図１５（ａ）は、半導体装置Ａ２０の要部拡大断面写真である。図１５（ｂ）は、図１５(ａ)に示す半導体装置Ａ２０の要部拡大断面写真における領域Ｂの部分をさらに拡大した要部拡大断面写真であり、焼結金属接合材７５の断面を示している。
本実施形態にかかる半導体装置Ａ２０は、焼結金属接合材７５の構成が、第１実施形態にかかる半導体装置Ａ１０と異なる。
本実施形態にかかる焼結金属接合材７５は、図１４に示すように、第１接合材７５３および第２接合材７５４を備えている。本実施形態においては、第１接合材７５３および第２接合材７５４は、第１実施形態にかかる第１接合材７５１と同じ材料からなる。すなわち、第１接合材７５３および第２接合材７５４は、焼結銀を含んでおり、スペーサを含んでいない。なお、第１接合材７５３および第２接合材７５４は、少量のスペーサを含んでいてもよい。また、第１接合材７５３および第２接合材７５４の焼結銀の体積比率は同じであり、比較的高く、たとえば５０％以上８０％以下である。なお、焼結銀の体積比率はこの範囲に限定されない。なお、第１接合材７５３の材料と第２接合材７５４の材料とは異なっていてもよい。
本実施形態において、第１接合材７５３および第２接合材７５４は、図１４に示すように、めっき層７９と半導体素子６との間で、積層されている。図１４においては、理解の便宜上、第１接合材７５３に大きな点描を付しており、第２接合材７５４に小さな点描を付している。
第２接合材７５４は、めっき層７９上に配置され、めっき層７９に接して形成されている。また、第２接合材７５４は、ｚ方向視において、めっき層７９の中央に位置し、めっき層７９の大部分の領域に重なっている。第２接合材７５４は、めっき層７９と金属結合している。第１接合材７５３は、めっき層７９上に配置され、第２接合材７５４に接して形成されている。また、ｚ方向視において、第１接合材７５３の全体は、第２接合材７５４に重なっている。第１接合材７５３は、第２接合材７５４と金属結合している。また、第１接合材７５３は、半導体素子６の素子裏面６ｂに形成された金属層６４に接しており、金属層６４と金属結合している。焼結金属接合材７５の厚さ（ｚ方向寸法）に占める第１接合材７５３の厚さの割合は、５０％が望ましいが、場所により変化する。本実施形態では、２０％以上８０％以下になっている。
焼結金属接合材７５は、ｚ方向視において半導体素子６に重なり、かつ、第１接合材７５３と第２接合材７５４とが互いに積層された積層部７５５を含んでいる。本実施形態では、ｚ方向視において、焼結金属接合材７５のうち半導体素子６に重なるすべての部分が、積層部７５５になっている。また、ｚ方向視において、第１接合材７５３の全体が、積層部７５５に含まれている。
図１５（ｂ）に示すように、第１接合材７５３および第２接合材７５４は、めっき層７９と半導体素子６との間で積層され、第１接合材７５３と第２接合材７５４との境界面が形成されていることが解る。
次に、半導体装置Ａ２０の製造方法の一例について、図１６〜図２０を参照して以下に説明する。なお、第１実施形態にかかる半導体装置Ａ１０の製造方法と共通する部分は説明を省略する。図１６〜図２０は、半導体装置Ａ２０の製造方法の一例の工程を示す図である。図１６は、部分拡大平面図であり、図９に対応する図である。図１７は、図１６のＸＶＩＩ−ＸＶＩＩ線に沿う断面図である。図１８〜図２０は、他の工程を示す部分拡大断面図であり、図１７と同じ断面を示している。
リードフレーム９１０および半導体素子６を用意する工程は、第１実施形態の場合と共通する。半導体装置Ａ２０の製造方法は、第１接合材７５３および第２接合材７５４を形成する工程が、第１実施形態の場合と異なる。
まず、図１６および図１７に示すように、めっき層７９に、第２接合材７５４になる焼結銀ペースト９２１を塗布する。焼結銀ペースト９２１は、第１実施形態において第１接合材７５１になる焼結銀ペースト９２１と同じものである。つまり、焼結銀ペースト９２１は、溶媒中にマイクロサイズあるいはナノサイズの銀粒子を混ぜ合わせたペースト状であり、スペーサを含んでいない。焼結銀ペースト９２１は、たとえばディスペンサーを用いて、めっき層７９上に塗布される。なお、焼結銀ペースト９２１は、スクリーン印刷などの他の方法で塗布されてもよい。
次いで、図１８に示すように、めっき層７９上に塗布された焼結銀ペースト９２１を、ｚ方向視におけるめっき層７９のほぼ全体に、均一の厚さになるように広げる。その後、焼結処理工程を行う。つまり、焼結銀ペースト９２１を所定の焼結条件で熱処理する。当該焼結条件は、第１実施形態の場合と同様である。上記熱処理を行うことで、銀粒子が焼結され、金属結合された多孔質の焼結銀の層が、第２接合材７５４として形成される。第２接合材７５４は、めっき層７９とも金属結合している。
次いで、図１９に示すように、第２接合材７５４上に、第１接合材７５３になる焼結銀ペースト９２１を塗布する。焼結銀ペースト９２１は、第２接合材７５４になる焼結銀ペースト９２１と同じものである。焼結銀ペースト９２１は、たとえばディスペンサーを用いて、めっき層７９上に塗布される。なお、焼結銀ペースト９２１は、スクリーン印刷などの他の方法で塗布されてもよい。
次いで、図２０に示すように、焼結銀ペースト９２１を挟むようにして、半導体素子６を第２接合材７５４上に載置する。半導体素子６は、素子裏面６ｂを搭載部主面１１１に向けて載置される。本実施形態では、半導体素子６は、特に力を加えることなく、焼結銀ペースト９２１上に載置される。半導体素子６の自重により、図２０に示すように、焼結銀ペースト９２１は周囲に広がる。その後、焼結処理工程を行う。具体的には、焼結銀ペースト９２１上に半導体素子６を載置した状態を維持したまま、焼結銀ペースト９２１を、所定の焼結条件で熱処理する。当該焼結条件は、第１実施形態の場合と同様である。上記熱処理を行うことで、銀粒子が焼結され、金属結合された多孔質の焼結銀の層が、第１接合材７５３として形成される。第１接合材７５３は、第２接合材７５４とも金属結合しており、半導体素子６の金属層６４とも金属結合している。
次いで、ワイヤボンディング工程、封止樹脂８の形成工程、および切断工程を行う。これらの工程は、第１実施形態の場合と共通する。
本実施形態によると、焼結金属接合材７５は、第１接合材７５３および第２接合材７５４を備えている。第１接合材７５３および第２接合材７５４は、スペーサを含んでいないので、厚く形成することができない。しかし、第１接合材７５３と第２接合材７５４とは積層されており、焼結金属接合材７５は積層部７５５を含んでいる。積層部７５５は、第１接合材７５３と第２接合材７５４とが互いに積層された部分なので、ある程度の厚さが確保される。また、積層部７５５は、ｚ方向視において半導体素子６に重なっている。したがって、焼結金属接合材７５は、積層部７５５においてある程度の厚さとなっているので、応力を吸収して、クラックの発生を抑制することができる。また、第１接合材７５３および第２接合材７５４は、スペーサを含んでおらず、焼結銀の体積比率が比較的高いので、強度が強く、導電性および熱伝導性が高い。つまり、焼結金属接合材７５は、厚さの確保と、強度、高導電性および高熱伝導性の確保とを両立することができる。
また、本実施形態によると、焼結金属接合材７５は、第１接合材７５１と第２接合材７５２とが金属結合し、金属層６４およびめっき層７９とも金属結合している。したがって、半導体素子６と第１リード１とを、金属ペーストやはんだペーストを用いて接合した場合と比較して、導電性および熱伝導性を向上させることができる。
〔第１変形例〕
図２１は、半導体装置Ａ２０の第１変形例である半導体装置Ａ２１を示している。図２１において、先述した半導体装置Ａ２０と同一または類似の要素には同一の符号を付して、重複する説明を省略する。図２１は、半導体装置Ａ２１を示す断面図であり、図５に対応する図である。
図２１は、半導体装置Ａ２０の第１変形例である半導体装置Ａ２１を示している。図２１において、先述した半導体装置Ａ２０と同一または類似の要素には同一の符号を付して、重複する説明を省略する。図２１は、半導体装置Ａ２１を示す断面図であり、図５に対応する図である。
半導体装置Ａ２１は、焼結金属接合材７５が、第２接合材７５４とめっき層７９との間に介在する第３接合材７５６を備えている点で、半導体装置Ａ２０と異なる。
本実施形態にかかる焼結金属接合材７５は、図２１に示すように、第１接合材７５３、第２接合材７５４、および第３接合材７５６を備えている。本実施形態においては、第３接合材７５６は、第１接合材７５３および第２接合材７５４と同じ材料からなる。なお、第３接合材７５６の材料は、第１接合材７５３および第２接合材７５４の材料とは異なっていてもよい。
第３接合材７５６は、図２１に示すように、めっき層７９上に配置され、めっき層７９に接して形成されている。第３接合材７５６は、めっき層７９と金属結合している。第２接合材７５４は、第３接合材７５６に接して形成され、第３接合材７５６と金属結合している。つまり、本実施形態にかかる焼結金属接合材７５は、第１接合材７５３、第２接合材７５４、および第３接合材７５６の３層が積層されたものである。本実施形態にかかる焼結金属接合材７５は、焼結銀ペースト９２１の塗布工程および焼結処理工程を３回繰り返すことで形成される。
本変形例においても、焼結金属接合材７５は、第１接合材７５３と第２接合材７５４とが積層された積層部７５５を含んでいる。また、第１接合材７５３、第２接合材７５４、および第３接合材７５６は、焼結銀の体積比率が比較的高いので、強度が強く、導電性および熱伝導性が高い。したがって、焼結金属接合材７５は、厚さの確保と、強度、高導電性および高熱伝導性の確保とを両立することができる。また、本変形例によると、焼結金属接合材７５は、さらに厚さを確保することができる。なお、焼結金属接合材７５は、４層以上が積層されていてもよい。
〔第２変形例〕
図２２は、半導体装置Ａ２０の第２変形例である半導体装置Ａ２２を示している。図２２において、先述した半導体装置Ａ２０と同一または類似の要素には同一の符号を付して、重複する説明を省略する。図２２は、半導体装置Ａ２２を示す断面図であり、図５に対応する図である。
図２２は、半導体装置Ａ２０の第２変形例である半導体装置Ａ２２を示している。図２２において、先述した半導体装置Ａ２０と同一または類似の要素には同一の符号を付して、重複する説明を省略する。図２２は、半導体装置Ａ２２を示す断面図であり、図５に対応する図である。
半導体装置Ａ２２は、第１接合材７５３の一部がめっき層７９に接している点で、半導体装置Ａ２０と異なる。本実施形態にかかる第１接合材７５３は、ｚ方向視において第２接合材７５４を内包しており、めっき層７９にも接して、金属結合している。
本変形例においても、焼結金属接合材７５は、第１接合材７５３と第２接合材７５４とが積層された積層部７５５を含んでいる。また、第１接合材７５３および第２接合材７５４は、焼結銀の体積比率が比較的高いので、強度が強く、導電性および熱伝導性が高い。したがって、焼結金属接合材７５は、厚さの確保と、強度、高導電性および高熱伝導性の確保とを両立することができる。
〔第３変形例〕
図２３は、半導体装置Ａ２０の第３変形例である半導体装置Ａ２３を示している。図２３において、先述した半導体装置Ａ２０と同一または類似の要素には同一の符号を付して、重複する説明を省略する。図２３は、半導体装置Ａ２２を示す断面図であり、図５に対応する図である。
図２３は、半導体装置Ａ２０の第３変形例である半導体装置Ａ２３を示している。図２３において、先述した半導体装置Ａ２０と同一または類似の要素には同一の符号を付して、重複する説明を省略する。図２３は、半導体装置Ａ２２を示す断面図であり、図５に対応する図である。
半導体装置Ａ２３は、第１接合材７５３が、半導体素子６の素子本体６０の素子側面６ｃを覆っておらず、金属層６４にのみ接している点で、半導体装置Ａ２０と異なる。
本変形例においても、焼結金属接合材７５は、第１接合材７５３と第２接合材７５４とが積層された積層部７５５を含んでいる。また、第１接合材７５３および第２接合材７５４は、焼結銀の体積比率が比較的高いので、強度が強く、導電性および熱伝導性が高い。したがって、焼結金属接合材７５は、厚さの確保と、強度、高導電性および高熱伝導性の確保とを両立することができる。また、第１接合材７５３は、素子本体６０に接していない。素子本体６０を構成するシリコンは、第１接合材７５３との接合性が低い。第１接合材７５３が素子本体６０に接していないので、第１接合材７５３の素子本体６０に接する部分が欠損して剥離することがない。したがって、製造工程の途中で、剥離した第１接合材７５３の一部が電極間に接触して短絡が発生することを防止できる。
〔第４変形例〕
図２４および図２５は、半導体装置Ａ２０の第４変形例である半導体装置Ａ２４を示している。これらの図において、先述した半導体装置Ａ２０と同一または類似の要素には同一の符号を付して、重複する説明を省略する。図２４は、半導体装置Ａ２４を示す平面図であり、図３に対応する図である。図２４においては、封止樹脂８、半導体素子６およびボンディングワイヤ７１〜７４を透過して、封止樹脂８の外形を想像線（二点鎖線）で示している。図２５は、半導体装置Ａ２４を示す断面図であり、図５に対応する図である。
図２４および図２５は、半導体装置Ａ２０の第４変形例である半導体装置Ａ２４を示している。これらの図において、先述した半導体装置Ａ２０と同一または類似の要素には同一の符号を付して、重複する説明を省略する。図２４は、半導体装置Ａ２４を示す平面図であり、図３に対応する図である。図２４においては、封止樹脂８、半導体素子６およびボンディングワイヤ７１〜７４を透過して、封止樹脂８の外形を想像線（二点鎖線）で示している。図２５は、半導体装置Ａ２４を示す断面図であり、図５に対応する図である。
半導体装置Ａ２４は、ｚ方向視における第２接合材７５４の形状が、半導体装置Ａ２０と異なる。
本実施形態にかかる第２接合材７５４のｚ方向視における形状は、図２４に示すように、めっき層７９の周縁に沿った環形状である。第１接合材７５３は、第２接合材７５４上、および、環形状である第１接合材７５３に囲まれた領域に形成されている。したがって、第１接合材７５３は、図２５に示すように、めっき層７９にも接して、金属結合している。本実施形態では、積層部７５５は、図２５に示すように、めっき層７９の中央部分を除いて、ｚ方向視環形状になっている。
本実施形態にかかる焼結金属接合材７５は、製造工程の１回目の焼結銀ペースト９２１の塗布工程（図１６および図１７参照）において、第２接合材７５４になる焼結銀ペースト９２１をめっき層７９の周縁に沿った環形上に塗布し、２回目の焼結銀ペースト９２１の塗布工程（図１９参照）において、焼結銀ペースト９２１を多めに塗布することで形成される。
本変形例においても、焼結金属接合材７５は、第１接合材７５３と第２接合材７５４とが積層された積層部７５５を含んでいる。また、第１接合材７５３および第２接合材７５４は、焼結銀の体積比率が比較的高いので、強度が強く、導電性および熱伝導性が高い。したがって、焼結金属接合材７５は、厚さの確保と、強度、高導電性および高熱伝導性の確保とを両立することができる。
〔第３実施形態〕
図２６に基づき、本開示の第３実施形態にかかる半導体装置Ａ３０について説明する。図３０において、先述した半導体装置Ａ１０と同一または類似の要素には同一の符号を付して、重複する説明を省略する。図２６は、半導体装置Ａ３０を示す断面図であり、図５に対応する図である。
図２６に基づき、本開示の第３実施形態にかかる半導体装置Ａ３０について説明する。図３０において、先述した半導体装置Ａ１０と同一または類似の要素には同一の符号を付して、重複する説明を省略する。図２６は、半導体装置Ａ３０を示す断面図であり、図５に対応する図である。
本実施形態にかかる半導体装置Ａ３０は、半導体素子６の金属層６４が素子本体６０の素子側面６ｃの一部も覆っている点で、第１実施形態にかかる半導体装置Ａ１０と異なる。
本実施形態にかかる半導体素子６の金属層６４は、図２６に示すように、素子本体６０の素子裏面６ｂの全体および素子側面６ｃの一部を覆っている。第２接合材７５２は、素子側面６ｃの一部にも重なるように形成されているが、素子側面６ｃとの間に金属層６４が介在するので、金属層６４にのみ接し、素子本体６０には接していない。図に示されていないが、第１接合材７５１も、素子側面６ｃの一部にも重なるように形成されているが、素子側面６ｃとの間に金属層６４が介在するので、金属層６４にのみ接し、素子本体６０には接していない。
本実施形態においても、焼結金属接合材７５は、ある程度の厚さにできるので、応力を吸収して、クラックの発生を抑制することができる。また、焼結金属接合材７５は、焼結銀の体積比率が高い第１接合材７５１を備えているので、強度が強く、導電性および熱伝導性が高い。つまり、焼結金属接合材７５は、厚さの確保と、強度、高導電性および高熱伝導性の確保とを両立することができる。また、本実施形態によると、焼結金属接合材７５は、第１接合材７５１と第２接合材７５２とが金属結合し、金属層６４およびめっき層７９とも金属結合している。したがって、半導体素子６と第１リード１との導電性および熱伝導性を、金属ペーストやはんだペーストを用いて接合した場合と比較して、向上させることができる。
さらに、本実施形態によると、焼結金属接合材７５は、素子本体６０に接していない。素子本体６０を構成するシリコンは、焼結金属接合材７５との接合性が低い。焼結金属接合材７５が素子本体６０に接していないので、焼結金属接合材７５の素子本体６０に接する部分が欠損して剥離することがない。したがって、製造工程の途中で、剥離した焼結金属接合材７５の一部が電極間に接触して短絡が発生することを防止できる。
なお、焼結金属接合材７５は、第２実施形態にかかる焼結金属接合材７５と同様、第１接合材７５３および第２接合材７５４を積層させた構造であってもよい。
なお、上記第１〜第３実施形態では、第１リード１の搭載部主面１１１にめっき層７９が形成されている場合について説明したが、これに限られない。搭載部主面１１１にめっき層７９が形成されず、焼結金属接合材７５が搭載部主面１１１に直接形成されてもよい。この場合、焼結金属接合材７５は、搭載部主面１１１に接し、搭載部主面１１１と金属結合する。
また、上記第１〜第３実施形態では、１個の半導体素子６が第１リード１に搭載されている場合について説明したが、これに限られない。第１リード１に搭載される半導体素子６は、複数であってもよい。また、半導体素子６に加えて、半導体素子６とは異なる半導体素子が搭載されてもよい。
また、上記第１〜第３実施形態では、リード１〜５を備えている場合について説明したが、これに限られない。リードの数、形状、および配置は、半導体素子６の種類、数、配置などに応じて適宜設計される。
また、上記第１〜第３実施形態では、各リード１〜５が、封止樹脂８から突出しない場合について説明したが、これに限られない。本開示は、いずれかのリードが封止樹脂８から突出して外部端子となる半導体装置（たとえば、挿入実装型の半導体装置）においても適用することができる。
本開示にかかる半導体装置は、先述した実施形態に限定されるものではない。本開示にかかる半導体装置の各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。
〔付記１〕
厚さ方向において互いに反対側を向く素子主面および素子裏面と、前記素子裏面に配置された金属層とを有する半導体素子と、
前記半導体素子が搭載される搭載部と、
多孔質の焼結金属を含み、かつ、前記金属層と前記搭載部とを接合する焼結金属接合材と、
を備えており、
前記焼結金属接合材は、前記金属層に接する第１接合材と、前記第１接合材に接する第２接合材とを備えている、
半導体装置。
〔付記２〕
前記第１接合材の前記焼結金属の体積比率は、前記第２接合材の前記焼結金属の体積比率より高く、
前記第２接合材は、前記金属層に接し、かつ、前記厚さ方向視において、前記第１接合材の周囲に配置されている、
付記１に記載の半導体装置。
〔付記３〕
前記第２接合材は、熱可塑性樹脂を含んでいる、
付記１または２に記載の半導体装置。
〔付記４〕
前記焼結金属接合材は、前記厚さ方向視において前記半導体素子に重なり、かつ、前記第１接合材と前記第２接合材とが互いに積層された積層部を含む、
付記１に記載の半導体装置。
〔付記５〕
前記厚さ方向視において、前記焼結金属接合材のうち前記半導体素子に重なるすべての部分が、前記積層部となっている、
付記４に記載の半導体装置。
〔付記６〕
前記第１接合材の全体が、前記積層部に含まれる、
付記４または５に記載の半導体装置。
〔付記７〕
前記第１接合材と前記第２接合材とは、前記焼結金属の体積比率が同じである、
付記４ないし６のいずれかに記載の半導体装置。
〔付記８〕
前記焼結金属接合材は、前記第２接合材に接する第３接合材をさらに備え、
前記第２接合材は、前記第３接合材に積層されている、
付記４ないし７のいずれかに記載の半導体装置。
〔付記９〕
めっき層をさらに備え、
前記搭載部は、前記厚さ方向において前記素子主面と同じ側を向く搭載部主面と、前記素子裏面と同じ側を向く搭載部裏面とを備え、
前記めっき層は、前記搭載部主面に接して形成されており、かつ、前記焼結金属接合材に接している、
付記１ないし８のいずれかに記載の半導体装置。
〔付記１０〕
前記めっき層は、前記搭載部裏面にも形成されている、
付記９に記載の半導体装置。
〔付記１１〕
前記めっき層は、Ａｇを含有する、
付記９または１０に記載の半導体装置。
〔付記１２〕
前記第１接合材における前記焼結金属は、焼結銀である、
付記１ないし１１のいずれかに記載の半導体装置。
〔付記１３〕
前記第２接合材における前記焼結金属は、焼結銀である、
付記１ないし１２のいずれかに記載の半導体装置。
〔付記１４〕
前記焼結金属接合材の前記厚さ方向に直交する断面は、前記搭載部に近づくほど大きくなる、
付記１ないし１３のいずれかに記載の半導体装置。
〔付記１５〕
前記金属層は、前記素子裏面の全体を覆っている、
付記１ないし１３のいずれかに記載の半導体装置。
〔付記１６〕
前記半導体素子は、前記素子裏面および前記素子裏面に繋がる素子側面を備え、
前記金属層は、前記素子側面の一部も覆っている、
付記１５に記載の半導体装置。
〔付記１７〕
第１リードをさらに備えており、
前記搭載部は、前記第１リードの一部により構成されている、
付記１ないし１６のいずれかに記載の半導体装置。
〔付記１８〕
前記第１リードからそれぞれ離間して配置された第２リードおよび第３リードをさらに備え、
前記半導体素子は、前記素子主面に配置された第１電極および第２電極をさらに備え、
前記第１電極は、前記第２リードに電気的に接続されており、
前記第２電極は、前記第３リードに電気的に接続されている、
付記１７に記載の半導体装置。
〔付記１９〕
前記金属層は、裏面電極である、
付記１７または１８に記載の半導体装置。
厚さ方向において互いに反対側を向く素子主面および素子裏面と、前記素子裏面に配置された金属層とを有する半導体素子と、
前記半導体素子が搭載される搭載部と、
多孔質の焼結金属を含み、かつ、前記金属層と前記搭載部とを接合する焼結金属接合材と、
を備えており、
前記焼結金属接合材は、前記金属層に接する第１接合材と、前記第１接合材に接する第２接合材とを備えている、
半導体装置。
〔付記２〕
前記第１接合材の前記焼結金属の体積比率は、前記第２接合材の前記焼結金属の体積比率より高く、
前記第２接合材は、前記金属層に接し、かつ、前記厚さ方向視において、前記第１接合材の周囲に配置されている、
付記１に記載の半導体装置。
〔付記３〕
前記第２接合材は、熱可塑性樹脂を含んでいる、
付記１または２に記載の半導体装置。
〔付記４〕
前記焼結金属接合材は、前記厚さ方向視において前記半導体素子に重なり、かつ、前記第１接合材と前記第２接合材とが互いに積層された積層部を含む、
付記１に記載の半導体装置。
〔付記５〕
前記厚さ方向視において、前記焼結金属接合材のうち前記半導体素子に重なるすべての部分が、前記積層部となっている、
付記４に記載の半導体装置。
〔付記６〕
前記第１接合材の全体が、前記積層部に含まれる、
付記４または５に記載の半導体装置。
〔付記７〕
前記第１接合材と前記第２接合材とは、前記焼結金属の体積比率が同じである、
付記４ないし６のいずれかに記載の半導体装置。
〔付記８〕
前記焼結金属接合材は、前記第２接合材に接する第３接合材をさらに備え、
前記第２接合材は、前記第３接合材に積層されている、
付記４ないし７のいずれかに記載の半導体装置。
〔付記９〕
めっき層をさらに備え、
前記搭載部は、前記厚さ方向において前記素子主面と同じ側を向く搭載部主面と、前記素子裏面と同じ側を向く搭載部裏面とを備え、
前記めっき層は、前記搭載部主面に接して形成されており、かつ、前記焼結金属接合材に接している、
付記１ないし８のいずれかに記載の半導体装置。
〔付記１０〕
前記めっき層は、前記搭載部裏面にも形成されている、
付記９に記載の半導体装置。
〔付記１１〕
前記めっき層は、Ａｇを含有する、
付記９または１０に記載の半導体装置。
〔付記１２〕
前記第１接合材における前記焼結金属は、焼結銀である、
付記１ないし１１のいずれかに記載の半導体装置。
〔付記１３〕
前記第２接合材における前記焼結金属は、焼結銀である、
付記１ないし１２のいずれかに記載の半導体装置。
〔付記１４〕
前記焼結金属接合材の前記厚さ方向に直交する断面は、前記搭載部に近づくほど大きくなる、
付記１ないし１３のいずれかに記載の半導体装置。
〔付記１５〕
前記金属層は、前記素子裏面の全体を覆っている、
付記１ないし１３のいずれかに記載の半導体装置。
〔付記１６〕
前記半導体素子は、前記素子裏面および前記素子裏面に繋がる素子側面を備え、
前記金属層は、前記素子側面の一部も覆っている、
付記１５に記載の半導体装置。
〔付記１７〕
第１リードをさらに備えており、
前記搭載部は、前記第１リードの一部により構成されている、
付記１ないし１６のいずれかに記載の半導体装置。
〔付記１８〕
前記第１リードからそれぞれ離間して配置された第２リードおよび第３リードをさらに備え、
前記半導体素子は、前記素子主面に配置された第１電極および第２電極をさらに備え、
前記第１電極は、前記第２リードに電気的に接続されており、
前記第２電極は、前記第３リードに電気的に接続されている、
付記１７に記載の半導体装置。
〔付記１９〕
前記金属層は、裏面電極である、
付記１７または１８に記載の半導体装置。
Ａ１０，Ａ１１，Ａ２０〜Ａ２４，Ａ３０：半導体装置
１ ：第１リード
１１０ ：搭載部
１１１ ：搭載部主面
１１２ ：搭載部裏面
１１３ ：搭載部裏面側凹部
１２０ ：連結部
１２１ ：連結部主面
１２２ ：連結部裏面
１２３ ：連結部端面
２ ：第２リード
２１０ ：ワイヤボンディング部
２１１ ：ワイヤボンディング部主面
２１２ ：ワイヤボンディング部裏面
２１３ ：ワイヤボンディング部裏面側凹部
２２０ ：端子部
２２１ ：端子部主面
２２２ ：端子部裏面
２２３ ：端子部端面
２３０ ：連結部
２３１ ：連結部主面
２３２ ：連結部裏面
２３３ ：連結部端面
３ ：第３リード
３１０ ：ワイヤボンディング部
３１１ ：ワイヤボンディング部主面
３１２ ：ワイヤボンディング部裏面
３１３ ：ワイヤボンディング部裏面側凹部
３２０ ：端子部
３２１ ：端子部主面
３２２ ：端子部裏面
３２３ ：端子部端面
３３０ ：連結部
３３１ ：連結部主面
３３２ ：連結部裏面
３３３ ：連結部端面
４ ：第４リード
４１０ ：ワイヤボンディング部
４１１ ：ワイヤボンディング部主面
４１２ ：ワイヤボンディング部裏面
４１３ ：ワイヤボンディング部裏面側凹部
４２０ ：端子部
４２１ ：端子部主面
４２２ ：端子部裏面
４２３ ：端子部端面
４３０ ：連結部
４３１ ：連結部主面
４３２ ：連結部裏面
４３３ ：連結部端面
５ ：第５リード
５１０ ：ワイヤボンディング部
５１１ ：ワイヤボンディング部主面
５１２ ：ワイヤボンディング部裏面
５１３ ：ワイヤボンディング部裏面側凹部
５２０ ：端子部
５２１ ：端子部主面
５２２ ：端子部裏面
５２３ ：端子部端面
６ ：半導体素子
６ａ ：素子主面
６ｂ ：素子裏面
６ｃ ：素子側面
６０ ：素子本体
６１ ：第１電極
６２ ：第２電極
６３ ：第３電極
６４ ：金属層
７１ ：ボンディングワイヤ
７２ ：ボンディングワイヤ
７３ ：ボンディングワイヤ
７４ ：ボンディングワイヤ
７５ ：焼結金属接合材
７５１ ：第１接合材
７５２ ：第２接合材
７５３ ：第１接合材
７５４ ：第２接合材
７５６ ：第３接合材
７５５ ：積層部
７９ ：めっき層
８ ：封止樹脂
８１ ：樹脂主面
８２ ：樹脂裏面
８３ ：樹脂側面
９１０ ：リードフレーム
９１１ ：主面
９２１ ：焼結銀ペースト
９２２ ：焼結銀ペースト
９５０ ：切断線
１ ：第１リード
１１０ ：搭載部
１１１ ：搭載部主面
１１２ ：搭載部裏面
１１３ ：搭載部裏面側凹部
１２０ ：連結部
１２１ ：連結部主面
１２２ ：連結部裏面
１２３ ：連結部端面
２ ：第２リード
２１０ ：ワイヤボンディング部
２１１ ：ワイヤボンディング部主面
２１２ ：ワイヤボンディング部裏面
２１３ ：ワイヤボンディング部裏面側凹部
２２０ ：端子部
２２１ ：端子部主面
２２２ ：端子部裏面
２２３ ：端子部端面
２３０ ：連結部
２３１ ：連結部主面
２３２ ：連結部裏面
２３３ ：連結部端面
３ ：第３リード
３１０ ：ワイヤボンディング部
３１１ ：ワイヤボンディング部主面
３１２ ：ワイヤボンディング部裏面
３１３ ：ワイヤボンディング部裏面側凹部
３２０ ：端子部
３２１ ：端子部主面
３２２ ：端子部裏面
３２３ ：端子部端面
３３０ ：連結部
３３１ ：連結部主面
３３２ ：連結部裏面
３３３ ：連結部端面
４ ：第４リード
４１０ ：ワイヤボンディング部
４１１ ：ワイヤボンディング部主面
４１２ ：ワイヤボンディング部裏面
４１３ ：ワイヤボンディング部裏面側凹部
４２０ ：端子部
４２１ ：端子部主面
４２２ ：端子部裏面
４２３ ：端子部端面
４３０ ：連結部
４３１ ：連結部主面
４３２ ：連結部裏面
４３３ ：連結部端面
５ ：第５リード
５１０ ：ワイヤボンディング部
５１１ ：ワイヤボンディング部主面
５１２ ：ワイヤボンディング部裏面
５１３ ：ワイヤボンディング部裏面側凹部
５２０ ：端子部
５２１ ：端子部主面
５２２ ：端子部裏面
５２３ ：端子部端面
６ ：半導体素子
６ａ ：素子主面
６ｂ ：素子裏面
６ｃ ：素子側面
６０ ：素子本体
６１ ：第１電極
６２ ：第２電極
６３ ：第３電極
６４ ：金属層
７１ ：ボンディングワイヤ
７２ ：ボンディングワイヤ
７３ ：ボンディングワイヤ
７４ ：ボンディングワイヤ
７５ ：焼結金属接合材
７５１ ：第１接合材
７５２ ：第２接合材
７５３ ：第１接合材
７５４ ：第２接合材
７５６ ：第３接合材
７５５ ：積層部
７９ ：めっき層
８ ：封止樹脂
８１ ：樹脂主面
８２ ：樹脂裏面
８３ ：樹脂側面
９１０ ：リードフレーム
９１１ ：主面
９２１ ：焼結銀ペースト
９２２ ：焼結銀ペースト
９５０ ：切断線
Claims (19)
- 厚さ方向において互いに反対側を向く素子主面および素子裏面と、前記素子裏面に配置された金属層とを有する半導体素子と、
前記半導体素子が搭載される搭載部と、
多孔質の焼結金属を含み、かつ、前記金属層と前記搭載部とを接合する焼結金属接合材と、
を備えており、
前記焼結金属接合材は、前記金属層に接する第１接合材と、前記第１接合材に接する第２接合材とを備えている、
半導体装置。 - 前記第１接合材の前記焼結金属の体積比率は、前記第２接合材の前記焼結金属の体積比率より高く、
前記第２接合材は、前記金属層に接し、かつ、前記厚さ方向視において、前記第１接合材の周囲に配置されている、
請求項１に記載の半導体装置。 - 前記第２接合材は、熱可塑性樹脂を含んでいる、
請求項１または２に記載の半導体装置。 - 前記焼結金属接合材は、前記厚さ方向視において前記半導体素子に重なり、かつ、前記第１接合材と前記第２接合材とが互いに積層された積層部を含む、
請求項１に記載の半導体装置。 - 前記厚さ方向視において、前記焼結金属接合材のうち前記半導体素子に重なるすべての部分が、前記積層部となっている、
請求項４に記載の半導体装置。 - 前記第１接合材の全体が、前記積層部に含まれる、
請求項４または５に記載の半導体装置。 - 前記第１接合材と前記第２接合材とは、前記焼結金属の体積比率が同じである、
請求項４ないし６のいずれかに記載の半導体装置。 - 前記焼結金属接合材は、前記第２接合材に接する第３接合材をさらに備え、
前記第２接合材は、前記第３接合材に積層されている、
請求項４ないし７のいずれかに記載の半導体装置。 - めっき層をさらに備え、
前記搭載部は、前記厚さ方向において前記素子主面と同じ側を向く搭載部主面と、前記素子裏面と同じ側を向く搭載部裏面とを備え、
前記めっき層は、前記搭載部主面に接して形成されており、かつ、前記焼結金属接合材に接している、
請求項１ないし８のいずれかに記載の半導体装置。 - 前記めっき層は、前記搭載部裏面にも形成されている、
請求項９に記載の半導体装置。 - 前記めっき層は、Ａｇを含有する、
請求項９または１０に記載の半導体装置。 - 前記第１接合材における前記焼結金属は、焼結銀である、
請求項１ないし１１のいずれかに記載の半導体装置。 - 前記第２接合材における前記焼結金属は、焼結銀である、
請求項１ないし１２のいずれかに記載の半導体装置。 - 前記焼結金属接合材の前記厚さ方向に直交する断面は、前記搭載部に近づくほど大きくなる、
請求項１ないし１３のいずれかに記載の半導体装置。 - 前記金属層は、前記素子裏面の全体を覆っている、
請求項１ないし１３のいずれかに記載の半導体装置。 - 前記半導体素子は、前記素子裏面および前記素子裏面に繋がる素子側面を備え、
前記金属層は、前記素子側面の一部も覆っている、
請求項１５に記載の半導体装置。 - 第１リードをさらに備えており、
前記搭載部は、前記第１リードの一部により構成されている、
請求項１ないし１６のいずれかに記載の半導体装置。 - 前記第１リードからそれぞれ離間して配置された第２リードおよび第３リードをさらに備え、
前記半導体素子は、前記素子主面に配置された第１電極および第２電極をさらに備え、
前記第１電極は、前記第２リードに電気的に接続されており、
前記第２電極は、前記第３リードに電気的に接続されている、
請求項１７に記載の半導体装置。 - 前記金属層は、裏面電極である、
請求項１７または１８に記載の半導体装置。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP2021027116A true JP2021027116A (ja) | 2021-02-22 |
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| JP2019142834A Pending JP2021027116A (ja) | 2019-08-02 | 2019-08-02 | 半導体装置 |
Country Status (1)
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