JP2011151225A - 湿度センサパッケージ及びその製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】安価で防水・防塵性に優れた湿度センサパッケージ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】湿度変化を測定する湿度センサと、該湿度センサの感湿部を外気に露出させる吸湿口42aを有する保護部材42とを備えた湿度センサパッケージ1において、保護部材及び封止樹脂20上に、保護部材の吸湿口に当接し、該保護部材の周囲で封止樹脂により接着された多孔質PTFE膜30を設けた。
【選択図】図2

Description

本発明は、吸湿口を保護する多孔質PTFE膜を備えた湿度センサパッケージ及びその製造方法に関する。
湿度に応じて感湿部の静電容量または電気抵抗が変化する湿度センサは、湿度検知のために感湿部を外気に露出させる必要がある。従来では、湿度センサ上に感湿部のみを露出させる吸湿口を有する保護部材を設け、この保護部材を露出させた状態で湿度センサを封止樹脂で覆った湿度センサパッケージが知られている。このような湿度センサパッケージでは、吸湿口を介して外気中の汚染物質(ゴミ)や水滴が感湿部に付着しやすいため、カバーを設けることが提案されている。特許文献1には、湿度センサを保護するためのカバーとして、透湿性・防水性・防塵性の三つを備えた多孔質ポリテトラフルオロエチレン膜(多孔質PTFE膜)のような延伸多孔質樹脂フィルムを用いる旨の記載がある。
特開平02−107958号公報
しかし、従来構造は、多孔質PTFE膜を吸湿口部分に接着剤で貼り付けるものや、図9に示すように、多孔質PTFE膜130を有するカバー部材131を封止樹脂で覆った湿度センサパッケージ101の上に設けたものであった。多孔質PTFE膜を接着剤で貼り付けた場合には剥離するおそれがあり、カバー部材を別に設ける場合にはコストが増大するほか、パッケージ毎にカバー部材を取り付ける作業が煩雑となっていた。
本発明は、以上の問題意識に基づき、安価及び製造容易で防水・防塵性に優れた湿度センサパッケージ及びその製造方法を提供することを目的とする。
本発明は、湿度センサを封止する際にその封止樹脂によって多孔質PTFE膜を貼り付ければ、保護部材の吸湿口を覆う多孔質PTFE膜を確実に接着固定でき、かつ、この接着固定を多数のパッケージ構造に対して一括で行えることに着眼して完成されたものである。
すなわち、本発明は、湿度変化を測定する湿度センサと、この湿度センサ上に突出形成され、該湿度センサの感湿部を外気に露出させる吸湿口を有する保護部材と、この保護部材を露出させた状態で前記湿度センサを覆う封止樹脂とを備えた湿度センサパッケージにおいて、前記保護部材及び前記封止樹脂上に、前記保護部材の吸湿口に当接し、該保護部材の周囲で前記封止樹脂により接着された多孔質PTFE膜を設けたことを特徴としている。
前記多孔質PTFE膜は、パッケージ表面に露出する上面が一様な平面をなし、前記保護部材及び前記封止樹脂と接する下面に該保護部材の周縁エッジによる段差部を有していることが実際的である。
また本発明は、製造方法の態様によれば、湿度変化を測定する湿度センサと、この湿度センサ上に突出し、該湿度センサの感湿部を外気に露出させる吸湿口を有する保護部材とを有するパッケージ構造を基板上に多数形成する工程と、前記基板の多数のパッケージ構造を封止すると同時に、単一のシート状の多孔質PTFE膜を、前記保護部材の吸湿口に当接させた状態で該保護部材の周囲の封止樹脂により接着する工程と、この多孔質PTFE膜で覆われた前記基板をパッケージ構造単位で切断する工程とを有することを特徴としている。
前記封止及び前記多孔質PTFE膜の接着工程は、モールド金型の下金型に前記多数のパッケージ構造を有する基板を設置し、上金型の該基板と対向する側の面に前記多孔質PTFE膜を被せるステップと、前記上下金型を押し当て、前記多孔質PTFE膜を介して前記上金型と前記保護部材の吸湿口とを当接させるステップと、この当接状態で、前記多孔質PTFE膜と前記基板との間に生じるキャビティに封止樹脂を充填するステップと、この封止樹脂の硬化後に、前記多孔質PTFE膜を前記基板側に残して上下金型を外すステップとを有することが実際的である。
前記多孔質PTFE膜には、接着前の段階で150μm以上の膜厚を有するものを用いることが好ましい。シート状の多孔質PTFE膜は、熱及び圧力が加えられるとその膜厚が小さくなる性質があるので、モールド時に該多孔質PTFE膜と当接している保護部材の周縁エッジで破断しないよう、すなわち、保護部材の周縁エッジを確実にカバーできるように、一定以上の膜厚が必要となる。
本発明によれば、湿度センサを封止する封止樹脂上に、湿度センサの保護部材の吸湿口に当接し、該保護部材の周囲で該封止樹脂に接着された多孔質PTFE膜を設けたので、多数のパッケージ構造に対して一括で多孔質PTFE膜を確実に設けることができ、安価で防水・防塵性に優れた湿度センサパッケージ及びその製造方法を提供できる。
本発明を適用した湿度センサパッケージを示す斜視図である。 図1の湿度センサパッケージから多孔質PTFE膜を除去して描いた斜視図である。 封止前の湿度センサパッケージを示す斜視図である。 封止前の湿度センサパッケージを上面側から見て示す平面図である。 本発明を適用した湿度センサパッケージの製造方法の一工程を示す断面図である。 図5の一部を拡大して示す拡大断面図である。 図5及び図6の次工程を示す拡大断面図である。 図7の次工程を示す断面図である。 従来構造のカバー部材を備えた湿度センサパッケージを示す断面図である。
図1及び図2は、本発明を適用した湿度センサパッケージを示す斜視図である。湿度センサパッケージ1は、センサチップ基板40及びIC基板50(共に図3、図4参照)を実装した支持基板10と、これらセンサチップ基板40及びIC基板50を封止する封止樹脂20と、パッケージ表面(封止樹脂20)全体を覆う多孔質PTFE(Polytetrafluoroethylene)膜30とを備えている。
多孔質PTFE膜30を除去して描いた図2に示すように、封止樹脂20はセンサチップ基板の湿度センサ上に突設した保護部材42を露出させた状態でセンサチップ基板40及びIC基板50を覆っており、この封止樹脂20で覆われていない保護部材42の上面に開口した吸湿口42aは多孔質PTFE膜30で覆われている。多孔質PTFE膜30は、透湿性、防水性及び防塵性を有する保護膜であって、吸湿口42aの下方に位置する湿度センサの感湿部を保護する。この多孔質PTFE膜30は、保護部材42の周囲に存在する封止樹脂20に接着固定されており、保護部材42には接着されていない。
パッケージ裏面(支持基板10の裏面)には、外部実装可能なSMD(Surface Mount Device)端子11が複数設けられている。
図3及び図4は、封止樹脂20による封止前の湿度センサパッケージ構造を示す斜視図及び平面図である。図3及び図4を参照し、支持基板10上に実装されたセンサチップ基板40及びIC基板50の構成例を説明する。
センサチップ基板40は、例えばSi層の表面に絶縁膜を有するシリコン基板からなる。このセンサチップ基板40には、吸収または放出した水分量に応じて誘電率が変化する高分子感湿材料を誘電体とし、湿度によって静電容量が変化する感湿部41aと湿度によらず一定の静電容量を保持する固定部41bを有する静電容量型の湿度センサ41と、湿度センサ41の感湿部41aを外気に露出させるための吸湿口42aを有する保護部材42と、湿度センサ41の複数の電気配線部43とが形成されている。保護部材42は、湿度センサ21上に突出形成されていて、湿度センサ41の固定部41bを覆い、吸湿口42aから感湿部41aのみを露出させる。この保護部材42はSiからなる。保護部材42及び吸湿口42aの形状は任意である。複数の電気配線部43は、一端部が湿度センサ41の感湿部41a及び固定部41bにそれぞれ電気的に接続され、他端部に電極パッド45がそれぞれ設けられている。
IC基板50は、湿度センサ41の出力変化を検出する制御回路基板であって、センサチップ基板40よりも薄板で構成されている。このIC基板50には、センサチップ基板40の複数の電極パッド45に対応する複数の電極パッド55と、外部接続用の電極パッド56が備えられている。
センサチップ基板40の複数の電極パッド45とIC基板50の複数の電極パッド55は、例えばAuからなる導電性ワイヤー51を介して電気的に接続されている。外部接続用の電極パッド56は、例えばAuからなる導電性ワイヤー52によって、支持基板10の表面に設けたコンタクト導体12と電気的に接続されている。コンタクト導体12は、支持基板10の表裏面を貫通するスルーホール導体を介して、支持基板10の裏面に設けたSMD端子11に導通接続している。
上記センサチップ基板40及びIC基板50を接着固定した支持基板10において、その表面高さが最も高くなるのは保護部材42の上面である。導電性ワイヤー51、52の表面高さは保護部材42の上面よりも低くなっており、封止樹脂20によって完全に覆われている。
次に、図5〜図8を参照し、本発明を適用した湿度センサパッケージの製造方法について説明する。図5〜図8は、湿度センサパッケージの製造工程を示す断面図である。
先ず、図5に示すように、単一の支持基板10上に多数の対をなすセンサチップ基板40と多数のIC基板50を接着固定し、対応する電極パッド45、55同士及び外部接続用の電極パッド56とコンタクト導体12を導電性ワイヤー51、52によってそれぞれ電気的に接続しておく。各センサチップ基板40の湿度センサ41上には、吸湿口42aを有する保護部材42が形成されている。
次に、図5及び図6に示すように、モールド金型の下金型61に支持基板10を設置し、上金型62の支持基板10と対向する面(図の下面)にシート状の多孔質PTFE膜30を装着する。この状態で、上下金型61、62を押し当てると、支持基板10上で表面高さが最も高い保護部材42の上面に多孔質PTFE膜30が押し当てられる。このとき、保護部材42の上面は、図6に示すように、多孔質PTFE膜30を変形させて、該多孔質PTFE膜30内に進入する。つまり、保護部材42の上面に接する多孔質PTFE膜30には、段差部αが生じている。多孔質PTFE膜30の膜厚を例えば200μmとすると、進入量d(段差部αの高さ)はd=10〜60μm程度とすることができる。別言すると、多孔質PTFE膜30は、モールド時にその膜厚が約半分程度まで減少する性質を有しており、モールド前の段階で一定以上の厚さがないと、モールド時に、多孔質PTFE膜30側へ進入している保護部材42の上面のエッジ部分で破断されてしまうおそれがある。よって、本実施形態では、モールド後も保護部材42の上面のエッジ部分を確実にカバーできるように、用いる多孔質PTFE膜30のモールド前段階での膜厚を150μm以上に規定する。
続いて、図7に示すように、多孔質PTFE膜30と支持基板10との間に生じるキャビティに封止樹脂20を充填し、封止樹脂20を硬化させる。図5の矢印Aは、モールド金型の下金型61と上金型62の間に形成した樹脂注入口63から封止樹脂20を注入する方向を示している。封止樹脂20には、例えばエポキシ系樹脂またはフィラーを混入したエポキシ系樹脂を用いる。封止樹脂20の硬化により、多孔質PTFE膜30は、パッケージ表面となる支持基板10の最上面(つまり封止樹脂20)に接着固定される。上述のように保護部材42の上面が多孔質PTFE膜30を弾性変形させて進入した状態で上金型62に押し当てられているので、多孔質PTFE膜30と保護部材42の間に封止樹脂20が入り込むことはなく、封止樹脂20の表面は保護部材42の上面よりも低くなる。よって、保護部材42の上面が露出した状態でセンサチップ基板40及びIC基板50は封止樹脂20により封止され(図2参照)、多孔質PTFE膜30は、保護部材42の周囲で封止樹脂20により確実に接着固定される一方、保護部材42の上面では単に当接するだけで接着されない。
封止樹脂20が硬化した後、上下金型61、62を外すと、封止樹脂20上に多孔質PTFE膜30が残された支持基板10が得られる。すなわち、図5〜図7のトランスファーモールド工程により、単一の支持基板10上で多数のパッケージ構造に対して多孔質PTFE膜30を一括で接着できる。
そして、図8に示すように、1枚のセンサチップ基板40と1枚のIC基板50からなるパッケージ単位で支持基板10を切断する。図8の矢印Bはダイシングラインを示している。
分割した各パッケージには、支持基板10の裏面に、スルーホール導体を介してコンタクト導体12と導通接続するSMD端子11を形成する。このSMD端子11を介して、IC基板50は外部回路と接続可能になる。
以上により、図1〜図4に示される湿度センサパッケージ1が多数同時に得られる。
以上のように本実施形態では、モールド工程時に、封止樹脂20によって、保護部材42の吸湿口42aを覆う多孔質PTFE膜30をパッケージ表面に貼り付けるので、単一の支持基板10上で多数のパッケージ構造に対して一括で多孔質PTFE膜30を確実に接着でき、製造工程が容易となり、コストダウンを図れる。これにより、安価で防水・防塵性に優れた湿度センサパッケージ及びその製造方法を提供できる。
以上では、湿度センサ41(センサチップ基板40)とそのIC基板50を同一の支持基板10上に備えた実施形態で本発明を説明したが、本発明は、湿度センサと同一基板上にIC基板を具備しないタイプ(少なくとも湿度センサ、保護部材及び封止樹脂を有するタイプ)にも勿論適用可能である。
1 湿度センサパッケージ
10 支持基板
20 封止樹脂
30 多孔質PTFE膜
40 センサチップ基板
41 湿度センサ
41a 感湿部
41b 固定部
42 保護部材
42a 吸湿口
43 電気配線部
45 電極パッド
50 IC基板
51、52 導電性ワイヤー
55、56 電極パッド

Claims (5)

  1. 湿度変化を測定する湿度センサと、この湿度センサ上に突出形成され、該湿度センサの感湿部を外気に露出させる吸湿口を有する保護部材と、この保護部材を露出させた状態で前記湿度センサを覆う封止樹脂とを備えた湿度センサパッケージにおいて、
    前記保護部材及び前記封止樹脂上に、前記保護部材の吸湿口に当接し、該保護部材の周囲で前記封止樹脂により接着された多孔質PTFE膜を設けたことを特徴とする湿度センサパッケージ。
  2. 請求項1記載の湿度センサパッケージにおいて、前記多孔質PTFE膜は、パッケージ表面に露出する上面が一様な平面をなし、前記保護部材及び前記封止樹脂と接する下面に該保護部材の周縁エッジによる段差部を有している湿度センサパッケージ。
  3. 湿度変化を測定する湿度センサと、この湿度センサ上に突出し、該湿度センサの感湿部を外気に露出させる吸湿口を有する保護部材とを有するパッケージ構造を基板上に多数形成する工程と、
    前記基板の多数のパッケージ構造を封止樹脂で封止すると同時に、単一のシート状の多孔質PTFE膜を、前記保護部材の吸湿口に当接させた状態で該保護部材の周囲の封止樹脂により接着する工程と、
    この多孔質PTFE膜で覆われた前記基板をパッケージ構造単位で切断する工程と、
    を有することを特徴とする湿度センサパッケージの製造方法。
  4. 請求項3記載の湿度センサパッケージの製造方法において、前記封止及び前記多孔質PTFE膜の接着工程は、
    モールド金型の下金型に前記多数のパッケージ構造を有する基板を設置し、上金型の該基板と対向する側の面に前記多孔質PTFE膜を装着するステップと、
    前記上下金型を押し当て、前記多孔質PTFE膜を介して前記上金型と前記保護部材の吸湿口とを当接させるステップと、
    この当接状態で、前記多孔質PTFE膜と前記基板との間に生じるキャビティに封止樹脂を充填するステップと、
    この封止樹脂の硬化後に、前記多孔質PTFE膜を前記基板側に残して上下金型を外すステップと、
    を有する湿度センサパッケージの製造方法。
  5. 請求項3または4記載の湿度センサパッケージの製造方法において、接着前の段階で150μm以上の膜厚を有する多孔質PTFE膜シートを用いる湿度センサパッケージの製造方法。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20130001705U (ko) * 2011-09-02 2013-03-12 센시리온 에이지 센서 모듈
WO2016006193A1 (ja) * 2014-07-11 2016-01-14 株式会社デンソー モールドパッケージ
WO2018051906A1 (ja) * 2016-09-15 2018-03-22 株式会社小糸製作所 センサシステム、センサモジュール、およびランプ装置
CN111024931A (zh) * 2020-01-17 2020-04-17 福州大学 用于混凝土面板全龄期湿度无线测量的装置及使用方法
CN113252741A (zh) * 2021-05-17 2021-08-13 东南大学 一种柔性湿度传感器及其制备方法

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20130001705U (ko) * 2011-09-02 2013-03-12 센시리온 에이지 센서 모듈
KR200481748Y1 (ko) * 2011-09-02 2016-11-04 센시리온 에이지 센서 모듈
WO2016006193A1 (ja) * 2014-07-11 2016-01-14 株式会社デンソー モールドパッケージ
US9831146B1 (en) 2014-07-11 2017-11-28 Denso Corporation Molded package
WO2018051906A1 (ja) * 2016-09-15 2018-03-22 株式会社小糸製作所 センサシステム、センサモジュール、およびランプ装置
CN109690244A (zh) * 2016-09-15 2019-04-26 株式会社小糸制作所 传感器系统、传感器模块及灯装置
JPWO2018051906A1 (ja) * 2016-09-15 2019-06-24 株式会社小糸製作所 センサシステム、センサモジュール、およびランプ装置
JP7061071B2 (ja) 2016-09-15 2022-04-27 株式会社小糸製作所 センサシステム、センサモジュール、およびランプ装置
US11467284B2 (en) 2016-09-15 2022-10-11 Koito Manufacturing Co., Ltd. Sensor system, sensor module, and lamp device
CN111024931A (zh) * 2020-01-17 2020-04-17 福州大学 用于混凝土面板全龄期湿度无线测量的装置及使用方法
CN113252741A (zh) * 2021-05-17 2021-08-13 东南大学 一种柔性湿度传感器及其制备方法

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