WO2016006193A1 - モールドパッケージ - Google Patents

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Definitions

  • the second surface of the lead frame exposed from the mold resin is connected to an external member such as a printed circuit board through an insulating heat-dissipating sheet, so that the heat between the package and the external member can be obtained.
  • an external member such as a printed circuit board
  • a structure that allows conduction is employed.
  • a portion of the second surface of the lead frame corresponding to the IC chip on the first surface side of the lead frame is a chip corresponding portion, and the mold resin is formed on the second surface side of the lead frame.
  • a filler having a thermal conductivity equal to or higher than that of the mold resin and softer than the mold resin so as to seal the second surface side opening while being in direct contact with the chip corresponding portion. Filled.
  • the chip-corresponding portion has a surface shape that increases the contact area with the filler on the portion of the second surface of the lead frame other than the chip-corresponding portion. It contacts the external member located in the.
  • the IC chip 20 is a semiconductor chip made of a silicon semiconductor or the like, and is formed by a normal semiconductor process.
  • the IC chip 20 is fixed to the lead frame 10 via a die mount material (not shown) such as solder or adhesive.
  • the moisture sensitive film 21 is made of, for example, a hygroscopic polymer organic material and has a function of changing a dielectric constant according to humidity.
  • the sensing unit has a sensing electrode (not shown) provided in contact with the moisture sensitive film 21, and the sensing electrode generates a signal corresponding to a change in dielectric constant of the moisture sensitive film 21. .
  • the temperature detection part 22 consists of a normal thermistor etc., for example.
  • the circuit unit is configured by a transistor, a wiring, and the like in the IC chip 20, and signals from the sensing electrode and the temperature detection unit 22 are processed and output by the circuit unit. It is like that.
  • the IC chip 20 of the present embodiment is configured as a humidity detection element that detects humidity together with temperature.
  • the convex part in the uneven surface is constituted as a protruding part which has been raised, and has a tapered shape.
  • the filler 50 protrudes outward from the outer surface of the mold resin 30 constituting the opening edge of the second surface side opening 32, that is, protrudes to the external member 1 side.
  • the mold package S1 contacts the external member 1 only with the filler 50, and the outer surface of the mold resin 30 facing the external member 1 is in a state separated from the external member 1.
  • the state as shown in FIG. 1 is, for example, after the mold package S1 is assembled to the housing 2, with the filler 50 pressed against the external member 1 with the filler 50 side facing the external member 1. This is realized by connecting the housing 2 and the external member 1.
  • the chip corresponding portion 12a in contact with the filler 50 on the second surface 12 of the lead frame 10 is subjected to a process for increasing the contact area so as to increase the contact area with the filler 50. Therefore, the thermal conductivity between the IC chip 20 and the external member 1 through the filler 50 is improved. Therefore, according to the present embodiment, it is possible to improve the thermal conductivity while achieving both simplification of the thermal conduction configuration and relaxation of the impact on the external member 1.
  • a mold package S2 according to the second embodiment of the present disclosure will be described with reference to FIG.
  • This embodiment is different from the first embodiment in that the surface shape of the chip corresponding part 12a in the mold package S2 is modified, and this difference will be mainly described.
  • Such a concavo-convex surface of the present embodiment can be formed by, for example, pressing the chip corresponding portion 12a in the lead frame 10 using upper and lower molds having an concavo-convex shape. Also in this embodiment, as in the first embodiment, the thermal conductivity can be improved by increasing the contact area in the chip corresponding part 12a.
  • the chip-corresponding portion 12a of the second embodiment has an uneven surface having a substantially constant plate thickness by press working, whereas in this embodiment, the plate-corresponding portion 12a has a partially different plate thickness by die machining. By doing so, the chip corresponding portion 12a is configured as an uneven surface. Thereby, also in this embodiment, the effect similar to the said 2nd Embodiment can be anticipated.
  • the filler 50 is filled so as to protrude outward from the second surface side opening 32 of the mold resin 30.
  • the filler 50 is made to have an opening on the second surface side with respect to the outer surface of the mold resin 30 constituting the opening edge of the opening 32 on the second surface side.
  • the filler 50 is filled so as to be located in the area 32.
  • the IC chip 20 may be a heating element such as a power element or a microcomputer. Further, in this case, since there is no first surface side opening 31 in the mold resin 30, the entire IC chip 20 is sealed with the mold resin 30, and the IC chip 20 does not have a portion exposed from the mold resin 30. It may be a structure.
  • the lead frame 10 and the lead terminal 13 are formed from a metal plate-like lead frame material in which both are integrated, but are originally formed from separate materials. It may be.
  • the mold package has an outer lead protruding from the mold resin 30.
  • a QFN quad flat non-lead package

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Abstract

　ＩＣチップを搭載したリードフレームをモールド樹脂で封止してなるモールドパッケージを、外部部材に接触させて熱伝導可能とするにあたって、熱伝導構成の簡素化および外部の部材への衝撃緩和を両立させつつ、熱伝導性の向上を図る。モールドパッケージ（Ｓ１）は、リードフレーム（１０）の第一面（１１）側に搭載されたＩＣチップ（２０）と、ＩＣチップ（２０）とともにリードフレーム（１０）を封止するモールド樹脂（３０）と、を備える。リードフレーム（１０）の第二面（１２）のうちＩＣチップ（２０）に対応するチップ対応部（１２ａ）を露出させるように、設けられたモールド樹脂（３０）の第二面側開口部（３２）には、熱伝導性がモールド樹脂（３０）と同等以上であり且つモールド樹脂（３０）よりも軟らかい充填材（５０）が充填されている。チップ対応部（１２ａ）は、充填材（５０）との接触面積を大きくさせるべく、ささくれた状態の凹凸面とされ、充填材（５０）が外部部材（１）に接触している。

Description

モールドパッケージ 関連出願の相互参照
　本出願は、２０１４年７月１１日に出願された日本出願番号２０１４-１４３２５７号に基づくもので、ここにその記載内容を援用する。
　本開示は、ＩＣチップを搭載したリードフレームをモールド樹脂で封止してなるモールドパッケージに関し、特に、パッケージ外部との熱伝導性の向上に関する。
　従来より、この種のモールドパッケージとしては、金属製のリードフレームと、リードフレームの第一面側に搭載されたＩＣチップと、ＩＣチップとともにリードフレームを封止するモールド樹脂と、を備え、リードフレームの第二面側をモールド樹脂より露出させたものが提案されている（たとえば、特許文献１参照）。
　このようなパッケージにおいては、一般に、モールド樹脂より露出するリードフレームの第二面を、絶縁性の放熱シートを介して、プリント基板等の外部部材に接続することで、パッケージと外部部材との熱伝導を可能とする構造が採用される。これにより、従来においては、外部部材の温度検出を行ったり、ＩＣチップの熱を外部部材に放熱したりすることを可能としている。
特開２０１４－０２２４４４号公報
　ところで、たとえばモールドパッケージが湿度センサ等の場合、熱伝導の相手である外部部材が、プリント基板に比べて脆弱なガラス等となることがある。この場合、上記した従来の熱伝導構成では、金属製のリードフレームが外部の部材に押し当てられることになるため、リードフレームの第二面と外部部材との間にクッション性を持つクッション部材を追加して介在させる必要がある。これにより、熱伝導構成の複雑化、ひいては大型化を招くおそれがある。
　また、上記した外部部材の温度検出や、ＩＣチップの放熱のためには、モールドパッケージと外部部材との熱伝導性を大きくすることが望まれる。
　本開示は、ＩＣチップを搭載したリードフレームをモールド樹脂で封止してなるモールドパッケージにおいて、当該パッケージを外部部材に接触させて熱伝導可能とするにあたって、熱伝導構成の簡素化および外部部材への衝撃緩和を両立させつつ、熱伝導性の向上を図ることを目的とする。
　本開示の一態様によれば、モールドパッケージは、第一面と第二面とが表裏の関係にある金属製のリードフレームと、リードフレームの第一面側に搭載されたＩＣチップと、ＩＣチップとともにリードフレームの第一面および第二面を封止するモールド樹脂と、を備える。
　上記モールドパッケージにおいては、リードフレームの第二面のうちリードフレームの第一面側のＩＣチップに対応する部位がチップ対応部とされており、リードフレームの第二面側にて、モールド樹脂にはチップ対応部を露出させるように第二面側開口部が設けられている。第二面側開口部には、チップ対応部に直接接触しつつ第二面側開口部を封止するように、熱伝導性がモールド樹脂と同等以上であり且つモールド樹脂よりも軟らかい充填材が充填されている。チップ対応部は、リードフレームの第二面のうちのチップ対応部以外の部位に対して充填材との接触面積を大きくさせるような面形状とされており、充填材にて当該モールドパッケージの外部に位置する外部部材に接触するようになっている。
　それによれば、充填材にて外部部材への接触がなされて放熱を行えるが、この接触の際には、軟らかい充填材がクッションとして機能することにより外部部材への衝撃緩和がなされる。また、この充填材は、モールドパッケージに一体化されているので、別途クッション部材を追加することが不要となる。
　そして、リードフレームの第二面のうち充填材と接触するチップ対応部については、充填材との接触面積を大きくするような面形状とする接触面積増加の処理が施されているため、充填材を介したＩＣチップと外部部材との熱伝導性が向上する。
　よって、本開示によれば、熱伝導構成の簡素化および外部部材への衝撃緩和を両立させつつ、熱伝導性の向上を図ることができる。
　本開示についての上記目的およびその他の目的、特徴や利点は、添付の図面を参照しながら下記の詳細な記述により、より明確になる。図面において、
本開示の第１実施形態にかかるモールドパッケージを示す概略断面図である。 図１に示されるモールドパッケージを下方から視たときの概略平面図である。 本開示の第２実施形態にかかるモールドパッケージを示す概略断面図である。 本開示の第３実施形態にかかるモールドパッケージを示す概略断面図である。 本開示の第４実施形態にかかるモールドパッケージを示す概略断面図である。 本開示の他の実施形態にかかるモールドパッケージを示す概略断面図である。
　以下、本開示の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、説明の簡略化を図るべく、図中、同一符号を付してある。
　（第１実施形態）
　本開示の第１実施形態にかかるモールドパッケージＳ１について、図１、図２を参照して述べる。本実施形態のモールドパッケージＳ１は、たとえば自動車用のエアコンに用いられる湿度センサとして適用されるものである。
　具体的には、モールドパッケージＳ１の外部に位置する外部部材１は、自動車のフロントガラス等のガラスであり、モールドパッケージＳ１は、この外部部材１に取り付けられて、車室内の湿度や外部部材１の温度を検出するものである。
　本実施形態のモールドパッケージＳ１は、大きくは、第一面１１と第二面１２とが表裏の関係にある金属製のリードフレーム１０と、リードフレーム１０の第一面１１側に搭載されたＩＣチップ２０と、ＩＣチップ２０とともにリードフレーム１０の第一面１１および第二面１２を封止するモールド樹脂３０と、を備える。
　本実施形態のモールドパッケージＳ１は、上記したリードフレーム１０およびリード端子１３を備える。これらリードフレーム１０およびリード端子１３は、たとえば、これら両者が一体化された金属製板状のリードフレーム素材より形成されたもので、モールド樹脂３０による封止を行った後に、リードカットにより、リードフレーム１０とリード端子１３とが分断されたものである。
　こうして、リードフレーム１０は、第一面１１と第二面１２とが表裏の板面の関係にある板状をなすものとして構成され、ＩＣチップ２０が搭載されるチップ搭載部（いわゆるアイランド）として機能する。また、リード端子１３は、リードフレーム１０の周囲に複数個設けられた細長の板状をなすものである。
　そして、リード端子１３においては、リードフレーム１０側の部位がモールド樹脂３０に封止されたインナーリードとされ、このインナーリードとは反対側の部位がモールド樹脂３０より突出するアウターリードとされている。これらリードフレーム１０およびリード端子１３を構成する金属としては、たとえば、Ｃｕ（銅）や４２アロイ等の導電性金属が挙げられる。
　ＩＣチップ２０は、シリコン半導体等よりなる半導体チップであり、通常の半導体プロセスにより形成されるものである。このＩＣチップ２０は、はんだや接着剤等の図示しないダイマウント材を介してリードフレーム１０に固定されている。
　このＩＣチップ２０は、上記した車室内の湿度および外部部材１の温度に基づいた信号を出力するものである。具体的には、ＩＣチップ２０は、当該湿度および温度に基づく信号を生成するセンシング部、および、当該センシング部の制御等を行う回路部を備えている。
　ここでは、図１にて、センシング部の一部である感湿膜２１および温度検知部２２が図示されている。この感湿膜２１は、たとえば吸湿性の高分子有機材料よりなり、湿度に応じて誘電率が変化する機能を有するものである。そして、センシング部は、感湿膜２１に接触して設けられた図示しないセンシング電極を有し、このセンシング電極が、感湿膜２１の誘電率変化に応じた信号を生成するようになっている。
　また、温度検知部２２は、たとえば通常のサーミスタ等よりなる。また、図示しないが、上記回路部は、ＩＣチップ２０内にてトランジスタや配線等より構成されたもので、上記センシング電極や温度検知部２２からの信号は、当該回路部によって処理され出力されるようになっている。このように、本実施形態のＩＣチップ２０は、温度とともに湿度を検出する湿度検出素子として構成されている。
　そして、リードフレーム１０の第一面１１側にて、モールド樹脂３０には第一面側開口部３１が設けられている。そして、ＩＣチップ２０の一部である感湿膜２１が、この第一面側開口部３１を介してモールド樹脂３０より露出する露出部とされることで、パッケージ外部の環境、ここでは、車室内の湿度環境にさらされるようになっている。
　また、図１に示されるように、モールド樹脂３０内にて、ＩＣチップ２０とリード端子１３のインナーリードとは、Ａｌ（アルミニウム）やＡｕ（金）等よりなるワイヤ４０を介して結線されている。このワイヤ４０は、通常のワイヤボンディングにより形成されるものであり、このワイヤ４０を介してＩＣチップ２０とリード端子１３とは電気的に接続されている。
　また、リード端子１３のアウターリードは、モールドパッケージＳ１を支持する筺体２に対して、はんだや溶接等により電気的および機械的に接続されている。この筺体２は、たとえばセラミック基板やプリント基板等の配線基板である。これにより、ＩＣチップ２０は、ワイヤ４０およびリード端子１３を介して筺体２に電気的に接続されるようになっている。
　ここで、モールド樹脂３０は、エポキシ樹脂等の通常のモールド材料よりなるもので、トランスファーモールド法やコンプレッションモールド法等により成形されたものである。また、モールド樹脂３０としては、線膨張係数の調整等の目的で、アルミナやシリカ等の熱伝導性に優れたフィラーが含有された樹脂であってもよい。
　また、このようなモールドパッケージＳ１において、リードフレーム１０の第二面１２のうちリードフレーム１０の第一面１１側のＩＣチップ２０に対応する部位がチップ対応部１２ａとされている。
　さらに言えば、このチップ対応部１２ａは、リードフレーム１０の第二面１２のうちＩＣチップ２０をリードフレーム１０の第二面１２に投影した部位であり、ＩＣチップ２０の平面形状と同一形状であって且つ同一面積とされた領域である。図１においては、チップ対応部１２ａに相当するリードフレーム１０の第二面１２の部分を、両矢印の範囲にて示してある。
　そして、リードフレーム１０の第二面１２側にて、モールド樹脂３０には、チップ対応部１２ａを露出させるように第二面側開口部３２が設けられている。ここでは、第二面側開口部３２は、チップ対応部１２ａの全域ではなく一部に対応して設けられているが、チップ対応部１２ａの全域に対応して設けられていてもよい。
　さらに、本実施形態では、モールド樹脂３０の第二面側開口部３２は、充填材５０により封止されることで、チップ対応部１２ａの露出が防止されている。つまり、充填材５０は、チップ対応部１２ａに直接接触しつつ第二面側開口部３２を封止するように、第二面側開口部３２に充填されている。
　この充填材５０は、熱伝導性がモールド樹脂３０と同等もしくはそれ以上であり、且つ、モールド樹脂３０よりも軟らかいもの、つまり低弾性なものである。そのような充填材５０としては、たとえばシリコーン樹脂等の樹脂、銀ペースト、ゲル、ゴム等が挙げられる。
　また、充填材５０としては、これら樹脂、ゲルやゴム等の中に、たとえばＡｇ等の金属やアルミナ、シリカ等のセラミックなどの熱伝導性に優れた材料よりなるフィラーが含有されたものであってもよい。これにより、充填材５０の熱伝導性の向上が期待できる。
　この充填材５０は、たとえばリードフレーム１０にＩＣチップ２０を組み付け、ワイヤボンディングを行ったものを、モールド樹脂３０で封止した後に、第二面側開口部３２にポッティングにより充填し、これを硬化させることにより配設される。また、ポッティング以外にも、たとえばシート状に成形された充填材５０を第二面側開口部３２に埋め込むことにより、充填材５０の配設を行うようにしてもよい。
　ここで、第二面側開口部３２の底側にて充填材５０と接触するチップ対応部１２ａは、リードフレーム１０の第二面１２のうちのチップ対応部１２ａ以外の部位に対して充填材５０との接触面積を大きくさせるような面形状とされたものとなっている。つまり、リードフレーム１０の第二面１２においては、チップ対応部１２ａが、それ以外の部位に比べて、同一の領域面積当たりの凹凸も含めた実効的な表面積が大きい形状とされている。
　具体的に、本実施形態では、図１に示されるように、チップ対応部１２ａを、ささくれた状態の面として構成している。このささくれた状態の面は、たとえば、料理等に用いる「おろし金」のような面形状とされたものであり、プレス加工等により形成されたものである。このようなチップ対応部１２ａにおいては、ささくれ立った突起部分により、上記した接触面積の増加が実現される。
　さらに言えば、このささくれた状態の面とされたチップ対応部１２ａは、リードフレーム１０のうちチップ対応部１２ａに位置する部位を断面凹凸の板形状とすることにより形成された凹凸面として構成されている。
　そして、その凹凸面における凸部は、ささくれだった突起部分として構成されており、先細り形状となっている。このような先細り形状の凸部とすることで、充填材５０とチップ対応部１２ａとの熱交換効率が向上するようになっている。
　そして、本実施形態においては、図１に示されるように、モールドパッケージＳ１は、充填材５０にて、モールドパッケージＳ１の外部に位置する外部部材１に接触するようになっている。
　ここで、充填材５０は、第二面側開口部３２の開口縁部を構成するモールド樹脂３０の外表面よりも外方に突出している、つまり、外部部材１側に突出している。それにより、モールドパッケージＳ１は、充填材５０のみにて外部部材１に接触し、外部部材１に対向するモールド樹脂３０の外表面は、外部部材１とは離れた状態にある。
　なお、図１に示されるように、モールドパッケージＳ１は、外部部材１と筺体２との間に介在した状態とされている。ここで、図示しないが、筺体２を外部部材１にネジ結合したり、嵌合したりすることにより、筺体２、モールドパッケージＳ１、外部部材１の三者は、ぐらつくようなことはなく、安定して一体化されている。
　この図１に示されるような状態は、たとえば、モールドパッケージＳ１を筺体２に組み付けた後、充填材５０側を外部部材１に対向させた状態として、充填材５０を外部部材１に押し当てて、筺体２と外部部材１とを接続することにより、実現される。
　そして、自動車用エアコンの湿度センサとして適用される本実施形態のモールドパッケージＳ１の作動は、次のようなものである。フロントガラス等の外部部材１からの熱が、充填材５０、チップ対応部１２ａを介してＩＣチップ２０に熱伝導されることにより、ＩＣチップ２０によって外部部材１の温度が検出される。一方で、ＩＣチップ２０は、モールド樹脂３０より露出する感湿膜２１を介して、車室内湿度等の外部の環境湿度を検出する。
　こうして、検出された温度および湿度の信号に基づいて、ＩＣチップ２０は露点温度を算出する。この露点温度は、たとえば、自動車用エアコンの制御部へフィードバックされて、車室内温度の制御等、各種の空調制御が行われる。
　ところで、本実施形態によれば、モールドパッケージＳ１においては、充填材５０にて外部部材１への接触がなされて放熱を行えるが、この接触の際には、軟らかい充填材５０がクッションとして機能することにより外部部材１への衝撃緩和がなされる。
　特に、本実施形態では、モールドパッケージＳ１は、充填材５０のみにて外部部材１に接触し、充填材５０に比べて硬いモールド樹脂３０の外表面は外部部材１とは離れた状態にあるので、当該衝撃緩和は有効に発揮される。
　また、この充填材５０は、モールドパッケージＳ１の一部としてモールドパッケージＳ１に一体化されているので、モールドパッケージＳ１と外部部材１との間にクッション性を持つクッション部材を別途、追加することが不要となる。
　そして、リードフレーム１０の第二面１２のうち充填材５０と接触するチップ対応部１２ａについては、充填材５０との接触面積を大きくするような面形状とする接触面積増加の処理が施されているため、充填材５０を介したＩＣチップ２０と外部部材１との熱伝導性が向上する。よって、本実施形態によれば、熱伝導構成の簡素化および外部部材１への衝撃緩和を両立させつつ、熱伝導性の向上を図ることができる。
　また、本実施形態によれば、上述のように、充填材５０を、第二面側開口部３２からモールド樹脂３０の外表面よりも外方に突出させたものとしているから、モールド樹脂３０を外部部材１に接触させないで、軟らかい充填材５０のみにて外部部材１と接触させやすくなる。
　（第２実施形態）
　本開示の第２実施形態にかかるモールドパッケージＳ２について、図３を参照して述べる。本実施形態は、モールドパッケージＳ２におけるチップ対応部１２ａの面形状を、上記第１実施形態と比べて変形したところが相違するものであり、この相違点を中心に述べることとする。
　本実施形態のチップ対応部１２ａも、充填材５０との接触面積を大きくさせるような面形状として、リードフレーム１０のうちチップ対応部１２ａに位置する部位を断面凹凸の板形状とすることにより形成された凹凸面を採用している。
　しかし、上記第１実施形態では、当該凹凸面をささくれた状態の面としたのに対して、本実施形態では、チップ対応部１２ａを、板厚が略一定の凹凸板形状とすることにより構成された凹凸面としている。
　このような本実施形態の凹凸面は、たとえば凹凸形状を有する上下の型を用いて、リードフレーム１０におけるチップ対応部１２ａをプレス加工する等により形成することができる。そして、本実施形態においても、上記第１実施形態と同様、チップ対応部１２ａにおける上記接触面積の増加処理により、熱伝導性の向上が図れる。
　（第３実施形態）
　本開示の第３実施形態にかかるモールドパッケージＳ３について、図４を参照して述べる。本実施形態は、モールドパッケージＳ３におけるチップ対応部１２ａの面形状を、上記第２実施形態と比べて変形したところが相違するものであり、この相違点を中心に述べることとする。
　上記第２実施形態のチップ対応部１２ａは、プレス加工により板厚が略一定の凹凸面であったのに対し、本実施形態では、型加工によりチップ対応部１２ａの板厚を部分的に異ならせることにより、チップ対応部１２ａを凹凸面として構成したものである。これにより、本実施形態においても、上記第２実施形態と同様の作用効果が期待できる。
　なお、上記第２実施形態および本第３実施形態のチップ対応部１２ａについても、プレス型や成形型の形状を調整することにより、凹凸面における凸部が先細り形状とされたものとしてもよい。
　（第４実施形態）
　本開示の第４実施形態にかかるモールドパッケージＳ４について、図５を参照して述べる。本実施形態は、モールドパッケージＳ４における充填材５０の充填形状を、上記第１実施形態と比べて変形したところが相違するものであり、この相違点を中心に述べることとする。
　上記第１実施形態では、上記図１に示されるように、充填材５０を、モールド樹脂３０の第二面側開口部３２よりも外方に突出させるように充填した。それに対して、図５に示されるように、本実施形態では、充填材５０を、第二面側開口部３２の開口縁部を構成するモールド樹脂３０の外表面よりも第二面側開口部３２内に位置するように、充填材５０の充填が行われている。
　しかし、本実施形態の場合、外部部材１のうち充填材５０と接触する部位が凸部１ａとされている。そのため、本実施形態においても、モールドパッケージＳ４は、充填材５０のみにて外部部材１に接触し、モールド樹脂３０の外表面は外部部材１とは離れた状態にある。
　このように、本実施形態によっても、上記第１実施形態と同様の作用効果が期待できる。また、本実施形態は、充填材５０の充填形状を、上記第１実施形態と比べて変形したのみであるから、上記第２実施形態および上記第３実施形態とも組み合わせて適用が可能であることはもちろんである、
　（他の実施形態）
　なお、上記各実施形態のチップ対応部１２ａでは、充填材５０との接触面積を大きくさせるような面形状として、ささくれ、プレス、型加工等による断面凹凸の板形状によって形成された凹凸面を採用した。ここで、上記図示例では、これら凹凸面は、チップ対応部１２ａのうち第二面側開口部３２に位置する領域に形成されているが、チップ対応部１２ａの全域に形成されていてもよいことはもちろんである。
　また、チップ対応部１２ａとしては、上記した凹凸面に限定されるものではなく、たとえば図６に示されるように、チップ対応部１２ａを粗化処理された面形状としてもよい。この場合、たとえばサンドブラスト法等の粗化処理手法を用いてチップ対応部１２ａを荒らすようにすればよい。この場合、チップ対応部１２ａに微視的な凹凸が形成されることにより、上記接触面積の増加が実現される。
　また、上記各実施形態では、湿度センサとしてのモールドパッケージの例を述べたが、モールドパッケージとしては、このような湿度センサに限定されるものではないことはもちろんである。
　たとえば、ＩＣチップ２０がパワー素子やマイコンなどの発熱素子よりなるものであってもよい。また、この場合、モールド樹脂３０における第一面側開口部３１が無いことにより、ＩＣチップ２０の全体がモールド樹脂３０に封止され、ＩＣチップ２０においてはモールド樹脂３０より露出する部分を持たない構造であってもよい。
　また、上記各実施形態では、リードフレーム１０およびリード端子１３は、これら両者が一体化された金属製板状のリードフレーム素材より形成されたものとしたが、もともと互いに別体の素材より形成されたものであってもよい。
　また、ＩＣチップ２０とリード端子１３との接続については、上記したワイヤ４０による接続以外の通常の各種接続手法を用いてもよい。また、筐体２と接続されるアウターリードの形状は、上記図示例に限定されるものではない。
　また、上記各実施形態では、モールドパッケージは、モールド樹脂３０より突出するアウターリードを有する形態とされたが、たとえば、ＱＦＮ（クワッド・フラット・ノンリード・パッケージ）の如く、アウターリードを有しない形態のものであってもよい。
　本開示は、実施形態に準拠して記述されたが、本開示は当該実施形態や構造に限定されるものではないと理解される。本開示は、様々な変形例や均等範囲内の変形をも包含する。加えて、様々な組み合わせや形態、さらには、それらに一要素のみ、それ以上、あるいはそれ以下、を含む他の組み合わせや形態をも、本開示の範疇や思想範囲に入るものである。
 

Claims (7)

  1. 　第一面（１１）と第二面（１２）とが表裏の関係にある金属製のリードフレーム（１０）と、
    　前記リードフレームの第一面側に搭載されたＩＣチップ（２０）と、
    　前記ＩＣチップとともに前記リードフレームの第一面および第二面を封止するモールド樹脂（３０）と、を備えるモールドパッケージであって、
    　前記リードフレームの第二面のうち前記リードフレームの第一面側の前記ＩＣチップに対応する部位がチップ対応部（１２ａ）とされており、
    　前記リードフレームの第二面側にて、前記モールド樹脂には前記チップ対応部を露出させるように第二面側開口部（３２）が設けられており、
    　前記第二面側開口部には、前記チップ対応部に直接接触しつつ前記第二面側開口部を封止するように、熱伝導性が前記モールド樹脂と同等以上であり且つ前記モールド樹脂よりも軟らかい充填材（５０）が充填されており、
    　前記チップ対応部は、前記リードフレームの第二面のうちの前記チップ対応部以外の部位に対して前記充填材との接触面積を大きくさせるような面形状とされており、
    　前記充填材にて当該モールドパッケージの外部に位置する外部部材（１）に接触するようになっているモールドパッケージ。
  2. 　前記チップ対応部の面形状は、前記リードフレームのうち前記チップ対応部に位置する部位を断面凹凸の板形状とすることにより形成された凹凸面とされている請求項１に記載のモールドパッケージ。
  3. 　前記チップ対応部の前記凹凸面は、前記充填材との熱交換効率を上げるために当該凹凸面における凸部が先細り形状とされたものである請求項２に記載のモールドパッケージ。
  4. 　前記凸部が先細り形状とされた前記凹凸面とは、ささくれた状態の面である請求項３に記載のモールドパッケージ。
  5. 　前記充填材は、前記第二面側開口部の開口縁部を構成する前記モールド樹脂の外表面よりも外方に突出している請求項１ないし４のいずれか１つに記載のモールドパッケージ。
  6. 　前記充填材には、熱伝導性を有するフィラーが含有されている請求項１ないし５のいずれか１つに記載のモールドパッケージ。
  7. 　前記ＩＣチップは、湿度を検出する湿度検出素子であり、
    　前記リードフレームの第一面側にて前記ＩＣチップの一部が、前記モールド樹脂に設けられた第一面側開口部（３１）を介して前記モールド樹脂より露出する露出部（２１）とされており、
    　前記露出部は、前記ＩＣチップに設けられ、湿度に応じて誘電率が変化する機能を有する感湿膜である請求項１ないし６のいずれか１つに記載のモールドパッケージ。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6810279B2 (ja) * 2017-10-26 2021-01-06 新電元工業株式会社 電子部品
JP2022155336A (ja) 2021-03-30 2022-10-13 ミツミ電機株式会社 検出装置及び検出装置の製造方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5455172A (en) * 1977-10-12 1979-05-02 Toshiba Corp Semiconductor device
JPS63213362A (ja) * 1987-02-27 1988-09-06 Mitsubishi Electric Corp 樹脂封止型半導体装置
JPH02133951A (ja) * 1988-11-15 1990-05-23 Oki Electric Ind Co Ltd 樹脂封止型半導体装置
JP2011151225A (ja) * 2010-01-22 2011-08-04 Alps Electric Co Ltd 湿度センサパッケージ及びその製造方法
JP2013070026A (ja) * 2011-09-08 2013-04-18 Rohm Co Ltd 半導体装置、半導体装置の製造方法、半導体装置の実装構造、およびパワー用半導体装置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5233222A (en) * 1992-07-27 1993-08-03 Motorola, Inc. Semiconductor device having window-frame flag with tapered edge in opening
KR100583494B1 (ko) * 2000-03-25 2006-05-24 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체패키지
JP5169964B2 (ja) 2009-04-10 2013-03-27 株式会社デンソー モールドパッケージの実装構造および実装方法
US20120043628A1 (en) * 2010-08-19 2012-02-23 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Packaged device including a well for containing a die
US8368192B1 (en) * 2011-09-16 2013-02-05 Powertech Technology, Inc. Multi-chip memory package with a small substrate
JP5818102B2 (ja) 2012-07-13 2015-11-18 三菱電機株式会社 半導体装置の製造方法
JP6204088B2 (ja) * 2013-07-02 2017-09-27 エスアイアイ・セミコンダクタ株式会社 半導体装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5455172A (en) * 1977-10-12 1979-05-02 Toshiba Corp Semiconductor device
JPS63213362A (ja) * 1987-02-27 1988-09-06 Mitsubishi Electric Corp 樹脂封止型半導体装置
JPH02133951A (ja) * 1988-11-15 1990-05-23 Oki Electric Ind Co Ltd 樹脂封止型半導体装置
JP2011151225A (ja) * 2010-01-22 2011-08-04 Alps Electric Co Ltd 湿度センサパッケージ及びその製造方法
JP2013070026A (ja) * 2011-09-08 2013-04-18 Rohm Co Ltd 半導体装置、半導体装置の製造方法、半導体装置の実装構造、およびパワー用半導体装置

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