JPH02133951A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
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- JPH02133951A JPH02133951A JP28671088A JP28671088A JPH02133951A JP H02133951 A JPH02133951 A JP H02133951A JP 28671088 A JP28671088 A JP 28671088A JP 28671088 A JP28671088 A JP 28671088A JP H02133951 A JPH02133951 A JP H02133951A
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、樹脂封止型半導体装置に係り、特に樹脂封止
型半導体装置のダイパッドの構造に関するものである。
型半導体装置のダイパッドの構造に関するものである。
（従来の技術）
従来、このような分野の技術としては、例えば以下に示
すようなものがあった。
すようなものがあった。
以下、その構成を図を用いて説明する。
第５図に示すように、従来の樹脂封止型半導体装置は、
半導体素子１をダイパッド３に接着剤等により固着し、
金属細線５等を用いて半導体素子１上のパッドとそれに
対応したり一ド２を接続して電気的接合を得た後に、封
止樹脂６によりり一ド２の一部分以外を除いて封止し、
樹脂部より突出したリード２を所定の形状に加工して、
樹脂封止型半導体装置を得るようにしていた。
半導体素子１をダイパッド３に接着剤等により固着し、
金属細線５等を用いて半導体素子１上のパッドとそれに
対応したり一ド２を接続して電気的接合を得た後に、封
止樹脂６によりり一ド２の一部分以外を除いて封止し、
樹脂部より突出したリード２を所定の形状に加工して、
樹脂封止型半導体装置を得るようにしていた。
また、ダイパッド３と封止樹脂６との密着性を得るため
に、ダイパッド３に穴を形成したり、裏側に複数個の窪
みを形成したものがあった（例えば、特開昭５２−９５
１７３号、特開昭５６−１０４４５９号。
に、ダイパッド３に穴を形成したり、裏側に複数個の窪
みを形成したものがあった（例えば、特開昭５２−９５
１７３号、特開昭５６−１０４４５９号。
特開昭５９−１６３５７号公報参照）。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら、上記構成の装置では、製品保管中にダイ
パッドと封止樹脂との微少な隙間にたまった水分が基板
搭載時に加わる熱ショックにより水蒸気化し、ダイパッ
ドと封止樹脂との密着性を低下させるため、第６図に示
すような封止樹脂の膨れ８や、封止樹脂のクランク９が
発生するという問題があった。
パッドと封止樹脂との微少な隙間にたまった水分が基板
搭載時に加わる熱ショックにより水蒸気化し、ダイパッ
ドと封止樹脂との密着性を低下させるため、第６図に示
すような封止樹脂の膨れ８や、封止樹脂のクランク９が
発生するという問題があった。
また、密着性を向上させるために、ダイパッドに穴を形
成したり、裏側に窪みを形成したものもあるが、上記問
題点に対して有効な手段とはなり得なかった。
成したり、裏側に窪みを形成したものもあるが、上記問
題点に対して有効な手段とはなり得なかった。
本発明は、以上述べた基板搭載時の熱ショックによる封
止樹脂の膨れやクランクが発生するといった問題点を除
去し、信転性の優れた樹脂封止型半導体装置を提供する
ことを目的とする。
止樹脂の膨れやクランクが発生するといった問題点を除
去し、信転性の優れた樹脂封止型半導体装置を提供する
ことを目的とする。
（課題を解決するための手段）
本発明は、上記問題点を解決するために、樹脂封止型半
導体装置のダイパッドにおいて、部分的な抜き曲げ加工
を行い、複数個の突起部を形成するようにしたものであ
る。
導体装置のダイパッドにおいて、部分的な抜き曲げ加工
を行い、複数個の突起部を形成するようにしたものであ
る。
（作用）
本発明によれば、樹脂封止型半導体装置の半導体素子を
固着するダイパッドに部分的な抜き曲げ加工を行い、グ
イパッド部の裏側にダイパッドと同一の材料による突起
を設ける。従って、熱シッソク時の蒸気圧に起因するダ
イパッドと封止樹脂との密着性δ低下を阻止することが
できる。
固着するダイパッドに部分的な抜き曲げ加工を行い、グ
イパッド部の裏側にダイパッドと同一の材料による突起
を設ける。従って、熱シッソク時の蒸気圧に起因するダ
イパッドと封止樹脂との密着性δ低下を阻止することが
できる。
また、突起部があるために、部分的な密着性の低下が見
られたとしても、全体的に剥がれることがなく、封止樹
脂の膨れやクランクの発生を防ぐことができる。
られたとしても、全体的に剥がれることがなく、封止樹
脂の膨れやクランクの発生を防ぐことができる。
（実施例）
以下、本発明の実施例について図面を参照しながら詳細
に説明する。
に説明する。
第１図は本発明の第１実施例を示す樹脂封止型半導体装
置の断面図、第２図は本発明の樹脂封止型半導体装置の
ダイパッドの上面図、第３図は第２図のＡ部拡大図であ
る。
置の断面図、第２図は本発明の樹脂封止型半導体装置の
ダイパッドの上面図、第３図は第２図のＡ部拡大図であ
る。
図中、１１は半導体素子、１２はリード、１３はダイパ
ッド、１４はそのダイパッドに形成される突起部、１５
は金属細線、１６は封止樹脂、１７はダイパッドのステ
イである。
ッド、１４はそのダイパッドに形成される突起部、１５
は金属細線、１６は封止樹脂、１７はダイパッドのステ
イである。
半導体素子１１を固着する前に、第２図に示すように、
ダイパッド１３に部分的な抜き曲げ加工を行う。この曲
げ加工により形成された突起部１４の先端は、封止樹脂
の応力がダイパッドの中心より外側にかかることを考慮
して、ダイパッドの中心に向かうように形成し、封止樹
脂の応力に対抗できるようにする。
ダイパッド１３に部分的な抜き曲げ加工を行う。この曲
げ加工により形成された突起部１４の先端は、封止樹脂
の応力がダイパッドの中心より外側にかかることを考慮
して、ダイパッドの中心に向かうように形成し、封止樹
脂の応力に対抗できるようにする。
また、この突起部１４がグイパッド平面となす角度（第
３図の角度θ）が４５″程度になるように形成する。こ
の場合、この角度θが２０°より小さいとその部分に入
り込む封止樹脂の強度を得ることができない、また、こ
の角度θが９０°程度と太きくなると、熱シジソク時に
発生する封止樹脂のダイパッドから離れようとする力に
対して、それを阻止する有効な形状となり得ない、従っ
て、突起部１４がグイパッド平面となす角度は２０〜７
０°であることが望ましい。
３図の角度θ）が４５″程度になるように形成する。こ
の場合、この角度θが２０°より小さいとその部分に入
り込む封止樹脂の強度を得ることができない、また、こ
の角度θが９０°程度と太きくなると、熱シジソク時に
発生する封止樹脂のダイパッドから離れようとする力に
対して、それを阻止する有効な形状となり得ない、従っ
て、突起部１４がグイパッド平面となす角度は２０〜７
０°であることが望ましい。
また、曲げ加工により得られた突起部の形状は、上記実
施例に示したように、その先端が丸みを帯びているもの
の他にも、第７図（ａ）に示すように、ダイパッド１３
に四角形の抜き曲げ加工を行い、その先端を角形状にし
た突起部１８を形成したり、第７図（ｂ）に示すように
、ダイパッド１３に三角形の抜き曲げ加工を行い、その
先端を三角形状にした突起部１９を形成したり、第８図
（ａ）に示すように断面Ｖ字状の突起部２０を形成した
り、第８図（ｂ）に示すように、断面Ｕ字状の突起部２
０′を形成する等、多種多様な変形が考えられる。
施例に示したように、その先端が丸みを帯びているもの
の他にも、第７図（ａ）に示すように、ダイパッド１３
に四角形の抜き曲げ加工を行い、その先端を角形状にし
た突起部１８を形成したり、第７図（ｂ）に示すように
、ダイパッド１３に三角形の抜き曲げ加工を行い、その
先端を三角形状にした突起部１９を形成したり、第８図
（ａ）に示すように断面Ｖ字状の突起部２０を形成した
り、第８図（ｂ）に示すように、断面Ｕ字状の突起部２
０′を形成する等、多種多様な変形が考えられる。
更に、上記突起部の配列や個数は適宜設定することがで
きる。
きる。
このように構成するので、第４図に示すように、封止樹
脂の膨れ８により部分的にダイパッド１３と封止樹脂１
６との密着性の低下が見られたとしても、突起部１４が
封止樹脂１６の剥がれを阻止するため、全体的に剥がれ
ることがな（、封止樹脂の膨れやクラックの発生を防ぐ
ことができる。
脂の膨れ８により部分的にダイパッド１３と封止樹脂１
６との密着性の低下が見られたとしても、突起部１４が
封止樹脂１６の剥がれを阻止するため、全体的に剥がれ
ることがな（、封止樹脂の膨れやクラックの発生を防ぐ
ことができる。
次に、本発明の第２実施例について説明する。
第９図は本発明の第２実施例を示す樹脂封止型半導体装
置の断面図、第１０図は第９図に示された樹脂封止型半
導体装置のダイパッドの上面図、第１１図は第１Ｏ図の
Ｂ部拡大図である。
置の断面図、第１０図は第９図に示された樹脂封止型半
導体装置のダイパッドの上面図、第１１図は第１Ｏ図の
Ｂ部拡大図である。
この第２実施例においては、半導体素子を固着するダイ
パッドに部分的な抜き曲げ加工を行い、突起を設けるが
、その突起の先端付近は平面となし、その平面はダイパ
ッド平面と平行になるように形成する。
パッドに部分的な抜き曲げ加工を行い、突起を設けるが
、その突起の先端付近は平面となし、その平面はダイパ
ッド平面と平行になるように形成する。
図中、２１は半導体素子、２２は金属細線、２３はダイ
パッド、２４はリード、２５は封止樹脂、２６はダイパ
ッド２３に形成される突起部、２６ａはその突起部２６
の第１の折曲部、２６ｂはその突起部２６の第２の折曲
部であり、この第２の折曲部２６ｂ面はダイパッド２３
面と平行になるように形成される。
パッド、２４はリード、２５は封止樹脂、２６はダイパ
ッド２３に形成される突起部、２６ａはその突起部２６
の第１の折曲部、２６ｂはその突起部２６の第２の折曲
部であり、この第２の折曲部２６ｂ面はダイパッド２３
面と平行になるように形成される。
また、突起部２６は複数個形成され、各第２の折曲部２
６ｂは当然のことながら、各々ダイパッド２３を支える
のに必要な面積を有している。
６ｂは当然のことながら、各々ダイパッド２３を支える
のに必要な面積を有している。
更に、この各第２の折曲部２６ｂは、工程中において、
ヒータブロック等の平面とダイパッド平面とを平行に保
つように形成される。
ヒータブロック等の平面とダイパッド平面とを平行に保
つように形成される。
また、各第２の折曲部２６ｂは、四角形、三角形など多
種多様な変形を行うことができる。
種多様な変形を行うことができる。
このように構成することにより、第１２図に示すように
、半導体素子２１とダイパッド２３とを固着する工程や
、金属細線２２で接続する工程において、ヒータブロッ
ク２７等の平面とダイパッド２３平面とを容易に平行に
保ちながら固定することができる。
、半導体素子２１とダイパッド２３とを固着する工程や
、金属細線２２で接続する工程において、ヒータブロッ
ク２７等の平面とダイパッド２３平面とを容易に平行に
保ちながら固定することができる。
また、第１３図に示すように、封止樹脂２５と突起部２
６の密着性をより向上させることができ、基板搭載時の
熱ショックにより発生する薄気圧の影響であるダイパッ
ド２３と封止樹脂２５の剥離や封止樹脂２５のクランク
を防止することができる。
６の密着性をより向上させることができ、基板搭載時の
熱ショックにより発生する薄気圧の影響であるダイパッ
ド２３と封止樹脂２５の剥離や封止樹脂２５のクランク
を防止することができる。
次に、本発明の第３実施例について説明する。
第１４図は本発明の第３実施例を示す樹脂封止型半導体
装置の断面図、第１５図は第１４図に示される樹脂封止
型半導体装置のダイパッドの上面図、第１６図は第１５
図のＣ部拡大図である。
装置の断面図、第１５図は第１４図に示される樹脂封止
型半導体装置のダイパッドの上面図、第１６図は第１５
図のＣ部拡大図である。
これらの図に示すように、本発明においては、半導体素
子３１を固着するダイパッド３２に部分的な抜き曲げ加
工を行い、突起部３６を形成する。この突起部３６は、
グイパッド３２平面全体を見かけ上等分割又はそれに近
い分割をするように形成する必要があるので、ダイパッ
ド３２の形状に応じて１個にしても複数個にしても構わ
ない。更に、突起部３６の形状についても、本実施例に
おいては長方形状で説明しているが、この形状は、例え
ば長方形のコーナ一部をＲとするなど種々変形すること
ができる。
子３１を固着するダイパッド３２に部分的な抜き曲げ加
工を行い、突起部３６を形成する。この突起部３６は、
グイパッド３２平面全体を見かけ上等分割又はそれに近
い分割をするように形成する必要があるので、ダイパッ
ド３２の形状に応じて１個にしても複数個にしても構わ
ない。更に、突起部３６の形状についても、本実施例に
おいては長方形状で説明しているが、この形状は、例え
ば長方形のコーナ一部をＲとするなど種々変形すること
ができる。
通常、基板搭載時の熱ショックによる封止樹脂部に発生
する応力は、ダイパッド面積に関係しており、ダイパッ
ド面積が大きくなるほど応力が大きくなる。従って、本
発明のように構成することにより、ダイパッドは見かけ
上腹数個に分割されるので、発生する応力を分散させこ
とができる。
する応力は、ダイパッド面積に関係しており、ダイパッ
ド面積が大きくなるほど応力が大きくなる。従って、本
発明のように構成することにより、ダイパッドは見かけ
上腹数個に分割されるので、発生する応力を分散させこ
とができる。
また、その応力は、特にダイパッドの各辺（四辺）の中
心部に最も強くかかるため、ダイパッドを分割すること
で、辺部分の総数を増加させ、応力を分散させ得る。
心部に最も強くかかるため、ダイパッドを分割すること
で、辺部分の総数を増加させ、応力を分散させ得る。
このように構成することにより、基板搭載時に発生する
熱ショックによる樹脂部の膨れやクラックを防止するこ
とができる。
熱ショックによる樹脂部の膨れやクラックを防止するこ
とができる。
なお、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、
本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これ
らを本発明の範囲から排除するものではない。
本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これ
らを本発明の範囲から排除するものではない。
（発明の効果）
以上、詳細に説明したように、本発明によれば、次のよ
うな効果を奏することができる。
うな効果を奏することができる。
（１）ダイパッドに部分的な抜き曲げ加工を行い、突起
部を形成したので、熱ショック時の蒸気圧に起因するダ
イパッドと封止樹脂との密着性の低下を阻止することが
できる。
部を形成したので、熱ショック時の蒸気圧に起因するダ
イパッドと封止樹脂との密着性の低下を阻止することが
できる。
（２）ダイパッドに突起部が形成されるために、部分的
な密着性の低下が見られたとしても、全体的に剥がれる
ことがなく、封止樹脂の膨れやクランクの発生を防ぐこ
とができる。
な密着性の低下が見られたとしても、全体的に剥がれる
ことがなく、封止樹脂の膨れやクランクの発生を防ぐこ
とができる。
従って、樹脂封止型半導体装置の耐熱シラツク性の向上
を図ることができる。
を図ることができる。
第１図は本発明の第１実施例を示す樹脂封止型半導体装
置の断面図、第２図は本発明の樹脂封止型半導体装置の
ダイパッドの上面図、第３図は第２図のＡ部拡大図、第
４図は本発明の詳細な説明する図、第５図は従来の樹脂
封止型半導体装置の断面図、第６図は従来技術の問題点
説明図、第７図及び第８図は本発明のグイパッドに形成
される突起部の変形例を示す図、第９図は本発明の第２
実施例を示す樹脂封止型半導体装置の断面図、第１０図
は第９図に示された樹脂封止型半導体装置のダイパッド
の上面図、第１１図は第１Ｏ図のＢ部拡大図、第１２図
及び第１３図は本発明の第２実施例の効果説明図、第１
４図は本発明の第３実施例を示す樹脂封止型半導体装置
の断面図、第１５図は第１４図に示された樹脂封止型半
導体装置のダイパッドの上面図、第１６図は第１５図の
Ｃ部拡大図である。 １１、２１．３１・・・半導体素子、１２．２４・・・
リード、１３゜２３、３２・・・ダイパッド、１４．１
Ｂ、 １９．２０．２０’ 、 ２６゜３６・・・突起
部、１５．２２・・・金属細線、１６．２５・・・封止
樹脂、１７・・・ステイ、２６ａ・・・第１の折曲部、
２６ｂ・・・第２の折曲部、２７・・・ヒータブロック
。 特許出願人 沖電気工業株式会社 代理人 弁理士 清 水 守（外１名）第１図 精朗の女方累説朗閏 第４図 滞４石硯の截置のダイパッドの上面Ｚ 第２図 偵５号のｊ８膓到止型ヰ４祷り装置の断面図第５図 第２図のＡ部二犬固 第３図 従来褒句の問題点ｔｔｌ”ＪＩコ 第６図 （ｂ） 交起の変形２ｉｔ示す図 第７図 （ｆ２） （ｂ） 勇し峻形例を示１ｚ 第８図 イ彎ぞ８月め茅２爽Ｎ伊ｊ遭艷ｊ１の１面図第９図 多９ツｈ−示３れ７；装置のタイパットの上面閉第１０
図 写１０図め５都茗大国 第１１図
置の断面図、第２図は本発明の樹脂封止型半導体装置の
ダイパッドの上面図、第３図は第２図のＡ部拡大図、第
４図は本発明の詳細な説明する図、第５図は従来の樹脂
封止型半導体装置の断面図、第６図は従来技術の問題点
説明図、第７図及び第８図は本発明のグイパッドに形成
される突起部の変形例を示す図、第９図は本発明の第２
実施例を示す樹脂封止型半導体装置の断面図、第１０図
は第９図に示された樹脂封止型半導体装置のダイパッド
の上面図、第１１図は第１Ｏ図のＢ部拡大図、第１２図
及び第１３図は本発明の第２実施例の効果説明図、第１
４図は本発明の第３実施例を示す樹脂封止型半導体装置
の断面図、第１５図は第１４図に示された樹脂封止型半
導体装置のダイパッドの上面図、第１６図は第１５図の
Ｃ部拡大図である。 １１、２１．３１・・・半導体素子、１２．２４・・・
リード、１３゜２３、３２・・・ダイパッド、１４．１
Ｂ、 １９．２０．２０’ 、 ２６゜３６・・・突起
部、１５．２２・・・金属細線、１６．２５・・・封止
樹脂、１７・・・ステイ、２６ａ・・・第１の折曲部、
２６ｂ・・・第２の折曲部、２７・・・ヒータブロック
。 特許出願人 沖電気工業株式会社 代理人 弁理士 清 水 守（外１名）第１図 精朗の女方累説朗閏 第４図 滞４石硯の截置のダイパッドの上面Ｚ 第２図 偵５号のｊ８膓到止型ヰ４祷り装置の断面図第５図 第２図のＡ部二犬固 第３図 従来褒句の問題点ｔｔｌ”ＪＩコ 第６図 （ｂ） 交起の変形２ｉｔ示す図 第７図 （ｆ２） （ｂ） 勇し峻形例を示１ｚ 第８図 イ彎ぞ８月め茅２爽Ｎ伊ｊ遭艷ｊ１の１面図第９図 多９ツｈ−示３れ７；装置のタイパットの上面閉第１０
図 写１０図め５都茗大国 第１１図
Claims (5)
- （１）樹脂封止型半導体装置のダイパッドにおいて、部
分的な抜き曲げ加工を行い、複数個の突起部を形成した
ことを特徴とする樹脂封止型半導体装置。 - （２）前記ダイパッドの突起部の先端がダイパッドの中
央に向かっていることを特徴とする請求項１記載の樹脂
封止型半導体装置。 - （３）前記ダイパッドの突起部とダイパッド平面のなす
角度が２０〜７０゜の範囲に入るように形成したことを
特徴すとる請求項１又は２記載の樹脂封止型半導体装置
。 - （４）前記突起部の抜き曲げ加工によりダイパッドの領
域が複数に分割されるように形成したことを特徴とする
請求項１記載の樹脂封止型半導体装置。 - （５）前記突起部の先端部がダイパッド部平面と平行に
曲げ加工が施されたことを特徴とする請求項１、２、３
又は４記載の樹脂封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28671088A JPH02133951A (ja) | 1988-11-15 | 1988-11-15 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28671088A JPH02133951A (ja) | 1988-11-15 | 1988-11-15 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02133951A true JPH02133951A (ja) | 1990-05-23 |
Family
ID=17707995
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28671088A Pending JPH02133951A (ja) | 1988-11-15 | 1988-11-15 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02133951A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6812554B2 (en) | 1999-02-17 | 2004-11-02 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor device and a method of manufacturing the same |
| WO2016006193A1 (ja) * | 2014-07-11 | 2016-01-14 | 株式会社デンソー | モールドパッケージ |
-
1988
- 1988-11-15 JP JP28671088A patent/JPH02133951A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6812554B2 (en) | 1999-02-17 | 2004-11-02 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor device and a method of manufacturing the same |
| US7160760B2 (en) | 1999-02-17 | 2007-01-09 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor device and a method of manufacturing the same |
| US7385279B2 (en) | 1999-02-17 | 2008-06-10 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor device and a method of manufacturing the same |
| US7812464B2 (en) | 1999-02-17 | 2010-10-12 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device and a method of manufacturing for high output MOSFET |
| WO2016006193A1 (ja) * | 2014-07-11 | 2016-01-14 | 株式会社デンソー | モールドパッケージ |
| US9831146B1 (en) | 2014-07-11 | 2017-11-28 | Denso Corporation | Molded package |
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