JPH1070217A - 樹脂封止型半導体装置及びその金型構造 - Google Patents

樹脂封止型半導体装置及びその金型構造

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 不純物によるリード間の電気的リーク及びモ
ールド成形時における樹脂バリの発生を抑えることので
きる樹脂封止型半導体装置及びその金型構造を得る。 【解決手段】 樹脂封止型半導体装置２１において、半
導体素子２３と、半導体素子２３の一方の面にこの面の
縁より内側で設けたリード２５と、半導体素子２３の一
方の面と対向するリード２５の面の反対面を露出させて
このリード２５及び半導体素子２３とを封止するモール
ド樹脂２９と、隣接するリード２５間のモールド樹脂外
表面にリード２５間に亘って形成した断面略円弧形状の
溝３１とを設ける。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、樹脂封止型半導体
装置及びその金型構造に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＩＣカードや、メモリーカードが
急速に発達し、これに伴ってカードの中に搭載される樹
脂封止型半導体装置も薄型、小型のものが要求されてお
り、これを実現する種々の構造のものが提案されてい
る。この種の樹脂封止型半導体装置の一例として例えば
富士通株式会社カタログ「SON Small Outline Nonlead
Package 」に開示されるものを図５、図６に示す。
【０００３】図５は従来の樹脂封止型半導体装置の断面
図、図６は図５のＡ矢視図である。樹脂封止型半導体装
置（半導体装置）１は、半導体素子３の一方の面（回路
形成面）に、半導体素子３と略同等サイズのリード５を
回路形成面からはみ出さないように設けてあり、半導体
素子３とリード５を金線７によって接続し、半導体素子
３の他方の面及びリード５の一方の面を露出させてモー
ルド樹脂９により封止して形成してある。この半導体装
置１によれば、半導体素子３の他方の面を露出させるこ
とで、省略したモールド樹脂９の厚み分装置を薄くでき
るとともに、半導体素子３のサイズ内でリード５を設け
たので、装置を半導体素子３のサイズと略同等に小型化
することができた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の半導体装置１では、リード５の露出面（電気接
触面）５ａとモールド樹脂９の外表面９ａとを同一平面
上で配しているため、外表面９ａ上でのリード５間の絶
縁距離が最短となり、図７（ａ）に示すように、基板１
１への実装時或いは実装後において、外表面９ａに付着
した不純物１３によってリード５間で電気的リークが発
生し易く、装置特性を損なう虞れがあった。そして、露
出面５ａと外表面９ａとを同一平面上に配することは、
リード５間に形成される絶縁空間を小さくすることにも
なり、この絶縁空間に不純物がたまれば、電気的リーク
を容易に発生させることとなった。また、リード５の露
出面５ａとモールド樹脂９の外表面９ａとを同一平面上
で形成するため、モールド成形時に、リード５の露出面
５ａにモールド樹脂９が流れ出て、図７（ｂ）に示すよ
うに、露出面５ａに樹脂バリ１５が発生して電気的特性
を低下させる虞れがあった。本発明は上記状況に鑑みて
なされたもので、不純物によるリード間の電気的リーク
及びモールド成形時における樹脂バリの発生を抑えるこ
とのできる樹脂封止型半導体装置及びその金型構造の提
供を目的とするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明に係る樹脂封止型半導体装置は、半導体素子
と、該半導体素子の一方の面に該面の縁より内側で設け
たリードと、前記半導体素子の一方の面と対向する該リ
ードの面の反対面を露出させて該リード及び前記半導体
素子とを封止するモールド樹脂と、隣接する前記リード
間のモールド樹脂外表面に該リード間に亘って形成した
断面略円弧形状の溝とを具備したことを特徴とするもの
である。本発明に係る金型構造は、キャビティを有し該
キャビティに半導体素子及びリードを収容する下金型
と、前記キャビティに配置したリードに接触して該キャ
ビティを塞ぐ上金型と、該上金型のリード接触面に形成
してあり複数整列した各リードを凹部で圧接するととも
にリード間に凸部を挿入する断面波形状の凹凸面とを具
備したことを特徴とするものである。
【０００６】このように形成した本発明に係る樹脂封止
型半導体装置では、リード間に断面略円弧状の溝を設け
たことにより、リード間に挟まれたモールド樹脂の外表
面の距離が長くなり、モールド樹脂外表面上における絶
縁距離が長く確保されることになる。また、モールド樹
脂外表面がリード露出面から離れることになり、リード
間の絶縁空間が大きく確保されることになる。本発明に
係る金型構造では、モールド成形時、リードの露出面を
上金型のリード接触面に当接して、半導体素子を下金型
と上金型とで挟み込んだ時、リード接触面に形成した凹
凸面の凹部がリードの角部に線接触して、高い接圧でリ
ードを押さえることになる。同時に、凸部をリード間に
挿入することで、リード間に断面略円弧形状の溝が形成
されることとなる。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る樹脂封止型半
導体装置及びその金型構造の好適な実施の形態を図面を
参照して詳細に説明する。図１は本発明による樹脂封止
型半導体装置の断面図、図２は図１のＢ矢視図である。
樹脂封止型半導体装置（半導体装置）２１には半導体素
子２３を設けてあり、半導体素子２３は一方の面（図１
中、上側の面）を回路形成面としている。半導体素子２
３の一方の面にはこの半導体素子２３と略同等サイズの
リード２５を回路形成面からはみ出さないように設けて
あり、リード２５は金線２７によって半導体素子２３に
接続してある。
【０００８】半導体装置２１は、半導体素子２３の他方
の面及びリード２５の一方の面（図１中、上側の面）２
５ａを露出させてモールド樹脂２９により封止してあ
る。これにより半導体装置２１は、小型化、薄厚化を達
成している。
【０００９】図２に示すように、この半導体装置２１で
は、複数のリード２５を、一方の面（露出面）２５ａが
同一平面上で露出するようにして平行に並設してある。
このリード２５の相互間には、モールド樹脂２９の外表
面を窪ませた溝３１を形成してある。溝３１の深さは、
リード２５の厚みの略半分程度で形成してある。溝３１
の形状としては、例えば、隣接するリード２５の角部
（リード露出面２５ａの縁部）同士を略円弧形状で連続
させた断面形状が考えられる。また、溝３１の形状は、
図示は省略するが、隣接するリード２５の角部同士をＶ
字形状で連続させた断面形状等であってもよい。従っ
て、この半導体装置２１では、溝３１を挟むことでリー
ド露出面２５ａのみが同一平面上で配されていることと
なる。
【００１０】このように構成した半導体装置２１では、
リード２５同士の間に断面略円弧状の溝３１を設けたこ
とにより、リード２５同士に挟まれたモールド樹脂２９
の外表面２９ａの距離が、リード露出面とモールド樹脂
外表面とを同一平面上で配した従来構造に比べて、長く
なる。即ち、リード２５同士のモールド樹脂外表面２９
ａ上における絶縁距離が長く確保されることになる。
【００１１】また、半導体装置２１では、リード露出面
とモールド樹脂外表面とを同一平面上で配した従来構造
に比べて、モールド樹脂外表面２９ａ（溝３１の底面）
が、リード露出面２５ａから離れることになる。即ち、
溝３１を設けたことにより、リード２５同士間の絶縁空
間が大きく確保されることになる。
【００１２】このように上述の半導体装置２１によれ
ば、リード２５同士の間に溝３１を形成し、その溝３１
の形状を、隣接するリード２５の角部同士を略円弧形状
で連続させた断面形状としたので、モールド樹脂外表面
２９ａ上におけるリード２５間の絶縁距離を長く確保す
ることができる。この結果、基板への実装時或いは実装
後において、モールド樹脂外表面２９ａ上に付着した不
純物によるリード２５間での電気的リークを低減させる
ことができる。更に、リード２５間に溝３１を形成する
ことで、リード２５間に形成される絶縁空間が大きくな
り、この絶縁空間にたまった不純物による電気的リーク
も低減させることができる。
【００１３】また、溝３１を設けたことにより、リード
露出面２５ａとモールド樹脂外表面２９ａとが同一平面
でなくなり、モールド成形時に、モールド樹脂２９がモ
ールド樹脂外表面２９ａ側からリード露出面２５ａ上に
流出しにくくなり、リード露出面２５ａ上での樹脂バリ
１５（図７（ｂ）参照）を防止することができる。
【００１４】次に、上述の半導体装置２１の樹脂封止に
用いて好適な金型の構造を図３、図４に基づき説明す
る。図３は半導体装置を内側に設けた状態の本発明の金
型構造を示す断面図、図４は図３のＣ−Ｃ断面図であ
る。成形金型４１は、下金型４３と上金型４５とにより
構成してある。下金型４３には、モールド成形時、半導
体素子２３及びリード２５を収容し、熱硬化性樹脂を圧
入するためのキャビティ４７を形成してある。半導体素
子２３は、他方の面をキャビティ４７の底面に接触さ
せ、リード２５の露出面２５ａを上金型４５のリード接
触面４９に当接した状態でキャビティ４７内に収容され
る。
【００１５】図４に示すように、上金型４５のリード接
触面４９には断面波形状の凹凸面５１を形成してある。
凹凸面５１の凹部５１ａは、複数並設したリード２５と
同一のピッチで形成してある。従って、リード２５を露
出面２５ａ側から押さえた上金型４５は、凹凸面５１の
凹部５１ａにリード２５を配置させるとともに、凸部５
１ｂをリード２５間に挿入することとなる。リード２５
間に挿入する凸部５１ｂの高さは、リード２５の厚みの
略半分程度に設定してある。
【００１６】このように構成した成形金型４１では、モ
ールド成形時、半導体素子２３の他方の面をキャビティ
４３の底面に当接させ、リード２５の露出面２５ａを上
金型４５のリード接触面４９に当接して、半導体素子２
３を下金型４３と上金型４５とで挟み込んだ時、リード
接触面４９に形成した凹凸面５１の凹部５１ａがリード
２５の角部に線接触して、高い接圧でリード２５を押さ
えることになる。
【００１７】同時に、凸部５１ｂをリード２５間に挿入
することにより、熱硬化性樹脂を圧入して成形を行った
際には、リード２５間のモールド樹脂外表面２９ａに断
面略円弧形状の溝３１が形成されることとなる。
【００１８】このように上述の成形金型４１によれば、
上金型４５のリード接触面４９に断面波形状の凹凸面５
１を形成したので、モールド成形時、下金型４３と上金
型４５とでリード２５を挟み込んだ際、リード２５の角
部を高い接圧で押さえることができ、リード露出面２５
ａへの樹脂の流出を防止することができる。
【００１９】また、凸部５１ｂをリード２５間に挿入し
て成形を行うことにより、リード２５間に断面略円弧形
状の溝３１を容易に形成することができる。
【００２０】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明に係
る樹脂封止型半導体装置によれば、リード間に溝を形成
し、その溝の形状を断面略円弧形状としたので、モール
ド樹脂外表面上におけるリード間の絶縁距離を長く確保
することができる。この結果、モールド樹脂外表面上に
付着した不純物によるリード間の電気的リークを低減さ
せることができる。また、リード露出面とモールド樹脂
外表面とが同一平面でなくなるため、モールド成形時
に、モールド樹脂がリード露出面上に流出しにくくな
り、リード露出面上で発生する樹脂バリを防止すること
ができる。また、本発明に係る金型構造によれば、上金
型のリード接触面に断面波形状の凹凸面を形成したの
で、モールド成形時、リードの角部を高い接圧で押さえ
ることができ、リード露出面への樹脂の流出を防止する
ことができる。また、凹凸面の凸部をリード間に挿入し
て成形を行うことにより、リード間に断面略円弧形状の
溝を容易に形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による樹脂封止型半導体装置の断面図で
ある。
【図２】図１のＢ矢視図である。
【図３】半導体装置を内側に設けた状態の本発明の金型
構造を示す断面図である。
【図４】図３のＣ−Ｃ断面図である。
【図５】従来の樹脂封止型半導体装置の断面図である。
【図６】図５のＡ矢視図である。
【図７】従来の樹脂封止型半導体装置に生じる電気的リ
ーク、樹脂バリを（ａ）（ｂ）で説明する図である。
【符号の説明】
２１ 樹脂封止型半導体装置 ２３ 半導体素
子 ２５ リード ２９ モールド
樹脂 ２９ａ モールド樹脂外表面 ３１ 溝 ４３ 下金型 ４５ 上金型 ４７ キャビティ ４９ リード接
触面 ５１ 凹凸面 ５１ａ 凹部 ５１ｂ 凸部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 // Ｂ２９Ｋ 105:20 Ｂ２９Ｌ 31:34

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体素子と、 該半導体素子の一方の面に該面の縁より内側で設けたリ
    ードと、 前記半導体素子の一方の面と対向する該リードの面の反
    対面を露出させて該リード及び前記半導体素子とを封止
    するモールド樹脂と、 隣接する前記リード間のモールド樹脂外表面に該リード
    間に亘って形成した断面略円弧形状の溝とを具備したこ
    とを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
  2. 【請求項２】 キャビティを有し該キャビティに半導体
    素子及びリードを収容する下金型と、 前記キャビティに配置したリードに接触して該キャビテ
    ィを塞ぐ上金型と、 該上金型のリード接触面に形成してあり複数整列した各
    リードを凹部で圧接するとともにリード間に凸部を挿入
    する断面波形状の凹凸面とを具備したことを特徴とする
    金型構造。
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