JPH01179348A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPH01179348A
JPH01179348A JP63000919A JP91988A JPH01179348A JP H01179348 A JPH01179348 A JP H01179348A JP 63000919 A JP63000919 A JP 63000919A JP 91988 A JP91988 A JP 91988A JP H01179348 A JPH01179348 A JP H01179348A
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JP
Japan
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semiconductor device
semiconductor element
resin
semiconductor
frame
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Pending
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JP63000919A
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English (en)
Inventor
Naoki Miyamoto
直樹 宮本
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は樹脂封止型の半導体装置に関し、特に半導体装
置を構成している半導体装置用リードフレームの半導体
素子搭載部の構造に関する。
〔従来の技術〕
従来、この種の半導体装置は半導体素子搭載部が平坦な
半導体装置用リードフレームで構成されていた。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上述した従来の半導体装置は樹脂封止時に半導体素子と
樹脂そのものの熱収縮の差によって熱応力が発生し、す
なわちこれが内部応力として残留する。この残留応力に
よって半導体素子は抵抗値が変動（ピエゾ抵抗効果）し
、大幅な電気的特性劣化になる。この対策として曲げ弾
性率の低い樹脂により封止することが行われているが効
果が少ないばかりかむしろ耐湿性信頼度を低下させる。
さらに近年の半導体素子の高集積化に伴い、半導体装置
の製造工程において、外部接続用金属細線（ポンディン
グワイヤ）が特に長い場合など、ワイヤのだれが発生し
、それが半導体素子の周辺端部に接触することにより短
絡する危険を有している。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明の半導体装置は、それを構成する半導体装置用リ
ードフレームの半導体素子搭載部の周囲に絶縁性樹脂の
突起枠を有している。
〔実施例〕
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の平面図である。
半導体装置８を構成する０、２工厚の４２合金製薄平板
より形成された半導体装置用リードフレーム１０半導体
素子搭載部２の周囲部３に絶縁性樹脂（ポリイミド樹脂
）を熱圧着により形成させて、突起枠４とすることによ
り半導体装置封止用、樹脂５の熱収縮応力は突起枠４に
その大部分が吸収され、半導体素子６には直接加わらな
い。
従って、電流増幅率等の電気的特性の劣化は従来仕様の
ものと比べて半減する。
さらに、半導体素子の外部接続用ワイヤ７のｉｓＱが生
じた場合、突起枠４が堤となりワイヤ７と半導体素子６
との接触を回避できる。本発明はリードフレームの素材
として４２合金を示したが他の金属で行っても効果があ
ることはいうまでもない。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、半導体装置を構成してい
る半導体装置用リードフレームの半導体素子搭載部の周
囲に絶縁性樹脂により突起枠を設けることにより、封止
用樹脂の半導体素子に与え′る熱応力を緩和することが
でき、電気的特性劣化を低減することができる。
さらに、外部接続用ワイヤにだれが生じた場合、その突
起部が堤となり、半導体素子との接触を防ぐことにより
短絡を防止することができる。
以上Ｙこより半導体装置の生産における歩留の向上を確
実なものとすることができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の半導体装置の縦断面図、第２図は第１
図の半導体素子搭載部近傍の斜視図である。 １・・・・・・リードフレーム、２・・・・・・半導体
素子搭載部、３・・・・・・半導体素子搭載部の周囲部
（突起枠の形成される部分）、４・・・・・・絶縁性樹
脂による突起枠、５・・・・・・封止用樹脂、６・・・
・・・半導体素子、７・・・・・・外部接続用金属細線
（ワイヤ）、８・・・・・・半導体素子搭載部支持リー
ド。 代理人　弁理士　　内　原　　　音

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 　樹脂封止型半導体装置の半導体装置用リードフレーム
    の半導体素子搭載部の周囲に絶縁性樹脂の突起枠を有す
    ることを特徴とする半導体装置。
JP63000919A 1988-01-05 1988-01-05 半導体装置 Pending JPH01179348A (ja)

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JP63000919A JPH01179348A (ja) 1988-01-05 1988-01-05 半導体装置

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JP63000919A JPH01179348A (ja) 1988-01-05 1988-01-05 半導体装置

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JPH01179348A true JPH01179348A (ja) 1989-07-17

Family

ID=11487091

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JP63000919A Pending JPH01179348A (ja) 1988-01-05 1988-01-05 半導体装置

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005045930A1 (en) * 2003-11-04 2005-05-19 Infineon Technologies Ag Leadframe with insulating ring
FR2975827A1 (fr) * 2011-05-27 2012-11-30 St Microelectronics Rousset Procede de fabrication d'un composant electronique et composant correspondant

Cited By (2)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005045930A1 (en) * 2003-11-04 2005-05-19 Infineon Technologies Ag Leadframe with insulating ring
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