JPH04267545A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents

樹脂封止型半導体装置

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JPH04267545A
JPH04267545A JP3028488A JP2848891A JPH04267545A JP H04267545 A JPH04267545 A JP H04267545A JP 3028488 A JP3028488 A JP 3028488A JP 2848891 A JP2848891 A JP 2848891A JP H04267545 A JPH04267545 A JP H04267545A
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JP
Japan
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wiring board
semiconductor element
resin
sealing resin
semiconductor device
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JP3028488A
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English (en)
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Tsunemitsu Koda
國府田　恒充
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
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  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、樹脂封止型半導体装置
に関し、特にそのＣｈｉｐ　　Ｏｎ　　Ｂｏａｒｄ（以
下ＣＯＢという）構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来この種の樹脂封止型半導体装置とし
ては、図４，図５に示すものがある。
【０００３】図４において、半導体素子１は、配線基板
２上に機械加工により形成された凹部に熱硬化性接着剤
５により固着されており、金属細線４により半導体素子
１の電極（図示せず）と配線基板２上の配線３とが接続
されており、半導体素子１の上部と金属細線４は封止樹
脂７によって封止されている。また、樹脂枠６は封止樹
脂７の流れ止めとなっている。
【０００４】また、ＣＯＢの製造厚みを薄くする必要が
ない場合、図５に示すように、配線基板２の半導体素子
１載置部を加工することなく、熱硬化性接着剤５で半導
体素子１を配線基板２に固着する構造も多く用いられて
いる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】これらの従来のＣＯＢ
の構造では、その製品の厚さを薄くすることが大変難し
いという問題点があった。それは、従来のＣＯＢの構造
では、その厚さが配線基板２と、半導体素子１と、封止
樹脂７の３つで構成されるためである。さらに、従来の
ＣＯＢ構造では、金属細線４によるワイヤボンディング
を行う際の半導体素子側と内線基板側の高低段差が大き
くなっている。従って、金属細線４と半導体素子１のエ
ッジとの接触、すなわち電気的短絡を防止するため、金
属細線４のループ形状を低く抑えることができず、この
高いループ形状の金属細線を封止する必要から封止樹脂
厚を薄くできる余地がほとんどないという設計上の限界
があった。
【０００６】本発明の目的、これらの問題を解決し、厚
さを薄く構成できると共に、金属細線のループを低く抑
えられるようにした樹脂封止型半導体装置を提供するこ
とにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の構成は、半導体
素子が配線基板と金属細線にて接続され、これらが樹脂
封止されて構成される樹脂封止型半導体装置において、
前記半導体素子が前記配線基板の貫通孔に配設され前記
半導体素子の側面部が前記封止樹脂により前記配線基板
の貫通孔の側面部に固定されるようにしたことを特徴と
する。
【０００８】
【実施例】図１は本発明の一実施例の半導体装置の縦断
面図である。この半導体素子１は、金属細線４により配
線基板２上の配線３とワイヤボンディングにより接続さ
れている。この金属細線４としては、いわゆる低いルー
プワイヤと呼ばれるタイプ（例えば、住友金属鉱山（株
）製のＳＧＴタイプ）の金線を使用する。
【０００９】この場合のワイヤボンディングは、図２に
模式的に示したように、ワイヤボンダー（図示せず）の
平坦なボンディングステージ９上に配線基板２を配置し
、この配線基板２の半導体素子載置部に設けた貫通孔（
以下デバイスホールという）内に半導体素子１を置いた
後、ボンディングステージ９のデバイスホールに対応す
る位置に設けた真空チャック孔１０内部を減圧すること
により、半導体素子１を固定する。その後、通常の手順
でキャピラリ１１を用いた超音波併用熱圧着法によるボ
ールボンディングにより実施している。
【００１０】尚、図１及び図２において、配線基板２の
デバイスホール周縁部に段差部１２を設けているのは、
本実施例では、樹脂封止の際の封止樹脂の液だれや半導
体素子１裏面への樹脂廻り込み等を防止するためである
。また、半導体素子１とデバイスホール間の空隙が０．
２〜０．３ｍｍ程度と狭いため、配線３の側面がデバイ
スホール側壁に露出したままでは配線３と半導体素子１
が接触し、短絡することを防止するためである。このよ
うな配線基板２の形状は、機械的加工法（いわゆる座グ
リ加工）により容易にできる。
【００１１】このような構造を用いることにより、配線
基板の厚さが製品の厚さから削除され、更にワイヤボン
ディングの際の半導体素子側と配線基板側との高低差を
１００μｍ程度に設定することが可能なため、ループ形
状を低く抑制することができ、これに応じて封止樹脂厚
を薄くすることができる。
【００１２】本実施例の封止樹脂形状は、ワイヤボンデ
ィングが完了した状態の配線基板２の上面から熱硬化性
エポキシ系樹脂を滴下したのち加熱し、その樹脂を流動
させた後、硬化させる事により得ることができる。
【００１３】以上、説明したように本発明は、配線基板
部分を除いた構造を採用することにより、０．３ｍｍ厚
の配線基板を使用した場合、従来の構造ではＣＯＢ製品
の圧さを１．０ｍｍ以下とするのは非常に困難であった
のに対し、表１のように０．６ｍｍ以下という製品厚を
容易に実現することができるのである。
【００１４】
【００１５】図３は、本発明の第２の実施例の縦断面図
である。本実施例は、半導体素子１が封止樹脂８により
配線基板２に固定されており、半導体素子１上の電極（
図示せず）と配線３は金属細線４により接続されている
。更に、この半導体素子１の上面，金属細線４，配線基
板２のデバイスホール周縁部上面が封止樹脂７ａで封止
されるようになっている。
【００１６】この実施例では、半導体素子１を配線基板
２に固定する役割を封止樹脂８が果たしており、半導体
素子１の表面や金属細線４及び接続部分の保護の役割は
封止樹脂７ａが果たしている。従って、これらの封止樹
脂８，７ａは、それぞれの用途に応じてその諸物性を特
化することができる。
【００１７】例えば、半導体素子１の寸法が１０ｍｍ角
に近いような大きなものである場合は、封止樹脂７ａと
して弾性率の低いシリコン系樹脂を用いることができる
ので、熱応力により不具合の発生を大幅に低減できると
いう利点がある。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、ＣＯＢ
における半導体素子載置部分の配線基板を除去し、半導
体素子の固定を封止樹脂により行うことにより、製品の
厚さを従来構造のほぼ半分に薄化できるという効果があ
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例の縦断面図。
【図２】図１のボンディング方法を説明する模式的断面
図。
【図３】本発明の第２の実施例の縦断面図。
【図４】従来のＣＯＢの一例の縦断面図。
【図５】従来のＣＯＢの他の例の縦断面図。
【符号の説明】
１　　　　半導体素子 ２　　　　配線基板 ３　　　　配線基板上の配線 ４，４ａ　　　　金属細線 ５　　　　熱効果型接着剤 ６　　　　樹脂枠 ７，７ａ，８　　　　封止樹脂 ９　　　　ボンディングステージ １０　　　　ボンディングステージ内の真空チャック孔
１１　　　　ボンディング用キャプラリ１２　　　　段
差部

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】　　半導体素子が配線基板と金属細線にて
    接続され、これらが樹脂封止されて構成される樹脂封止
    型半導体装置において、前記半導体素子が前記配線基板
    の貫通孔に配設され前記半導体素子の側面部が前記封止
    樹脂により前記配線基板の貫通孔の側面部に固定される
    ようにしたことを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
JP3028488A 1991-02-22 1991-02-22 樹脂封止型半導体装置 Pending JPH04267545A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1997044822A1 (en) * 1995-05-11 1997-11-27 National Semiconductor Corporation Ultra thin ball grid array package using a flex tape or printed wiring board substrate and method
US5814882A (en) * 1994-07-20 1998-09-29 Nec Corporation Seal structure for tape carrier package
JP2012221974A (ja) * 2011-04-04 2012-11-12 Stanley Electric Co Ltd 半導体モジュール及びその製造方法

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JPS63260072A (ja) * 1987-04-16 1988-10-27 Seiko Epson Corp イメ−ジセンサ

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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 19970527