JPH1145957A - 半導体装置の製造方法および半導体装置 - Google Patents
半導体装置の製造方法および半導体装置Info
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- JPH1145957A JPH1145957A JP14489898A JP14489898A JPH1145957A JP H1145957 A JPH1145957 A JP H1145957A JP 14489898 A JP14489898 A JP 14489898A JP 14489898 A JP14489898 A JP 14489898A JP H1145957 A JPH1145957 A JP H1145957A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】金属板をデプレスして形成した窪みにＩＣチッ
プを搭載するタイプの半導体装置（ＢＧＡ）に関し、平
坦度を向上させるとともに装置自体の放熱性を向上させ
る。 【解決手段】絶縁層２４を介して配線パターン２６が形
成された金属板２２をベースとし、この金属板２２をハ
ット状に形成し窪み２５を設け、窪み２５にＩＣチップ
２８を収容した半導体装置１０において、金属板２２の
各辺４０に曲げ起こし部４２を形成し、この曲げ起こし
部４２の位置を電極２９の設置領域４８の投影幅と重な
るように設定した。
プを搭載するタイプの半導体装置（ＢＧＡ）に関し、平
坦度を向上させるとともに装置自体の放熱性を向上させ
る。 【解決手段】絶縁層２４を介して配線パターン２６が形
成された金属板２２をベースとし、この金属板２２をハ
ット状に形成し窪み２５を設け、窪み２５にＩＣチップ
２８を収容した半導体装置１０において、金属板２２の
各辺４０に曲げ起こし部４２を形成し、この曲げ起こし
部４２の位置を電極２９の設置領域４８の投影幅と重な
るように設定した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
方法および半導体装置に係り、特に金属板上に絶縁層を
形成し、該絶縁層上に導体の配線パターンを形成し、Ｉ
Ｃを搭載して該配線パターンに金線等の導電性接合手段
で電気的コンタクトをとり、更に該配線パターンの一部
に例えば半田ボール等の外部との電気的コンタクトをと
るための端子を接合（または形成）し、そのほかの部分
を例えばソルダレジスト等の非導電性膜でカバーし、Ｉ
Ｃ搭載部分は凹型にデプレスされ、ＩＣを搭載後、樹脂
等の封止剤を充填するような、ボールグリッドアレイ
（ＢＧＡ）タイプの半導体装置の製造方法および半導体
装置に関するものである。
方法および半導体装置に係り、特に金属板上に絶縁層を
形成し、該絶縁層上に導体の配線パターンを形成し、Ｉ
Ｃを搭載して該配線パターンに金線等の導電性接合手段
で電気的コンタクトをとり、更に該配線パターンの一部
に例えば半田ボール等の外部との電気的コンタクトをと
るための端子を接合（または形成）し、そのほかの部分
を例えばソルダレジスト等の非導電性膜でカバーし、Ｉ
Ｃ搭載部分は凹型にデプレスされ、ＩＣを搭載後、樹脂
等の封止剤を充填するような、ボールグリッドアレイ
（ＢＧＡ）タイプの半導体装置の製造方法および半導体
装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図９は、従来の半導体装置の一例を示し
た側面構成図を示す。同図に示すように、従来この種の
半導体装置１は、ベースとなる銅板２上に絶縁膜３が形
成され、当該絶縁膜３上に導電性の配線パターン４が形
成されている。
た側面構成図を示す。同図に示すように、従来この種の
半導体装置１は、ベースとなる銅板２上に絶縁膜３が形
成され、当該絶縁膜３上に導電性の配線パターン４が形
成されている。
【０００３】そして銅板２の中央部は、金型等によって
ハット状に（デプレス加工によって）形成されている。
ここでハット部分５の裏側、すなわち窪み６にはＩＣチ
ップ７が収容されており、当該ＩＣチップ７と配線パタ
ーン４とは金線８によって電気的に接続されている。そ
してＩＣチップ７の周囲すなわち窪み６は、例えばエポ
キシ樹脂等の封止剤９によって封止され、ここから引き
出された配線パターン４の終端に半田ボール１０が接合
されるようになっていた。なお、配線パターン４におい
ては半田ボール１０の接合部１１以外は、エポキシ系樹
脂等の絶縁性樹脂であるソルダレジスト１２が塗布され
保護されている。
ハット状に（デプレス加工によって）形成されている。
ここでハット部分５の裏側、すなわち窪み６にはＩＣチ
ップ７が収容されており、当該ＩＣチップ７と配線パタ
ーン４とは金線８によって電気的に接続されている。そ
してＩＣチップ７の周囲すなわち窪み６は、例えばエポ
キシ樹脂等の封止剤９によって封止され、ここから引き
出された配線パターン４の終端に半田ボール１０が接合
されるようになっていた。なお、配線パターン４におい
ては半田ボール１０の接合部１１以外は、エポキシ系樹
脂等の絶縁性樹脂であるソルダレジスト１２が塗布され
保護されている。
【０００４】そして半田ボール１０等の外部との電気的
コンタクト手段は、ＩＣチップ７の封止後に配線パター
ン４の一部（予めソルダレジスト１２が塗布されていな
い部分）に接合（または形成）されることもある。
コンタクト手段は、ＩＣチップ７の封止後に配線パター
ン４の一部（予めソルダレジスト１２が塗布されていな
い部分）に接合（または形成）されることもある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし上述した従来の
半導体装置１では、銅板２等の金属板はハット状にデプ
レス加工されるが、ハット部分５の外周部分は銅板２か
らのスプリングバックによって平坦になりにくく、変形
１３が発生することがある。また樹脂にて窪み６を封止
した後では、銅板２と樹脂との熱膨張率の違いから加熱
封止後の冷却時における収縮の差が生じ、変形１３が発
生することがあった。
半導体装置１では、銅板２等の金属板はハット状にデプ
レス加工されるが、ハット部分５の外周部分は銅板２か
らのスプリングバックによって平坦になりにくく、変形
１３が発生することがある。また樹脂にて窪み６を封止
した後では、銅板２と樹脂との熱膨張率の違いから加熱
封止後の冷却時における収縮の差が生じ、変形１３が発
生することがあった。
【０００６】そしてこの変形１１により、半田ボール１
０に浮きが生じ、半導体装置１の基板実装時に、半田ボ
ール１０の浮きによる実装基板と半田ボール１０の接合
不良を引き起こすおそれがあった。また、この種の半導
体装置に関しては、金属板を使用するという特徴から、
放熱性に関しては大いに期待されるものであり、基板実
装時においてθja≧１０℃／Ｗが要求される等、放熱性
のさらなる向上という課題もある。
０に浮きが生じ、半導体装置１の基板実装時に、半田ボ
ール１０の浮きによる実装基板と半田ボール１０の接合
不良を引き起こすおそれがあった。また、この種の半導
体装置に関しては、金属板を使用するという特徴から、
放熱性に関しては大いに期待されるものであり、基板実
装時においてθja≧１０℃／Ｗが要求される等、放熱性
のさらなる向上という課題もある。
【０００７】またハット状となった金属板の剛性を向上
させようとすると形状変更が必要となり製造工程の見直
しが必要になっていた。
させようとすると形状変更が必要となり製造工程の見直
しが必要になっていた。
【０００８】本発明は上記従来の問題点に着目し、半導
体装置自体の剛性を向上させ、装置自体に生じる変形を
抑え、且つ放熱効果を向上させるとともに、従来の製造
工程の流れを適用することのできる半導体装置の製造方
法および半導体装置を提供することを目的とする。
体装置自体の剛性を向上させ、装置自体に生じる変形を
抑え、且つ放熱効果を向上させるとともに、従来の製造
工程の流れを適用することのできる半導体装置の製造方
法および半導体装置を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、ハット状にデ
プレス加工される金属板のフランジ面に曲げ起こし部を
形成すれば、当該金属板の剛性が向上し、もって外部要
因により本装置に生じる変形を少なくすることができる
という知見に基づいてなされたものである。
プレス加工される金属板のフランジ面に曲げ起こし部を
形成すれば、当該金属板の剛性が向上し、もって外部要
因により本装置に生じる変形を少なくすることができる
という知見に基づいてなされたものである。
【００１０】すなわち請求項１に係る半導体装置の製造
方法においては、絶縁層を介して金属板に配線パターン
を形成した後、前記金属板のＩＣチップ搭載部領域にＩ
Ｃチップが収容される窪みを形成するとともに、前記配
線パターンを介して前記ＩＣチップと外部接続用の電極
とを接続する半導体装置の製造方法であって、前記電極
を電解メッキ処理にて形成した後に、前記金属板におけ
る前記窪みの周囲に曲げ起こし部を形成し、前記窪みに
前記ＩＣチップを収容した後、前記ＩＣチップと前記電
極との接続を行うことを特徴としている。請求項１に記
載の半導体装置の製造方法によれば、金属板における窪
みの周囲を折り曲げ、曲げ起こし部を形成する前行程
で、電極を形成するので電解メッキ用のリード線（配線
パターンの延長部）が切れることがない。
方法においては、絶縁層を介して金属板に配線パターン
を形成した後、前記金属板のＩＣチップ搭載部領域にＩ
Ｃチップが収容される窪みを形成するとともに、前記配
線パターンを介して前記ＩＣチップと外部接続用の電極
とを接続する半導体装置の製造方法であって、前記電極
を電解メッキ処理にて形成した後に、前記金属板におけ
る前記窪みの周囲に曲げ起こし部を形成し、前記窪みに
前記ＩＣチップを収容した後、前記ＩＣチップと前記電
極との接続を行うことを特徴としている。請求項１に記
載の半導体装置の製造方法によれば、金属板における窪
みの周囲を折り曲げ、曲げ起こし部を形成する前行程
で、電極を形成するので電解メッキ用のリード線（配線
パターンの延長部）が切れることがない。
【００１１】すなわち電解メッキを行うためには、その
電極対象となる領域に外部から電圧を印加させるための
リード線（配線パターンの延長部）が必要になる。そし
てこのリード線は金属板外部へと引き出される。
電極対象となる領域に外部から電圧を印加させるための
リード線（配線パターンの延長部）が必要になる。そし
てこのリード線は金属板外部へと引き出される。
【００１２】仮に金属板を折り曲げる行程が電解メッキ
の前段の行程でおこなわれると、金属板を折り曲げる
際、リード線が曲げ起こし部を境に切断してしまい電解
メッキができなくなる。しかし電極を電解メッキにより
形成した後、金属板を折り曲げるので、電解メッキに制
限が加わることがない。このため電解メッキによって確
実に電極を形成することができ、従来の製造行程の流れ
を適用することができる。
の前段の行程でおこなわれると、金属板を折り曲げる
際、リード線が曲げ起こし部を境に切断してしまい電解
メッキができなくなる。しかし電極を電解メッキにより
形成した後、金属板を折り曲げるので、電解メッキに制
限が加わることがない。このため電解メッキによって確
実に電極を形成することができ、従来の製造行程の流れ
を適用することができる。
【００１３】請求項２に記載の半導体装置においては、
絶縁層を介して配線パターンが形成されるとともにハッ
ト状になるよう窪みが形成された金属板と、前記窪みに
収容されるＩＣチップと、前記窪み周囲のフランジ面に
配置され前記配線パターンを介して前記ＩＣチップとの
接続をなす外部電極とを備えた半導体装置であって、前
記フランジ面の領域内に曲げ起こし部を形成するととも
に、この曲げ起こし部の位置を前記電極の設置領域の投
影幅と重なるように設定したことを特徴としている。請
求項２に記載の半導体装置によれば開口部の領域内に曲
げ起こし部を形成したことから金属板における開口部の
剛性が上がり、外力に対する金属板の変形量を小さくす
ることができる。
絶縁層を介して配線パターンが形成されるとともにハッ
ト状になるよう窪みが形成された金属板と、前記窪みに
収容されるＩＣチップと、前記窪み周囲のフランジ面に
配置され前記配線パターンを介して前記ＩＣチップとの
接続をなす外部電極とを備えた半導体装置であって、前
記フランジ面の領域内に曲げ起こし部を形成するととも
に、この曲げ起こし部の位置を前記電極の設置領域の投
影幅と重なるように設定したことを特徴としている。請
求項２に記載の半導体装置によれば開口部の領域内に曲
げ起こし部を形成したことから金属板における開口部の
剛性が上がり、外力に対する金属板の変形量を小さくす
ることができる。
【００１４】ところで開口部において剛性が上がる領域
は、曲げ起こし部の根元幅を全幅とする領域である。こ
のため曲げ起こし部の位置を電極の設置領域の投影幅と
重なるように設定すれば、曲げ起こし部の根元幅を全幅
とする領域と、電極の設置領域とが重なることとなり、
外力に対する金属板の変形量の減少は、電極の設置領域
にも波及する。このため電極の設置領域の変形量を減少
させることができ、半導体装置に生じる接触不良を抑え
ることができる。
は、曲げ起こし部の根元幅を全幅とする領域である。こ
のため曲げ起こし部の位置を電極の設置領域の投影幅と
重なるように設定すれば、曲げ起こし部の根元幅を全幅
とする領域と、電極の設置領域とが重なることとなり、
外力に対する金属板の変形量の減少は、電極の設置領域
にも波及する。このため電極の設置領域の変形量を減少
させることができ、半導体装置に生じる接触不良を抑え
ることができる。
【００１５】請求項３に記載の半導体装置においては、
前記曲げ起こし部の折曲角度は、９０度以上であること
を特徴としている。請求項３に記載の半導体装置によれ
ば、曲げ起こし部の開きにより実装面積を増大させるこ
とがなく、もって高密度の実装に本装置を適用すること
ができる。
前記曲げ起こし部の折曲角度は、９０度以上であること
を特徴としている。請求項３に記載の半導体装置によれ
ば、曲げ起こし部の開きにより実装面積を増大させるこ
とがなく、もって高密度の実装に本装置を適用すること
ができる。
【００１６】請求項４に記載の半導体装置においては、
前記曲げ起こし部の折曲高さは、前記金属板のハット高
さ以下であることを特徴としている。請求項４に記載の
半導体装置によれば、本装置の実装高さを抑えることが
できる。
前記曲げ起こし部の折曲高さは、前記金属板のハット高
さ以下であることを特徴としている。請求項４に記載の
半導体装置によれば、本装置の実装高さを抑えることが
できる。
【００１７】請求項５に記載の半導体装置においては、
前記曲げ起こし部に凹凸を形成したことを特徴としてい
る。請求項５に記載の半導体装置によれば、実装高さが
低くても放熱面積を十分に確保することができる。
前記曲げ起こし部に凹凸を形成したことを特徴としてい
る。請求項５に記載の半導体装置によれば、実装高さが
低くても放熱面積を十分に確保することができる。
【００１８】請求項６に記載の半導体装置においては、
前記曲げ起こし部に貫通穴を設けたことを特徴としてい
る。請求項６に記載の半導体装置によれば、曲げ起こし
部に貫通穴を設けたことから、通気性が向上し装置自体
の温度の上昇を防止することができる。
前記曲げ起こし部に貫通穴を設けたことを特徴としてい
る。請求項６に記載の半導体装置によれば、曲げ起こし
部に貫通穴を設けたことから、通気性が向上し装置自体
の温度の上昇を防止することができる。
【００１９】請求項７に記載の半導体装置においては、
前記曲げ起こし部に切り起こし切片を設けたことを特徴
としている。請求項７に記載の半導体装置によれば、切
り起こし切片を設けたことから、曲げ起こし部に貫通穴
が形成され、通気性を向上させることができる。また切
り起こし切片であることから、曲げ起こし部の面積が減
少することがない。このため放熱面積が確保され、効率
のよい放熱が可能となる。
前記曲げ起こし部に切り起こし切片を設けたことを特徴
としている。請求項７に記載の半導体装置によれば、切
り起こし切片を設けたことから、曲げ起こし部に貫通穴
が形成され、通気性を向上させることができる。また切
り起こし切片であることから、曲げ起こし部の面積が減
少することがない。このため放熱面積が確保され、効率
のよい放熱が可能となる。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下に本発明に係る半導体装置の
製造方法および半導体装置に好適な具体的実施の形態
を、図面を用いて詳細に説明する。
製造方法および半導体装置に好適な具体的実施の形態
を、図面を用いて詳細に説明する。
【００２１】図１は本実施の形態に係る半導体装置の構
成を示す断面図であり、図２は同装置の外観形状を示す
斜視図であり、図３は同装置の底面図を示す。
成を示す断面図であり、図２は同装置の外観形状を示す
斜視図であり、図３は同装置の底面図を示す。
【００２２】これらの図に示すように、本実施の形態に
係る半導体装置２０は、ベース部材となる四角形状の金
属板２２を有している。そしてこの金属板２２の両面に
は絶縁膜２４が形成されており、当該絶縁膜２４によっ
て金属板２２の表面の絶縁をなしている。こうした金属
板２２には、ハット状になるよう当該金属板２２の中央
部に窪み２５が形成されており、ＩＣチップ２８を収容
可能にしている。なおここでハット状とは、金属板２２
がフランジ形状となるよう当該金属板２２の略中央部に
窪み２５を形成し、またこの窪み２５の形状に応じて金
属板２２の背面側を隆起させた形状を示している。そし
てこのような形状は、ダイスとポンチを用いた絞り加工
によって制作されるのが一般的である。
係る半導体装置２０は、ベース部材となる四角形状の金
属板２２を有している。そしてこの金属板２２の両面に
は絶縁膜２４が形成されており、当該絶縁膜２４によっ
て金属板２２の表面の絶縁をなしている。こうした金属
板２２には、ハット状になるよう当該金属板２２の中央
部に窪み２５が形成されており、ＩＣチップ２８を収容
可能にしている。なおここでハット状とは、金属板２２
がフランジ形状となるよう当該金属板２２の略中央部に
窪み２５を形成し、またこの窪み２５の形状に応じて金
属板２２の背面側を隆起させた形状を示している。そし
てこのような形状は、ダイスとポンチを用いた絞り加工
によって制作されるのが一般的である。
【００２３】窪み２６周囲のフランジ面３０には、銅箔
からなる配線パターン２６が多数形成されている。当該
配線パターン２６は、ＩＣチップ２８と、配線用パター
ン２６の延長線上に形成された外部接続用の電極２９と
を接続するためのものであり、ＩＣチップ２８と配線パ
ターン２６とは金線３２を介して接続されている。なお
電極２９の位置を除く配線パターン２６の上には、絶縁
皮膜となるソルダーレジスト３４が設けられており、配
線パターン２６の保護と短絡防止をなしている。
からなる配線パターン２６が多数形成されている。当該
配線パターン２６は、ＩＣチップ２８と、配線用パター
ン２６の延長線上に形成された外部接続用の電極２９と
を接続するためのものであり、ＩＣチップ２８と配線パ
ターン２６とは金線３２を介して接続されている。なお
電極２９の位置を除く配線パターン２６の上には、絶縁
皮膜となるソルダーレジスト３４が設けられており、配
線パターン２６の保護と短絡防止をなしている。
【００２４】またＩＣチップ２８が収容される窪み２５
はエポキシ樹脂等の封止剤３６にて封止され、ＩＣチッ
プ２８および金線３２の保護をなしている。さらにこう
した半導体装置１０には、電極２９の部分に半田ボール
３８が取り付けられており、当該半田ボール３８を溶融
させることで、装置外部の基板との接続をおこなえるよ
うにしている。
はエポキシ樹脂等の封止剤３６にて封止され、ＩＣチッ
プ２８および金線３２の保護をなしている。さらにこう
した半導体装置１０には、電極２９の部分に半田ボール
３８が取り付けられており、当該半田ボール３８を溶融
させることで、装置外部の基板との接続をおこなえるよ
うにしている。
【００２５】こうした半導体装置２０においては、金属
板２２における各辺４０に曲げ起こし部４２が形成され
ている。当該曲げ起こし部４２は、金属板２２の切片を
ハット部４４の方向に向かって切り起こしたものであ
り、その切り起こし角度（図１の寸法θを参照）は、９
０度以上に設定される。また曲げ起こし部４２の曲げ高
さは（図１の寸法ｈ２を参照）、少なくともハット部４
４の高さ（図１の寸法ｈ１を参照）以下に設定される。
このように曲げ起こし部４２の角度と、高さを設定すれ
ば同装置２０を高密度且つ省スペースな実装に適用する
ことができる。
板２２における各辺４０に曲げ起こし部４２が形成され
ている。当該曲げ起こし部４２は、金属板２２の切片を
ハット部４４の方向に向かって切り起こしたものであ
り、その切り起こし角度（図１の寸法θを参照）は、９
０度以上に設定される。また曲げ起こし部４２の曲げ高
さは（図１の寸法ｈ２を参照）、少なくともハット部４
４の高さ（図１の寸法ｈ１を参照）以下に設定される。
このように曲げ起こし部４２の角度と、高さを設定すれ
ば同装置２０を高密度且つ省スペースな実装に適用する
ことができる。
【００２６】すなわち切り起こし角度を９０度以上に設
定すれば、曲げ起こし部４２が金属板２２の外縁から突
出することがない。このため実装面積が損なわれるのを
防止することができる。また曲げ起こし部４２の高さを
ハット部４４の高さ以下にすれば、実装高さを低くする
ことができる。
定すれば、曲げ起こし部４２が金属板２２の外縁から突
出することがない。このため実装面積が損なわれるのを
防止することができる。また曲げ起こし部４２の高さを
ハット部４４の高さ以下にすれば、実装高さを低くする
ことができる。
【００２７】そして金属板２２の各辺４０に設けた曲げ
起こし部４２の設置範囲（図３の寸法ｗ２を参照）は、
半田ボール３８が設置された領域の投影幅（図３の寸法
ｗ１を参照）と重なるように設定される。
起こし部４２の設置範囲（図３の寸法ｗ２を参照）は、
半田ボール３８が設置された領域の投影幅（図３の寸法
ｗ１を参照）と重なるように設定される。
【００２８】このように曲げ起こし部４２を金属板２２
の各辺４０に形成すると、当該曲げ起こし部４２の折曲
線４６を全幅とする領域の曲げ剛性が向上する。そして
折曲線４６を全幅とする領域は、半田ボール３８が設置
された領域４８と交わっていることから、交差する領域
４８の曲げ剛性も向上させることができる。このためデ
プレス加工による窪み２５の形成により金属板２２にス
プリングバックが生じても、またリフロー工程等を通過
させることで熱膨張係数の違いによるストレスが生じて
も、領域４８に発生するそりの量を低減させることがで
きる。そして金属板２２に生じるそりの量を低減させた
ことから実装基板と半田ボール３８との接触不良を防止
することができる。
の各辺４０に形成すると、当該曲げ起こし部４２の折曲
線４６を全幅とする領域の曲げ剛性が向上する。そして
折曲線４６を全幅とする領域は、半田ボール３８が設置
された領域４８と交わっていることから、交差する領域
４８の曲げ剛性も向上させることができる。このためデ
プレス加工による窪み２５の形成により金属板２２にス
プリングバックが生じても、またリフロー工程等を通過
させることで熱膨張係数の違いによるストレスが生じて
も、領域４８に発生するそりの量を低減させることがで
きる。そして金属板２２に生じるそりの量を低減させた
ことから実装基板と半田ボール３８との接触不良を防止
することができる。
【００２９】なお上述した曲げ起こし部４２は、金属板
２２の各辺４０に設けることとしたが、この位置にこだ
わる必要もなくフランジ面３０の領域内に形成されてい
れば、例えば窪み２５の近傍であっても同様の効果を得
ることができる。
２２の各辺４０に設けることとしたが、この位置にこだ
わる必要もなくフランジ面３０の領域内に形成されてい
れば、例えば窪み２５の近傍であっても同様の効果を得
ることができる。
【００３０】図４〜図６は半導体装置１０の第１〜第３
応用例を示す。
応用例を示す。
【００３１】図４は、半導体装置１０の第１応用例を示
す断面図を示すが、同図に示すように第１応用例では、
前述の半導体装置に対し、曲げ起こし部４２の曲げ高さ
がハット部４４の高さより高く形成されているととも
に、当該曲げ起こし部４２の途中には凹凸部分５０が形
成されている点が異なっている。このため前述の半導体
装置１０と共通部分は同一の番号を付与して説明を行
う。
す断面図を示すが、同図に示すように第１応用例では、
前述の半導体装置に対し、曲げ起こし部４２の曲げ高さ
がハット部４４の高さより高く形成されているととも
に、当該曲げ起こし部４２の途中には凹凸部分５０が形
成されている点が異なっている。このため前述の半導体
装置１０と共通部分は同一の番号を付与して説明を行
う。
【００３２】このように曲げ起こし部４２の曲げ高さを
ハット部４４の高さより高く形成するとともに、当該曲
げ起こし部４２の途中に凹凸部分５０を形成すると、面
積が増加し放熱効果を向上させることができる。このた
めＩＣチップ２８の発熱量が大きくとも安定した動作を
行わせることができる。
ハット部４４の高さより高く形成するとともに、当該曲
げ起こし部４２の途中に凹凸部分５０を形成すると、面
積が増加し放熱効果を向上させることができる。このた
めＩＣチップ２８の発熱量が大きくとも安定した動作を
行わせることができる。
【００３３】図５は、半導体装置１０の第２応用例を示
す斜視図を示すが、同図に示すように第２応用例では、
前述の半導体装置に対し、曲げ起こし部４２に貫通穴５
２が形成されている点が異なっている。このため前述の
半導体装置１０と共通部分は同一の番号を付与して説明
を行う。
す斜視図を示すが、同図に示すように第２応用例では、
前述の半導体装置に対し、曲げ起こし部４２に貫通穴５
２が形成されている点が異なっている。このため前述の
半導体装置１０と共通部分は同一の番号を付与して説明
を行う。
【００３４】このように曲げ起こし部４２の途中に貫通
穴５２を設ければ、曲げ起こし部４２の表裏で通風５４
が可能となる。このため空気の流通がなされＩＣチップ
２８の温度上昇を抑えることができる。
穴５２を設ければ、曲げ起こし部４２の表裏で通風５４
が可能となる。このため空気の流通がなされＩＣチップ
２８の温度上昇を抑えることができる。
【００３５】図６は、半導体装置１０の第３応用例を示
す斜視図を示すが、同図に示すように第３応用例では、
前述の半導体装置に対し、曲げ起こし部４２に切り起こ
し切片５６が設けられている点が異なっている。このた
め前述の半導体装置１０と共通部分は同一の番号を付与
して説明を行う。
す斜視図を示すが、同図に示すように第３応用例では、
前述の半導体装置に対し、曲げ起こし部４２に切り起こ
し切片５６が設けられている点が異なっている。このた
め前述の半導体装置１０と共通部分は同一の番号を付与
して説明を行う。
【００３６】このように曲げ起こし部４２の途中に切り
起こし切片５６を設ければ、放熱面積を確保しつつ、貫
通穴５２にて曲げ起こし部４２の表裏で通風が可能とな
る。このため放熱効果と空気の流通との双方を成り立た
せることができ、ＩＣチップ２８の温度上昇を効果的に
抑えることができる。
起こし切片５６を設ければ、放熱面積を確保しつつ、貫
通穴５２にて曲げ起こし部４２の表裏で通風が可能とな
る。このため放熱効果と空気の流通との双方を成り立た
せることができ、ＩＣチップ２８の温度上昇を効果的に
抑えることができる。
【００３７】また図７は、本発明に係る半導体装置１０
の製造工程を示す説明図である。
の製造工程を示す説明図である。
【００３８】第１工程に示すように、まず基板原板５８
を製造工程へと投入する。このとき基板原板５８は金属
板１２の両面に絶縁層２４と、配線パターン２６の基と
なる銅箔６２が片面に形成されている。第２工程ではこ
うした基板原板５８をエッチングし、絶縁層２４の上側
に配線パターン２６を形成する。
を製造工程へと投入する。このとき基板原板５８は金属
板１２の両面に絶縁層２４と、配線パターン２６の基と
なる銅箔６２が片面に形成されている。第２工程ではこ
うした基板原板５８をエッチングし、絶縁層２４の上側
に配線パターン２６を形成する。
【００３９】第３工程では、デプレス加工により基板原
板５８にハット部４４を形成する。
板５８にハット部４４を形成する。
【００４０】回路原板５８にハット部４４が形成された
直後の状態を図８（１）に示す。同図（１）に示すよう
に、基板原板５８が金属板２２より若干広めの幅を有し
た帯状部材となっており、工程の処理は矢印５９の方向
に向かって連続して行われる。なお金属板２２のブラン
ク形状の外縁にはスリット６１が形成されており、後述
する半導体装置２０の打ち抜きを容易にしている。
直後の状態を図８（１）に示す。同図（１）に示すよう
に、基板原板５８が金属板２２より若干広めの幅を有し
た帯状部材となっており、工程の処理は矢印５９の方向
に向かって連続して行われる。なお金属板２２のブラン
ク形状の外縁にはスリット６１が形成されており、後述
する半導体装置２０の打ち抜きを容易にしている。
【００４１】そして第４〜第６工程にてスルーホール６
２の形成、銅メッキ６４の形成、ソルダレジスト６６の
塗布を行う。
２の形成、銅メッキ６４の形成、ソルダレジスト６６の
塗布を行う。
【００４２】第７工程では、ソルダレジスト６６から露
出した範囲に金メッキ６８を施し電極２９を形成する。
当該金メッキ６８は電解メッキによって行われる。この
ため金メッキ６８の処理対象となる金属板２２の縁部に
は、外部より電極２９の範囲に電圧を印加する図示しな
いリード線が形成されている。そしてこのリード線に電
圧を加えるとともに、基板原板５８をメッキ水溶液中へ
と投入し、電極２９の範囲に金メッキ６８を施し電極２
９を形成する。
出した範囲に金メッキ６８を施し電極２９を形成する。
当該金メッキ６８は電解メッキによって行われる。この
ため金メッキ６８の処理対象となる金属板２２の縁部に
は、外部より電極２９の範囲に電圧を印加する図示しな
いリード線が形成されている。そしてこのリード線に電
圧を加えるとともに、基板原板５８をメッキ水溶液中へ
と投入し、電極２９の範囲に金メッキ６８を施し電極２
９を形成する。
【００４３】このように電極２９を形成した後は、曲げ
加工治具を用いてスリット６１内側の基板原板５８、す
なわち金属板２２の各辺４０を折り曲げ、切り起こし部
４２を形成すればよい。この状態を図８（２）に示す。
加工治具を用いてスリット６１内側の基板原板５８、す
なわち金属板２２の各辺４０を折り曲げ、切り起こし部
４２を形成すればよい。この状態を図８（２）に示す。
【００４４】この第８工程では、金メッキ６８を電極２
９に施すためのリード線が各辺４０から突出している
が、折り曲げ工程によってこれらリード線は切断されて
しまう。しかし電極２９への金メッキ６８処理は前工程
で終了していることから、電極２９の形成に障害が生じ
ることがない。このため、切り起こし部４２の製造工程
（第８工程）を、金メッキ６８の処理工程（第７工程）
の後にすれば、従来の製造工程を組み替えることなく、
本装置２０を製造することができる。
９に施すためのリード線が各辺４０から突出している
が、折り曲げ工程によってこれらリード線は切断されて
しまう。しかし電極２９への金メッキ６８処理は前工程
で終了していることから、電極２９の形成に障害が生じ
ることがない。このため、切り起こし部４２の製造工程
（第８工程）を、金メッキ６８の処理工程（第７工程）
の後にすれば、従来の製造工程を組み替えることなく、
本装置２０を製造することができる。
【００４５】なお切り起こし部４２の製造工程が終了し
たのちは、従来の製造工程と同じく、窪み２５にＩＣチ
ップ２８を収容し、ワイヤボンディングによってＩＣチ
ップ２８と配線パターン２６との接続を行えばよい（第
９工程）。そしてその後は窪み２５を封止剤３６によっ
て封止し、ＩＣチップ２８と金線３２との保護を図ると
ともに（第１０工程）、電極２９に半田ボール３８をリ
フローにより搭載し（第１１工程）、その後半導体装置
２０を基板原板５８から打ち抜けばよい。
たのちは、従来の製造工程と同じく、窪み２５にＩＣチ
ップ２８を収容し、ワイヤボンディングによってＩＣチ
ップ２８と配線パターン２６との接続を行えばよい（第
９工程）。そしてその後は窪み２５を封止剤３６によっ
て封止し、ＩＣチップ２８と金線３２との保護を図ると
ともに（第１０工程）、電極２９に半田ボール３８をリ
フローにより搭載し（第１１工程）、その後半導体装置
２０を基板原板５８から打ち抜けばよい。
【００４６】このように電解メッキの工程の後に、曲げ
起こし部４２の形成を行ったことから、従来の工程手順
を変更することなく本半導体装置２０を製造することが
できる。
起こし部４２の形成を行ったことから、従来の工程手順
を変更することなく本半導体装置２０を製造することが
できる。
【００４７】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、絶
縁層を介して配線パターンが形成されるとともにハット
状になるよう窪みが形成された金属板と、前記窪みに収
容されるＩＣチップと、前記窪みのフランジ面に配置さ
れ前記配線パターンを介して前記ＩＣチップとの接続を
なす外部電極とを備えた半導体装置であって、前記フラ
ンジ面の領域内に曲げ起こし部を形成するとともに、こ
の曲げ起こし部の位置を前記電極の設置領域の投影幅と
重なるように設定したことから、半導体装置自体の剛性
が向上し、装置自体に生じる変形を抑え、且つ放熱効果
を向上させることができる。
縁層を介して配線パターンが形成されるとともにハット
状になるよう窪みが形成された金属板と、前記窪みに収
容されるＩＣチップと、前記窪みのフランジ面に配置さ
れ前記配線パターンを介して前記ＩＣチップとの接続を
なす外部電極とを備えた半導体装置であって、前記フラ
ンジ面の領域内に曲げ起こし部を形成するとともに、こ
の曲げ起こし部の位置を前記電極の設置領域の投影幅と
重なるように設定したことから、半導体装置自体の剛性
が向上し、装置自体に生じる変形を抑え、且つ放熱効果
を向上させることができる。
【図１】本実施の形態に係る半導体装置の構成を示す断
面図である。
面図である。
【図２】同装置の外観形状を示す斜視図である。
【図３】同装置の底面図を示す。
【図４】半導体装置１０の第１応用例を示す断面図であ
る。
る。
【図５】半導体装置１０の第２応用例を示す斜視図であ
る。
る。
【図６】半導体装置１０の第３応用例を示す斜視図であ
る。
る。
【図７】本発明に係る半導体装置１０の製造工程を示す
説明図である。
説明図である。
【図８】各製造工程における基板原板５８の平面図を示
す。
す。
【図９】従来の半導体装置の一例を示した側面構成図を
示す。
示す。
１ 半導体装置 ２ 銅板 ３ 絶縁膜 ４ 配線パターン ５ ハット部分 ６ 窪み ７ ＩＣチップ ８ 金線 ９ 封止材 １０ 半田ボール １１ 接合部 １２ ソルダーレジスト １３ 変形 ２０ 半導体装置 ２２ 金属板 ２４ 絶縁膜 ２５ 窪み ２６ 配線パターン ２８ ＩＣチップ ２９ 電極 ３０ フランジ面 ３２ 金線 ３４ ソルダーレジスト ３６ 封止剤 ３８ 半田ボール ４０ 各辺 ４２ 曲げ起こし部 ４４ ハット部 ４６ 折曲線 ４８ 領域 ５０ 凹凸部分 ５２ 貫通穴 ５４ 通風 ５６ 切り起こし切片 ５８ 基板原板 ５９ 矢印 ６０ 銅箔 ６１ スリット ６２ スルーホール ６４ 銅メッキ ６６ ソルダレジスト ６８ 金メッキ
Claims (7)
- 【請求項１】絶縁層を介して金属板に配線パターンを形
成した後、前記金属板のＩＣチップ搭載部領域にＩＣチ
ップが収容される窪みを形成するとともに、前記配線パ
ターンを介して前記ＩＣチップと外部接続用の電極とを
接続する半導体装置の製造方法であって、前記電極を電
解メッキ処理にて形成した後に、前記金属板における前
記窪みの周囲に曲げ起こし部を形成し、前記窪みに前記
ＩＣチップを収容した後、前記ＩＣチップと前記電極と
の接続を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】絶縁層を介して配線パターンが形成される
とともにハット状になるよう窪みが形成された金属板
と、前記窪みに収容されるＩＣチップと、前記窪み周囲
のフランジ面に配置され前記配線パターンを介して前記
ＩＣチップとの接続をなす外部電極とを備えた半導体装
置であって、前記フランジ面の領域内に曲げ起こし部を
形成するとともに、この曲げ起こし部の位置を前記電極
の設置領域の投影幅と重なるように設定したことを特徴
とする半導体装置。 - 【請求項３】前記曲げ起こし部の折曲角度は、９０度以
上であることを特徴とする請求項２に記載の半導体装
置。 - 【請求項４】前記曲げ起こし部の折曲高さは、前記金属
板のハット高さ以下であることを特徴とする請求項２ま
たは請求項３に記載の半導体装置。 - 【請求項５】前記曲げ起こし部に凹凸を形成したことを
特徴とする請求項２乃至請求項４のいずれかに記載の半
導体装置。 - 【請求項６】前記曲げ起こし部に貫通穴を設けたことを
特徴とする請求項２乃至請求項４のいずれかに記載の半
導体装置。 - 【請求項７】前記曲げ起こし部に切り起こし切片を設け
たことを特徴とする請求項２乃至請求項４のいずれかに
記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14489898A JPH1145957A (ja) | 1997-05-26 | 1998-05-26 | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13536597 | 1997-05-26 | ||
| JP9-135365 | 1997-05-26 | ||
| JP14489898A JPH1145957A (ja) | 1997-05-26 | 1998-05-26 | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1145957A true JPH1145957A (ja) | 1999-02-16 |
Family
ID=26469224
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14489898A Pending JPH1145957A (ja) | 1997-05-26 | 1998-05-26 | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1145957A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11284092A (ja) * | 1998-03-27 | 1999-10-15 | Mitsui High Tec Inc | 半導体装置 |
| JP2012256779A (ja) * | 2011-06-10 | 2012-12-27 | Ryosan Co Ltd | ヒートシンク |
-
1998
- 1998-05-26 JP JP14489898A patent/JPH1145957A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11284092A (ja) * | 1998-03-27 | 1999-10-15 | Mitsui High Tec Inc | 半導体装置 |
| JP2012256779A (ja) * | 2011-06-10 | 2012-12-27 | Ryosan Co Ltd | ヒートシンク |
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