JP3157933B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JP3157933B2 JP3157933B2 JP31849992A JP31849992A JP3157933B2 JP 3157933 B2 JP3157933 B2 JP 3157933B2 JP 31849992 A JP31849992 A JP 31849992A JP 31849992 A JP31849992 A JP 31849992A JP 3157933 B2 JP3157933 B2 JP 3157933B2
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- sealing material
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
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- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、放熱用のヒートスプ
レッダが封止材内でアイランドに対向配置されている半
導体装置に関するものである。
レッダが封止材内でアイランドに対向配置されている半
導体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図７は従来のこの種の半導体装置の一例
を示す断面図である。図において、１は半導体チップ、
２は半導体チップ１を載置保持するアイランド、３はリ
ードフレーム、３ａはリードフレーム３におけるインナ
ーリード、３ｂはリードフレーム３におけるアウターリ
ード、４は半導体チップ１上の電極（図示せず）とイン
ナーリード３ａとを電気的に接続する金属細線、５はア
イランド２に間隔を隔てて対向配置されている放熱用の
ヒートスプレッダ、６はリードフレーム３のアウターリ
ード３ｂを除いて半導体チップ１，アイランド２，イン
ナーリード３ａ，金属細線４およびヒートスプレッダ５
を保護するためにこれらを被覆した状態で固化している
封止材である。
を示す断面図である。図において、１は半導体チップ、
２は半導体チップ１を載置保持するアイランド、３はリ
ードフレーム、３ａはリードフレーム３におけるインナ
ーリード、３ｂはリードフレーム３におけるアウターリ
ード、４は半導体チップ１上の電極（図示せず）とイン
ナーリード３ａとを電気的に接続する金属細線、５はア
イランド２に間隔を隔てて対向配置されている放熱用の
ヒートスプレッダ、６はリードフレーム３のアウターリ
ード３ｂを除いて半導体チップ１，アイランド２，イン
ナーリード３ａ，金属細線４およびヒートスプレッダ５
を保護するためにこれらを被覆した状態で固化している
封止材である。
【０００３】また、ヒートスプレッダ５は、図７におけ
る下面を図８に示すように、本体部５ａと、４つの角隅
部の本体支持部５ｂとからなっており、本体部５ａに
は、多数のディンプル５ｃと、複数のスルーホール５ｄ
とが設けられている。また、封止材６で被覆した後も、
本体支持部５ｂとインナーリード３ａとは分離されてい
る。
る下面を図８に示すように、本体部５ａと、４つの角隅
部の本体支持部５ｂとからなっており、本体部５ａに
は、多数のディンプル５ｃと、複数のスルーホール５ｄ
とが設けられている。また、封止材６で被覆した後も、
本体支持部５ｂとインナーリード３ａとは分離されてい
る。
【０００４】次に、動作について説明する。半導体チッ
プ１は、電流が供給されることにより発熱する。その熱
は、アイランド２から、アイランド２とヒートスプレッ
ダ５との間に充填されている封止材部分６ａを介してヒ
ートスプレッダ５に伝搬し、ヒートスプレッダ５から封
止材部分６ｂを介して外部に放出される。すなわち、ヒ
ートスプレッダ５を介しての熱伝導による放熱によっ
て、半導体チップ１の異常昇温を防止し、半導体チップ
１の誤動作を避けて信頼性を高めるようにしている。
プ１は、電流が供給されることにより発熱する。その熱
は、アイランド２から、アイランド２とヒートスプレッ
ダ５との間に充填されている封止材部分６ａを介してヒ
ートスプレッダ５に伝搬し、ヒートスプレッダ５から封
止材部分６ｂを介して外部に放出される。すなわち、ヒ
ートスプレッダ５を介しての熱伝導による放熱によっ
て、半導体チップ１の異常昇温を防止し、半導体チップ
１の誤動作を避けて信頼性を高めるようにしている。
【０００５】また、ヒートスプレッダ５には、封止材部
分６ｂとの密着力を高めるため、ディンプル５ｃが設け
られている。これにより、大気中の水分を吸湿した封止
材６が半導体装置実装時に急激に温度上昇することによ
り、封止材６にクラックが発生するのを防止している。
分６ｂとの密着力を高めるため、ディンプル５ｃが設け
られている。これにより、大気中の水分を吸湿した封止
材６が半導体装置実装時に急激に温度上昇することによ
り、封止材６にクラックが発生するのを防止している。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記のように構成され
た従来の半導体装置においては、ヒートスプレッダ５の
下面のみにディンプル５ｃが設けられているため、ディ
ンプル５ｃのエッチング加工により本体部５ａが湾曲状
にたわみ、アイランド２とヒートスプレッダ５との間の
間隔がアイランド２の中央部に向かうに従って狭くなっ
てしまう。このため、封止材６によるモールド成形の
際、アイランド２とヒートスプレッダ５との間に封止材
６が完全に注入されず、封止材未充填部分や気泡（ボイ
ド）が生じ、封止材６の熱伝導率が低下して、装置全体
としての放熱性が低下するという問題点があった。
た従来の半導体装置においては、ヒートスプレッダ５の
下面のみにディンプル５ｃが設けられているため、ディ
ンプル５ｃのエッチング加工により本体部５ａが湾曲状
にたわみ、アイランド２とヒートスプレッダ５との間の
間隔がアイランド２の中央部に向かうに従って狭くなっ
てしまう。このため、封止材６によるモールド成形の
際、アイランド２とヒートスプレッダ５との間に封止材
６が完全に注入されず、封止材未充填部分や気泡（ボイ
ド）が生じ、封止材６の熱伝導率が低下して、装置全体
としての放熱性が低下するという問題点があった。
【０００７】この発明は、上記のような問題点を解決す
ることを課題としてなされたものであり、アイランドと
ヒートスプレッダとの間の間隔が狭くなるのを防止し
て、両者間に封止材を良好に充填することができ、これ
により封止材の熱伝導率の低下を防止し、装置全体とし
ての放熱性を高め、信頼性を向上させることができる半
導体装置を得ることを目的とする。
ることを課題としてなされたものであり、アイランドと
ヒートスプレッダとの間の間隔が狭くなるのを防止し
て、両者間に封止材を良好に充填することができ、これ
により封止材の熱伝導率の低下を防止し、装置全体とし
ての放熱性を高め、信頼性を向上させることができる半
導体装置を得ることを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】請求項１に係る発明の半
導体装置は、ヒートスプレッダのアイランドに対向する
面の反対面にディンプル加工を施すとともに、ヒートス
プレッダのアイランドに対向する面にコイニング加工を
施したものである。
導体装置は、ヒートスプレッダのアイランドに対向する
面の反対面にディンプル加工を施すとともに、ヒートス
プレッダのアイランドに対向する面にコイニング加工を
施したものである。
【０００９】請求項２の発明に係る半導体装置は、ヒー
トスプレッダのアイランドに対向する面の反対面にディ
ンプル加工を施すとともに、ヒートスプレッダに互いに
交差する少なくとも２本の直線に沿ってスリットを設け
たものである。
トスプレッダのアイランドに対向する面の反対面にディ
ンプル加工を施すとともに、ヒートスプレッダに互いに
交差する少なくとも２本の直線に沿ってスリットを設け
たものである。
【００１０】
【作用】この発明においては、上記手段によりヒートス
プレッダのたわみを防止し、平坦性を向上させて、モー
ルド時の封止材注入が良好に行われるようにする。
プレッダのたわみを防止し、平坦性を向上させて、モー
ルド時の封止材注入が良好に行われるようにする。
【００１１】
【実施例】以下、この発明の実施例を示す図について説
明する。なお、各図中、図７および図８と同一又は相当
部分には同一符号を付し、その説明を省略する。
明する。なお、各図中、図７および図８と同一又は相当
部分には同一符号を付し、その説明を省略する。
【００１２】参考例１． 図１は参考例１による半導体装置の断面図である。図に
おいて、１１はアイランド２に間隔を隔てて対向配置さ
れている放熱用のヒートスプレッダであり、このヒート
スプレッダ１１は、例えば銅材からなり、本体部１１ａ
と本体支持部１１ｂとから構成されている。また、本体
部１１ａには、その両面にディンプル１１ｃ，１１ｄが
形成されている。さらに、上面ディンプル１１ｃは、下
面ディンプル１１ｄに対して１／２ピッチずつ変位配置
されている。さらにまた、上面ディンプル１１ｃおよび
下面ディンプル１１ｄの深さは、それぞれヒートスプレ
ッダ１１の板厚の約半分となっており、上下面が貫通穴
にならないように構成されている。
おいて、１１はアイランド２に間隔を隔てて対向配置さ
れている放熱用のヒートスプレッダであり、このヒート
スプレッダ１１は、例えば銅材からなり、本体部１１ａ
と本体支持部１１ｂとから構成されている。また、本体
部１１ａには、その両面にディンプル１１ｃ，１１ｄが
形成されている。さらに、上面ディンプル１１ｃは、下
面ディンプル１１ｄに対して１／２ピッチずつ変位配置
されている。さらにまた、上面ディンプル１１ｃおよび
下面ディンプル１１ｄの深さは、それぞれヒートスプレ
ッダ１１の板厚の約半分となっており、上下面が貫通穴
にならないように構成されている。
【００１３】このようなヒートスプレッダ１１では、両
面にディンプル１１ｃ，１１ｄを形成したことにより、
ディンプル加工、すなわちエッチング加工も両面からほ
ぼ均等に行われることになり、ヒートスプレッダ１１の
たわみが防止され、平坦性が保たれる。このため、モー
ルド時にアイランド２とヒートスプレッダ１１との間に
も封止材６が良好に充填され、封止材未充填部分や気泡
が生じることがない。この結果、封止材６の熱伝導率の
低下は防止され、装置全体としての放熱性が高められ
る。
面にディンプル１１ｃ，１１ｄを形成したことにより、
ディンプル加工、すなわちエッチング加工も両面からほ
ぼ均等に行われることになり、ヒートスプレッダ１１の
たわみが防止され、平坦性が保たれる。このため、モー
ルド時にアイランド２とヒートスプレッダ１１との間に
も封止材６が良好に充填され、封止材未充填部分や気泡
が生じることがない。この結果、封止材６の熱伝導率の
低下は防止され、装置全体としての放熱性が高められ
る。
【００１４】参考例２． 次に、図２は参考例２によるヒートスプレッダのアイラ
ンドに対向する面の反対面を示す図である。図におい
て、ヒートスプレッダ１２は、本体部１２ａと本体支持
部１２ｂとから構成されており、本体部１２ａのアイラ
ンド２（図１）に対向する面の反対面のみに多数のディ
ンプル１２ｃがエッチング加工されている。また、ディ
ンプル１２ｃは、直交する２本の直線に沿う未形成部分
１２ｄを除いて形成されている。すなわち、未形成部分
１２ｄは、それぞれヒートスプレッダ１２の一辺の中央
部から対向する辺の中央部に向けて延びている。さら
に、ヒートスプレッダ１２には、アイランド２との間に
封止材６が注入され易くなるように複数のスルーホール
１２ｅが設けられている。
ンドに対向する面の反対面を示す図である。図におい
て、ヒートスプレッダ１２は、本体部１２ａと本体支持
部１２ｂとから構成されており、本体部１２ａのアイラ
ンド２（図１）に対向する面の反対面のみに多数のディ
ンプル１２ｃがエッチング加工されている。また、ディ
ンプル１２ｃは、直交する２本の直線に沿う未形成部分
１２ｄを除いて形成されている。すなわち、未形成部分
１２ｄは、それぞれヒートスプレッダ１２の一辺の中央
部から対向する辺の中央部に向けて延びている。さら
に、ヒートスプレッダ１２には、アイランド２との間に
封止材６が注入され易くなるように複数のスルーホール
１２ｅが設けられている。
【００１５】このようなヒートスプレッダ１２では、デ
ィンプル１２ｃは一方の面のみに形成されているが、未
形成部分１２ｄが残されているため、全体的な強度が高
くなり、平坦性が保たれる。従って、アイランド２とヒ
ートスプレッダ１２との間に良好に封止材６（図１）を
充填でき、半導体装置の放熱性が高められる。
ィンプル１２ｃは一方の面のみに形成されているが、未
形成部分１２ｄが残されているため、全体的な強度が高
くなり、平坦性が保たれる。従って、アイランド２とヒ
ートスプレッダ１２との間に良好に封止材６（図１）を
充填でき、半導体装置の放熱性が高められる。
【００１６】参考例３． なお、未形成部分１２ｄの配置は上記参考例２に限定さ
れるものではなく、例えば図３に示すように、ヒートス
プレッダ１２の２本の対角線に沿って配置してもよい。
れるものではなく、例えば図３に示すように、ヒートス
プレッダ１２の２本の対角線に沿って配置してもよい。
【００１７】また、未形成部分１２ｄの配置方法は上記
参考例２，３に限定されるものではない。但し、たわみ
をより効果的に防止するためには、ヒートスプレッダ１
２を９０度ずつ回転させたときに、常に同じ配置となる
ようにヒートスプレッダ１２の中心点に対称に配置する
のが望ましい。
参考例２，３に限定されるものではない。但し、たわみ
をより効果的に防止するためには、ヒートスプレッダ１
２を９０度ずつ回転させたときに、常に同じ配置となる
ようにヒートスプレッダ１２の中心点に対称に配置する
のが望ましい。
【００１８】実施例１． 次に、図４はこの発明の実施例１によるヒートスプレッ
ダの製造途中の状態を示す断面図である。図において、
ヒートスプレッダ１３は、本体部１３ａと本体支持部１
３ｂとから構成されており、本体部１３ａのアイランド
２（図１）に対向する面の反対面のみに多数のディンプ
ル１３ｃがエッチング加工されている。また、ヒートス
プレッダ１３のアイランド２に対向する面には、パンチ
１４によるコイニング加工が施されている。
ダの製造途中の状態を示す断面図である。図において、
ヒートスプレッダ１３は、本体部１３ａと本体支持部１
３ｂとから構成されており、本体部１３ａのアイランド
２（図１）に対向する面の反対面のみに多数のディンプ
ル１３ｃがエッチング加工されている。また、ヒートス
プレッダ１３のアイランド２に対向する面には、パンチ
１４によるコイニング加工が施されている。
【００１９】このようなヒートスプレッダ１３では、デ
ィンプル１３ｃは一方の面のみに形成されているが、他
方の面にコイニング加工を施すことにより、エッチング
加工によるたわみが矯正され、平坦性が保たれる。従っ
て、アイランド２とヒートスプレッダ１３との間に良好
に封止材６（図１）を充填でき、半導体装置の放熱性が
高められる。
ィンプル１３ｃは一方の面のみに形成されているが、他
方の面にコイニング加工を施すことにより、エッチング
加工によるたわみが矯正され、平坦性が保たれる。従っ
て、アイランド２とヒートスプレッダ１３との間に良好
に封止材６（図１）を充填でき、半導体装置の放熱性が
高められる。
【００２０】実施例２． 次に、図５はこの発明の実施例２によるヒートスプレッ
ダのアイランドに対向する面の反対面を示す図である。
図において、ヒートスプレッダ１５は、本体部１５ａと
本体支持部１５ｂとから構成されており、本体部１５ａ
のアイランド２（図１）に対向する面の反対面のみに多
数のディンプル１５ｃがエッチング加工されている。ま
た、ヒートスプレッダ１５には、互いに直交する２本の
直線に沿う十字状のスリット１５ｄと、複数のスルーホ
ール１２ｅとが設けられている。
ダのアイランドに対向する面の反対面を示す図である。
図において、ヒートスプレッダ１５は、本体部１５ａと
本体支持部１５ｂとから構成されており、本体部１５ａ
のアイランド２（図１）に対向する面の反対面のみに多
数のディンプル１５ｃがエッチング加工されている。ま
た、ヒートスプレッダ１５には、互いに直交する２本の
直線に沿う十字状のスリット１５ｄと、複数のスルーホ
ール１２ｅとが設けられている。
【００２１】このようなヒートスプレッダ１５では、ス
リット１５ｄを設けたことにより、ディンプル１５ｃの
エッチング加工によるたわみが緩和され、平坦性が保た
れる。従って、アイランド２とヒートスプレッダ１３と
の間に良好に封止材６（図１）を充填でき、半導体装置
の放熱性が高められる。
リット１５ｄを設けたことにより、ディンプル１５ｃの
エッチング加工によるたわみが緩和され、平坦性が保た
れる。従って、アイランド２とヒートスプレッダ１３と
の間に良好に封止材６（図１）を充填でき、半導体装置
の放熱性が高められる。
【００２２】ここで、スリット１５ｄは、例えばディン
プル１５ｃのエッチング時に同時に設けることができ
る。すなわち、ディンプル１５ｃ，スリット１５ｄおよ
びスルーホール１５ｅの部分がそれぞれ開口したマスク
をヒートスプレッダ１３の一方の面にかぶせ、スリット
１５ｄおよびスルーホール１５ｅの部分のみが開口した
マスクをヒートスプレッダ１３の他方の面にかぶせた状
態で、ディンプル１５ｃが板厚の半分より若干深くなる
ようにエッチングを行えばよい。これにより、両面から
エッチングされるスリット１５ｄおよびスルーホール１
５ｅが貫通することになる。但し、スリット１５ｄの形
成方法は、この方法に限定されるものではない。
プル１５ｃのエッチング時に同時に設けることができ
る。すなわち、ディンプル１５ｃ，スリット１５ｄおよ
びスルーホール１５ｅの部分がそれぞれ開口したマスク
をヒートスプレッダ１３の一方の面にかぶせ、スリット
１５ｄおよびスルーホール１５ｅの部分のみが開口した
マスクをヒートスプレッダ１３の他方の面にかぶせた状
態で、ディンプル１５ｃが板厚の半分より若干深くなる
ようにエッチングを行えばよい。これにより、両面から
エッチングされるスリット１５ｄおよびスルーホール１
５ｅが貫通することになる。但し、スリット１５ｄの形
成方法は、この方法に限定されるものではない。
【００２３】実施例３． なお、上記実施例２ではスリット１５ｄを十字状に設け
たが、スリット１５ｄの配置はこれに限定されるもので
はなく、例えば図６に示すように、ヒートスプレッダ１
３の２本の対角線に沿うＸ字状に設けてもよい。
たが、スリット１５ｄの配置はこれに限定されるもので
はなく、例えば図６に示すように、ヒートスプレッダ１
３の２本の対角線に沿うＸ字状に設けてもよい。
【００２４】また、ヒートスプレッダの材料は、ディン
プル等の加工が可能で伝熱性に優れていればよく、銅に
限定されるものではない。
プル等の加工が可能で伝熱性に優れていればよく、銅に
限定されるものではない。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように、請求項１の発明の
半導体装置は、ヒートスプレッダのア イランドに対向す
る面の反対面にディンプル加工を施すとともに、ヒート
スプレッダのアイランドに対向する面にコイニング加工
を施したので、ディンプル加工によるヒートスプレッダ
のたわみを矯正することができ、これによりヒートスプ
レッダの平坦性が保たれ、従ってアイランドとヒートス
プレッダとの間の間隔が狭くなるのを防止して、両者間
に封止材を良好に充填することができ、これにより封止
材の熱伝導率の低下を防止し、装置全体としての放熱性
を高め、信頼性を向上させることができるなどの効果を
奏する。
半導体装置は、ヒートスプレッダのア イランドに対向す
る面の反対面にディンプル加工を施すとともに、ヒート
スプレッダのアイランドに対向する面にコイニング加工
を施したので、ディンプル加工によるヒートスプレッダ
のたわみを矯正することができ、これによりヒートスプ
レッダの平坦性が保たれ、従ってアイランドとヒートス
プレッダとの間の間隔が狭くなるのを防止して、両者間
に封止材を良好に充填することができ、これにより封止
材の熱伝導率の低下を防止し、装置全体としての放熱性
を高め、信頼性を向上させることができるなどの効果を
奏する。
【００２６】また、請求項２の発明の半導体装置は、ヒ
ートスプレッダのアイランドに対向する面の反対面にデ
ィンプル加工を施すとともに、ヒートスプレッダに互い
に直交する少なくとも２本の直線に沿ってスリットを設
けたので、このスリットによりヒートスプレッダのたわ
みが緩和され、これによりヒートスプレッダの平坦性が
保たれ、上記請求項１の発明と同様の効果が得られる。
ートスプレッダのアイランドに対向する面の反対面にデ
ィンプル加工を施すとともに、ヒートスプレッダに互い
に直交する少なくとも２本の直線に沿ってスリットを設
けたので、このスリットによりヒートスプレッダのたわ
みが緩和され、これによりヒートスプレッダの平坦性が
保たれ、上記請求項１の発明と同様の効果が得られる。
【図１】 参考例１による半導体装置の断面図である。
【図２】 参考例２によるヒートスプレッダのアイラン
ドに対向する面の反対面を示す図である。
ドに対向する面の反対面を示す図である。
【図３】 参考例３によるヒートスプレッダのアイラン
ドに対向する面の反対面を示す図である。
ドに対向する面の反対面を示す図である。
【図４】 この発明の実施例１によるヒートスプレッダ
の製造途中の状態を示す断面図である。
の製造途中の状態を示す断面図である。
【図５】 この発明の実施例２によるヒートスプレッダ
のアイランドに対向する面の反対面を示す図である。
のアイランドに対向する面の反対面を示す図である。
【図６】 この発明の実施例３によるヒートスプレッダ
のアイランドに対向する面の反対面を示す図である。
のアイランドに対向する面の反対面を示す図である。
【図７】 従来の半導体装置の一例の断面図である。
【図８】 図７のヒートスプレッダのアイランドに対向
する面の反対面を示す図である。
する面の反対面を示す図である。
【符号の説明】 １ 半導体チップ、２ アイランド、６ 封止材、１
３，１５ ヒートスプレッダ、１３ｃ，１５ｃ ディン
プル、１５ｄ スリット。
３，１５ ヒートスプレッダ、１３ｃ，１５ｃ ディン
プル、１５ｄ スリット。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭62−229961（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−185853（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−309256（ＪＰ，Ａ) 実開 昭64−50442（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 23/36 H01L 23/28
Claims (2)
- 【請求項１】 放熱用のヒートスプレッダが、半導体チ
ップを載置保持するアイランドに対向するように封止材
内に配置されている半導体装置において、上記ヒートス
プレッダは、上記アイランドに対向する面の反対面にデ
ィンプル加工が施されているとともに、上記アイランド
に対向する面にコイニング加工が施されていることを特
徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 放熱用のヒートスプレッダが、半導体チ
ップを載置保持するアイランドに対向するように封止材
内に配置されている半導体装置において、上記ヒートス
プレッダは、上記アイランドに対向する面の反対面にデ
ィンプル加工が施されているとともに、互いに交差する
少なくとも２本の直線に沿ってスリットが設けられてい
ることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31849992A JP3157933B2 (ja) | 1992-11-27 | 1992-11-27 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31849992A JP3157933B2 (ja) | 1992-11-27 | 1992-11-27 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06163750A JPH06163750A (ja) | 1994-06-10 |
| JP3157933B2 true JP3157933B2 (ja) | 2001-04-23 |
Family
ID=18099808
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31849992A Expired - Fee Related JP3157933B2 (ja) | 1992-11-27 | 1992-11-27 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3157933B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2021034705A (ja) * | 2019-08-29 | 2021-03-01 | Ｊｘ金属株式会社 | 金属板、金属樹脂複合体、半導体デバイス及び、金属板の製造方法 |
-
1992
- 1992-11-27 JP JP31849992A patent/JP3157933B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06163750A (ja) | 1994-06-10 |
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