JPH06163750A - 半導体装置 - Google Patents
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- JPH06163750A JPH06163750A JP31849992A JP31849992A JPH06163750A JP H06163750 A JPH06163750 A JP H06163750A JP 31849992 A JP31849992 A JP 31849992A JP 31849992 A JP31849992 A JP 31849992A JP H06163750 A JPH06163750 A JP H06163750A
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- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、アイランド２とヒートスプレッダ
１１との間の間隔が狭くなるのを防止して、両者間に封
止材６を良好に充填し、これにより装置全体としての放
熱性を高め、信頼性を向上させることを目的とするもの
である。 【構成】 ヒートスプレッダ１１の両面にディンプル１
１ｃ，１１ｄを形成し、かつ一方の面のディンプル１１
ｃを他方の面のディンプル１１ｄに対して１／２ピッチ
ずつ変位配置した。
１１との間の間隔が狭くなるのを防止して、両者間に封
止材６を良好に充填し、これにより装置全体としての放
熱性を高め、信頼性を向上させることを目的とするもの
である。 【構成】 ヒートスプレッダ１１の両面にディンプル１
１ｃ，１１ｄを形成し、かつ一方の面のディンプル１１
ｃを他方の面のディンプル１１ｄに対して１／２ピッチ
ずつ変位配置した。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、放熱用のヒートスプ
レッダが封止材内でアイランドに対向配置されている半
導体装置に関するものである。
レッダが封止材内でアイランドに対向配置されている半
導体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図７は従来のこの種の半導体装置の一例
を示す断面図である。図において、１は半導体チップ、
２は半導体チップ１を載置保持するアイランド、３はリ
ードフレーム、３ａはリードフレーム３におけるインナ
ーリード、３ｂはリードフレーム３におけるアウターリ
ード、４は半導体チップ１上の電極（図示せず）とイン
ナーリード３ａとを電気的に接続する金属細線、５はア
イランド２に間隔を隔てて対向配置されている放熱用の
ヒートスプレッダ、６はリードフレーム３のアウターリ
ード３ｂを除いて半導体チップ１，アイランド２，イン
ナーリード３ａ，金属細線４およびヒートスプレッダ５
を保護するためにこれらを被覆した状態で固化している
封止材である。
を示す断面図である。図において、１は半導体チップ、
２は半導体チップ１を載置保持するアイランド、３はリ
ードフレーム、３ａはリードフレーム３におけるインナ
ーリード、３ｂはリードフレーム３におけるアウターリ
ード、４は半導体チップ１上の電極（図示せず）とイン
ナーリード３ａとを電気的に接続する金属細線、５はア
イランド２に間隔を隔てて対向配置されている放熱用の
ヒートスプレッダ、６はリードフレーム３のアウターリ
ード３ｂを除いて半導体チップ１，アイランド２，イン
ナーリード３ａ，金属細線４およびヒートスプレッダ５
を保護するためにこれらを被覆した状態で固化している
封止材である。
【０００３】また、ヒートスプレッダ５は、図７におけ
る下面を図８に示すように、本体部５ａと、４つの角隅
部の本体支持部５ｂとからなっており、本体部５ａに
は、多数のディンプル５ｃと、複数のスルーホール５ｄ
とが設けられている。また、封止材６で被覆した後も、
本体支持部５ｂとインナーリード３ａとは分離されてい
る。
る下面を図８に示すように、本体部５ａと、４つの角隅
部の本体支持部５ｂとからなっており、本体部５ａに
は、多数のディンプル５ｃと、複数のスルーホール５ｄ
とが設けられている。また、封止材６で被覆した後も、
本体支持部５ｂとインナーリード３ａとは分離されてい
る。
【０００４】次に、動作について説明する。半導体チッ
プ１は、電流が供給されることにより発熱する。その熱
は、アイランド２から、アイランド２とヒートスプレッ
ダ５との間に充填されている封止材部分６ａを介してヒ
ートスプレッダ５に伝搬し、ヒートスプレッダ５から封
止材部分６ｂを介して外部に放出される。すなわち、ヒ
ートスプレッダ５を介しての熱伝導による放熱によっ
て、半導体チップ１の異常昇温を防止し、半導体チップ
１の誤動作を避けて信頼性を高めるようにしている。
プ１は、電流が供給されることにより発熱する。その熱
は、アイランド２から、アイランド２とヒートスプレッ
ダ５との間に充填されている封止材部分６ａを介してヒ
ートスプレッダ５に伝搬し、ヒートスプレッダ５から封
止材部分６ｂを介して外部に放出される。すなわち、ヒ
ートスプレッダ５を介しての熱伝導による放熱によっ
て、半導体チップ１の異常昇温を防止し、半導体チップ
１の誤動作を避けて信頼性を高めるようにしている。
【０００５】また、ヒートスプレッダ５には、封止材部
分６ｂとの密着力を高めるため、ディンプル５ｃが設け
られている。これにより、大気中の水分を吸湿した封止
材６が半導体装置実装時に急激に温度上昇することによ
り、封止材６にクラックが発生するのを防止している。
分６ｂとの密着力を高めるため、ディンプル５ｃが設け
られている。これにより、大気中の水分を吸湿した封止
材６が半導体装置実装時に急激に温度上昇することによ
り、封止材６にクラックが発生するのを防止している。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記のように構成され
た従来の半導体装置においては、ヒートスプレッダ５の
下面のみにディンプル５ｃが設けられているため、ディ
ンプル５ｃのエッチング加工により本体部５ａが湾曲状
にたわみ、アイランド２とヒートスプレッダ５との間の
間隔がアイランド２の中央部に向かうに従って狭くなっ
てしまう。このため、封止材６によるモールド成形の
際、アイランド２とヒートスプレッダ５との間に封止材
６が完全に注入されず、封止材未充填部分や気泡（ボイ
ド）が生じ、封止材６の熱伝導率が低下して、装置全体
としての放熱性が低下するという問題点があった。
た従来の半導体装置においては、ヒートスプレッダ５の
下面のみにディンプル５ｃが設けられているため、ディ
ンプル５ｃのエッチング加工により本体部５ａが湾曲状
にたわみ、アイランド２とヒートスプレッダ５との間の
間隔がアイランド２の中央部に向かうに従って狭くなっ
てしまう。このため、封止材６によるモールド成形の
際、アイランド２とヒートスプレッダ５との間に封止材
６が完全に注入されず、封止材未充填部分や気泡（ボイ
ド）が生じ、封止材６の熱伝導率が低下して、装置全体
としての放熱性が低下するという問題点があった。
【０００７】この発明は、上記のような問題点を解決す
ることを課題としてなされたものであり、アイランドと
ヒートスプレッダとの間の間隔が狭くなるのを防止し
て、両者間に封止材を良好に充填することができ、これ
により封止材の熱伝導率の低下を防止し、装置全体とし
ての放熱性を高め、信頼性を向上させることができる半
導体装置を得ることを目的とする。
ることを課題としてなされたものであり、アイランドと
ヒートスプレッダとの間の間隔が狭くなるのを防止し
て、両者間に封止材を良好に充填することができ、これ
により封止材の熱伝導率の低下を防止し、装置全体とし
ての放熱性を高め、信頼性を向上させることができる半
導体装置を得ることを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】請求項１に係る発明の半
導体装置は、ヒートスプレッダの両面にディンプル加工
を施し、かつ一方の面のディンプルを他方の面のディン
プルに対して１／２ピッチずつ変位配置したものであ
る。
導体装置は、ヒートスプレッダの両面にディンプル加工
を施し、かつ一方の面のディンプルを他方の面のディン
プルに対して１／２ピッチずつ変位配置したものであ
る。
【０００９】請求項２に係る発明の半導体装置は、ヒー
トスプレッダのアイランドに対向する面の反対面に、互
いに交差する少なくとも２本の直線に沿う未形成部分を
除いて、ディンプル加工を施したものである。
トスプレッダのアイランドに対向する面の反対面に、互
いに交差する少なくとも２本の直線に沿う未形成部分を
除いて、ディンプル加工を施したものである。
【００１０】請求項３の発明に係る半導体装置は、ヒー
トスプレッダのアイランドに対向する面の反対面にディ
ンプル加工を施すとともに、ヒートスプレッダのアイラ
ンドに対向する面にコイニング加工を施したものであ
る。
トスプレッダのアイランドに対向する面の反対面にディ
ンプル加工を施すとともに、ヒートスプレッダのアイラ
ンドに対向する面にコイニング加工を施したものであ
る。
【００１１】請求項４の発明に係る半導体装置は、ヒー
トスプレッダのアイランドに対向する面の反対面にディ
ンプル加工を施すとともに、ヒートスプレッダに互いに
交差する少なくとも２本の直線に沿ってスリットを設け
たものである。
トスプレッダのアイランドに対向する面の反対面にディ
ンプル加工を施すとともに、ヒートスプレッダに互いに
交差する少なくとも２本の直線に沿ってスリットを設け
たものである。
【００１２】
【作用】この発明においては、上記手段によりヒートス
プレッダのたわみを防止し、平坦性を向上させて、モー
ルド時の封止材注入が良好に行われるようにする。
プレッダのたわみを防止し、平坦性を向上させて、モー
ルド時の封止材注入が良好に行われるようにする。
【００１３】
【実施例】以下、この発明の実施例を示す図について説
明する。なお、各図中、図７および図８と同一又は相当
部分には同一符号を付し、その説明を省略する。
明する。なお、各図中、図７および図８と同一又は相当
部分には同一符号を付し、その説明を省略する。
【００１４】実施例１．図１は請求項１の発明の一実施
例による半導体装置の断面図である。図において、１１
はアイランド２に間隔を隔てて対向配置されている放熱
用のヒートスプレッダであり、このヒートスプレッダ１
１は、例えば銅材からなり、本体部１１ａと本体支持部
１１ｂとから構成されている。また、本体部１１ａに
は、その両面にディンプル１１ｃ，１１ｄが形成されて
いる。さらに、上面ディンプル１１ｃは、下面ディンプ
ル１１ｄに対して１／２ピッチずつ変位配置されてい
る。さらにまた、上面ディンプル１１ｃおよび下面ディ
ンプル１１ｄの深さは、それぞれヒートスプレッダ１１
の板厚の約半分となっており、上下面が貫通穴にならな
いように構成されている。
例による半導体装置の断面図である。図において、１１
はアイランド２に間隔を隔てて対向配置されている放熱
用のヒートスプレッダであり、このヒートスプレッダ１
１は、例えば銅材からなり、本体部１１ａと本体支持部
１１ｂとから構成されている。また、本体部１１ａに
は、その両面にディンプル１１ｃ，１１ｄが形成されて
いる。さらに、上面ディンプル１１ｃは、下面ディンプ
ル１１ｄに対して１／２ピッチずつ変位配置されてい
る。さらにまた、上面ディンプル１１ｃおよび下面ディ
ンプル１１ｄの深さは、それぞれヒートスプレッダ１１
の板厚の約半分となっており、上下面が貫通穴にならな
いように構成されている。
【００１５】このようなヒートスプレッダ１１では、両
面にディンプル１１ｃ，１１ｄを形成したことにより、
ディンプル加工、すなわちエッチング加工も両面からほ
ぼ均等に行われることになり、ヒートスプレッダ１１の
たわみが防止され、平坦性が保たれる。このため、モー
ルド時にアイランド２とヒートスプレッダ１１との間に
も封止材６が良好に充填され、封止材未充填部分や気泡
が生じることがない。この結果、封止材６の熱伝導率の
低下は防止され、装置全体としての放熱性が高められ
る。
面にディンプル１１ｃ，１１ｄを形成したことにより、
ディンプル加工、すなわちエッチング加工も両面からほ
ぼ均等に行われることになり、ヒートスプレッダ１１の
たわみが防止され、平坦性が保たれる。このため、モー
ルド時にアイランド２とヒートスプレッダ１１との間に
も封止材６が良好に充填され、封止材未充填部分や気泡
が生じることがない。この結果、封止材６の熱伝導率の
低下は防止され、装置全体としての放熱性が高められ
る。
【００１６】実施例２．次に、図２は請求項２の発明の
一実施例によるヒートスプレッダのアイランドに対向す
る面の反対面を示す図である。図において、ヒートスプ
レッダ１２は、本体部１２ａと本体支持部１２ｂとから
構成されており、本体部１２ａのアイランド２（図１）
に対向する面の反対面のみに多数のディンプル１２ｃが
エッチング加工されている。また、ディンプル１２ｃ
は、直交する２本の直線に沿う未形成部分１２ｄを除い
て形成されている。すなわち、未形成部分１２ｄは、そ
れぞれヒートスプレッダ１２の一辺の中央部から対向す
る辺の中央部に向けて延びている。さらに、ヒートスプ
レッダ１２には、アイランド２との間に封止材６が注入
され易くなるように複数のスルーホール１２ｅが設けら
れている。
一実施例によるヒートスプレッダのアイランドに対向す
る面の反対面を示す図である。図において、ヒートスプ
レッダ１２は、本体部１２ａと本体支持部１２ｂとから
構成されており、本体部１２ａのアイランド２（図１）
に対向する面の反対面のみに多数のディンプル１２ｃが
エッチング加工されている。また、ディンプル１２ｃ
は、直交する２本の直線に沿う未形成部分１２ｄを除い
て形成されている。すなわち、未形成部分１２ｄは、そ
れぞれヒートスプレッダ１２の一辺の中央部から対向す
る辺の中央部に向けて延びている。さらに、ヒートスプ
レッダ１２には、アイランド２との間に封止材６が注入
され易くなるように複数のスルーホール１２ｅが設けら
れている。
【００１７】このようなヒートスプレッダ１２では、デ
ィンプル１２ｃは一方の面のみに形成されているが、未
形成部分１２ｄが残されているため、全体的な強度が高
くなり、平坦性が保たれる。従って、アイランド２とヒ
ートスプレッダ１２との間に良好に封止材６（図１）を
充填でき、半導体装置の放熱性が高められる。
ィンプル１２ｃは一方の面のみに形成されているが、未
形成部分１２ｄが残されているため、全体的な強度が高
くなり、平坦性が保たれる。従って、アイランド２とヒ
ートスプレッダ１２との間に良好に封止材６（図１）を
充填でき、半導体装置の放熱性が高められる。
【００１８】実施例３．なお、未形成部分１２ｄの配置
は上記実施例２に限定されるものではなく、例えば図３
に示すように、ヒートスプレッダ１２の２本の対角線に
沿って配置してもよい。
は上記実施例２に限定されるものではなく、例えば図３
に示すように、ヒートスプレッダ１２の２本の対角線に
沿って配置してもよい。
【００１９】また、未形成部分１２ｄの配置方法は上記
実施例２，３に限定されるものではない。但し、たわみ
をより効果的に防止するためには、ヒートスプレッダ１
２を９０度ずつ回転させたときに、常に同じ配置となる
ようにヒートスプレッダ１２の中心点に対称に配置する
のが望ましい。
実施例２，３に限定されるものではない。但し、たわみ
をより効果的に防止するためには、ヒートスプレッダ１
２を９０度ずつ回転させたときに、常に同じ配置となる
ようにヒートスプレッダ１２の中心点に対称に配置する
のが望ましい。
【００２０】実施例４．次に、図４は請求項３の発明の
一実施例によるヒートスプレッダの製造途中の状態を示
す断面図である。図において、ヒートスプレッダ１３
は、本体部１３ａと本体支持部１３ｂとから構成されて
おり、本体部１３ａのアイランド２（図１）に対向する
面の反対面のみに多数のディンプル１３ｃがエッチング
加工されている。また、ヒートスプレッダ１３のアイラ
ンド２に対向する面には、パンチ１４によるコイニング
加工が施されている。
一実施例によるヒートスプレッダの製造途中の状態を示
す断面図である。図において、ヒートスプレッダ１３
は、本体部１３ａと本体支持部１３ｂとから構成されて
おり、本体部１３ａのアイランド２（図１）に対向する
面の反対面のみに多数のディンプル１３ｃがエッチング
加工されている。また、ヒートスプレッダ１３のアイラ
ンド２に対向する面には、パンチ１４によるコイニング
加工が施されている。
【００２１】このようなヒートスプレッダ１３では、デ
ィンプル１３ｃは一方の面のみに形成されているが、他
方の面にコイニング加工を施すことにより、エッチング
加工によるたわみが矯正され、平坦性が保たれる。従っ
て、アイランド２とヒートスプレッダ１３との間に良好
に封止材６（図１）を充填でき、半導体装置の放熱性が
高められる。
ィンプル１３ｃは一方の面のみに形成されているが、他
方の面にコイニング加工を施すことにより、エッチング
加工によるたわみが矯正され、平坦性が保たれる。従っ
て、アイランド２とヒートスプレッダ１３との間に良好
に封止材６（図１）を充填でき、半導体装置の放熱性が
高められる。
【００２２】実施例５．次に、図５は請求項４の発明の
一実施例によるヒートスプレッダのアイランドに対向す
る面の反対面を示す図である。図において、ヒートスプ
レッダ１５は、本体部１５ａと本体支持部１５ｂとから
構成されており、本体部１５ａのアイランド２（図１）
に対向する面の反対面のみに多数のディンプル１５ｃが
エッチング加工されている。また、ヒートスプレッダ１
５には、互いに直交する２本の直線に沿う十字状のスリ
ット１５ｄと、複数のスルーホール１２ｅとが設けられ
ている。
一実施例によるヒートスプレッダのアイランドに対向す
る面の反対面を示す図である。図において、ヒートスプ
レッダ１５は、本体部１５ａと本体支持部１５ｂとから
構成されており、本体部１５ａのアイランド２（図１）
に対向する面の反対面のみに多数のディンプル１５ｃが
エッチング加工されている。また、ヒートスプレッダ１
５には、互いに直交する２本の直線に沿う十字状のスリ
ット１５ｄと、複数のスルーホール１２ｅとが設けられ
ている。
【００２３】このようなヒートスプレッダ１５では、ス
リット１５ｄを設けたことにより、ディンプル１５ｃの
エッチング加工によるたわみが緩和され、平坦性が保た
れる。従って、アイランド２とヒートスプレッダ１３と
の間に良好に封止材６（図１）を充填でき、半導体装置
の放熱性が高められる。
リット１５ｄを設けたことにより、ディンプル１５ｃの
エッチング加工によるたわみが緩和され、平坦性が保た
れる。従って、アイランド２とヒートスプレッダ１３と
の間に良好に封止材６（図１）を充填でき、半導体装置
の放熱性が高められる。
【００２４】ここで、スリット１５ｄは、例えばディン
プル１５ｃのエッチング時に同時に設けることができ
る。すなわち、ディンプル１５ｃ，スリット１５ｄおよ
びスルーホール１５ｅの部分がそれぞれ開口したマスク
をヒートスプレッダ１３の一方の面にかぶせ、スリット
１５ｄおよびスルーホール１５ｅの部分のみが開口した
マスクをヒートスプレッダ１３の他方の面にかぶせた状
態で、ディンプル１５ｃが板厚の半分より若干深くなる
ようにエッチングを行えばよい。これにより、両面から
エッチングされるスリット１５ｄおよびスルーホール１
５ｅが貫通することになる。但し、スリット１５ｄの形
成方法は、この方法に限定されるものではない。
プル１５ｃのエッチング時に同時に設けることができ
る。すなわち、ディンプル１５ｃ，スリット１５ｄおよ
びスルーホール１５ｅの部分がそれぞれ開口したマスク
をヒートスプレッダ１３の一方の面にかぶせ、スリット
１５ｄおよびスルーホール１５ｅの部分のみが開口した
マスクをヒートスプレッダ１３の他方の面にかぶせた状
態で、ディンプル１５ｃが板厚の半分より若干深くなる
ようにエッチングを行えばよい。これにより、両面から
エッチングされるスリット１５ｄおよびスルーホール１
５ｅが貫通することになる。但し、スリット１５ｄの形
成方法は、この方法に限定されるものではない。
【００２５】実施例６．なお、上記実施例５ではスリッ
ト１５ｄを十字状に設けたが、スリット１５ｄの配置は
これに限定されるものではなく、例えば図６に示すよう
に、ヒートスプレッダ１３の２本の対角線に沿うＸ字状
に設けてもよい。
ト１５ｄを十字状に設けたが、スリット１５ｄの配置は
これに限定されるものではなく、例えば図６に示すよう
に、ヒートスプレッダ１３の２本の対角線に沿うＸ字状
に設けてもよい。
【００２６】また、ヒートスプレッダの材料は、ディン
プル等の加工が可能で伝熱性に優れていればよく、銅に
限定されるものではない。
プル等の加工が可能で伝熱性に優れていればよく、銅に
限定されるものではない。
【００２７】
【発明の効果】以上説明したように、請求項１の発明の
半導体装置は、ヒートスプレッダの両面にディンプル加
工を施し、かつ一方の面のディンプルを他方の面のディ
ンプルに対して１／２ピッチずつ変位配置したので、ヒ
ートスプレッダのたわみが防止されて平坦性が保たれ、
従ってアイランドとヒートスプレッダとの間の間隔が狭
くなるのを防止して、両者間に封止材を良好に充填する
ことができ、これにより封止材の熱伝導率の低下を防止
し、装置全体としての放熱性を高め、信頼性を向上させ
ることができるなどの効果を奏する。
半導体装置は、ヒートスプレッダの両面にディンプル加
工を施し、かつ一方の面のディンプルを他方の面のディ
ンプルに対して１／２ピッチずつ変位配置したので、ヒ
ートスプレッダのたわみが防止されて平坦性が保たれ、
従ってアイランドとヒートスプレッダとの間の間隔が狭
くなるのを防止して、両者間に封止材を良好に充填する
ことができ、これにより封止材の熱伝導率の低下を防止
し、装置全体としての放熱性を高め、信頼性を向上させ
ることができるなどの効果を奏する。
【００２８】また、請求項２の発明の半導体装置は、ヒ
ートスプレッダのアイランドに対向する面の反対面に、
互いに直交する少なくとも２本の直線に沿う未形成部分
を除いて、ディンプル加工を施したので、未形成部分に
よりヒートスプレッダが補強され、これによりヒートス
プレッダのたわみが防止されて平坦性が保たれ、上記請
求項１の発明と同様の効果が得られる。
ートスプレッダのアイランドに対向する面の反対面に、
互いに直交する少なくとも２本の直線に沿う未形成部分
を除いて、ディンプル加工を施したので、未形成部分に
よりヒートスプレッダが補強され、これによりヒートス
プレッダのたわみが防止されて平坦性が保たれ、上記請
求項１の発明と同様の効果が得られる。
【００２９】さらに、請求項３の発明の半導体装置は、
ヒートスプレッダのアイランドに対向する面の反対面に
ディンプル加工を施すとともに、ヒートスプレッダのア
イランドに対向する面にコイニング加工を施したので、
ディンプル加工によるヒートスプレッダのたわみを矯正
することができ、これによりヒートスプレッダの平坦性
が保たれ、上記請求項１の発明と同様の効果が得られ
る。
ヒートスプレッダのアイランドに対向する面の反対面に
ディンプル加工を施すとともに、ヒートスプレッダのア
イランドに対向する面にコイニング加工を施したので、
ディンプル加工によるヒートスプレッダのたわみを矯正
することができ、これによりヒートスプレッダの平坦性
が保たれ、上記請求項１の発明と同様の効果が得られ
る。
【００３０】さらにまた、請求項４の発明の半導体装置
は、ヒートスプレッダのアイランドに対向する面の反対
面にディンプル加工を施すとともに、ヒートスプレッダ
に互いに直交する少なくとも２本の直線に沿ってスリッ
トを設けたので、このスリットによりヒートスプレッダ
のたわみが緩和され、これによりヒートスプレッダの平
坦性が保たれ、上記請求項１の発明と同様の効果が得ら
れる。
は、ヒートスプレッダのアイランドに対向する面の反対
面にディンプル加工を施すとともに、ヒートスプレッダ
に互いに直交する少なくとも２本の直線に沿ってスリッ
トを設けたので、このスリットによりヒートスプレッダ
のたわみが緩和され、これによりヒートスプレッダの平
坦性が保たれ、上記請求項１の発明と同様の効果が得ら
れる。
【図１】請求項１の発明の一実施例による半導体装置の
断面図である。
断面図である。
【図２】請求項２の発明の一実施例によるヒートスプレ
ッダのアイランドに対向する面の反対面を示す図であ
る。
ッダのアイランドに対向する面の反対面を示す図であ
る。
【図３】請求項２の発明の他の実施例によるヒートスプ
レッダのアイランドに対向する面の反対面を示す図であ
る。
レッダのアイランドに対向する面の反対面を示す図であ
る。
【図４】請求項３の発明の一実施例によるヒートスプレ
ッダの製造途中の状態を示す断面図である。
ッダの製造途中の状態を示す断面図である。
【図５】請求項４の発明の一実施例によるヒートスプレ
ッダのアイランドに対向する面の反対面を示す図であ
る。
ッダのアイランドに対向する面の反対面を示す図であ
る。
【図６】請求項４の発明の他の実施例によるヒートスプ
レッダのアイランドに対向する面の反対面を示す図であ
る。
レッダのアイランドに対向する面の反対面を示す図であ
る。
【図７】従来の半導体装置の一例の断面図である。
【図８】図７のヒートスプレッダのアイランドに対向す
る面の反対面を示す図である。
る面の反対面を示す図である。
１ 半導体チップ ２ アイランド ６ 封止材 １１ ヒートスプレッダ １１ｃ 上面ディンプル １１ｄ 下面ディンプル １２ ヒートスプレッダ １２ｃ ディンプル １２ｄ 未形成部分 １３ ヒートスプレッダ １３ｃ ディンプル １５ ヒートスプレッダ １５ｃ ディンプル １５ｄ スリット
Claims (4)
- 【請求項１】 放熱用のヒートスプレッダが、半導体チ
ップを載置保持するアイランドに対向するように封止材
内に配置されている半導体装置において、上記ヒートス
プレッダの両面にディンプル加工が施されており、かつ
一方の面のディンプルが他方の面のディンプルに対して
１／２ピッチずつ変位配置されていることを特徴とする
半導体装置。 - 【請求項２】 放熱用のヒートスプレッダが、半導体チ
ップを載置保持するアイランドに対向するように封止材
内に配置されている半導体装置において、上記ヒートス
プレッダの上記アイランドに対向する面の反対面に、互
いに交差する少なくとも２本の直線に沿う未形成部分を
除いて、ディンプル加工が施されていることを特徴とす
る半導体装置。 - 【請求項３】 放熱用のヒートスプレッダが、半導体チ
ップを載置保持するアイランドに対向するように封止材
内に配置されている半導体装置において、上記ヒートス
プレッダは、上記アイランドに対向する面の反対面にデ
ィンプル加工が施されているとともに、上記アイランド
に対向する面にコイニング加工が施されていることを特
徴とする半導体装置。 - 【請求項４】 放熱用のヒートスプレッダが、半導体チ
ップを載置保持するアイランドに対向するように封止材
内に配置されている半導体装置において、上記ヒートス
プレッダは、上記アイランドに対向する面の反対面にデ
ィンプル加工が施されているとともに、互いに交差する
少なくとも２本の直線に沿ってスリットが設けられてい
ることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31849992A JP3157933B2 (ja) | 1992-11-27 | 1992-11-27 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31849992A JP3157933B2 (ja) | 1992-11-27 | 1992-11-27 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06163750A true JPH06163750A (ja) | 1994-06-10 |
| JP3157933B2 JP3157933B2 (ja) | 2001-04-23 |
Family
ID=18099808
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31849992A Expired - Fee Related JP3157933B2 (ja) | 1992-11-27 | 1992-11-27 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3157933B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2021034705A (ja) * | 2019-08-29 | 2021-03-01 | Ｊｘ金属株式会社 | 金属板、金属樹脂複合体、半導体デバイス及び、金属板の製造方法 |
-
1992
- 1992-11-27 JP JP31849992A patent/JP3157933B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2021034705A (ja) * | 2019-08-29 | 2021-03-01 | Ｊｘ金属株式会社 | 金属板、金属樹脂複合体、半導体デバイス及び、金属板の製造方法 |
| WO2021039086A1 (ja) * | 2019-08-29 | 2021-03-04 | Ｊｘ金属株式会社 | 金属板、金属樹脂複合体、半導体デバイス及び、金属板の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3157933B2 (ja) | 2001-04-23 |
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